RU2509789C2 - Проводящие пасты - Google Patents

Проводящие пасты Download PDF

Info

Publication number
RU2509789C2
RU2509789C2 RU2010135772/05A RU2010135772A RU2509789C2 RU 2509789 C2 RU2509789 C2 RU 2509789C2 RU 2010135772/05 A RU2010135772/05 A RU 2010135772/05A RU 2010135772 A RU2010135772 A RU 2010135772A RU 2509789 C2 RU2509789 C2 RU 2509789C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive
paste
substrate
metal
organometallic
Prior art date
Application number
RU2010135772/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010135772A (ru
Inventor
Имельда КАСТИЛЬО
Ксуеронг ГАО
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2010135772A publication Critical patent/RU2010135772A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2509789C2 publication Critical patent/RU2509789C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты. По одному варианту выполнения изобретения проводящая паста содержит металлоорганические компоненты, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. По другому варианту проводящая паста включает несколько предшественников, которые образуют проводящие элементы при обжиге или нагревании. Паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата и при обжиге формирует твердую оксидную фазу с образованием из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. Использование указанной проводящей пасты в линии проводящей сетки фотогальванических элементов обеспечивает повышение эффективности и коэффициента заполнения гальванического элемента. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

Description

Область техники изобретения
Варианты выполнения настоящего изобретения относятся к проводящим пастам, которые по существу не содержат стеклянные фритты, и фотогальваническим элементам, имеющим линии проводящей сетки, образованные из проводящих паст, которые по существу не содержат стеклянные фритты.
Предшествующий уровень техники изобретения
Проводящие пасты или массы используют для формирования металлических контактов, таких как серебряные линии сетки и шины, на поверхности субстратов, таких как кремний. Такие субстраты можно использовать в фотоэлементах или фотогальванических элементах, которые превращают солнечную энергию в электрическую энергию, когда фотоны солнечного света возбуждают электроны из валентной зоны полупроводника в проводящую зону полупроводника. Электроны, которые движутся в проводящую зону полупроводника, собираются в месте металлических контактов. Кристаллические кремниевые фотоэлементы в современной промышленности обычно покрывают просветляющим покрытием для улучшения поглощения света, что повышает эффективность элементов. Однако просветляющее покрытие также действует как изолятор, препятствуя переносу электронов с субстрата к металлическим контактам. Просветляющие покрытия часто содержат нитрид кремния, оксид титана или оксид кремния.
Проводящие пасты обычно содержат стеклянную фритту, частицы металла или проводящий материал и органическую среду. Частицы металла, обычно частицы серебра, придают проводящие свойства и действуют в качестве токоснимателей после формирования металлических контактов. Для формирования металлических контактов проводящие пасты наносят на субстрат методом печати. Субстрат затем обжигают при температуре в диапазоне от около 650°C до около 950°C. В большинстве случаев необходима спекающая добавка, так как применяемая температура обжига ниже, чем эвтектическая точка серебра и кремния, и чем температура плавления серебра. Кроме того, проводящая паста должна проникать через просветляющее покрытие для формирования металлических контактов, имеющих омический контакт с субстратом.
Традиционные проводящие пасты содержат стеклянные фритты для содействия спеканию частиц металла с субстратом и для улучшения адгезии и омического контакта между сформированным металлическим контактом и субстратом. В зависимости от состава, стеклянные фритты могут разжижаться при обжиге при температуре от около 300°C до около 600°C. При разжижении стеклянная фритта приобретает склонность к течению в направлении границы между частицами металла или частицами серебра и просветляющим покрытием, расположенном на субстрате. Расплавленное стекло растворяет вещества просветляющего покрытия, а также часть серебра и субстрата. При снижении температуры расплавленное серебро и расплавленный или растворенный субстрат кристаллизуются из жидкой фазы. В результате, некоторые из кристаллитов серебра способны проникать через просветляющий слой и образовывать омический контакт с субстратом. Данный способ называется "fire-through", он облегчает формирование низкого сопротивления контакта и более прочной связи между серебром и субстратом.
Как будет описано в настоящем тексте далее, стеклянные фритты не считаются идеальными материалами для использования в "fire-through" способе, и, следовательно, существует потребность в замещающих материалах. Использование металлоорганических соединений в проводящих пастах, которые не содержат стеклянную фритту, описано в статье Silver Thick Film Metallization for Photovoltaics Fired at 300°C, CJ. Sabo и др. (в настоящем тексте называемая "статья Сабо"). В статье Сабо конкретно описано использование серебряного металлоорганического компонента, такого как неодеканоат серебра, в проводящей массе или пасте, которую наносят на кремниевую пластину методом трафаретной печати для образования линий сетки. В реферате к статье Сабо указано, что отпечатанные пасты наносили на кремниевые пластины или фотоэлементы, высушивали в течение 30 минут при 65°C и обжигали при максимальной температуре 300°C в течение 70 минут.
Таким образом, все еще существует потребность в других заместителях стеклянной фритты для использования в проводящих пастах, которые содействуют спеканию, снижают удельное сопротивление фотогальванических элементов, а также способны улучшать адгезию и омический контакт через просветляющие покрытия.
Краткое описание
По одному аспекту настоящего изобретения предоставляются проводящие пасты, в которых используются травители, обеспечивающие такие же свойства, как стеклянные фритты, во время обжига. В частности, один или более вариантов выполнения настоящего изобретения относятся к проводящей пасте, которая содержит несколько металлоорганических компонентов и проводящих материалов, где металлоорганические компоненты образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге или нагреве. По меньшей мере в одном варианте выполнения изобретения проводящая паста по существу не содержит фритту. При использовании в тексте настоящей заявки термин "по существу не содержит фритту" означает содержание стеклянной фритты в количестве менее около 1 масс.%. Также, при использовании в тексте настоящей заявки термины "масса" и "паста" используются взаимозаменяемо.
Хотя настоящее изобретение не связано с какой-либо теорией, считается, что стеклянные фритты не являются идеальным материалом для "fire-through" способа, так как стекло не является проводником. В частности, стекло имеет склонность окружать кристаллиты серебра на границе металлического контакта и субстрата. Более того, стекло образует изолирующую фазу и препятствует току электронов. Применение проводящих паст, содержащих стеклянные фритты, с помощью способов струйной печати также может быть проблематично, так как крупные частицы фритты могут забивать или блокировать детали механизма.
По одному или более вариантам выполнения настоящего изобретения проводящая паста может по существу не содержать фритту, а также не требует использования проводящих материалов, вместо которых используются разнообразные предшественники, где один или более данных предшественников при обжиге образуют твердую металлоксидную фазу и один или более проводящих металлических элементов.
