JP6204348B2 - 分子インク由来の金属合金 - Google Patents
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- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 title description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 336
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 330
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 251
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 224
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 117
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 117
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 78
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 62
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 61
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 53
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 28
- 239000007783 nanoporous material Substances 0.000 claims description 23
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 16
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 15
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 12
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 12
- -1 carboxylate anion Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 125000005599 alkyl carboxylate group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 39
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 17
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 16
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 6
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000845 anti-microbial effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 2
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007210 heterogeneous catalysis Methods 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 2
- CFNHVUGPXZUTRR-UHFFFAOYSA-N n'-propylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCNCCN CFNHVUGPXZUTRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002696 Ag-Au Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019589 Cr—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017767 Cu—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001021 Ferroalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017116 Fe—Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017318 Mo—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910002845 Pt–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018883 Pt—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018967 Pt—Rh Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007565 Zn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- RQOMYJHZMRLDFZ-UHFFFAOYSA-K [Au+3].C1CCSC1.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O Chemical compound [Au+3].C1CCSC1.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O RQOMYJHZMRLDFZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 230000009830 antibody antigen interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000427 antigen Substances 0.000 description 1
- 102000036639 antigens Human genes 0.000 description 1
- 108091007433 antigens Proteins 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004113 cell culture Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004294 cyclic thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000012377 drug delivery Methods 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005441 electronic device fabrication Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 235000000396 iron Nutrition 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021652 non-ferrous alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 102000040430 polynucleotide Human genes 0.000 description 1
- 108091033319 polynucleotide Proteins 0.000 description 1
