RU2010135772A - Проводящие пасты - Google Patents
Проводящие пасты Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010135772A RU2010135772A RU2010135772/05A RU2010135772A RU2010135772A RU 2010135772 A RU2010135772 A RU 2010135772A RU 2010135772/05 A RU2010135772/05 A RU 2010135772/05A RU 2010135772 A RU2010135772 A RU 2010135772A RU 2010135772 A RU2010135772 A RU 2010135772A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- paste
- substrate
- conductive
- paste according
- oxide phase
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 4
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/52—Electrically conductive inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Проводящая паста, содержащая несколько металлоорганических компонентов, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал, при этом данная паста, по существу, не содержит стеклянную фритту, и данная паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат в отсутствие фритты и, при обжиге, для разложения металлоорганических компонентов, что формирует твердую оксидную фазу и вызывает образование из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. ! 2. Проводящая паста, содержащая несколько предшественников, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге или нагревании, причем один или более из данных предшественников способны образовывать один или более проводящих металлических элементов при обжиге, при этом паста, по существу, не содержит стеклянную фритту, и данная паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат и, при обжиге, для разложения одного или более предшественников, что формирует твердую оксидную фазу, которая вызывает образование из одного или более проводящих металлических элементов электрического проводника на субстрате в отсутствие стеклянной фритты. ! 3. Паста по п.1 или 2, где при нанесении пасты на просветляющее покрытие, нанесенное на субстрат, данная проводящая паста способна проникать через просветляющее покрытие с формированием омического контакта с субстратом. ! 4. Паста по п.1, где проводящий материал содержит порошок серебра. ! 5. Паста по п.1 или 2, где проводящий материал способен спекаться при температуре выше около 500°С. ! 6. Паста по п.1, где металлоорганические ко
Claims (15)
1. Проводящая паста, содержащая несколько металлоорганических компонентов, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал, при этом данная паста, по существу, не содержит стеклянную фритту, и данная паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат в отсутствие фритты и, при обжиге, для разложения металлоорганических компонентов, что формирует твердую оксидную фазу и вызывает образование из проводящих материалов электрического проводника на субстрате.
2. Проводящая паста, содержащая несколько предшественников, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге или нагревании, причем один или более из данных предшественников способны образовывать один или более проводящих металлических элементов при обжиге, при этом паста, по существу, не содержит стеклянную фритту, и данная паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат и, при обжиге, для разложения одного или более предшественников, что формирует твердую оксидную фазу, которая вызывает образование из одного или более проводящих металлических элементов электрического проводника на субстрате в отсутствие стеклянной фритты.
3. Паста по п.1 или 2, где при нанесении пасты на просветляющее покрытие, нанесенное на субстрат, данная проводящая паста способна проникать через просветляющее покрытие с формированием омического контакта с субстратом.
4. Паста по п.1, где проводящий материал содержит порошок серебра.
5. Паста по п.1 или 2, где проводящий материал способен спекаться при температуре выше около 500°С.
6. Паста по п.1, где металлоорганические компоненты присутствуют в количестве менее около 40 мас.%.
7. Паста по п.1, где металлоорганические компоненты включают один или более металлов, выбранных из Группы IIIA, Группы IVA, Группы VA, титана, ванадия или цинка.
8. Паста по п.7, где металлоорганические компоненты включают металлы, выбранные из бора, алюминия, кремния, висмута, цинка, ванадия или титана.
9. Паста по п.1 или 2, дополнительно содержащая фосфорсодержащее соединение.
10. Паста по п.1 или 2, дополнительно содержащая модификатор, включая оксид металла или коллоидную суспензию металла.
11. Паста по п.2, где несколько предшественников присутствуют в количестве менее около 90 мас.%.
12. Паста по п.2, где несколько предшественников включают один или более металлов, выбранных из Группы IIIA, Группы IVA, Группы VA, титана, ванадия или цинка.
13. Паста по п.12, где несколько предшественников включают бор, алюминий, кремний, висмут, титан, цинк и ванадий.