В одном варианте выполнения настоящего изобретения проводящие пасты адаптированы для склеивания с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат в отсутствие фритты. В другом варианте выполнения изобретения проводящая паста адаптирована для разложения при обжиге металлоорганических компонентов и любой другой органической среды для образования твердой металлоксидной фазы и для формирования проводящим материалом электрического проводника на субстрате. По другому варианту выполнения изобретения при обжиге или нагреве проводящая паста, содержащая несколько предшественников, адаптирована для разложения предшественников и любой органической среды, образует твердую оксидную фазу и вызывает образование электрического проводника на субстрате из одного или более генерируемых проводящих металлических элементов.
Когда проводящую пасту по одному или более вариантам выполнения изобретения наносят на просветляющее покрытие, нанесенное на субстрат, проводящая паста способна проникать через просветляющее покрытие, формируя омический контакт с субстратом.
В другом варианте выполнения изобретения проводящая паста содержит проводящий материал, такой как порошок серебра. В другом варианте выполнения проводящий материал, использованный в проводящей пасте, способен спекаться при температуре выше около 500°C.
В одном или более вариантах выполнения изобретения металлоорганические компоненты присутствуют в проводящих пастах в количестве менее около 40 масс.%. В другом варианте выполнения изобретения несколько предшественников присутствуют в проводящих пастах в количестве менее около 90 масс.%. Металлоорганические компоненты и/или предшественники по одному или более вариантам выполнения изобретения содержат один или более металлических элементов, выбранных из Группы IIIA, Группы IVA, Группы VA, титана, ванадия или цинка. В более частных вариантах выполнения изобретения используют металлоорганические компоненты и/или предшественники, которые включают металлические элементы, выбранные из бора, алюминия, кремния, висмута, цинка, ванадия или титана.
По другому варианту выполнения настоящего изобретения проводящая паста может также включать одно или более фосфорсодержащих веществ, модификаторов, включая оксид металла и/или коллоидные суспензии металлов.
Другой аспект настоящего изобретения касается фотогальванического элемента, включающего полупроводниковый субстрат, просветляющее покрытие и линии проводящей сетки, образованные из проводящей пасты, которая по существу не содержит фритту. В одном варианте выполнения изобретения проводящая паста содержит органическую среду, проводящий материал и несколько металлоорганических компонентов. В другом варианте выполнения проводящая паста содержит один или более предшественников, способных образовывать один или более проводящих металлических элементов при обжиге. Кроме того, проводящую пасту, используемую в одном варианте выполнения фотогальванического элемента, обжигали для образования линий сетки с металлоксидной фазой и проводящим материалом, и обрабатывали для удаления органической среды и спекания проводящего материала. Проводящий материал, используемый в другом варианте выполнения изобретения, представляет собой порошок серебра и/или способен спекаться при температуре выше около 500°C. В другом варианте выполнения изобретения проводящая паста наносится на просветляющее покрытие и способна проникать через просветляющее покрытие, формируя омический контакт с субстратом. Просветляющее покрытие, на которое нанесена проводящая паста, в одном или более вариантах выполнения изобретения демонстрирует высокое удельное сопротивление, что препятствует переносу носителей заряда в цепи.
Выше довольно широко были очерчены некоторые признаки и технические преимущества настоящего изобретения. Специалистам в данной области техники будет понятно, что описанные частные варианты выполнения изобретения можно легко использовать в качестве основы для изменения или разработки других структур или способов в рамках объема настоящего изобретения. Также специалистам в данной области техники будет понятно, что такие эквивалентные конструкции не выходят за рамки сущности и объема настоящего изобретения, описанных в прилагаемой формуле изобретения.
Подробное описание изобретения
Перед описанием некоторых иллюстративных вариантов выполнения настоящего изобретения необходимо понимать, что настоящее изобретение не ограничивается деталями конструкции или стадиями способов, описанными далее в данном тексте.
Возможны другие варианты выполнения настоящего изобретения, которые можно осуществлять или выполнять различными способами.
Аспекты настоящего изобретения включают проводящие материалы и/или предшественники для образования проводящей пасты, по существу не содержащей фритты, которая далее будет описана более подробно. Предшественники могут представлять собой неорганический предшественник, такой как соль металла (например, нитрат серебра) или металлоорганический компонент, который образует проводящий металлический элемент при обжиге.
Предшественники
В некоторых вариантах выполнения изобретения не требуется использование проводящего материала, а вместо этого используются предшественники, которые при обжиге образуют один или более проводящих металлических элементов. При использовании в настоящем тексте термин "проводящие металлические элементы" включает медь, серебро, золото, платину и/или другие благородные металлы и их комбинации. В одном или более вариантах выполнения настоящего изобретения используют и проводящий материал, и предшественники, которые образуют проводящие металлические элементы.
Использование предшественников, которые при обжиге образуют проводящие металлические элементы, может быть полезным для получения паст без частиц металлов для применения в виде тонкой пленки. Хотя настоящее изобретение не связано с какой-либо теорией, считается, что пасты, не содержащие частиц, или пасты, в которых не содержится проводящий материал, предотвращают агломерацию, которая может возникать при нанесении проводящих паст способом прямой печати, таким как разбрызгивание или струйная печать.
Металлорганические компоненты
Один или более вариантов выполнения настоящего изобретения включают проводящие пасты, содержащие более одного металлоорганического предшественника. В целом, металлоорганические соединения представляют собой соединения, содержащие атомы металлов, включая карбоксилаты металлов, такие как неодеканоаты, ацетаты и пропионаты, алкоксиды металлов и металлокомплексы, которые умеренно растворимы или нерастворимы в воде. Металлорганические компоненты также могут содержать любые ароматические или алифатические группы, и иногда их называют резинатами металлов, когда органическая часть состоит из групп, являющихся производными полимеров или других природных продуктов. Другие подходящие металлорганические предшественники включают меркаптиды металлов. Металлорганические компоненты, используемые в одном или более вариантах выполнения, могут содержать более одного атома металла.
Примеры металлоорганических компонентов, используемых с одной или более проводящими пастами, включают комбинацию бор-металлоорганических, алюминий-металлоорганических, кремний-металлоорганических, висмут-металлоорганических, цинк-металлоорганических и ванадий-металлоорганических компонентов. Иногда металлоорганические и органо-металлические соединения определяют как две категории. При использовании в тексте данной заявки, термин "металлоорганическое соединение" включает как металлоорганические, так и органо-металлические соединения.