- 239000002157 polynucleotide Substances 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000013079 quasicrystal Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical group 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- GYEMIEGAEOIJQR-UHFFFAOYSA-M silver;2-methylpropanoate Chemical compound [Ag+].CC(C)C([O-])=O GYEMIEGAEOIJQR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MEVZSQVCKHHMFU-UHFFFAOYSA-M silver;2-methylpropanoate;n'-propylethane-1,2-diamine Chemical compound [Ag+].CC(C)C([O-])=O.CCCNCCN MEVZSQVCKHHMFU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004416 surface enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- HPHZVOOLJMXCIA-UHFFFAOYSA-K thiolane;trichlorogold Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Au+3].C1CCSC1 HPHZVOOLJMXCIA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本出願は、2011年5月4日に出願の米国仮出願第61/482,571号の優先権を主張するものであり、これはその全体が参照により本明細書に組み入れられる。
一部の情報源によれば、プリンテッドエレクトロニクスは今後7〜10年以内に数10億ドルのビジネスになり、インクだけでこの金額の10〜15%を構成すると見込まれている。より具体的には、例えば銅、銀および金などの金属を印刷するより良好な方法が必要とされている。これらの金属は、相互接続から有機電界効果トランジスタのソース電極およびドレイン電極に及ぶ重要なチップ成分である。一般に、金属構造を生成するための改善された組成物および方法が、特に商業用途およびインクジェット印刷向けに求められている。例えば、米国特許第7,270,694号; 同第7,443,027号; 同第7,491,646号; 同第7,494,608号(譲受人: Xerox); 米国特許出願公開第2010/0163810号(「Metal Inks」); 米国特許出願公開第2008/0305268号(「Low Temperature Thermal Conductive Inks」); および米国特許出願公開第2006/0130700号(「Silver Containing Inkjet Inks」)(特許文献1〜7)を参照。
様々な態様の中でも、組成物、素子、組成物および素子を作製する方法、ならびに組成物および素子を使用する方法に関する態様が特に本明細書において提供される。
[本発明1001]
少なくとも1つの堆積構造を形成するために、少なくとも1種類の前駆体組成物を少なくとも1つの基板上に堆積させる工程であって、該前駆体組成物が、少なくとも1種類の第1の金属を含む少なくとも1種類の第1の金属錯体と、該第1の金属錯体とは異なりかつ該第1の金属とは異なる少なくとも1種類の第2の金属を含む、少なくとも1種類の第2の金属錯体とを含む、少なくとも2種類の金属錯体を含む、工程、
該第1の金属および該第2の金属が処理構造中で該第1の金属および該第2の金属の元素形態を形成するように該堆積構造を処理する工程
を含む、方法。
[本発明1002]
前記前駆体組成物が均一組成物である、本発明1001の方法。
[本発明1003]
前記前駆体組成物が、前記少なくとも1種類の第1の金属錯体および前記少なくとも1種類の第2の金属錯体を混合することにより調製される、本発明1001の方法。
[本発明1004]
前記前駆体組成物が金属ナノ粒子を実質的に含まない、本発明1001の方法。
[本発明1005]
前記前駆体組成物が金属ナノ粒子を含まない、本発明1001の方法。
[本発明1006]
前記前駆体組成物が金属ナノ粒子を0.1重量%未満のレベルで含む、本発明1001の方法。
[本発明1007]
前記第1の金属錯体が銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウムまたはロジウムの錯体である、本発明1001の方法。
[本発明1008]
前記第2の金属錯体が銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウムまたはロジウムの錯体である、本発明1001の方法。
[本発明1009]
前記第1の金属錯体が銀錯体であり、前記第2の金属錯体が金錯体である、本発明1001の方法。
[本発明1010]
前記前駆体組成物が、前記第1および第2の金属錯体とは異なりかつ前記第1および第2の金属とは異なる少なくとも1種類の第3の金属を含む、少なくとも1種類の第3の金属錯体をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1011]
前記前駆体組成物について、全金属含有量に対する前記第1の金属の原子パーセントが約10%〜約90%であり、前記第2の金属の原子パーセントが約10%〜約90%である、本発明1001の方法。
[本発明1012]
前記前駆体組成物について、全金属含有量に対する前記第1の金属の原子パーセントが約20%〜約80%であり、前記第2の金属の原子パーセントが約20%〜約80%である、本発明1001の方法。
[本発明1013]
前記前駆体組成物が少なくとも1種類の溶媒をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1014]
前記前駆体組成物が、炭化水素である少なくとも1種類の溶媒をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1015]
前記前駆体組成物が、極性プロトン性溶媒である少なくとも1種類の溶媒をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1016]
前駆体組成物の全量に対する前記第1の錯体および前記第2の錯体の量が約500mg/mL以下である、本発明1001の方法。
[本発明1017]
前駆体組成物の全量に対する前記第1の錯体および前記第2の錯体の量が約250 mg/mL以下である、本発明1001の方法。
[本発明1018]
前記前駆体組成物が、前記堆積工程用のインクジェット印刷における使用に適合した粘度を有する、本発明1001の方法。
[本発明1019]
前記前駆体組成物が25℃で約100cps以下の粘度を有する、本発明1001の方法。
[本発明1020]
前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ金属中心を1個だけ含む、本発明1001の方法。
[本発明1021]
前記第1の金属錯体の前記第1の金属および前記第2の金属錯体の前記第2の金属がそれぞれ酸化状態(I)または(II)である、本発明1001の方法。
[本発明1022]
前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ中性錯体である、本発明1001の方法。
[本発明1023]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子を含む、本発明1001の方法。
[本発明1024]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのアミノ多座配位子(multidentate amino ligand)を含む、本発明1001の方法。
[本発明1025]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミノ多座配位子を含む、本発明1001の方法。
[本発明1026]
前記第2の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子を含む、本発明1001の方法。
[本発明1027]
前記第2の金属錯体が少なくとも1つの硫黄含有配位子を含む、本発明1001の方法。
[本発明1028]
前記第2の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つの硫黄含有配位子を含む、本発明1001の方法。
[本発明1029]
前記堆積工程が、ドロップキャスティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、ロールツーロール、スロットダイ、グラビア、マイクロコンタクトプリンティングまたはフレキソ印刷を含む、本発明1001の方法。
[本発明1030]
前記堆積工程がインクジェット印刷を含む、本発明1001の方法。
[本発明1031]
前記堆積工程が真空下で行われない、本発明1001の方法。
[本発明1032]
前記堆積工程がスパッタリングを含まない、本発明1001の方法。
[本発明1033]
前記堆積工程が電気化学堆積法を含まない、本発明1001の方法。
[本発明1034]
前記堆積工程が前記基板上の同一位置に対して少なくとも2回行われる、本発明1001の方法。
[本発明1035]
前記堆積構造が線、または頂点を共有する(vertex-shared)多角形である、本発明1001の方法。