14. Фотогальванический элемент, содержащий полупроводниковый субстрат, просветляющее покрытие и линии проводящей сетки, сформированные из проводящей пасты по любому из пп.1 или 3-10, которая включает органическую среду, и которую обжигали для формирования линий сетки, содержащей металлоксидную фазу и проводящий материал, где данную пасту обрабатывали для удаления органической среды и спекания проводящего материала.
15. Фотогальванический элемент по п.14, в котором просветляющее покрытие нанесено на поверхность субстрата, и проводящая паста нанесена на просветляющее покрытие, при этом данное просветляющее покрытие имеет высокое удельное сопротивление, затрудняющее перенос носителей заряда в цепи.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/022,403 US8308993B2 (en) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | Conductive inks |
US12/022,403 | 2008-01-30 | ||
PCT/US2009/032112 WO2009097269A1 (en) | 2008-01-30 | 2009-01-27 | Conductive inks |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010135772A true RU2010135772A (ru) | 2012-03-10 |
RU2509789C2 RU2509789C2 (ru) | 2014-03-20 |
Family
ID=40568738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010135772/05A RU2509789C2 (ru) | 2008-01-30 | 2009-01-27 | Проводящие пасты |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8308993B2 (ru) |
EP (1) | EP2238208A1 (ru) |
JP (2) | JP2011514397A (ru) |
KR (2) | KR20160064247A (ru) |
CN (2) | CN101932663A (ru) |
BR (1) | BRPI0907094A2 (ru) |
CA (1) | CA2712114C (ru) |
IL (1) | IL206989A (ru) |
MY (1) | MY172931A (ru) |
RU (1) | RU2509789C2 (ru) |
WO (1) | WO2009097269A1 (ru) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080003364A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Ginley David S | Metal Inks |
WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
US9142408B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
TWI401301B (zh) * | 2010-10-06 | 2013-07-11 | Univ Nat Cheng Kung | 燒結成型之組成物及燒結成型方法 |
US20120132272A1 (en) | 2010-11-19 | 2012-05-31 | Alliance For Sustainable Energy, Llc. | Solution processed metal oxide thin film hole transport layers for high performance organic solar cells |
TW201234626A (en) * | 2011-01-13 | 2012-08-16 | Intevac Inc | Non-contacting bus bars for solar cells and methods of making non-contacting bus bars |
CN103609204B (zh) | 2011-05-04 | 2017-09-12 | 液体X印刷金属有限公司 | 得自分子油墨的金属合金 |
WO2012153553A1 (ja) * | 2011-05-12 | 2012-11-15 | 横浜ゴム株式会社 | 太陽電池集電電極形成用導電性組成物および太陽電池セル |
CN102243901B (zh) * | 2011-06-28 | 2013-07-17 | 陈晓东 | 不含无机粘接剂硅太阳能电池铝背场用浆料及其制备方法 |
US9441117B2 (en) * | 2012-03-20 | 2016-09-13 | Basf Se | Mixtures, methods and compositions pertaining to conductive materials |
US9105797B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
KR101956734B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2019-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
EP2749546B1 (en) * | 2012-12-28 | 2018-04-11 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | An electro-conductive paste comprising elemental phosphorus in the preparation of electrodes in mwt solar cells |
WO2014133929A2 (en) | 2013-02-28 | 2014-09-04 | Guardian Industries Corp. | Window units made using ceramic frit that dissolves physical vapor deposition (pvd) deposited coatings, and/or associated methods |
EP2965366B9 (en) | 2013-03-07 | 2024-08-14 | SolarWindow Technologies, Inc. | Methods for producing thin film charge selective transport layers |
JPWO2017006714A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
US20180355191A1 (en) * | 2015-12-03 | 2018-12-13 | Harima Chemicals, Inc. | Method for producing electro-conductive paste |
KR102328482B1 (ko) * | 2016-06-06 | 2021-11-18 | 로렌스 리버모어 내쇼날 시큐리티, 엘엘시 | 사용자-맞춤형 조성 프로파일을 갖는 유리 부재 및 그의 제조 방법 |
CN106398398B (zh) * | 2016-09-09 | 2020-01-21 | 广东南海启明光大科技有限公司 | 一种金属纳米导电墨水及其制备方法 |
