NL7905817A - Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. Download PDFInfo
- Publication number
- NL7905817A NL7905817A NL7905817A NL7905817A NL7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- silver
- electrode
- addition
- bismuth
- weight
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035874 Excoriation Diseases 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
t *4 12-07-1979 1 PHN 9542 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel".
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel bevattende een sili-ciumschijf met een aan een hoofdvlak grenzend gebied van het n-geleidingstype, waarbij op het n-type gebied met be-5 hulp van een zeefdrukproces een electrode wordt aangebracht die zilver bevat.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit het Conference Record van de 12e IEEE Photovoltaic Specialists Confe-recen 1976, blz. 303-308.
10 Het aanbrengen van electrodes op een siliciumschijf ter verkrijging van een zonnecel door zeefdrukken verdient wegens zijn eenvoud voorkeur boven bekende op zichzelf goede resultaten gevende opdamptechnieken.
Het blijkt echter dat door zeefdrukken verkregen 15 zilverelectroden op silicium vaak onvoldoende hechten en daardoor slechte electrische contacten geven.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd deze problematiek althans in belangrijke mate te vermijden. De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat door toe-20 voegingen aan het zilver en door aangepaste behandeling van door zeefdrukken verkregen zilverelectroden het electrische contact van de zilverelectroden belangrijk kan worden verbeterd.
Volgens de uitvinding wordt de in de aanhef vermelde werkwijze daardoor gekenmerkt, dat bij het zeef- 79058 1 7 » ·* 12-07-1979 2 PHN 95^2 drukproces een pasta wordt toegepast, die behalve zilver een toevoeging in elementaire vorm bevat, welke toevoeging behoort tot de groep van elementen bestaande uit bismut, magnesium en indium, dat na het aanbrengen van de electrode g een warmtebehandeling in oxiderende atmosfeer plaats vindt en dat vervolgens de electrode aan een chemische of mechanische behandeling ter verbetering van de overgangsweer-stand met het silicium wordt onderworpen.
De genoemde elementen wijzigen het electrisch ge-leidend vermogen of het geleidingstype van het gecontacteerde silicium niet of nagenoeg niet.
De temperatuur van de genoemde warmtebehandeling ligt tussen ca. 550°C en 700°C. Dezelfde temperaturen worden toegepast indien op een p-type substraat van de schijf .jg een aluminiumhoudende zilverelectrode wordt aangebracht.
Een voordeel van de werkwijze volgens de uitvinding is dat de warmtebehandelingen van beide genoemde electroden gecombineerd kunnen worden.
Bij voorkeur wordt als toevoeging bismut toege- 2q past.
De warmtebehandeling kan in lucht plaatsvinden.
Bij warmtebehandeling in uitsluitend stikstof bijvoorbeeld is de hechting van .de electrode aan het hoofdvlak en dus het electrische contact onvoldoende of afwezig.
20 Met de mechanische behandeling, bijvoorbeeld door schuren, of de chemische behandeling, bij voorkeur met een sodaoplossing, wordt de overgangsweerstand van de electrode naar het silicium belangrijk verlaagd.
Zonnecellen verkregen met behulp van de werkwijze 30 volgens de uitvinding hebben electrische en mechanische eigenschappen die vergelijkbaar zijn met die van zonnecellen met electroden welke door opdampen zijn verkregen.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld en van bijgaande tekening.
35 In de tekening stelt figuur 1 schematisch een bovenaanzicht voor van een zonnecel in een stadium van vervaardiging met behulp van dé werkwijze volgens de uitvinding en toont figuur 2 een doorsnede volgens de lijn II-II van 7905817 12-07-1979 3 ΡΗΝ 95^2 ΐ. Λ figuur 1.
Χη liet voorbeeld wordt een zonnecel vervaardigd bevattende een siliciumschijf 1 (zie de figuren 1 en 2) met een aan een hoofdvlak 2 grenzend gebied k van het n-geleidingstype.
Op het n-type gebied wordt met behulp van een zeefdrukproces een electrode 3 aangebracht die zilver bevat.