[本発明1036]
前記基板が可撓性基板または剛性基板である、本発明1001の方法。
[本発明1037]
前記基板がポリマー基板である、本発明1001の方法。
[本発明1038]
前記基板がガラスまたは半導体材料である、本発明1001の方法。
[本発明1039]
前記処理工程が加熱工程または放射線曝露工程である、本発明1001の方法。
[本発明1040]
前記処理構造が約500nm以下の厚さを有する、本発明1001の方法。
[本発明1041]
前記処理工程が250℃未満での加熱工程である、本発明1001の方法。
[本発明1042]
前記処理工程が200℃未満での加熱工程である、本発明1001の方法。
[本発明1043]
前記処理構造中の2種類の元素金属が合金の形態である、本発明1001の方法。
[本発明1044]
前記処理構造中の2種類の元素金属が固溶体の形態である、本発明1001の方法。
[本発明1045]
前記処理構造中の2種類の元素金属が固溶体の形態ではない、本発明1001の方法。
[本発明1046]
前記前駆体組成物中および処理堆積物中の金属の原子比が実質的に同一である、本発明1001の方法。
[本発明1047]
前記前駆体組成物中および処理堆積物中の金属の原子比が互いに対して5パーセントの範囲内である、本発明1001の方法。
[本発明1048]
前記前駆体組成物中および処理堆積物中の金属の原子比が互いに対して1パーセントの範囲内である、本発明1001の方法。
[本発明1049]
少なくとも前記第2の金属を含むナノ多孔質材料とするために前記第1の金属の少なくとも一部を除去する工程をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1050]
前記除去工程が化学的除去である、本発明1049の方法。
[本発明1051]
前記除去工程が電気化学的除去ではない、本発明1049の方法。
[本発明1052]
前記除去工程が酸によって行われる、本発明1049の方法。
[本発明1053]
ナノ多孔質材料が約100nm以下の平均孔径を有する、本発明1049の方法。
[本発明1054]
除去される前記第1の金属の少なくとも一部分が回収される、本発明1049の方法。
[本発明1055]
前記ナノ多孔質材料が、化学吸着工程にさらに供される、本発明1049の方法。
[本発明1056]
前記ナノ多孔質材料がさらに化学修飾される、本発明1049の方法。
[本発明1057]
前記ナノ多孔質材料が、金属プラズモン周波数モニタリングプロセスにおいてさらに使用される、本発明1049の方法。
[本発明1058]
前記第1および第2の金属が銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウムまたはロジウムであり、前記前駆体組成物が少なくとも1種類の溶媒をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1059]
前記第1および第2の金属が銀または金であり、前記前駆体組成物が少なくとも1種類の炭化水素溶媒をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1060]
前記第1および第2の金属が銀または金であり、前記前駆体組成物が少なくとも1種類の炭化水素溶媒をさらに含み、前記堆積工程がインクジェット印刷を含み、前記処理工程が250℃未満の温度での加熱工程であり、除去工程が化学エッチングによって行われる、本発明1049の方法。
[本発明1061]
第1の金属と、該第1の金属用の、少なくとも1つの第1の配位子および該第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子とを含む、少なくとも1種類の第1の金属錯体;
該第1の金属錯体とは異なり、かつ第2の金属と、該第2の金属用の、少なくとも1つの第1の配位子および該第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子とを含む、少なくとも1種類の第2の金属錯体;
少なくとも1種類の溶媒
を含む、組成物であって、
(i) 該第1の金属錯体の量および該第2の金属錯体の量の選択、(ii) 該第1および第2の金属用の該第1の配位子の選択および該第2の配位子の選択、ならびに(iii) 該溶媒の選択が、均一組成物を与えるように適合している、組成物。
[本発明1062]
前記第1の金属錯体が銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウムまたはロジウムの錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1063]
前記第1の金属錯体が銀錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1064]
前記第2の金属錯体が銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウムまたはロジウムの錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1065]
前記第2の金属錯体が金錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1066]
前記第1の金属錯体が銀錯体でありかつ前記第2の金属錯体が金錯体であるか、あるいは該第1の金属錯体が白金錯体でありかつ該第2の金属錯体が金錯体であるか、あるいは該第1の金属錯体が白金錯体でありかつ該第2の金属錯体がイリジウム錯体であるか、あるいは該第1の金属錯体が白金錯体でありかつ該第2の金属錯体がロジウム錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1067]
前記第1の金属錯体が銀錯体であり、前記第2の金属錯体が金錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1068]
前記第1の金属錯体の前記第2の配位子がカルボキシレートである、本発明1061の組成物。
[本発明1069]
前記第2の金属錯体の前記第2の配位子がカルボキシレートである、本発明1061の組成物。
[本発明1070]
2種類の前記錯体の2つの第2の配位子が同一である、本発明1061の組成物。
[本発明1071]
前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ不斉錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1072]
全金属含有量に対する前記第1の金属の原子パーセントが約10%〜約90%であり、前記第2の金属の原子パーセントが約10%〜約90%である、本発明1061の組成物。
[本発明1073]
全金属含有量に対する前記第1の金属の原子パーセントが約20%〜約80%であり、前記第2の金属の原子パーセントが約20%〜約80%である、本発明1061の組成物。
[本発明1074]
前記溶媒が炭化水素である、本発明1061の組成物。
[本発明1075]
前記溶媒が芳香族炭化水素である、本発明1061の組成物。
[本発明1076]
前記第1および第2の金属錯体がそれぞれ少なくとも25重量%の金属を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1077]
前記第1および第2の金属錯体がそれぞれ少なくとも50重量%の金属を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1078]
前記第1および第2の金属錯体がそれぞれ少なくとも70重量%の金属を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1079]
前記組成物の全量に対する前記第1の錯体および前記第2の錯体の量が約500mg/mL以下である、本発明1061の組成物。
[本発明1080]
前記組成物の全量に対する前記第1の錯体および前記第2の錯体の量が約250 mg/mL以下である、本発明1061の組成物。
[本発明1081]
インクジェット印刷における使用に適合した粘度を有する、本発明1061の組成物。
[本発明1082]
前駆体組成物が約1cps〜約20cpsの粘度を有する、本発明1061の組成物。
[本発明1083]
前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ金属中心を1個だけ含む、本発明1061の組成物。
[本発明1084]
前記第1の金属錯体の前記第1の金属および前記第2の金属錯体の前記第2の金属がそれぞれ酸化状態(I)または(II)である、本発明1061の組成物。
