JP2951061B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JP2951061B2 JP2951061B2 JP3238095A JP23809591A JP2951061B2 JP 2951061 B2 JP2951061 B2 JP 2951061B2 JP 3238095 A JP3238095 A JP 3238095A JP 23809591 A JP23809591 A JP 23809591A JP 2951061 B2 JP2951061 B2 JP 2951061B2
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- Japan
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- silicon wafer
- layer
- conductivity type
- solar cell
- forming
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｐ型シリコンウエハに
Ｎ+ＰＰ+接合が形成された単結晶若しくは多結晶シリコ
ン太陽電池の製造方法に関する。
Ｎ+ＰＰ+接合が形成された単結晶若しくは多結晶シリコ
ン太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、単結晶シリコン太陽電池は、
現在最も開発が進んでいる太陽電池であり、その太陽電
池が特開昭５９−１８２５７７号公報に開示され、その
太陽電池の製造工程を図２に示す。
現在最も開発が進んでいる太陽電池であり、その太陽電
池が特開昭５９−１８２５７７号公報に開示され、その
太陽電池の製造工程を図２に示す。
【０００３】図２（ａ）に於て、所定厚さ並びに形状に
スライスされたＰ型シリコンウエハ１を用意する。
スライスされたＰ型シリコンウエハ１を用意する。
【０００４】図２（ｂ）に於て、リン等の５価の不純物
を拡散させて、Ｐ型シリコンウエハ１の全面にＮ+層２
を形成してＰＮ+接合を得る。
を拡散させて、Ｐ型シリコンウエハ１の全面にＮ+層２
を形成してＰＮ+接合を得る。
【０００５】図２（ｃ）に於て、そのシリコンウエハ１
の一主面上に形成されたＮ+層２上に耐酸性レジスト３
を厚さ２０乃至３０μｍにスクリーン印刷法によって塗
布し乾燥させる。
の一主面上に形成されたＮ+層２上に耐酸性レジスト３
を厚さ２０乃至３０μｍにスクリーン印刷法によって塗
布し乾燥させる。
【０００６】図２（ｄ）に於て、フッ硝酸溶液に図２
（ｃ）のシリコンウエハ１を浸漬させてウエハ１の側面
並びに裏面をエッチング処理して、それらの表面のＮ+
層２を除去し、この後、耐酸性レジスト３を取り除い
て、シリコンウエハ１を洗浄し、乾燥させる。
（ｃ）のシリコンウエハ１を浸漬させてウエハ１の側面
並びに裏面をエッチング処理して、それらの表面のＮ+
層２を除去し、この後、耐酸性レジスト３を取り除い
て、シリコンウエハ１を洗浄し、乾燥させる。
【０００７】図２（ｅ）に於て、シリコンウエハ１の裏
面上にアルミニウムペースト酸化層５をスクリーン印刷
した後、空気中で焼成し、アルミニウムをＰ型シリコン
ウエハ１の裏面に拡散させることによって、シリコンウ
エハ１裏面にＰ+層４を形成する結果、Ｎ+ＰＰ+接合が
形成される。
面上にアルミニウムペースト酸化層５をスクリーン印刷
した後、空気中で焼成し、アルミニウムをＰ型シリコン
ウエハ１の裏面に拡散させることによって、シリコンウ
エハ１裏面にＰ+層４を形成する結果、Ｎ+ＰＰ+接合が
形成される。
【０００８】図２（ｆ）に於て、図２（ｅ）のシリコン
ウエハ１のＰ+層４の裏面に付着残存した余分なアルミ
ニウムペースト酸化層５をフッ化水素、水酸化ナトリウ
ム溶液により除去した後、Ｐ+層４上に裏面電極６、更
にシリコンウエハ１の一主面上のＮ+層２上に表面電極
７を離間形成すると共に、当該Ｎ+層２上の表面電極７
間に反射防止膜８を形成して、ＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕ
ｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）型太陽電池が形成される。
ウエハ１のＰ+層４の裏面に付着残存した余分なアルミ
ニウムペースト酸化層５をフッ化水素、水酸化ナトリウ
ム溶液により除去した後、Ｐ+層４上に裏面電極６、更
にシリコンウエハ１の一主面上のＮ+層２上に表面電極
７を離間形成すると共に、当該Ｎ+層２上の表面電極７
間に反射防止膜８を形成して、ＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕ
ｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）型太陽電池が形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上述の方法
