JP2007201007A - 光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の一主面に第1の金属と半導体基板の材料との共晶層を有し、半導体基板の一主面上に第1の金属を含む第1電極層、第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、第2電極層の半導体基板側の表面の少なくとも一部が第1電極層および/または共晶層と接触している光電変換素子である。
【選択図】図1
Description
に集められることになる。したがって、上記の従来の太陽電池の構成は、発生した電流のロスが大きく、変換効率が十分でないという問題があった。
1電極層14と接触させることができるため、変換効率も向上することができる傾向にある。
まず、p型のシリコン基板をアルカリ溶液で処理して、シリコン基板の表面のダメージ層を除去した。次に、POCl3を拡散ソースとし、800℃程度の温度で上記のシリコン基板の主面にリンを拡散してn型拡散層を形成した。
p型のシリコン基板に反射防止膜を形成した後、余分なn型拡散層を化学エッチングにより除去する工程までは実施例1と同様にして行なった。
Claims (4)
- 半導体基板の一主面に第1の金属と前記半導体基板の材料との共晶層を有し、前記半導体基板の前記一主面上に前記第1の金属を含む第1電極層、前記第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、
前記第2電極層の前記半導体基板側の表面の少なくとも一部が前記第1電極層および/または前記共晶層と接触していることを特徴とする、光電変換素子。 - 前記第2の金属が前記第1の金属よりも半田濡れ性が高いことを特徴とする、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記第1の金属がアルミニウムからなることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記第2の金属が銀からなることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の光電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006015376A JP4903444B2 (ja) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006015376A JP4903444B2 (ja) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 光電変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007201007A true JP2007201007A (ja) | 2007-08-09 |
JP4903444B2 JP4903444B2 (ja) | 2012-03-28 |
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ID=38455317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006015376A Expired - Fee Related JP4903444B2 (ja) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4903444B2 (ja) |
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JP4903444B2 (ja) | 2012-03-28 |
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