JP2010225883A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010225883A JP2010225883A JP2009071902A JP2009071902A JP2010225883A JP 2010225883 A JP2010225883 A JP 2010225883A JP 2009071902 A JP2009071902 A JP 2009071902A JP 2009071902 A JP2009071902 A JP 2009071902A JP 2010225883 A JP2010225883 A JP 2010225883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- film solar
- electrode substrate
- light absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】有機溶媒に、Cu,In,Seからなる直径100nm以下の微細粒子と,Na化合物を混合する工程(S01)と、前記混合された混合溶液を電極基板の一面に塗布する工程(S02)と、前記電極基板を乾燥させる工程(S03)と、前記電極基板を焼成させて、光吸収層を形成する工程(S04)と、前記半導体層の表面にバッファ層を形成する工程(S05)と、前記バッファ層の表面に透明電極層を形成する工程(S06)と、から構成する。
【選択図】図2
Description
2 金属裏面電極層
3 光吸収層
4 バッファ層
5 透明電極層
Claims (4)
- 有機溶媒に、Cu,In,Seからなる微細粒子と,Naを混合する工程と、
前記混合された混合溶液を電極基板の一面に塗布する工程と、
前記混合溶液が塗布された前記電極基板を乾燥させる工程と、
乾燥された前記電極基板を焼成させて、光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の表面にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の表面に透明電極層を形成する工程と、から構成されることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記混合する工程では前記Naが含まれたNa2Seを混合する、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 有機溶媒に、Cu,In,Seからなる微細粒子を混合する工程と、
前記混合された混合溶液を電極基板の一面に塗布する工程と、
前記混合溶液が塗布された前記電極基板を乾燥させる工程と、
乾燥された前記電極基板の一面にNa2MoO4水和物の水溶液を塗布する工程と、
前記電極基板を焼成させて、光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の表面にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の表面に透明電極層を形成する工程と、から構成されることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記Cu,In,Seは、これらの単体または2つ以上の組み合わせからなる化合物であって、直径100nm以下の微細な粒子であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071902A JP2010225883A (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071902A JP2010225883A (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010225883A true JP2010225883A (ja) | 2010-10-07 |
Family
ID=43042752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009071902A Pending JP2010225883A (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010225883A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011056360A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
WO2011055537A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2011099059A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Toppan Printing Co Ltd | 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその太陽電池の製造方法 |
JP2013222762A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Sharp Corp | 化合物半導体層およびその製造方法、ならびに化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2014093399A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Sharp Corp | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2016533038A (ja) * | 2013-09-13 | 2016-10-20 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 薄膜光起電デバイス用無機塩ナノ粒子インク及び関連する方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340482A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-12-10 | Internatl Solar Electric Technol Inc | 化合物半導体フィルムおよび関連電子装置の製造方法 |
JP2002501003A (ja) * | 1998-01-27 | 2002-01-15 | ミッドウエスト リサーチ インスティチュート | 混合金属カルコゲナイドナノ粒子の溶液合成法および前駆体膜のスプレー析出法 |
JP2006210424A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2008537640A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-09-18 | ナノソーラー インコーポレイテッド | 金属分散剤および光起電力デバイス活性層のための化合物膜の形成 |
JP2009507369A (ja) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | エルジー・ケム・リミテッド | 太陽電池吸収層の製造方法 |
-
2009
- 2009-03-24 JP JP2009071902A patent/JP2010225883A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002501003A (ja) * | 1998-01-27 | 2002-01-15 | ミッドウエスト リサーチ インスティチュート | 混合金属カルコゲナイドナノ粒子の溶液合成法および前駆体膜のスプレー析出法 |
JPH11340482A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-12-10 | Internatl Solar Electric Technol Inc | 化合物半導体フィルムおよび関連電子装置の製造方法 |
JP2006210424A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2008537640A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-09-18 | ナノソーラー インコーポレイテッド | 金属分散剤および光起電力デバイス活性層のための化合物膜の形成 |
JP2009507369A (ja) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | エルジー・ケム・リミテッド | 太陽電池吸収層の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011056360A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
WO2011055537A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2011099059A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Toppan Printing Co Ltd | 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその太陽電池の製造方法 |
CN102395702A (zh) * | 2009-11-06 | 2012-03-28 | 三菱综合材料株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
US8795489B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-08-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target and method for producing the same |
JP2013222762A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Sharp Corp | 化合物半導体層およびその製造方法、ならびに化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2014093399A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Sharp Corp | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2016533038A (ja) * | 2013-09-13 | 2016-10-20 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 薄膜光起電デバイス用無機塩ナノ粒子インク及び関連する方法 |
US9960314B2 (en) | 2013-09-13 | 2018-05-01 | Nanoco Technologies Ltd. | Inorganic salt-nanoparticle ink for thin film photovoltaic devices and related methods |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5185171B2 (ja) | 薄膜太陽電池の光吸収層の形成方法 | |
JP2010225883A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP2012508812A (ja) | 太陽電池製造用インク及びペースト | |
CN101443892A (zh) | 硫属元素层的高生产量印刷和金属间材料的使用 | |
TWI720959B (zh) | 太陽能電池及其製造方法、用以形成太陽能電池的非導電性區域的漿料 | |
CN108447946B (zh) | 一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
Jiang et al. | Cu2ZnSn (S1–xSex) 4 thin film solar cells prepared by water‐based solution process | |
JP2014096569A (ja) | 銅・インジウム・ガリウム・セレニウム(cigs)または銅・亜鉛・錫・硫黄(czts)系薄膜型太陽電池及びその製造方法 | |
JP2010141307A (ja) | 薄膜太陽電池の製法 | |
KR20090050558A (ko) | 태양전지 흡수층 제조용 페이스트 조성물 | |
JP2010232608A (ja) | カルコパイライト型太陽電池の製造方法 | |
KR101865239B1 (ko) | 높은 무크랙 한계를 갖는 cigs 나노 입자 잉크 제제 | |
CN102074592A (zh) | 一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法 | |
KR20110060211A (ko) | 셀렌화에 의한 cigs 광흡수층의 제조방법 | |
US9685569B2 (en) | Method of CIGS absorber formation | |
KR101353618B1 (ko) | 광흡수층 박막의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | |
TW201421725A (zh) | 太陽能電池及其形成方法 | |
JP4957042B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5260373B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP2010129648A (ja) | 薄膜太陽電池の製法 | |
JP5641850B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
Kawabe et al. | Preparation of CuIn (S, Se) 2 films by PLD of precursor layers and post‐annealing and their application to solar cells | |
JP5710368B2 (ja) | 光電変換素子および太陽電池 | |
JP2011099059A (ja) | 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその太陽電池の製造方法 | |
TW201023376A (en) | Light absorption layer of CIGS solar cell and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130820 |