Без привязки к какой-либо теории, считают, что при обжиге металлоорганические компоненты разлагаются и органические части удаляются из проводящей пасты. Также могут образовываться смеси металлов или металлических сплавов или оксидов металлов. Количество твердого вещества, полученного после обжига, называют "содержание твердого веществ в металлоорганических компонентах в массовых процентах". По одному или более вариантам выполнения изобретения металлоорганические компоненты должны присутствовать в пасте в количестве, достаточном для образования содержания твердого вещества по меньшей мере 0.5 масс.%. Другие варианты выполнения содержат металлоорганические компоненты, имеющие содержание твердого вещества по меньшей мере 2-3 масс.%. Без привязки к какой-либо теории считают, что аналогично использованию стеклянных фритт в проводящих пастах, количество твердого вещества, полученного из металлоорганического компонента, влияет на способность проводящей пасты формировать электрический проводник на субстрате или формировать омический контакт с субстратом. Данная способность, следовательно, способствует производительности устройства, включающего проводящую пасту, такого как полупроводник, фотогальванический элемент или автомобильное стекло. Как указано в настоящем тексте, в одном или более вариантах выполнения настоящего изобретения используется более одного металлоорганического компонента. Без привязки настоящего изобретения к какой-либо теории считают, что использование более одного металлоорганического соединения в проводящей пасте снижает удельное сопротивление в большей степени, чем использование только одного металлоорганического компонента.
В одном или более вариантах выполнения изобретения металлоорганические компоненты включали висмут-металлоорганические соединения, кремний-металлоорганические соединения и бор-металлоорганические соединения. Другие варианты выполнения могут включать по меньшей мере один металлоорганический компонент, выбранный из висмут-металлоорганических соединений, кремний-металлоорганических соединений и/или бор-металлоорганических соединений. Другие варианты выполнения могут включать одно или комбинацию висмут-металлоорганических соединений, кремний-металлоорганических соединений, бор-металлоорганических соединений, алюминий-металлоорганических соединений, цинк-металлоорганических соединений и/или ванадий-металлоорганических соединений.
По одному или более вариантам выполнения изобретения для достижения требуемых свойств отдельный элемент, или оксиды металлов, или коллоидные суспензии металлов можно добавлять к металлоорганическим компонентам в качестве модификаторов для повышения содержания какого-либо элемента или придания новых свойств. Например, можно добавлять фосфор, Р2О5 или другой тип фосфорсодержащего соединения для производства самолегирующих (self-doping) паст для использования в фотоэлементах.
Кроме того, металлоорганические компоненты на основе цветных металлов могут улучшать связывание пленки при низких температурах. Например, порошки серебра, нано-суспензии серебра и металлоорганические компоненты на основе цветных металлов обеспечивают хорошую проводимость и сцепление с керамическим или конформным субстратами. Конформные субстраты могут включать, но не ограничены только ими, мягкие субстраты, такие как Mylar®, Kapton®, Kaladex® и Melinex®.
Известные в данной области техники способы можно использовать для создания готовых форм разнообразных металлоорганических компонентов, используемых в проводящих пастах согласно вариантам выполнения настоящего изобретения.
Для регулирования конечных свойств можно принять во внимание дополнительные факторы в разработке состава металлоорганических компонентов. Один принцип включает контроль агрессивности проводящей пасты на просветляющем покрытии и предотвращение загрязнения субстрата. Другой принцип включает выбор температуры термического разложения в диапазоне от около 200°C до около 500°C или в другом диапазоне в зависимости от профиля распределения температуры при обжиге, чтобы обеспечить достаточно времени и тепла для взаимодействия твердой смеси, образовавшейся при разложении металлоорганических компонентов, с проводящим материалом и просветляющим покрытием. Можно рассмотреть использование карбоксилатов металлов или предшественников низкотемпературного химического осаждения в паровой фазе ("CVD") для регулирования температуры разложения. Третий принцип включает выбор металлоорганических компонентов, которые обладают консистенцией, подходящей для отпечатывания, или которые можно также использовать в качестве модификаторов реологии.
Проводящие материалы
В одном или более вариантов выполнения изобретения в проводящей пасте используется проводящий материал, такой как серебро в порошкообразной или дисперсной форме. Другие неограничивающие примеры подходящих проводящих материалов включают такие проводящие металлы, как золото, медь и платина в порошкообразной или дисперсной форме.
Проводящий материал, используемый в одном или более вариантов выполнения зобретенияи, может иметь вид одного или более тонкоизмельченных порошков серебра или сплавов серебра. По одному или более вариантам выполнения проводящий материал должен обладать способностью к спеканию при температуре выше около 500°C.
Другие компоненты
Проводящая паста по одному или более вариантам выполнения также может включать органический носитель. Органический носитель диспергирует дисперсные компоненты и облегчает перенос композиции пасты на поверхность. По меньшей мере в одном варианте выполнения органический носитель включает любой подходящий инертный растворитель, полимеры и обычно применяемые поверхностно-активные вещества. Конкретно, органический носитель растворяет полимеры и диспергирует проводящий материал и металлоорганические компоненты до образования проводящей пасты с подходящей реологией. Различные органические носители с загустителями, стабилизаторами и/или другими обычными добавками или без них могут использоваться в получении вариантов выполнения настоящего изобретения. Примеры растворителей включают спирты (включая гликоли), а также эфиры таких спиртов, терпены, такие как сосновое масло, терпинеол и другие. Более частные примеры растворителей включают дибутилфталат, монобутиловый эфир диэтиленгликоля, терпинеол, изопропанол, тридеканол и 2,2,4-триметил-1,3-пентандиол моноизобутират. В некоторых вариантах выполнения используются носители, которые также содержат летучие жидкости для стимулирования более быстрого высушивания после нанесения на субстрат.
Примеры подходящих полимеров включают этилцеллюлозу, метилцеллюлозу, нитроцеллюлозу, карбоксиметилцеллюлозу и другие производные целлюлозы. Другие примеры включают такие полимеры, как эфиры акриловой кислоты, эфиры метакри-ловой кислоты, поливиниловые спирты, поливинилбутирали и поликетоны.
В одном частном варианте выполнения изобретения используют растворы полимеров, таких как полиметакрилаты низших спиртов, в то время как в более частном варианте выполнения жидкий носитель включает этилцеллюлозу, растворенную в растворителях, таких как сосновое масло и монобутиловый эфир диэтиленгликоля.
Соотношение органического носителя и твердого вещества в проводящей пасте по одному или более вариантам выполнения изобретения может значительно варьироваться и определяется реологией конечного требуемого состава, которая, в свою очередь, определяется требованиями системы к трафаретной печати. В одном или более вариантах выполнения проводящая паста может содержать от около 50 до около 95 масс.% твердого вещества и от около 5 до около 50 масс.% органического носителя.