[本発明1085]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのアルキルカルボキシレート配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1086]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのアミノ配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1087]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミノ配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1088]
前記第2の金属錯体が少なくとも1つのアルキルカルボキシレート配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1089]
前記第2の金属錯体が少なくとも1つの硫黄含有配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1090]
前記第2の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つの硫黄含有配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1091]
前記第1の金属錯体が銀錯体であり、前記第2の金属錯体が金錯体である、本発明1061の組成物。
[本発明1092]
前駆体組成物が金属ナノ粒子を全く含まない、本発明1061の組成物。
[本発明1093]
前記第1の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミン配位子を含み、前記第2の金属錯体が少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのチオエーテル配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1094]
前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ、各錯体について同一であるカルボキシレート配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1095]
前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ、8個以下の炭素原子を有するカルボキシレート配位子を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1096]
前記溶媒が炭化水素であり、前記組成物の全量に対する前記第1の錯体および前記第2の錯体の量が約500mg/mL以下である、本発明1061の組成物。
[本発明1097]
前記第1の金属錯体が銀錯体であり、前記第2の金属錯体が金錯体であり、前記組成物の全量に対する該第1の錯体および該第2の錯体の量が約500mg/mL以下である、本発明1061の組成物。
[本発明1098]
前記第1の金属錯体が銀錯体であり、前記第2の金属錯体が金錯体であり、前記組成物の全量に対する該第1の錯体および該第2の錯体の量が約500mg/mL以下であり、該組成物がインクジェット印刷における使用に適合した粘度を有する、本発明1061の組成物。
[本発明1099]
前記第1の金属錯体が銀錯体であり、前記第2の金属錯体が金錯体であり、前駆体組成物が金属ナノ粒子を実質的に含まず、該第1の金属錯体の前記第1の金属および該第2の金属錯体の前記第2の金属がそれぞれ酸化状態(I)または(II)である、本発明1061の組成物。
[本発明1100]
全金属含有量に対する前記第1の金属の原子パーセントが約20%〜約80%であり、前記第2の金属の原子パーセントが約20%〜約80%であり、前記溶媒が炭化水素であり、前記第1および第2の金属錯体が少なくとも50重量%の金属を含む、本発明1061の組成物。
[本発明1101]
酸化状態(I)または(II)の少なくとも1種類の第1の金属と、少なくとも1つの第1の配位子がアミンであり少なくとも1つの第2の配位子がカルボキシレートアニオンである少なくとも2つの配位子とを含む、中性の不斉錯体である、少なくとも1種類の第1の金属錯体;
酸化状態(I)または(II)の少なくとも1種類の第2の金属と、少なくとも1つの第1の配位子が硫黄化合物であり少なくとも1つの第2の配位子が該第1の金属錯体の該カルボキシレートアニオンである少なくとも2つの配位子とを含む、中性の不斉錯体である、該第1の金属錯体とは異なる少なくとも1種類の第2の金属錯体;
少なくとも1種類の有機溶媒
を含む、組成物であって、
全金属含有量に対する該第1の金属の原子パーセントが約20%〜約80%であり、該第2の金属の原子パーセントが約20%〜約80%である、組成物。
[本発明1102]
少なくとも1種類の第1の金属錯体および少なくとも1種類の第1の溶媒を含む少なくとも1種類の第1の前駆体組成物と、該第1の金属錯体とは異なる少なくとも1種類の第2の金属錯体および少なくとも1種類の第2の溶媒を含む少なくとも1種類の第2の前駆体組成物とを組み合わせる工程であって、該第1および第2の前駆体組成物、該第1および第2の溶媒、ならびに該第1および第2の金属錯体の配位子の量が、均一組成物を形成するように選択される、工程
を含む、方法。
序論
2011年5月4日出願の優先権米国仮出願第61/482,571号はその全体が参照により本明細書に組み入れられる。
前駆体組成物は、インクと呼ばれることもあり、基板上に堆積されるように適合している。前駆体組成物は周囲温度で液体でありうる。さらに、元素金属構造を形成するために、堆積後にそれを処理することができる。ここで該金属は、例えば(I)価または(II)価の状態からゼロ価の元素状態に還元され、それにより、この主金属とゼロ価の元素状態の少なくとも1種類の他の主金属との混合物を形成する。
第1および第2の金属錯体を含む金属錯体は、2種類以上の錯体の均一な混合物の錯体であり得、これは金属合金膜の前駆体である。金属有機化合物および遷移金属化合物、金属錯体、金属、ならびに配位子は、例えばLukehart, Fundamental Transition Metal Organometallic Chemistry, Brooks/Cole, 1985; Cotton and Wilkinson, Advanced Inorganic Chemistry: A Comprehensive Text, 4th Ed., John Wiley, 2000に記載されている。
一態様は、第1の金属と、該第1の金属用の、少なくとも1つの第1の配位子および該第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子とを含む、少なくとも1種類の第1の金属錯体;該第1の金属錯体とは異なり、かつ第2の金属と、該第2の金属用の、少なくとも1つの第1の配位子および該第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子とを含む、少なくとも1種類の第2の金属錯体;少なくとも1種類の溶媒を含む、組成物であって、(i) 該第1の金属錯体の量および該第2の金属錯体の量の選択、(ii) 該第1および第2の金属用の該第1の配位子の選択および該第2の配位子の選択、ならびに(iii) 該溶媒の選択が、均一組成物を与えるように適合されている、組成物を提供する。
別の態様では、酸化状態(I)または(II)の少なくとも1種類の第1の金属と、少なくとも1つの第1の配位子がアミンであり少なくとも1つの第2の配位子がカルボキシレートアニオンである少なくとも2つの配位子とを含む、中性錯体である、少なくとも1種類の第1の金属錯体;酸化状態(I)または(II)の少なくとも1種類の第2の金属と、少なくとも1つの第1の配位子が硫黄化合物であり少なくとも1つの第2の配位子が該第1の金属錯体の該カルボキシレートアニオンである少なくとも2つの配位子とを含む、中性錯体である、該第1の金属錯体とは異なる少なくとも1種類の第2の金属錯体; および少なくとも1種類の有機溶媒を含む、前駆体組成物であって、全金属含有量に対する該第1の金属の原子パーセントが約20%〜約80%であり、該第2の金属の原子パーセントが約20%〜約80%である、前駆体組成物が提供される。
金属錯体は種々の方法によって作製することができ、それらの多くは米国特許出願第12/941,932号および米国特許出願第61/603,852号に記載されており、参照により本明細書に組み入れられる。前駆体組成物は、第1の金属を含有する金属錯体と第2の金属を含有する金属錯体とを組み合わせて混合物を得ることによって作製することができる。一例では、1種類または複数種類の金属錯体と結合した有機配位子の周辺を改変および/または装飾することによって、金属錯体組成物の溶解性または均一性を調整することができる。