US9847437B1 (en) * | 2017-03-21 | 2017-12-19 | Jiun Pyng You | Method of forming conductive electrode grids over silicon wafer surfaces |
CN108359308A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-08-03 | 东莞市银泰丰光学科技有限公司 | 一种散热油墨及玻璃导光板印刷散热油墨的方法 |
WO2021033387A1 (ja) | 2019-08-22 | 2021-02-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Family Cites Families (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3545986A (en) * | 1968-02-26 | 1970-12-08 | Du Pont | Novel silver compositions and capacitors therefrom |
US3755723A (en) * | 1968-02-26 | 1973-08-28 | Du Pont | Novel glasses, silver compositions and capacitors therefrom |
GB1416072A (en) * | 1973-03-15 | 1975-12-03 | Electrical Res Ass | Transparent electrodes |
FR2348897A1 (fr) | 1976-04-21 | 1977-11-18 | Labo Electronique Physique | Contacts ohmiques sur silicium a partir de pates serigraphiables et procede de mise en oeuvre |
JPS57180112A (en) | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Taiyo Yuden Kk | Method of forming electrode for porcelain electronic part |
JPS61136978A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | アルプス電気株式会社 | 厚膜回路形成用導電ペ−スト |
JP2507040B2 (ja) | 1989-04-24 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 印刷回路用ペ―ストおよび印刷回路の形成方法 |
JP2839326B2 (ja) | 1990-03-28 | 1998-12-16 | 京セラ株式会社 | 磁器電子部品 |
RU1791852C (ru) * | 1990-11-30 | 1993-01-30 | А.Н.Лопанов, Г.М.Фофанов и А.Ф.Пр дКО ... | Суспензи дл получени токопровод щего покрыти |
RU1801232C (ru) * | 1991-06-04 | 1993-03-07 | Институт Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского | Твердотельный фотогальванический элемент дл преобразовани энергии света в электрическую энергию |
US5162062A (en) * | 1991-06-17 | 1992-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for making multilayer electronic circuits |
JPH05222326A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-31 | Dainippon Ink & Chem Inc | 銀導体回路用オフセット印刷インキおよび銀導体回路の形成方法 |
US5406852A (en) * | 1992-03-18 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pressure sensor having a resistor element on a glass dryer with electrodes connected thereto |
JP3280414B2 (ja) | 1992-05-26 | 2002-05-13 | 松下電工株式会社 | 搬送装置 |
JPH0657183A (ja) | 1992-08-05 | 1994-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
US5252521A (en) * | 1992-10-19 | 1993-10-12 | Ferro Corporation | Bismuth-containing lead-free glass enamels and glazes of low silica content |
JPH06204512A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 半導体基板用電極ペースト |
US5378408A (en) * | 1993-07-29 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free thick film paste composition |
US5578533A (en) * | 1993-10-01 | 1996-11-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Ceramic color composition and process for producing a curved surface glass sheet employing it |
JP2987039B2 (ja) | 1993-10-29 | 1999-12-06 | セントラル硝子株式会社 | 接着・封止用ガラス |
US5439852A (en) * | 1994-08-01 | 1995-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition |
US5491118A (en) * | 1994-12-20 | 1996-02-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film paste composition |
US5882722A (en) * | 1995-07-12 | 1999-03-16 | Partnerships Limited, Inc. | Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds |
GB9518033D0 (en) | 1995-09-05 | 1995-11-08 | Cookson Matthey Ceramics Plc | Composition |
JP3211641B2 (ja) * | 1995-09-22 | 2001-09-25 | 株式会社村田製作所 | 導電性組成物 |
US5714420A (en) * | 1995-12-08 | 1998-02-03 | Cerdec Corporation - Drakenfeld Products | Partially crystallizing ceramic enamel composition containing bismuth silicate, and use thereof |
JP3209089B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2001-09-17 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
JP3419244B2 (ja) * | 1996-05-24 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法 |