Volgens de uitvinding wordt bij het zeefdrukproces een pasta toegepast, die behalve zilver een toevoeging ^ in elementaire vorm bevat behorende tot de groep bestaande uit bismut, magnesium en indium.
Na het aanbrengen van de electrode 3 vindt een warmtebehandeling in oxiderende atmosfeer plaats en vervolgens wordt de electrode 3 aan een chemische of mechanische behandeling ter verbetering van de overgangsweerstand met
iC
het silicium onderworpen.
Bij de vervaardiging wordt bijvoorbeeld uitgegaan van een p-type siliciumlichaam 5 met een diameter van ca.
5cm en eeD· dikte van 0,3 mm en een soortelijke weerstand 20 van 2 -Λ- cm.
Het lichaam 5 wordt op een gebruikelijke wijze van een 0,3-0,5 yrum dikke n-type epitaxiale laag voorzien, die het gebied 4 vormt.
Op het hoofdvlak 2 wordt met behulp van een ge-25 bruikelijk zeefdrukproces een kamvormige electrode 3 gevormd. Tanden 6 van de kam 3 zijn bijvoorbeeld 300 ^um breed en liggen op een onderlinge afstand van 0,3 cm.
De bij het zeefdrukproces toegepaste paste bevat 80 g zilver gesuspendeerd in 20 g binder, bijvoorbeeld 30 ethylcellulose opgelost in bijvoorbeeld terpineol. Als toevoeging wordt bij voorkeur bismut toegepast. Zeer bevredigende resultaten worden verkregen wanneer de bismutconcen-tratie ligt tussen 0,5 en 15 gewichtsprocenten van het gewicht aan zilver en bij voorkeur tussen 1 en 2 gewichts-35 procenten.
Vervolgens vindt een warmtebehandeling van de siliciumschijf gedurende 10 minuten bij 630° in lucht plaats.
7905817 12-07-1979 b PHN.95^2
- * V
Hierna wordt als mechanische behandeling de electrode 3 gedurende 10 seconden met de hand met fijne staalwol geschuurd.
Eventuele op het electrodeoppervlak achter-5 blijvende staaldeeltjes kunnen op eenvoudige wijze door spoelen met water worden verwijderd.
Het effect van de.werkwijze volgens de uitvinding kan gemeten worden door een doorsnede te maken door de siliciumschijf met de electroden loodrecht op de tanden 6 10 van de electrode 3, zodanig dat zich op het schijfdeel 1 cm lange niet verbonden kamdelen bevinden.
De weerstand tussen naburige kamdelen wordt bepaald door de zeer geringe en bekende werstand van de zilverelectroden, door de weerstand van de overgangen van 15 de zilverelectroden naar de siliciumschijf en door de weerstand van het silicium*
De weerstand wordt nu gemeten tussen een extreem gelegen kamdeel en andere kamdelen als functie van de afstand tot het eerstgenoemde kamdeel. Door extrapolatie 20 naar afstand gelijk nul kan de overgangsweerstand van de electrode naar het silicium worden bepaald en uit de helling van de weerstand als functie van de afstand kan de weerstand van het silicium worden bepaald.
Het blijkt dat met de werkwijze volgens de 25 uitvinding de weerstand van het silicium niet of nagenoeg niet verandert maar dat de overgangsweerstand tussen de electrode en de siliciumschijf een orde van grootte daalt, bijvoorbeeld van 20 è. 40 il. tot 2 h 3 Xi»·
De werkwijze volgens, de uitvinding is niet be-30 perkt tot het gegeven voorbeeld. In plaats van bismut kan indium of magnesium worden toegepast, met behulp van pasta’s die deze elementen bevatten met een concentratie van 2 ge-wichtsprocenten van het gewicht aan zilver.
In plaats van de schuurbehandeling ter verbe-35 tering van de overgangsweerstand kan ook een andere mechanische bewerking of een chemische, bijvoorbeeld een behandeling met een waterige oplossing van 10 gewichtsprocenten natriumcarbonaat gedurende 3 minuten bij 90°C worden toege- 790 58 1 7 12-07-1979 5 PHN.95^2 past.