直接法および間接法を含む当技術分野で公知の方法を使用してインクを堆積させることができる。例えば、Direct-Write Technologies for Rapid Prototyping Applications (Ed. A. Pique and D. Chrisey), 2002を参照。堆積のための方法は、例えば、スピンコーティング、ピペッティング、インクジェット印刷、ブレードコーティング、ロッドコーティング、ディップコーティング、リソグラフィーまたはオフセット印刷、グラビア、フレキソ印刷、スクリーン印刷、ステンシル印刷、ドロップキャスティング、スロットダイ、ロールツーロール、吹付、マイクロコンタクト印刷、およびスタンピングを含む。インク調合物および基板を堆積方法に適合させることができる。前掲書Direct Write Technologiesも参照、例えば第7章はインクジェット印刷を記載している。接触および非接触堆積を使用することができる。一態様では、スパッタリングを使用しない。スパッタリングに関連する照準線問題、高真空および高支出を回避することができる。液体堆積を使用することができる。
多種多様な固体材料を金属インクの堆積に供することができる。ポリマー、プラスチック、金属、セラミック、ガラス、シリコン、半導体、絶縁体および他の固体を使用することができる。有機および無機基板を使用することができる。高温ポリマーを使用することができる。ポリエステル型またはポリイミド型の基板を使用することができる。紙基板を使用することができる。プリント回路基板を使用することができる。本明細書に記載の用途に使用される基板を使用することができる。
金属錯体を含むインクおよび組成物を堆積させて、処理するか、反応させるか、またはそれ以外の方式で変換して、膜および線を含む金属構造とすることができる。レーザー光を含む熱および/または光を使用することができる。全波長域(full spectrum of wavelength)を含む、様々な放射線を用いることができる。電子線、X線、および/または深紫外線法を用いることができる。金属膜の周囲の雰囲気を制御することができる。例えば、酸素を包含させるかまたは除外することができる。揮発性副生成物を排除することができる。
金属構造、例えば線および膜は凝集性かつ連続的でありうる。連続的な金属化が、粒子間の良好な結合性、および低い表面粗さと共に観察されうる。
金属錯体およびそれらを使用する方法は、1種類の金属が他の金属から分離可能になるように選択することができる。脱合金化は、化学エッチングまたは電気化学的方法などの方法によって行うことができる。脱合金化は例えば国際公開公報第2004/020064号(Erlebacher)に記載されている。米国特許第4,977,038号(Sieradzki)も参照。
一態様では、ナノ多孔質材料は約100nm以下、または約50nm以下、または約25nm以下の平均孔径を有する。多孔度および他の性質は、SEMおよびBETを例えば含む当技術分野において公知の方法によって測定することができる。さらに、ナノ多孔質材料をナノインデンテーション法によって特性評価することができる。
一態様では、除去される銀などの第1の金属の少なくとも一部分は回収される。例えば、材料の少なくとも50重量%、または少なくとも75重量%、または少なくとも90重量%を回収することができる。
準安定合金を調製することができる。新たな形態への非熱力学的経路を用意することができる。言い換えれば、準安定相を形成することができる。一例は、水素吸蔵用の5倍対称性を有する準結晶である。
処理構造、および除去工程または脱合金化工程に供された処理構造の両方に、さらなる用途を見出すことができる。
一態様では、第1および第2の金属は銀、金、銅または白金であり、前駆体組成物は少なくとも1種類の溶媒をさらに含む。
イソ酪酸銀(米国特許出願第12/941,932号に記載のように調製)0.67g(3.4mmol)を集め、N2下で攪拌した。これにN-プロピルエチレンジアミン4.2ml(34mmol)をガラスシリンジ経由で加えた。10分後、窒素下にて室温ですべての固体を溶解させて透明な均一溶液を得た。2時間後、過剰のN-プロピルエチレンジアミンを減圧除去して黄色の潮解性ワックス状固体を得た。100mg/mLトルエン溶液を作製し、0.45μmシリンジフィルターを通じて濾過してインク生成物を得た。
テトラヒドロチオフェン塩化金(米国特許出願第12/941,932号に記載のように調製)1.88g(5.87mmol)をイソ酪酸銀(上記のように調製)1.37g(7.03mmol)に加え、トルエン30mL中で攪拌して白色懸濁液を形成した。この混合物を周囲条件(室温での大気)下で終夜攪拌して、灰色固体を伴う不均一黄色溶液を得た。固体を0.45μmシリンジフィルターによって除去し、揮発物を減圧除去して粘稠褐色油状物を得た。この油状物を100mg/mLトルエン溶液に希釈し、再度シリンジ濾過することで、インクを作製した。
濾過後、銀インクおよび金インクを室温で、所望の最終膜の金属化学量論組成と等しい容積比で混合した。肉眼による目視によって決定されたように、得られた組成物は均一混合物であった。スピンコーティングを行うと共に、スピン膜のEDXを行った。
ヘキサン/アセトン/IPAで洗浄され、オゾン処理されたリンドープシリコン上で、50:50金インク:銀インク(原子比)から作製した膜をスピンキャスティングした。膜を800、1500および5,000rpmでスピンさせ、250℃に20分間加熱した。
実施例4において調製した800rpm膜および5,000rpm膜をそれぞれ3M HNO3に終夜浸し、10分間超音波処理した。膜はエッチング後の増大した光透過性を示し、剥離が可能であった。
図1は、一態様を示し、インク金属化後の様々な金:銀比を示す。
エッチング後、基板からの剥離がどれだけ生じたかについての測定を含め、膜を詳細に調べた。
Claims (20)
- 少なくとも1つの堆積構造を形成するために、少なくとも1種類の前駆体組成物を少なくとも1つの基板上に堆積させる工程であって、該前駆体組成物が、少なくとも1種類の第1の金属を含む少なくとも1種類の第1の金属錯体と、該第1の金属錯体とは異なりかつ該第1の金属とは異なる少なくとも1種類の第2の金属を含む、少なくとも1種類の第2の金属錯体とを含む、少なくとも2種類の金属錯体を含む、工程、および
該第1の金属および該第2の金属が処理構造中で該第1の金属および該第2の金属の元素形態を形成するように該堆積構造を処理する工程
を含む、方法であって、
該少なくとも1種類の第1の金属錯体が、少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミン配位子を含む銀錯体であり、該少なくとも1種類の第2の金属錯体が、少なくとも1つの硫黄含有配位子および少なくとも1つのカルボキシレート配位子を含む金錯体である、方法。 - 前記前駆体組成物が均一組成物である、請求項1記載の方法。
- 前記前駆体組成物について、全金属含有量に対する前記第1の金属の原子パーセントが20%〜80%であり、前記第2の金属の原子パーセントが20%〜80%である、請求項1記載の方法。
- 前記前駆体組成物が少なくとも1種類の溶媒をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 前記前駆体組成物が25℃で100cps以下の粘度を有する、請求項1記載の方法。
- 前記第1の金属錯体および前記第2の金属錯体がそれぞれ金属中心を1個だけ含む、請求項1記載の方法。
- 前記第1の金属錯体が少なくとも1つのアルキルカルボキシレート配位子を含む、請求項1記載の方法。
- 前記第1の金属錯体が少なくとも1つのアミノ多座配位子(multidentate amino ligand)を含む、請求項1記載の方法。
- 前記第2の金属錯体が少なくとも1つのチオエーテル配位子を含む、請求項1記載の方法。
- 前記第2の金属錯体が少なくとも1つのアルキルカルボキシレート配位子を含む、請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つの堆積構造を形成するために、少なくとも1種類の前駆体組成物を少なくとも1つの基板上に堆積させる工程であって、該前駆体組成物が、少なくとも1種類の第1の金属を含む少なくとも1種類の第1の金属錯体と、該第1の金属錯体とは異なりかつ該第1の金属とは異なる少なくとも1種類の第2の金属を含む、少なくとも1種類の第2の金属錯体とを含む、少なくとも2種類の金属錯体を含む、工程、
該第1の金属および該第2の金属が処理構造中で該第1の金属および該第2の金属の元素形態を形成するように該堆積構造を処理する工程、および
少なくとも前記第2の金属を含むナノ多孔質材料とするために前記第1の金属の少なくとも一部を除去する工程を含む、方法であって、
該少なくとも1種類の第1の金属錯体が銀錯体であり、該少なくとも1種類の第2の金属錯体が金錯体である、方法。 - 前記除去工程が化学的除去である、請求項11記載の方法。
- 前記除去工程が電気化学的除去ではない、請求項11記載の方法。
- 前記除去工程が酸によって行われる、請求項11記載の方法。
- 第1の金属と、該第1の金属用の、少なくとも1つの第1の配位子および該第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子とを含む、少なくとも1種類の第1の金属錯体;
