JP2011514397A5

JP2011514397A5 -

Info

Publication number: JP2011514397A5
Application number: JP2010545079A
Authority: JP
Filing date: 2009-01-27
Publication date: 2016-10-13

Description

従って、焼結を補助し、光電池に適用する際に抵抗性を低減し、及び反射防止膜を通り抜けた接合（付着）とオーミックコンタクト（オーム接触）形成が可能な導電性インクに用いられる、ガラスフリットに代替する物質の存在が引き続き要求される。

（概要）
本発明の一つの側面によれば、燃焼処理工程（焼成処理工程）においてガラスフリットと同様の機能を供するエッチングの媒介物として、導電性インクが提供されている。特に、本発明の１以上の実施の形態は、燃焼（焼成）または加熱で固形金属酸化相を形成する複数の金属有機化合物及び導電性物質を含む導電性インクに関連する。少なくとも一つの実施の形態として、導電性インクは、実質的にフリットを含まないものである。この出願を通して用いられる「実質的にフリットを含まない」の語は、ガラスフリットの含有が合計で１質量％未満であることを意味する。更に、この出願を通して用いられる「ペースト」及び「インク」の語は、相互に入れ替えることができる。

１以上の実施の形態に係る導電性インクを、基板に配置された反射防止膜に適用すると、導電性インクは、反射防止膜を透過（通過）して、基板とのオーミックコンタクト接触を形成することができる。

Claims

導電性インクを使用して反射防止膜を有する半導体の基板上にグリッド線を製造する方法であって、
前記反射防止膜を有する半導体の基板は、太陽電池又は光電池に使用され、及び
前記半導体の基板は、結晶シリコンを含み、及び
前記導電性インクは、焼成又は加熱により固形金属酸化相を形成する複数の金属有機化合物成分、及び導電性物質を含み、前記導電性インクは、ガラスフリットの含有量が合計で１質量％未満であるか、前記導電性インクは、ガラスフリットを含まず、及び以下の工程；
工程ａ）：前記導電性インクを前記反射防止膜を有する半導体の基板上に付着させる工程、
工程ｂ）：工程ａ）の後に、前記基板を焼成又は加熱して、金属有機化合物成分を分解して固形金属酸化相を形成し、及び前記導電性物質で前記基板上に導電体を形成する工程、
を含み、
前記工程ｂ）で、前記インクの成分が前記反射防止膜及び前記基板の一部を溶解させ、前記インクの前記成分と前記基板の間にオーミックコンタクトが形成され、及び更に以下の工程ｃ）；
工程ｃ）：溶解した基板を再結晶化させる工程、
を含むことを特徴とする方法。
前記導電性物質は、銀粉を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記導電性物質は、５００℃を超過した温度で焼結可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
前記導電性インクには、金属有機化合物成分が４０質量％より少ない量で存在することを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記金属有機化合物成分は、硼素、アルミニウム、ビスマス、チタン、バナジウムまたは亜鉛から選択された１以上の金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記導電性インクは更に、リン含有化合物を有することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
前記導電性インクは更に、金属酸化物、またはコロイド性金属懸濁物質を含む改質剤を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。