Het tegenover het hoofdvlak 2 gelegen hoofdvlak 7 kan ook door middel van zeefdrukken van een electrode worden voorzien. Bijvoorbeeld wordt hier een pasta toege-5 past die naast zilver als toevoeging aluminium bevat.
Op een gebruikelijke wijze kan de silicium-schijf met electroden worden verwerkt tot een zonnecel.
10 15 20 25 30 35 7905817
Claims (8)
- 9%. 12-07-1979 phn.9542 CONCLUSIES;
- 1. Werkwijze voor liet vervaardigen van een zonne cel bevattende een siliciumscnijf met een aan een hoofdvlak grenzend gebied van het n-geleidingstype, waarbij op het n-type gebied met behulp van een zeefdrukproces een elec-5 trode wordt aangebracht die zilver bevat, met het kenmerk, dat bij het zeefdrukproces een pasta wordt toegepast, die behalve zilver een toevoeging in elementaire vorm bevat, welke toevoeging behoort tot de groep van elementen bestaande uit bismut, magnesium en indium, dat na het aan-10 brengen van de electrode een warmtebehandeling in oxiderende atmosfeer plaats vindt en dat vervolgens de electrode aan een chemische of mechanische behandeling ter verbetering van de overgangsweerstand met het silicium wordt onderworpen.
- 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als toevoeging bismut wordt toegepast.
- 3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de bismutconcentratie ligt tussen 0,5 en 15 gewichts-procenten van het gewicht aan zilver. 20 4, Werkwijze volgens conclusie 3» met het kenmerk, dat de bismutconcentratie ligt tussen 1 en 2 gewichtspro-centen.
- 5· Werkwijze volgens conclusie 1, dat als toevoe ging magnesium of indium wordt toegepast met een concen- 790 58 1 7 * 'M 12-07-1979 7 PHN 9542 tratie van ca. 2 gewichtsprocenten van het gewicht aan zilver.
- 6. Werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 5, met het kenmerk, dat als mechanische behandeling 5 een schuurbewerking wordt toegepast.
- 7· Werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 5> niet het kenmerk, dat als chemische behandeling een behandeling met een sodaoplossing wordt toegepast.
- 8. Zonnecel vervaardigd met behulp van de werkwijze 10 volgens een van de voorgaande conclusies. 15 20 25 30 35 7905817
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7905817A NL7905817A (nl) | 1979-07-27 | 1979-07-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. |
GB8024163A GB2054960A (en) | 1979-07-27 | 1980-07-23 | Solar cell electrodes |
FR8016238A FR2462783A1 (fr) | 1979-07-27 | 1980-07-23 | Procede pour la realisation d'une cellule solaire ayant une electrode serigraphiee, et cellule solaire ainsi obtenue |
AU60750/80A AU6075080A (en) | 1979-07-27 | 1980-07-24 | Forming leads on a solar cell |
US06/171,693 US4336281A (en) | 1979-07-27 | 1980-07-24 | Method of manufacturing a solar cell |
DE19803028018 DE3028018A1 (de) | 1979-07-27 | 1980-07-24 | Verfahren zur herstellung einer sonnenzelle |
JP10062680A JPS5621385A (en) | 1979-07-27 | 1980-07-24 | Method of manufacturing solar battery |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7905817 | 1979-07-27 | ||
NL7905817A NL7905817A (nl) | 1979-07-27 | 1979-07-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7905817A true NL7905817A (nl) | 1981-01-29 |
Family
ID=19833606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7905817A NL7905817A (nl) | 1979-07-27 | 1979-07-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4336281A (nl) |
JP (1) | JPS5621385A (nl) |
AU (1) | AU6075080A (nl) |
DE (1) | DE3028018A1 (nl) |
FR (1) | FR2462783A1 (nl) |
GB (1) | GB2054960A (nl) |
NL (1) | NL7905817A (nl) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4375007A (en) * | 1980-11-26 | 1983-02-22 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Silicon solar cells with aluminum-magnesium alloy low resistance contacts |
US4388346A (en) * | 1981-11-25 | 1983-06-14 | Beggs James M Administrator Of | Electrodes for solid state devices |
JPS58155772A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
AU570309B2 (en) * | 1984-03-26 | 1988-03-10 | Unisearch Limited | Buried contact solar cell |
US4923524A (en) * | 1985-05-06 | 1990-05-08 | Chronar Corp. | Wide ranging photovoltaic laminates comprising particulate semiconductors |
