JP2011502330A5

JP2011502330A5 -

Info

Publication number: JP2011502330A5
Application number: JP2010530108A
Authority: JP
Filing date: 2008-10-16
Publication date: 2011-11-17

Claims

（ａ）
ｉ）銀金属、銀合金、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性銀粉末；
ｉｉ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるもの；
ｉｉｉ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物よりなる群から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が全組成物の０．１から１０重量パーセントであるもの、および
ｉｖ）有機媒体を含み、
前記導電性銀粉末、前記１つまたは複数のガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散された厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の絶縁膜と、
（ｃ）１つまたは複数の基材と
を含む構造物であり；
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記ガラスフリットと銀粉末とが焼結され、且つ、前記構造物が半導体デバイスである構造物。
前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項１に記載の構造物。
焼成の際に、前記１つまたは複数の絶縁膜に、前記厚膜組成物の成分が浸透する請求項１に記載の構造物。
前記半導体デバイスが太陽電池である請求項１から３のいずれか１項に記載の構造物。
前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項１に記載の構造物。
（１）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであり、前記厚膜組成物が、
ａ）銀金属、銀合金、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性銀粉末、
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるもの、
ｃ）Ｍｇ含有添加剤であって、Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物よりなる群から選択され、前記Ｍｇ含有添加剤が全組成物の０．１から１０重量パーセントであるもの、および
ｄ）有機媒体を含み、
前記導電性銀粉末、前記１つまたは複数のガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されているステップと、
（２）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（３）前記半導体基材上の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（４）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される
半導体デバイスの製造方法。
ａ）銀金属、銀合金、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性銀粉末と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるものと；
ｃ）Ｍｇ含有添加剤であって、Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択され、前記Ｍｇ含有添加剤が全組成物の０．１から１０重量パーセントであるものと、
ｄ）有機媒体とを含み、
前記導電性銀粉末、前記１つまたは複数のガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されている厚膜組成物。
前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項７に記載の組成物。
前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項７に記載の組成物。