該第1の金属錯体とは異なり、かつ第2の金属と、該第2の金属用の、少なくとも1つの第1の配位子および該第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子とを含む、少なくとも1種類の第2の金属錯体;および
少なくとも1種類の溶媒
を含む、組成物であって、
該少なくとも1種類の第1の金属錯体が、少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミン配位子を含む銀錯体であり、該少なくとも1種類の第2の金属錯体が、少なくとも1つの硫黄含有配位子および少なくとも1つのカルボキシレート配位子を含む金錯体である、組成物。 - 酸化状態(I)の少なくとも1種類の第1の金属と、少なくとも1つの第1の配位子がアミンであり少なくとも1つの第2の配位子がカルボキシレートアニオンである少なくとも2つの配位子とを含む、中性の不斉錯体である、少なくとも1種類の第1の金属錯体;
酸化状態(I)の少なくとも1種類の第2の金属と、少なくとも1つの第1の配位子が硫黄化合物であり少なくとも1つの第2の配位子が該第1の金属錯体の該カルボキシレートアニオンである少なくとも2つの配位子とを含む、中性の不斉錯体である、該第1の金属錯体とは異なる少なくとも1種類の第2の金属錯体;および
少なくとも1種類の有機溶媒
を含む、組成物であって、
全金属含有量に対する該第1の金属の原子パーセントが20%〜80%であり、該第2の金属の原子パーセントが20%〜80%であり、かつ
均一組成物である、組成物。 - 少なくとも1種類の第1の金属錯体および少なくとも1種類の第1の溶媒を含む少なくとも1種類の第1の前駆体組成物と、該第1の金属錯体とは異なる少なくとも1種類の第2の金属錯体および少なくとも1種類の第2の溶媒を含む少なくとも1種類の第2の前駆体組成物とを組み合わせる工程であって、該第1および第2の前駆体組成物、該第1および第2の溶媒、ならびに該第1および第2の金属錯体の配位子の量が、均一組成物を形成するように選択される、工程
を含み、
該少なくとも1種類の第1の金属錯体が、少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミン配位子を含む銀錯体であり、該少なくとも1種類の第2の金属錯体が、少なくとも1つの硫黄含有配位子および少なくとも1つのカルボキシレート配位子を含む金錯体である、方法。 - 第1の金属錯体がアミノ多座配位子を含み、第2の金属錯体がチオエーテル配位子を含む、請求項15記載の組成物。
- 第1の金属錯体が、少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つのアミン配位子を含み、第2の金属錯体が、少なくとも1つのカルボキシレート配位子および少なくとも1つの硫黄含有配位子を含む、請求項11記載の方法。
- (i)第1の金属錯体の量および第2の金属錯体の量の選択、(ii)第1および第2の金属用の第1の配位子の選択および第2の配位子の選択、ならびに(iii)溶媒の選択が、均一組成物を与えるように適合している、請求項15記載の組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161482571P | 2011-05-04 | 2011-05-04 | |
US61/482,571 | 2011-05-04 | ||
PCT/US2012/036549 WO2012151500A1 (en) | 2011-05-04 | 2012-05-04 | Metal alloys from molecular inks |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014519532A JP2014519532A (ja) | 2014-08-14 |
JP2014519532A5 JP2014519532A5 (ja) | 2015-06-18 |
JP6204348B2 true JP6204348B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=46147714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014509483A Active JP6204348B2 (ja) | 2011-05-04 | 2012-05-04 | 分子インク由来の金属合金 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9487669B2 (ja) |
EP (1) | EP2705734B1 (ja) |
JP (1) | JP6204348B2 (ja) |
KR (1) | KR101969427B1 (ja) |
CN (1) | CN103609204B (ja) |
TW (1) | TWI567205B (ja) |
WO (1) | WO2012151500A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130236656A1 (en) | 2012-02-27 | 2013-09-12 | Liquid X Printed Metals, Inc. | Self-reduced metal complex inks soluble in polar protic solvents and improved curing methods |
JPWO2014046306A1 (ja) | 2012-09-21 | 2016-08-18 | 住友化学株式会社 | 導電性膜形成用の組成物 |
EP2781607A1 (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-24 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Sampler for molten iron |
WO2017214633A1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | University Of Washington | Chalcogen copolymers |
US11680180B2 (en) * | 2018-02-13 | 2023-06-20 | Liquid X Printed Metals, Inc. | E-textiles fabricated using particle-free conductive inks |
EP3831170A4 (en) * | 2018-08-03 | 2022-04-27 | Electroninks Incorporated | CONDUCTIVE MATERIALS AND METHODS FOR THE PREPARATION THEREOF BY METALLIZING WITH METAL COMPLEX CONDUCTIVE INK COMPOSITIONS |
CA3110183A1 (en) | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Kunlun Ding | Multimetallic nanoparticles and methods of making thereof |
US20220239236A1 (en) * | 2019-05-20 | 2022-07-28 | Liquid X Printed Metals, Inc. | Triboelectric energy generation methods and articles |
US11724532B2 (en) * | 2019-05-20 | 2023-08-15 | Liquid X Printed Metals, Inc. | Particle-free adhesive gold inks |
DE102019219615A1 (de) | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Herstellungsverfahren für Edelmetall-Elektroden |
WO2021155370A1 (en) | 2020-01-30 | 2021-08-05 | Liquid X Printed Metals, Inc. | Force sensor controlled conductive heating elements |
KR102295712B1 (ko) * | 2020-05-07 | 2021-08-31 | 서울대학교산학협력단 | 합금 나노입자, 상기 합금 나노입자의 형성 방법 및 상기 합금 나노입자를 포함하는 합금 나노촉매 |