Один или более варианты выполнения проводящих паст могут дополнительно содержать другие добавки, известные в данной области техники, такие как красители и красящие вещества, модификаторы реологии, средства, повышающие адгезию, ингибиторы спекания, модификаторы дообжиговой прочности, поверхностно-активные вещества и так далее.
Проводящую пасту по одному или более вариантам выполнения можно получать с помощью подходящего оборудования, такого как трехвалковая мельница. Проводящий материал, металлоорганические компоненты, предшественники, органические носители и любые другие добавки можно предварительно тщательно смешивать, затем диспергируя в трехвалковой мельнице.
Фотогальванические элементы
В другом аспекте настоящего изобретения описаны ФГ элементы, содержащие полупроводниковый субстрат, просветляющее покрытие на субстрате и линии проводящей сетки. По одному или более вариантам выполнения линии проводящей сетки формируются из проводящей пасты, по существу не содержащей фритту. Один или более описанных в данном тексте вариантов выполнения проводящих паст можно использовать для формирования линий проводящей сетки. По одному или более вариантам выполнения изобретения желательно применение более одного металлоор-ганического компонента, так чтобы проводящая паста могла проникать через просветляющее покрытие на субстрате или растворять его, и устанавливать омический контакт.
В одном или более вариантов выполнения изобретения полупроводниковый субстрат может представлять собой кремний. Можно использовать другие подходящие субстраты, известные в данной области техники, такие как легированные полупроводниковые субстраты. По одному или более вариантам выполнения просветляющие покрытия могут содержать оксид титана, нитрид кремния или другие покрытия, известные в данной области техники.
Полупроводниковый субстрат может содержать монокристаллический или поликристаллический кремний. Просветляющие покрытия можно наносить на субстрат с использованием методик химического осаждения из паровой фазы. В некоторых вариантах выполнения изобретения для нанесения просветляющего покрытия на субстрат используют усиленные плазмой методики химического осаждения из паровой фазы. Полупроводниковые субстраты по одному или более вариантам выполнения, также могут быть протравлены или текстурированы для уменьшения отражения солнечного света и повышения степени поглощения. По одному или более вариантам выполнения изобретения после этого на поверхность субстрата или на просветляющее покрытие наносится проводящая паста трафаретной печатью или другими методиками. В одном варианте выполнения субстрат нагревают или обжигают до температуры от около 650° до 950°С для формирования линий сетки. Как описано в данной заявке, обжигание позволяет стеклянной фритте известных проводящих паст плавиться и проникать через просветляющее покрытие. Проводящий материал, используемый в проводящих пастах по одному варианту выполнения изобретения образует кристаллиты на границе проводников и субстрата, что улучшает электрический или омический контакт между проводниками и полупроводниковым субстратом. В вариантах выполнения, в которых используется несколько предшественников, при обжиге один или более предшественников образуют один или более проводящих элементов, которые ускоряют формирование электрических проводников на субстрате.
Не ограничивая настоящее изобретение каким-либо образом, в представленных далее примерах более полно описаны варианты выполнения изобретения.
ПРИМЕРЫ
Тестировали две пасты или массы (Паста А и Паста В), где обе пасты включали порошки серебра, несколько металлоорганических компонентов, полимеры и растворители. Количество металлоорганических компонентов в Пасте А составляло 2 масс.% твердого вещества, а количество металлоорганических компонентов в Пасте В составляло 3 масс.% твердого вещества. Эти пасты наносили методом печати и формировали фронтальные контакты на двух фотоэлементах из кристаллического кремния. Измеряли производительность каждого фотоэлемента, при этом значения стандартизировали относительно Пасты А; значения представлены в Таблице 1.
Таблица 1
Эффект содержания твердого вещества, генерируемого металлоорганическими компонентами пасты.
Паста Содержание твердого вещества Voc (V) (Jsc) (мА/см2) Коэффициент заполнения Эффективность (%)
A 2% 1.00 1.00 1.00 1.00
B 3% 0.99 1.03 1.75 1.78
"Коэффициент заполнения" и "эффективность" являются единицами измерения производительности полупроводника. Термин "коэффициент заполнения" определяют как соотношение максимальной мощности (Vmp×Jmp), деленной на произведение плотности тока короткого замыкания (Jsc) и напряжения разомкнутой цепи (Voc) в вольт-амперных (I-V) характеристиках для фотоэлементов. Напряжение разомкнутой цепи (Voc) представляет собой максимальное напряжение, получаемое в режиме холостого хода. Плотность тока короткого замыкания (Jsc) представляет собой максимальную плотность тока без нагрузки в режиме короткого замыкания. Коэффициент заполнения (FF), таким образом, определяют как (VmpJmp)/(VocTsc), где Jmp и Vmp представляют собой плотность тока и напряжение при максимальном значении мощности.
Термин "эффективность" представляет собой процентное отношение мощности, превращенной (превращенной из поглощаемого солнечного света в электроэнергию) и собранной в месте соединения фотоэлемента и электрической цепи. Эффективность (η) вычисляют как пиковую мощность (Pm), деленную на произведение общей падающей радиации (E, измеряется в Вт·м-2) и площади прибора (A, измеряется в м) при "стандартных" условиях испытаний, где η=Pm/(E×A).
Как показано в Таблице 1, Паста В продемонстрировала более высокий коэффициент заполнения и эффективность, чем Паста А. На основании данных результатов считают, что проводящая паста обеспечивает более высокий коэффициент заполнения и эффективность, когда содержащиеся в ней металлоорганические компоненты генерируют более высокое содержание твердого вещества.
Упоминание в настоящем описании "одного варианта выполнения изобретения", "некоторых вариантов выполнения изобретения", "одного или более вариантов выполнения изобретения" или "варианта выполнения изобретения" означает, что конкретный признак, структура, материал или особенность, описанные в связи с данным вариантом выполнения, включены по меньшей мере в один вариант выполнения данного изобретения. Таким образом, такие фразы, как "в одном или более вариантов выполнения изобретения", "в некоторых вариантах выполнения изобретения", "в одном варианте выполнения изобретения" или "в варианте выполнения изобретения" в различных местах настоящего описания необязательно касаются одного и того же варианта выполнения изобретения. Кроме того, частные признаки, структуры, материалы или особенности могут комбинироваться любым подходящим образом в одном или более вариантах выполнения.
Несмотря на то, что изобретение в данном тексте было описано со ссылкой на частные варианты выполнения, необходимо понимать, что данные варианты выполнения только иллюстрируют принципы и области применения настоящего изобретения. Специалистам в данной области техники понятно, что возможны различные модификации и изменения способа и аппаратного оформления настоящего изобретения без выхода за рамки сущности и объема изобретения. Таким образом, предполагается, что настоящее изобретение включает модификации и изменения, которые находятся в рамках прилагаемой формулы изобретения и ее эквивалентов.