US5753571A (en) * | 1997-02-13 | 1998-05-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead and cadmium-free encapsulant composition |
JP2000034501A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-02-02 | Otsuka Sangyo:Kk | 導電性粉体及び導電インク |
JP3419321B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
US6255239B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-07-03 | Cerdec Corporation | Lead-free alkali metal-free glass compositions |
JP2000264676A (ja) | 1999-03-12 | 2000-09-26 | Asahi Glass Co Ltd | 低融点ガラス |
AU2000225122A1 (en) | 2000-01-21 | 2001-07-31 | Midwest Research Institute | Method for forming thin-film conductors through the decomposition of metal-chelates in association with metal particles |
JP3452033B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2003-09-29 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
JP4672125B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2011-04-20 | 大塚化学株式会社 | 導電性板状チタニア及び導電性組成物 |
DE60204441T2 (de) * | 2001-03-19 | 2006-03-16 | Energieonderzoek Centrum Nederland | Hochleitendes elektron-material, elektrode für eine elektrochemische zelle, verfahren zur herstellung dieser elektrode und elektrochemische zelle |
DE10116653A1 (de) | 2001-04-04 | 2002-10-10 | Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag | Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte Artikel mit einer leitfähigen Beschichtung auf Glas, Keramik und emailliertem Stahl und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2003031948A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法 |
US6814795B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-11-09 | Ferro Corporation | Hot melt conductor paste composition |
US7241512B2 (en) * | 2002-04-19 | 2007-07-10 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent materials and methods of manufacture and use |
KR101321255B1 (ko) | 2002-06-13 | 2013-10-28 | 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 | 전도성 투명 나노-코팅 및 나노-잉크를 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 나노-분말 코팅 및 잉크 |
KR20060012545A (ko) * | 2002-07-03 | 2006-02-08 | 나노파우더스 인더스트리어스 리미티드. | 저온 소결처리한 전도성 나노 잉크 및 이것의 제조 방법 |
US20040178391A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-09-16 | Conaghan Brian F. | High conductivity inks with low minimum curing temperatures |
US7211205B2 (en) * | 2003-01-29 | 2007-05-01 | Parelec, Inc. | High conductivity inks with improved adhesion |
US7138347B2 (en) | 2003-08-14 | 2006-11-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film conductor paste for automotive glass |
US20050067277A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Pierce Robin D. | Low volume electrochemical biosensor |
JP3853793B2 (ja) | 2004-02-27 | 2006-12-06 | 京セラケミカル株式会社 | 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP4537092B2 (ja) | 2004-03-01 | 2010-09-01 | パナソニック株式会社 | ガラス組成物及び磁気ヘッド |
US20070225409A1 (en) * | 2004-03-03 | 2007-09-27 | Kazuaki Matsumoto | Method for Production Thermoplastic Resin Composition Containing Ultrafine Particles |
JP4506232B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | Dic株式会社 | 重合性液晶化合物、これを含有する液晶組成物、及びこれらの重合体 |
JP4393938B2 (ja) | 2004-07-16 | 2010-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法 |
JP2006225255A (ja) | 2005-01-18 | 2006-08-31 | Sony Corp | 無鉛ガラス組成物及び磁気ヘッド |
CN101129092A (zh) * | 2005-02-24 | 2008-02-20 | 埃克阿泰克有限责任公司 | 脉冲宽度调制的除霜器 |
KR100727434B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2007-06-13 | 주식회사 잉크테크 | 투명 은 잉크 조성물 및 이를 이용한 박막 형성방법 |
PL1853671T3 (pl) * | 2005-03-04 | 2014-01-31 | Inktec Co Ltd | Tusze przewodzące i sposób ich wytwarzania |
US7494607B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
US8093491B2 (en) * | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
JP2006348160A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性インク |
JP2007049087A (ja) | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 太陽電池の電極およびその製造方法 |