CN115301228B (zh) * | 2021-05-08 | 2024-05-07 | 中国石油天然气股份有限公司 | 环己烷氧化制备己二酸的方法、金属准晶合金催化剂的制备方法 |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4102820A (en) | 1975-12-29 | 1978-07-25 | Texaco Development Corp. | Silver catalyst for ethylene epoxidation |
US4097414A (en) | 1976-08-30 | 1978-06-27 | Texaco Development Corp. | Modified ethylene oxide catalyst and a process for its preparation |
CH644459A5 (de) | 1978-09-29 | 1984-07-31 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur herstellung farbphotographischer bilder nach dem silberfarbbleichverfahren. |
DE3030736A1 (de) | 1980-08-14 | 1982-03-25 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | N-disubstituierte anilinderivate, ihre herstellung, ihre verwendung als mikrobizide und mittel dafuer |
US4758588A (en) | 1983-06-20 | 1988-07-19 | Research Corporation Technologies | Diaminocyclohexane platinum complexes |
JPS60196663A (ja) | 1984-03-19 | 1985-10-05 | Daicel Chem Ind Ltd | 分離剤 |
JP2561678B2 (ja) | 1987-11-06 | 1996-12-11 | 三菱化学株式会社 | エチレンオキシド製造用銀触媒 |
US4977038A (en) | 1989-04-14 | 1990-12-11 | Karl Sieradzki | Micro- and nano-porous metallic structures |
US5041640A (en) | 1990-09-20 | 1991-08-20 | Warner-Lambert Company | Process for mono-, di-, trisubstituted acetic acids |
JPH0718453A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-20 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ソルダーリーチング防止用メタロオーガニック及びソルダーリーチング防止法 |
US5422379A (en) | 1993-09-07 | 1995-06-06 | University Of South Florida | Metallospheres and superclusters |
GB9425030D0 (en) | 1994-12-09 | 1995-02-08 | Alpha Metals Ltd | Silver plating |
US6010969A (en) | 1996-10-02 | 2000-01-04 | Micron Technology, Inc. | Method of depositing films on semiconductor devices by using carboxylate complexes |
US5703254A (en) * | 1996-10-02 | 1997-12-30 | Arco Chemical Technology, L.P. | Propylene oxide process using mixed precious metal catalyst supported on alkaline earth metal carbonate |
US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
TWI237065B (en) * | 1999-07-14 | 2005-08-01 | Osaka Municipal Government | Method for surface treating a spectacle frame |
GB9928069D0 (en) | 1999-11-29 | 2000-01-26 | Johnson Matthey Plc | Liquid compositions |
GB0006050D0 (en) | 2000-03-14 | 2000-05-03 | Johnson Matthey Plc | Liquid gold compositions |
KR100807947B1 (ko) | 2001-01-30 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 비대칭형 β-케토이미네이트 리간드 화합물의 제조방법 |
JP3854889B2 (ja) | 2001-04-19 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 金属または金属化合物パターンの製造方法および電子源の製造方法 |
CN100530494C (zh) * | 2001-04-19 | 2009-08-19 | 佳能株式会社 | 一种图形及一种制造金属或金属化合物的方法 |
US6491803B1 (en) | 2001-05-18 | 2002-12-10 | Apex Biotechnology Corporation | Test strip and biosensor incorporating with nanometer metal particles |
US20030216246A1 (en) | 2001-09-21 | 2003-11-20 | Cook Jessica A | Transition metal complexes containing sulfur ligands, and polylefin production processes using them |
US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
CA2461338C (en) * | 2001-10-05 | 2011-12-20 | Superior Micropowders, Llc | Low viscosity precursor compositions and methods for the deposition of conductive electronic features |
US7553512B2 (en) | 2001-11-02 | 2009-06-30 | Cabot Corporation | Method for fabricating an inorganic resistor |
KR20030057133A (ko) | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법 |
US7001526B1 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-21 | Hla Ngwe Tin | Optical isomer separation method |
KR100772790B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2007-11-01 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법 |
US6805972B2 (en) | 2002-08-27 | 2004-10-19 | Johns Hopkins University | Method of forming nanoporous membranes |
US7391116B2 (en) * | 2003-10-14 | 2008-06-24 | Gbc Metals, Llc | Fretting and whisker resistant coating system and method |
US20050129843A1 (en) | 2003-12-11 | 2005-06-16 | Xerox Corporation | Nanoparticle deposition process |
TWI318173B (en) | 2004-03-01 | 2009-12-11 | Sumitomo Electric Industries | Metallic colloidal solution and inkjet-use metallic ink |