Claims (14)

1. Проводящая паста для нанесения на полупроводник для использования в качестве фотогальванического элемента, содержащая множество металлоорганических компонентов, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал, при этом данная паста, по существу, свободна от стеклянной фритты, и данная паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат в отсутствие фритты и, при обжиге, для разложения металлоорганических компонентов, что формирует твердую оксидную фазу и вызывает образование из проводящих материалов электрического проводника на субстрате, причем металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий.
2. Проводящая паста для нанесения на полупроводник для использования в качестве фотогальванического элемента, содержащая множество предшественников, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге или нагревании, причем один или более из данных предшественников способны образовывать один или более проводящих металлических элементов при обжиге, при этом паста, по существу, свободна от стеклянной фритты, и данная паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата при нанесении на субстрат и, при обжиге, для разложения одного или более предшественников, что формирует твердую оксидную фазу, которая вызывает образование из одного или более проводящих металлических элементов электрического проводника на субстрате в отсутствие стеклянной фритты, где предшественник содержит металлические элементы, выбранные из кремния.
3. Паста по п.1 или 2, где при нанесении пасты на просветляющее покрытие, нанесенное на субстрат, данная проводящая паста способна проникать через просветляющее покрытие с формированием омического контакта с субстратом.
4. Паста по п.1, где проводящий материал содержит порошок серебра.
5. Паста по п.1 или 2, где проводящий материал способен спекаться при температуре выше около 500°C.
6. Паста по п.1, где металлоорганические компоненты присутствуют в количестве менее около 40 мас.%.
7. Паста по п.1, где металлоорганические компоненты дополнительно включают один или более металлов, выбранных из Группы IIIA, Группы IVA, Группы VA или титана.
8. Паста по п.1 или 2, дополнительно содержащая фосфорсодержащее соединение.
9. Паста по п.1 или 2, дополнительно содержащая модификатор, включая оксид металла или коллоидную суспензию металла.
10. Паста по п.2, где несколько предшественников присутствуют в количестве менее около 90 мас.%.
11. Паста по п.2, где несколько предшественников дополнительно включают один или более металлов, выбранных из Группы IIIА, Группы IVA, Группы VA, титана, ванадия или цинка.
12. Паста по п.11, где несколько предшественников дополнительно включают бор, алюминий, висмут, титан, цинк и ванадий.
13. Фотогальванический элемент, содержащий полупроводниковый субстрат, просветляющее покрытие и линии проводящей сетки, сформированные из проводящей пасты по любому из пп.1 или 3-9, которая включает органическую среду, и которую обжигали для формирования линий сетки, содержащей металлоксидную фазу и проводящий материал, где данную пасту обрабатывали для удаления органической среды и спекания проводящего материала.
14. Фотогальванический элемент по п.13, в котором просветляющее покрытие нанесено на поверхность субстрата, и проводящая паста нанесена на просветляющее покрытие, при этом данное просветляющее покрытие имеет высокое удельное сопротивление, затрудняющее перенос носителей заряда в цепи.
RU2010135772/05A 2008-01-30 2009-01-27 Проводящие пасты RU2509789C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/022,403 US8308993B2 (en) 2008-01-30 2008-01-30 Conductive inks
US12/022,403 2008-01-30
PCT/US2009/032112 WO2009097269A1 (en) 2008-01-30 2009-01-27 Conductive inks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010135772A RU2010135772A (ru) 2012-03-10
RU2509789C2 true RU2509789C2 (ru) 2014-03-20