JPS6249676A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Sharp Corp | 太陽電池 |
DE3627641A1 (de) * | 1986-08-14 | 1988-02-25 | Telefunken Electronic Gmbh | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
JPH0745971Y2 (ja) * | 1989-01-30 | 1995-10-18 | 日本電気株式会社 | 電歪効果素子 |
US5151377A (en) * | 1991-03-07 | 1992-09-29 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming contacts |
US5557146A (en) * | 1993-07-14 | 1996-09-17 | University Of South Florida | Ohmic contact using binder paste with semiconductor material dispersed therein |
DE102006040352B3 (de) * | 2006-08-29 | 2007-10-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Aufbringen von elektrischen Kontakten auf halbleitende Substrate, halbleitendes Substrat und Verwendung des Verfahrens |
WO2009052271A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
EP2193526A1 (en) * | 2007-10-18 | 2010-06-09 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
US10784383B2 (en) | 2015-08-07 | 2020-09-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165241A (en) * | 1977-06-08 | 1979-08-21 | Atlantic Richfield Company | Solar cell with improved printed contact and method of making the same |
-
1979
- 1979-07-27 NL NL7905817A patent/NL7905817A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-07-23 FR FR8016238A patent/FR2462783A1/fr not_active Withdrawn
- 1980-07-23 GB GB8024163A patent/GB2054960A/en not_active Withdrawn
- 1980-07-24 AU AU60750/80A patent/AU6075080A/en not_active Abandoned
- 1980-07-24 US US06/171,693 patent/US4336281A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-07-24 DE DE19803028018 patent/DE3028018A1/de not_active Withdrawn
- 1980-07-24 JP JP10062680A patent/JPS5621385A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4336281A (en) | 1982-06-22 |
GB2054960A (en) | 1981-02-18 |
JPS5621385A (en) | 1981-02-27 |
FR2462783A1 (fr) | 1981-02-13 |
AU6075080A (en) | 1981-01-29 |
DE3028018A1 (de) | 1981-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL7905817A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. | |
US4703553A (en) | Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells | |
US4595790A (en) | Method of making current collector grid and materials therefor | |
CA1123965A (en) | Semiconductor contact formed by serigraphy | |
US3990097A (en) | Silicon solar energy cell having improved back contact and method forming same | |
US4647711A (en) | Stable front contact current collector for photovoltaic devices and method of making same | |
US8481419B2 (en) | Method for producing a metal contact on a coated semiconductor substrate | |
CN102077359A (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法 | |
US8748310B2 (en) | Method for producing a metal contact structure of a photovoltaic solar cell | |
US20060118898A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same | |
JPH11140689A (ja) | 酸化第1銅膜の堆積法及び該酸化第1銅膜堆積法を用いた半導体デバイスの製造方法 | |
NL2006956C2 (en) | Photovoltaic cell and method of manufacturing such a cell. | |
US4595791A (en) | Thin-film photovoltaic devices incorporating current collector grid and method of making | |
DE102010024307A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle | |
JP4903444B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP3968000B2 (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
JPH05129640A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
Rostan et al. | Morphological, optical and electrical analysis of Ag polymer-nickel low temperature top electrode in silicon solar cell for tandem application | |
RU2303830C2 (ru) | Толстопленочный контакт кремниевого фотоэлектрического преобразователя и способ его получения | |
JP4272414B2 (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
KR20050087249A (ko) | 나노입자의 페이스트를 이용하여 형성된 전극을 포함하는태양전지 및 그 제조방법 | |
Goodman | Electroplated gold and copper contacts to cadmium sulfide | |
KR100322708B1 (ko) | 자체전압인가형태양전지의제조방법 | |
JP2003273377A (ja) | 太陽電池素子 | |
JP2815729B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1B | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed |