JP5105427B2 - 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 - Google Patents
焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5105427B2 JP5105427B2 JP2008030405A JP2008030405A JP5105427B2 JP 5105427 B2 JP5105427 B2 JP 5105427B2 JP 2008030405 A JP2008030405 A JP 2008030405A JP 2008030405 A JP2008030405 A JP 2008030405A JP 5105427 B2 JP5105427 B2 JP 5105427B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- atomic hydrogen
- silicon substrate
- fired electrode
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
まず、図6(a)において、p型単結晶シリコン基板601(面積10cm×10cm、厚さ200μm、抵抗率1Ωcm)が、周知のRCA法(米国RCA社が開発した溶液による洗浄法)で洗浄された。その後、NaOH水溶液とイソプロピルアルコールとの混合液を用いて液温約90℃でテクスチャエッチングを行い、シリコン基板601の上面に高さ数μmの微小ピラミッド602が形成された。
従来技術にしたがって焼成電極にハンダ被覆が行われる太陽電池の一製法例が、以下において説明される。この従来の製法においても、図6(a)から(e)までの工程は前述の実施例の場合と同様に行なわれる。
Claims (4)
- シリコン基板上の絶縁膜上に導電性ペーストをパターニングする工程と、
前記導電性ペーストを焼成して焼成電極にする工程と、
前記焼成電極に対して原子状水素を照射する工程と
を含み、
前記原子状水素を照射する工程において前記焼成電極の所望の特定領域が遮蔽されることを特徴とする焼成電極の形成方法。 - 前記原子状水素を照射する工程において触媒CVD法またはプラズマCVD法が用いられることを特徴とする請求項1に記載の焼成電極の形成方法。
- 請求項1または2の焼成電極の形成方法を含む光電変換素子の製造方法であって、
前記シリコン基板はその板面に平行なpn接合を含み、
前記導電性ペーストは前記シリコン基板の受光面側にパターンニングされることを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 前記導電性ペーストはメイングリッドとサブグリッドを含むグリッド電極パターンに印刷され、前記原子状水素を照射する工程において前記メイングリッドが遮蔽されることを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008030405A JP5105427B2 (ja) | 2008-02-12 | 2008-02-12 | 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008030405A JP5105427B2 (ja) | 2008-02-12 | 2008-02-12 | 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194013A JP2009194013A (ja) | 2009-08-27 |
JP5105427B2 true JP5105427B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=41075814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008030405A Expired - Fee Related JP5105427B2 (ja) | 2008-02-12 | 2008-02-12 | 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5105427B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI475702B (zh) | 2010-07-09 | 2015-03-01 | Sakamoto Jun | A panel, a panel manufacturing method, a solar cell module, a printing apparatus, and a printing method |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5376752B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2013-12-25 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
-
2008
- 2008-02-12 JP JP2008030405A patent/JP5105427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009194013A (ja) | 2009-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100927725B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
JPH10233518A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 | |
KR20100049724A (ko) | 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 | |
WO2011145731A1 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
US9171975B2 (en) | Solar cell element and process for production thereof | |
US9252300B2 (en) | Method for backside-contacting a silicon solar cell, silicon solar cell and silicon solar module | |
JP5822952B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
JP2009193993A (ja) | 太陽電池電極の製造方法および太陽電池電極 | |
JP4486622B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
WO2016125430A1 (ja) | 裏面接合型太陽電池 | |
JP4185332B2 (ja) | 太陽電池セル及びそれを用いた太陽電池モジュール | |
WO2013031751A1 (ja) | 導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010080578A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP5165906B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP2016164969A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP5105427B2 (ja) | 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 | |
JP2005167291A (ja) | 太陽電池の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011066044A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JP2004281569A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
TWI475707B (zh) | 在太陽能電池表面形成金屬電極的方法 | |
JP2004235272A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP2014146553A (ja) | 太陽電池の電極用導電性ペーストおよびその製造方法 | |
JP6430842B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP5097617B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法、それを備えた太陽電池システム | |
JP6336139B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |