JP2009194013A - 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 - Google Patents
焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】焼成電極の形成方法は、シリコン基板上の絶縁膜上に導電性ペーストをパターニングする工程と、導電性ペーストを焼成して焼成電極にする工程と、焼成電極に対して原子状水素を照射する工程とを含むことを特徴としている。このような焼成電極の形成方法は太陽電池の製造方法に利用することができ、その場合にシリコン基板はその板面に平行なpn接合を含み、導電性ペーストはシリコン基板の受光面側にパターンニングされる。また、導電性ペーストはメイングリッドとサブグリッドを含むグリッド電極パターンに印刷され、原子状水素を照射する工程においてメイングリッドが遮蔽されることが好ましい。
【選択図】図2
Description
まず、図6(a)において、p型単結晶シリコン基板601(面積10cm×10cm、厚さ200μm、抵抗率1Ωcm)が、周知のRCA法(米国RCA社が開発した溶液による洗浄法)で洗浄された。その後、NaOH水溶液とイソプロピルアルコールとの混合液を用いて液温約90℃でテクスチャエッチングを行い、シリコン基板601の上面に高さ数μmの微小ピラミッド602が形成された。
従来技術にしたがって焼成電極にハンダ被覆が行われる太陽電池の一製法例が、以下において説明される。この従来の製法においても、図6(a)から(e)までの工程は前述の実施例の場合と同様に行なわれる。
Claims (5)
- シリコン基板上の絶縁膜上に導電性ペーストをパターニングする工程と、
前記導電性ペーストを焼成して焼成電極にする工程と、
前記焼成電極に対して原子状水素を照射する工程と
を含むことを特徴とする焼成電極の形成方法。 - 前記原子状水素を照射する工程において前記焼成電極の所望の特定領域が遮蔽されることを特徴とする請求項1に記載の焼成電極の形成方法。
- 前記原子状水素を照射する工程において触媒CVD法またはプラズマCVD法が用いられることを特徴とする請求項1または2に記載の焼成電極の形成方法。
- 請求項1から3のいずれかの焼成電極の形成方法を含む光電変換素子の製造方法であって、
前記シリコン基板はその板面に平行なpn接合を含み、
前記導電性ペーストは前記シリコン基板の受光面側にパターンニングされることを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 前記導電性ペーストはメイングリッドとサブグリッドを含むグリッド電極パターンに印刷され、前記原子状水素を照射する工程において前記メイングリッドが遮蔽されることを特徴とする請求項4に記載の光電変換素子の製造方法。
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