Family

ID=40568738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010135772/05A RU2509789C2 (ru) 2008-01-30 2009-01-27 Проводящие пасты

Country Status (11)

Country Link
US (1) US8308993B2 (ru)
EP (1) EP2238208A1 (ru)
JP (2) JP2011514397A (ru)
KR (2) KR101744661B1 (ru)
CN (2) CN101932663A (ru)
BR (1) BRPI0907094A2 (ru)
CA (1) CA2712114C (ru)
IL (1) IL206989A (ru)
MY (1) MY172931A (ru)
RU (1) RU2509789C2 (ru)
WO (1) WO2009097269A1 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080003364A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Ginley David S Metal Inks
US20110312160A1 (en) 2010-05-21 2011-12-22 Heliovolt Corp. Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same
WO2012023973A2 (en) 2010-08-16 2012-02-23 Heliovolt Corporation Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same
TWI401301B (zh) * 2010-10-06 2013-07-11 Univ Nat Cheng Kung 燒結成型之組成物及燒結成型方法
US20120132272A1 (en) 2010-11-19 2012-05-31 Alliance For Sustainable Energy, Llc. Solution processed metal oxide thin film hole transport layers for high performance organic solar cells
TW201234626A (en) * 2011-01-13 2012-08-16 Intevac Inc Non-contacting bus bars for solar cells and methods of making non-contacting bus bars
JP6204348B2 (ja) 2011-05-04 2017-09-27 リキッド エクス プリンテッド メタルズ インコーポレイテッド 分子インク由来の金属合金
WO2012153553A1 (ja) * 2011-05-12 2012-11-15 横浜ゴム株式会社 太陽電池集電電極形成用導電性組成物および太陽電池セル
CN102243901B (zh) * 2011-06-28 2013-07-17 陈晓东 不含无机粘接剂硅太阳能电池铝背场用浆料及其制备方法
US9441117B2 (en) * 2012-03-20 2016-09-13 Basf Se Mixtures, methods and compositions pertaining to conductive materials
US9105797B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se
KR101956734B1 (ko) * 2012-09-19 2019-03-11 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
EP2749546B1 (en) * 2012-12-28 2018-04-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG An electro-conductive paste comprising elemental phosphorus in the preparation of electrodes in mwt solar cells
RU2676306C2 (ru) 2013-02-28 2018-12-27 Гардиан Индастриз Корп. Оконные модули, изготовленные с использованием керамической фритты, которая растворяет покрытия, нанесенные методом физического осаждения из паровой фазы (pvd), и/или соответствующие способы
CA2925436C (en) 2013-03-07 2021-10-26 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods for producing thin film charge selective transport layers
WO2017006714A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 株式会社村田製作所 導電性ペースト、及びガラス物品
JPWO2017094166A1 (ja) * 2015-12-03 2018-09-20 ハリマ化成株式会社 導電性ペーストの製造方法
EP3463881A4 (en) * 2016-06-06 2020-01-15 Lawrence Livermore National Security, LLC GLASS COMPONENTS WITH CUSTOMIZED COMPOSITION PROFILES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
CN106398398B (zh) * 2016-09-09 2020-01-21 广东南海启明光大科技有限公司 一种金属纳米导电墨水及其制备方法
US9847437B1 (en) * 2017-03-21 2017-12-19 Jiun Pyng You Method of forming conductive electrode grids over silicon wafer surfaces
CN108359308A (zh) * 2018-02-24 2018-08-03 东莞市银泰丰光学科技有限公司 一种散热油墨及玻璃导光板印刷散热油墨的方法
WO2021033387A1 (ja) * 2019-08-22 2021-02-25 株式会社村田製作所 電子部品