US7632536B2 (en) * | 2004-09-01 | 2009-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing electroconductive pattern, and method for producing electronic device, electron emitting device and image forming apparatus |
US7270694B2 (en) | 2004-10-05 | 2007-09-18 | Xerox Corporation | Stabilized silver nanoparticles and their use |
US20060130700A1 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Reinartz Nicole M | Silver-containing inkjet ink |
US20080003364A1 (en) | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Ginley David S | Metal Inks |
US7491646B2 (en) | 2006-07-20 | 2009-02-17 | Xerox Corporation | Electrically conductive feature fabrication process |
JP5034047B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-09-26 | 国立大学法人東北大学 | ナノ多孔質金属及びその製造方法 |
US7893006B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-02-22 | American Superconductor Corporation | Systems and methods for solution-based deposition of metallic cap layers for high temperature superconductor wires |
US7696367B2 (en) * | 2007-04-10 | 2010-04-13 | Lyondell Chemical Technology, L.P. | Direct epoxidation process using a mixed catalyst system |
JP2008293578A (ja) | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Hitachi Ltd | ストリームデータ制御モジュール |
US8143431B2 (en) | 2007-06-05 | 2012-03-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature thermal conductive inks |
KR100856508B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2008-09-04 | 주식회사 잉크테크 | 투명도전막 및 이의 제조방법 |
US20090148600A1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Xerox Corporation | Metal Nanoparticles Stabilized With a Carboxylic Acid-Organoamine Complex |
US8308993B2 (en) | 2008-01-30 | 2012-11-13 | Basf Se | Conductive inks |
JP2011034750A (ja) | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tosoh Corp | 導電膜形成用組成物、及び導電膜形成法 |
EP2499277B1 (en) * | 2009-11-09 | 2017-09-27 | Carnegie Mellon University | Metal ink compositions, conductive patterns, methods, and devices |
US20130236656A1 (en) | 2012-02-27 | 2013-09-12 | Liquid X Printed Metals, Inc. | Self-reduced metal complex inks soluble in polar protic solvents and improved curing methods |
-
2012
- 2012-05-04 JP JP2014509483A patent/JP6204348B2/ja active Active
- 2012-05-04 EP EP12722986.2A patent/EP2705734B1/en active Active
- 2012-05-04 WO PCT/US2012/036549 patent/WO2012151500A1/en active Application Filing
- 2012-05-04 CN CN201280021249.XA patent/CN103609204B/zh active Active
- 2012-05-04 US US13/464,605 patent/US9487669B2/en active Active
- 2012-05-04 TW TW101116056A patent/TWI567205B/zh active
- 2012-05-04 KR KR1020137029236A patent/KR101969427B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-05-20 US US15/160,018 patent/US9920212B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-16 US US15/923,686 patent/US10738211B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-03 US US16/983,343 patent/US11118078B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012151500A1 (en) | 2012-11-08 |
EP2705734A1 (en) | 2014-03-12 |
US20160264802A1 (en) | 2016-09-15 |
WO2012151500A9 (en) | 2013-11-28 |
US11118078B2 (en) | 2021-09-14 |
TW201250008A (en) | 2012-12-16 |
KR101969427B1 (ko) | 2019-08-20 |
US10738211B2 (en) | 2020-08-11 |
EP2705734B1 (en) | 2014-12-10 |
US9487669B2 (en) | 2016-11-08 |
KR20140059166A (ko) | 2014-05-15 |
TWI567205B (zh) | 2017-01-21 |
US9920212B2 (en) | 2018-03-20 |
JP2014519532A (ja) | 2014-08-14 |
US20120304889A1 (en) | 2012-12-06 |
CN103609204A (zh) | 2014-02-26 |
US20200362188A1 (en) | 2020-11-19 |
CN103609204B (zh) | 2017-09-12 |
US20180208790A1 (en) | 2018-07-26 |
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Arquillière | Mono-and bimetallic nanoparticles for the metallization of microvias using an innovative process in ionic liquids |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150422 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6204348 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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