US8721931B2 (en) * | 2005-12-21 | 2014-05-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell |
JP2007194580A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | 太陽電池電極用ペースト |
JP2007235082A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-13 | E I Du Pont De Nemours & Co | 太陽電池電極用ペースト |
JP2007257869A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性インキ |
CN100576578C (zh) * | 2006-04-20 | 2009-12-30 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 制备太阳电池电极的方法及其电化学沉积装置 |
US20090095344A1 (en) | 2006-04-25 | 2009-04-16 | Tomohiro Machida | Conductive Paste for Solar Cell Electrode |
JP4714633B2 (ja) | 2006-04-25 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | 太陽電池電極用導電性ペースト |
US20070253140A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Randall Michael S | Base metal electrode multilayer capacitor with localized oxidizing source |
EP2033229B1 (en) * | 2006-06-19 | 2012-07-04 | Cabot Corporation | Photovoltaic conductive features and processes for forming same |
US8383011B2 (en) * | 2008-01-30 | 2013-02-26 | Basf Se | Conductive inks with metallo-organic modifiers |
-
2008
- 2008-01-30 US US12/022,403 patent/US8308993B2/en active Active
-
2009
- 2009-01-27 EP EP09705762A patent/EP2238208A1/en not_active Withdrawn
- 2009-01-27 JP JP2010545079A patent/JP2011514397A/ja active Pending
- 2009-01-27 RU RU2010135772/05A patent/RU2509789C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-01-27 KR KR1020167013899A patent/KR20160064247A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-01-27 CN CN2009801036205A patent/CN101932663A/zh active Pending
- 2009-01-27 KR KR1020107019317A patent/KR101744661B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-27 MY MYPI2010003435A patent/MY172931A/en unknown
- 2009-01-27 BR BRPI0907094-0A patent/BRPI0907094A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2009-01-27 WO PCT/US2009/032112 patent/WO2009097269A1/en active Application Filing
- 2009-01-27 CN CN201610153968.7A patent/CN105670390A/zh active Pending
- 2009-01-27 CA CA2712114A patent/CA2712114C/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-14 IL IL206989A patent/IL206989A/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-04-21 JP JP2017096028A patent/JP2017171934A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100124735A (ko) | 2010-11-29 |
EP2238208A1 (en) | 2010-10-13 |
KR101744661B1 (ko) | 2017-06-09 |
MY172931A (en) | 2019-12-14 |
BRPI0907094A2 (pt) | 2015-07-14 |
CN105670390A (zh) | 2016-06-15 |
IL206989A (en) | 2015-01-29 |
US8308993B2 (en) | 2012-11-13 |
IL206989A0 (en) | 2010-12-30 |
CN101932663A (zh) | 2010-12-29 |
RU2509789C2 (ru) | 2014-03-20 |
KR20160064247A (ko) | 2016-06-07 |
US20090188556A1 (en) | 2009-07-30 |
CA2712114A1 (en) | 2009-08-06 |
CA2712114C (en) | 2017-01-03 |
JP2017171934A (ja) | 2017-09-28 |
JP2011514397A (ja) | 2011-05-06 |
WO2009097269A1 (en) | 2009-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010135772A (ru) | Проводящие пасты | |
JP5591716B2 (ja) | 有機金属修飾剤を有する導電性インク | |
JP2017171934A5 (ru) | ||
JP2011514397A5 (ru) | ||
US20110146781A1 (en) | Process of forming a grid cathode on the front-side of a silicon wafer | |
US9024179B2 (en) | Solderable polymer thick film conductive electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications | |
US20120119163A1 (en) | Solderable polymer thick film silver electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications | |
WO2016156221A1 (en) | Electro-conductive pastes comprising an organic metal oxide | |
CN110663119A (zh) | 太阳能电池用膏状组合物 | |
CN106605270B (zh) | 含铜导电浆料和由此制成的电极 | |
US10158032B2 (en) | Solar cells produced from high Ohmic wafers and halogen containing paste | |
Ginley et al. | Nanoparticle precursors for electronic materials | |
TWI518145B (zh) | 導電墨水 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200128 |