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1416072A (en) * 1973-03-15 1975-12-03 Electrical Res Ass Transparent electrodes
EP0064211A2 (en) * 1981-04-30 1982-11-10 Taiyo Yuden Co., Ltd. A method of forming electrodes on ceramic bodies to provide electronic components
JPH02281082A (ja) * 1989-04-24 1990-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 印刷回路用ペーストおよび印刷回路の形成方法
JPH03280414A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Kyocera Corp 磁器電子部品
RU1791852C (ru) * 1990-11-30 1993-01-30 А.Н.Лопанов, Г.М.Фофанов и А.Ф.Пр дКО ... Суспензи дл получени токопровод щего покрыти
RU1801232C (ru) * 1991-06-04 1993-03-07 Институт Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского Твердотельный фотогальванический элемент дл преобразовани энергии света в электрическую энергию
WO2002082466A1 (de) * 2001-04-04 2002-10-17 Ferro Gmbh Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte artikel mit einer leitfähigen beschichtung auf glas, keramik oder emailliertem stahl und verfahren zu deren herstellung
WO2003106573A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-24 Nanopowders Industries Ltd. A method for the production of conductive and transparent nano-coatings and nano-inks and nano-powder coatings and inks produced thereby
WO2004067647A2 (en) * 2003-01-29 2004-08-12 Parelec Inc. High conductivity inks with low minimum curing temperatures
RU2279148C2 (ru) * 2001-03-19 2006-06-27 Энергиеондерзоек Сентрум Недерланд Соединение, имеющее высокую электронную проводимость, электрод для электрохимической ячейки, содержащий это соединение, способ изготовления электрода и электрохимическая ячейка

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3545986A (en) 1968-02-26 1970-12-08 Du Pont Novel silver compositions and capacitors therefrom
US3755723A (en) 1968-02-26 1973-08-28 Du Pont Novel glasses, silver compositions and capacitors therefrom
FR2348897A1 (fr) 1976-04-21 1977-11-18 Labo Electronique Physique Contacts ohmiques sur silicium a partir de pates serigraphiables et procede de mise en oeuvre
JPS61136978A (ja) * 1984-12-06 1986-06-24 アルプス電気株式会社 厚膜回路形成用導電ペ−スト
US5162062A (en) 1991-06-17 1992-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for making multilayer electronic circuits
JPH05222326A (ja) * 1992-02-13 1993-08-31 Dainippon Ink & Chem Inc 銀導体回路用オフセット印刷インキおよび銀導体回路の形成方法
US5406852A (en) * 1992-03-18 1995-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pressure sensor having a resistor element on a glass dryer with electrodes connected thereto
JP3280414B2 (ja) 1992-05-26 2002-05-13 松下電工株式会社 搬送装置
JPH0657183A (ja) 1992-08-05 1994-03-01 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
US5252521A (en) 1992-10-19 1993-10-12 Ferro Corporation Bismuth-containing lead-free glass enamels and glazes of low silica content
JPH06204512A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 半導体基板用電極ペースト
US5378408A (en) 1993-07-29 1995-01-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead-free thick film paste composition
US5578533A (en) 1993-10-01 1996-11-26 Asahi Glass Company Ltd. Ceramic color composition and process for producing a curved surface glass sheet employing it
JP2987039B2 (ja) 1993-10-29 1999-12-06 セントラル硝子株式会社 接着・封止用ガラス
US5439852A (en) 1994-08-01 1995-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition
US5491118A (en) 1994-12-20 1996-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
US5882722A (en) 1995-07-12 1999-03-16 Partnerships Limited, Inc. Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds
GB9518033D0 (en) 1995-09-05 1995-11-08 Cookson Matthey Ceramics Plc Composition
JP3211641B2 (ja) 1995-09-22 2001-09-25 株式会社村田製作所 導電性組成物
US5714420A (en) 1995-12-08 1998-02-03 Cerdec Corporation - Drakenfeld Products Partially crystallizing ceramic enamel composition containing bismuth silicate, and use thereof
JP3209089B2 (ja) 1996-05-09 2001-09-17 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
JP3419244B2 (ja) * 1996-05-24 2003-06-23 株式会社村田製作所 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法
US5753571A (en) 1997-02-13 1998-05-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead and cadmium-free encapsulant composition
JP2000034501A (ja) * 1998-07-15 2000-02-02 Otsuka Sangyo:Kk 導電性粉体及び導電インク
JP3419321B2 (ja) 1998-09-24 2003-06-23 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
US6255239B1 (en) 1998-12-04 2001-07-03 Cerdec Corporation Lead-free alkali metal-free glass compositions
JP2000264676A (ja) 1999-03-12 2000-09-26 Asahi Glass Co Ltd 低融点ガラス
DE60043359D1 (de) 2000-01-21 2009-12-31 Midwest Research Inst Verfahren zur herstellung von dünnfilmleitern durch zersetzung von metallchelaten in verbindung mit metallteilchen
JP3452033B2 (ja) * 2000-07-05 2003-09-29 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP4672125B2 (ja) * 2000-09-27 2011-04-20 大塚化学株式会社 導電性板状チタニア及び導電性組成物
JP2003031948A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板の製造方法
US6814795B2 (en) 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
US7241512B2 (en) 2002-04-19 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Electroluminescent materials and methods of manufacture and use
WO2004005413A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 Nanopowders Industries Ltd. Low sintering temperatures conductive nano-inks and a method for producing the same
US7211205B2 (en) * 2003-01-29 2007-05-01 Parelec, Inc. High conductivity inks with improved adhesion
US7138347B2 (en) 2003-08-14 2006-11-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film conductor paste for automotive glass
US20050067277A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Pierce Robin D. Low volume electrochemical biosensor
JP3853793B2 (ja) 2004-02-27 2006-12-06 京セラケミカル株式会社 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP4537092B2 (ja) 2004-03-01 2010-09-01 パナソニック株式会社 ガラス組成物及び磁気ヘッド
JP4835435B2 (ja) * 2004-03-03 2011-12-14 株式会社カネカ 超微粒子含有熱可塑性樹脂組成物の製造方法
JP4506232B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 Ｄｉｃ株式会社 重合性液晶化合物、これを含有する液晶組成物、及びこれらの重合体
JP4393938B2 (ja) 2004-07-16 2010-01-06 信越化学工業株式会社 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法
JP2006225255A (ja) 2005-01-18 2006-08-31 Sony Corp 無鉛ガラス組成物及び磁気ヘッド
CN101129092A (zh) * 2005-02-24 2008-02-20 埃克阿泰克有限责任公司 脉冲宽度调制的除霜器
US7691294B2 (en) 2005-03-04 2010-04-06 Inktec Co., Ltd. Conductive inks and manufacturing method thereof
KR100727434B1 (ko) * 2005-03-04 2007-06-13 주식회사 잉크테크 투명 은 잉크 조성물 및 이를 이용한 박막 형성방법
US7435361B2 (en) 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
JP2006348160A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性インク
JP2007049087A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Sharp Corp 太陽電池の電極およびその製造方法
JP2007194580A (ja) * 2005-12-21 2007-08-02 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
US8721931B2 (en) 2005-12-21 2014-05-13 E I Du Pont De Nemours And Company Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell
JP2007235082A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
JP2007257869A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性インキ
CN100576578C (zh) * 2006-04-20 2009-12-30 无锡尚德太阳能电力有限公司 制备太阳电池电极的方法及其电化学沉积装置
JP4714633B2 (ja) * 2006-04-25 2011-06-29 シャープ株式会社 太陽電池電極用導電性ペースト
EP2015367A4 (en) 2006-04-25 2011-10-05 Sharp Kk ELECTRO-CONDUCTIVE PASTE FOR A SOLAR BATTERY ELECTRODE
US20070253140A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Randall Michael S Base metal electrode multilayer capacitor with localized oxidizing source
EP2033229B1 (en) * 2006-06-19 2012-07-04 Cabot Corporation Photovoltaic conductive features and processes for forming same
US8383011B2 (en) 2008-01-30 2013-02-26 Basf Se Conductive inks with metallo-organic modifiers

