JP2011503772A5 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 26
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 7
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
Claims (8)
- （１）
ａ）銀金属、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性金属；
ｂ）全ガラス組成物の重量％を基準にして、０．１〜８重量％のＳｉＯ２、８〜２５重量％のＢ２Ｏ３、０〜１５重量％のＢｉＦ３、および２８〜８５重量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリット；
ｃ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量％であるもの、および
ｄ）有機媒体を含み、
前記導電性金属、前記ガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されている厚膜組成物と；
（２）１つまたは複数の基材と；
（３）１つまたは複数の絶縁膜と
を含む構造物であり；
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記ガラスフリットと銀粉末とが焼結され、前記１つまたは複数の絶縁膜に前記圧膜組成物の成分が浸透し、且つ、前記構造物が半導体デバイスである構造物。 - 前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項１に記載の構造物。
- 前記半導体デバイスが太陽電池である請求項１または２に記載の構造物。
- 前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項１に記載の構造物。
- （１）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、
ａ）銀金属、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性金属、
ｂ）全ガラス組成物重量％を基準にして、０．１〜８重量％のＳｉＯ２、８〜２５重量％のＢ２Ｏ３、０〜１５重量％のＢｉＦ３、および２８〜８５重量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリット、
ｃ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量％であるもの、および
ｄ）有機媒体を含み、
前記導電性金属、前記ガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されているステップと、
（２）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（３）前記半導体基材上の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（４）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記銀粉末とガラスフリットとが焼結され、且つ、前記１つまたは複数の絶縁膜に前記圧膜組成物の成分が浸透する
半導体デバイスの製造方法。 - ａ）銀金属、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性金属と；
ｂ）全ガラス組成物重量％を基準にして、０．１〜８重量％のＳｉＯ２、８〜２５重量％のＢ２Ｏ３、０〜１５重量％のＢｉＦ３、および２８〜８５重量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリットと；
ｃ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量％であるものと、
ｄ）有機媒体とを含み、
前記導電性金属、前記ガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されている厚膜組成物。 - 前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項６に記載の組成物。
- 前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項６に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US98091607P | 2007-10-18 | 2007-10-18 | |
| PCT/US2008/080133 WO2009052266A1 (en) | 2007-10-18 | 2008-10-16 | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011503772A JP2011503772A (ja) | 2011-01-27 |
| JP2011503772A5 true JP2011503772A5 (ja) | 2011-11-17 |
Family
ID=40297673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010530106A Withdrawn JP2011503772A (ja) | 2007-10-18 | 2008-10-16 | 伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法：Ｍｇ含有添加剤 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7790065B2 (ja) |
| EP (1) | EP2193526A1 (ja) |
| JP (1) | JP2011503772A (ja) |
| KR (1) | KR20100080614A (ja) |
| CN (1) | CN101816044A (ja) |
| TW (1) | TW200931449A (ja) |
| WO (1) | WO2009052266A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007100146A1 (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法 |
| JP5151150B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-02-27 | 株式会社日立製作所 | 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法 |
| WO2009126671A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8076777B2 (en) * | 2008-06-26 | 2011-12-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| KR101144810B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2012-05-11 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지용 전극 페이스트, 이를 이용한 태양전지, 및 태양전지의 제조방법 |
| WO2011033826A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池、その製造方法及び太陽電池モジュール |
| US8252204B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-08-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| KR101041603B1 (ko) * | 2010-12-31 | 2011-06-15 | (주)알가 | 진공 유리 패널 및 그 제조 방법 |
| US8486308B2 (en) | 2010-12-17 | 2013-07-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition containing lithium, and articles made therefrom |
| US9129725B2 (en) | 2010-12-17 | 2015-09-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition containing lithium, and articles made therefrom |
| KR20120077439A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 |
| CN102157219B (zh) * | 2011-01-12 | 2012-06-27 | 西安银泰新能源材料科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
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| CN104137194A (zh) * | 2012-02-27 | 2014-11-05 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 银浆及其在太阳能电池生产中的用途 |
| JP2013243279A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Namics Corp | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト |
| CN105408267B (zh) | 2013-07-25 | 2020-01-14 | 纳美仕有限公司 | 结晶系硅太阳能电池及其制造方法 |
| WO2015026483A1 (en) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | Gtat Corporation | Using an active solder to couple a metallic article to a photovoltaic cell |
| CN103943168B (zh) * | 2014-04-18 | 2016-04-27 | 西安交通大学 | 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法 |
| CN110337423A (zh) * | 2017-03-24 | 2019-10-15 | 贺利氏贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于导电膏组合物的低蚀刻和非接触式玻璃 |
| TWI745562B (zh) * | 2017-04-18 | 2021-11-11 | 美商太陽帕斯特有限責任公司 | 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置 |
| CN112041994B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-06-21 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| NL7905817A (nl) * | 1979-07-27 | 1981-01-29 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. |
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| US5296413A (en) | 1991-12-03 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Automotive glass thick film conductor paste |
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| JP3209089B2 (ja) | 1996-05-09 | 2001-09-17 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
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| CN1316509C (zh) | 2001-09-06 | 2007-05-16 | 诺利塔克股份有限公司 | 导体组合物及其制造方法 |
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| JP2011502330A (ja) * | 2007-10-18 | 2011-01-20 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛フリーの伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法：Ｍｇ含有添加剤 |
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-
2008
- 2008-10-16 WO PCT/US2008/080133 patent/WO2009052266A1/en active Application Filing
- 2008-10-16 KR KR1020107010789A patent/KR20100080614A/ko active IP Right Grant
- 2008-10-16 CN CN200880110508A patent/CN101816044A/zh active Pending
- 2008-10-16 EP EP20080839117 patent/EP2193526A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-16 JP JP2010530106A patent/JP2011503772A/ja not_active Withdrawn
- 2008-10-20 TW TW97140251A patent/TW200931449A/zh unknown
- 2008-10-20 US US12/254,246 patent/US7790065B2/en active Active
-
2010
- 2010-07-20 US US12/839,653 patent/US7998371B2/en active Active
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