JP4903444B2 - 光電変換素子 - Google Patents
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Description
に集められることになる。したがって、上記の従来の太陽電池の構成は、発生した電流のロスが大きく、変換効率が十分でないという問題があった。
1電極層14と接触させることができるため、変換効率も向上することができる傾向にある。
まず、p型のシリコン基板をアルカリ溶液で処理して、シリコン基板の表面のダメージ層を除去した。次に、POCl3を拡散ソースとし、800℃程度の温度で上記のシリコン基板の主面にリンを拡散してn型拡散層を形成した。
p型のシリコン基板に反射防止膜を形成した後、余分なn型拡散層を化学エッチングにより除去する工程までは実施例1と同様にして行なった。
Claims (4)
- 半導体基板の一主面に第1の金属と前記半導体基板の材料との共晶層を有し、前記半導体基板の前記一主面上に前記第1の金属を含む第1電極層、前記第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、
前記第2電極層の前記半導体基板側の表面の少なくとも一部が前記第1電極層および/または前記共晶層と接触していることを特徴とする、光電変換素子。 - 前記第2の金属が前記第1の金属よりも半田濡れ性が高いことを特徴とする、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記第1の金属がアルミニウムからなることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記第2の金属が銀からなることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の光電変換素子。
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