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1416072A (en) * 1973-03-15 1975-12-03 Electrical Res Ass Transparent electrodes
EP0064211A2 (en) * 1981-04-30 1982-11-10 Taiyo Yuden Co., Ltd. A method of forming electrodes on ceramic bodies to provide electronic components
JPH02281082A (ja) * 1989-04-24 1990-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 印刷回路用ペーストおよび印刷回路の形成方法
JPH03280414A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Kyocera Corp 磁器電子部品
RU1791852C (ru) * 1990-11-30 1993-01-30 А.Н.Лопанов, Г.М.Фофанов и А.Ф.Пр дКО ... Суспензи дл получени токопровод щего покрыти
RU1801232C (ru) * 1991-06-04 1993-03-07 Институт Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского Твердотельный фотогальванический элемент дл преобразовани энергии света в электрическую энергию
RU2279148C2 (ru) * 2001-03-19 2006-06-27 Энергиеондерзоек Сентрум Недерланд Соединение, имеющее высокую электронную проводимость, электрод для электрохимической ячейки, содержащий это соединение, способ изготовления электрода и электрохимическая ячейка
WO2002082466A1 (de) * 2001-04-04 2002-10-17 Ferro Gmbh Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte artikel mit einer leitfähigen beschichtung auf glas, keramik oder emailliertem stahl und verfahren zu deren herstellung
WO2003106573A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-24 Nanopowders Industries Ltd. A method for the production of conductive and transparent nano-coatings and nano-inks and nano-powder coatings and inks produced thereby
WO2004067647A2 (en) * 2003-01-29 2004-08-12 Parelec Inc. High conductivity inks with low minimum curing temperatures

Also Published As

Publication number Publication date
US20090188556A1 (en) 2009-07-30
RU2010135772A (ru) 2012-03-10
KR20100124735A (ko) 2010-11-29
IL206989A (en) 2015-01-29
KR20160064247A (ko) 2016-06-07
CA2712114A1 (en) 2009-08-06
JP2017171934A (ja) 2017-09-28
CA2712114C (en) 2017-01-03
IL206989A0 (en) 2010-12-30
EP2238208A1 (en) 2010-10-13
CN101932663A (zh) 2010-12-29
WO2009097269A1 (en) 2009-08-06
KR101744661B1 (ko) 2017-06-09
JP2011514397A (ja) 2011-05-06
BRPI0907094A2 (pt) 2015-07-14
MY172931A (en) 2019-12-14
CN105670390A (zh) 2016-06-15
US8308993B2 (en) 2012-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2509789C2 (ru) Проводящие пасты
RU2499810C2 (ru) Проводящие пасты с металлоорганическими модификаторами
RU2494983C2 (ru) Стеклянные фритты
KR20100120218A (ko) 규소 태양 전지용 전도성 페이스트 및 그리드 전극
EP2446479A1 (en) Process of forming a grid cathode on the front-side of a silicon wafer
EP2758967A1 (en) CONDUCTIVE COMPOSITIONS CONTAINING Li2RuO3 AND ION-EXCHANGED Li2RuO3 AND THEIR USE IN THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES
BR102012033042A2 (pt) Composição de filme espesso, processo e artigo
KR20120115128A (ko) 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법
US20120234384A1 (en) Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
TW201737502A (zh) 導電性膏及太陽能電池
WO2012125866A1 (en) Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
WO2010135500A1 (en) Process of forming a grid electrode on the front-side of a silicon wafer
JP2016510486A (ja) メタルラップスルーシリコン太陽電池のための導電性銀ペースト
JP2011524068A (ja) 光電池の導体に使用されるサブミクロン粒子を含む組成物
TWI518145B (zh) 導電墨水
CN112204676B (zh) 导电性糊剂及太阳能电池
TWI518144B (zh) 具金屬有機改質劑之導電墨水
TW201409487A (zh) 含有Ｌｉ２ＲｕＯ３及經離子交換之的Ｌｉ２ＲｕＯ３之導電組成物及其於製造半導體裝置之使用

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200128