においては、シリコンウエハ１の拡散処理によって得ら
れたシリコンウエハ１の裏面側のＮ+層２の除去に当
り、スクリーン印刷法によって耐酸性レジスト３を塗布
したり、乾燥させたり、またフッ硝酸によるシリコンウ
エハ１裏面のエッチング処理、更には耐酸性レジスト３
の除去、洗浄、乾燥処理のウエットプロセスを行ってい
るため、それらの工程に長時間を要し、太陽電池を安価
に提供し得ない問題点を有していた。
においては、シリコンウエハ１の拡散処理によって得ら
れたシリコンウエハ１の裏面側のＮ+層２の除去に当
り、スクリーン印刷法によって耐酸性レジスト３を塗布
したり、乾燥させたり、またフッ硝酸によるシリコンウ
エハ１裏面のエッチング処理、更には耐酸性レジスト３
の除去、洗浄、乾燥処理のウエットプロセスを行ってい
るため、それらの工程に長時間を要し、太陽電池を安価
に提供し得ない問題点を有していた。
【００１０】従って、本発明は、上述のウエットプロセ
スを行わずに太陽電池を安価に提供することを目的とす
る。
スを行わずに太陽電池を安価に提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池の製造
方法は、一導電型シリコンウエハの全面に逆導電型層を
形成する第１工程と、上記一導電型シリコンウエハの裏
面側の上記逆導電型層上にそのウエハの裏面周辺部に沿
って、エネルギビームを照射し、上記シリコンウエハの
裏面の逆導電型層を島状に分離する第２工程と、上記シ
リコンウエハの裏面に形成された島状の逆導電型層の領
域に一導電型不純物を導入し、その領域に一導電型層を
形成する第３工程と、上記シリコンウエハの裏面の一導
電型層上に裏面電極を形成すると共に、上記シリコンウ
エハの一主面に形成された上記逆導電型層上に表面電極
を形成する第４工程と、からなることを特徴とする。
方法は、一導電型シリコンウエハの全面に逆導電型層を
形成する第１工程と、上記一導電型シリコンウエハの裏
面側の上記逆導電型層上にそのウエハの裏面周辺部に沿
って、エネルギビームを照射し、上記シリコンウエハの
裏面の逆導電型層を島状に分離する第２工程と、上記シ
リコンウエハの裏面に形成された島状の逆導電型層の領
域に一導電型不純物を導入し、その領域に一導電型層を
形成する第３工程と、上記シリコンウエハの裏面の一導
電型層上に裏面電極を形成すると共に、上記シリコンウ
エハの一主面に形成された上記逆導電型層上に表面電極
を形成する第４工程と、からなることを特徴とする。
【００１２】
【作用】不純物をガス拡散させることにより、Ｐ型シリ
コンウエハの全面にＮ+層を形成し、シリコンウエハの
一主面にＰＮ+接合を形成した後、上記シリコンウエハ
の裏面側に、その裏面周辺部に沿って、所定深さまでレ
ーザ光を照射し、そのＮ +層を島状に分離形成させる。
コンウエハの全面にＮ+層を形成し、シリコンウエハの
一主面にＰＮ+接合を形成した後、上記シリコンウエハ
の裏面側に、その裏面周辺部に沿って、所定深さまでレ
ーザ光を照射し、そのＮ +層を島状に分離形成させる。
【００１３】
【実施例】本発明の太陽電池の製造工程図を図１に示
す。
す。
【００１４】図１（ａ）に於て、チョクラルスキー法
（ＣＺ法）で引き上げられた比抵抗値１．５乃至３Ω・
ｃｍの単結晶シリコンインゴットを所定の厚さに切断し
たウエハ１を用意した後、そのウエハ１の表面から３０
０μｍ内にある表面酸化物をフッ化水素を用いて除去す
る。
（ＣＺ法）で引き上げられた比抵抗値１．５乃至３Ω・
ｃｍの単結晶シリコンインゴットを所定の厚さに切断し
たウエハ１を用意した後、そのウエハ１の表面から３０
０μｍ内にある表面酸化物をフッ化水素を用いて除去す
る。
【００１５】図１（ｂ）に於て、そのウエハ１表面に、
ＰＯＣｌ3を用いてガス拡散法（８５０℃、３０分）に
より、Ｎ+層２を形成する。このＮ+層２の面抵抗は５０
Ω／□、厚さは０．５μｍである。
ＰＯＣｌ3を用いてガス拡散法（８５０℃、３０分）に
より、Ｎ+層２を形成する。このＮ+層２の面抵抗は５０
Ω／□、厚さは０．５μｍである。
【００１６】図１（ｃ）に於て、ＱスイッチＹＡＧレー
ザ（波長１．０６μｍ、パルス２００μｓｅｃ、エネル
ギ密度１０8Ｗ／ｃｍ2）を用い、シリコンウエハ１の裏
面周辺部から数ｍｍ内方を、その裏面から２乃至３μｍ
の深さまでカットし、Ｎ+層２を島状に分離せしめる。
ザ（波長１．０６μｍ、パルス２００μｓｅｃ、エネル
ギ密度１０8Ｗ／ｃｍ2）を用い、シリコンウエハ１の裏
面周辺部から数ｍｍ内方を、その裏面から２乃至３μｍ
の深さまでカットし、Ｎ+層２を島状に分離せしめる。
【００１７】図１（ｄ）に於て、上述のシリコンウエハ
１のレーザカットにより島状に形成されたＮ+層２上
に、厚さ２０乃至４０μｍのアルミニウムペースト酸化
層５をスクリーン印刷し、空気中に於て８２５乃至８５
０℃で４乃至６分間焼成する。この焼成によって、アル
ミニウムペースト酸化層５は、シリコンウエハ１上のＮ
+層２を通過して、Ｐ型シリコンウエハ１内に拡散して
いき、Ｐ+層９を形成し、Ｎ+ＰＰ+接合が形成されＢＳ
Ｆ化処理が行われる。
１のレーザカットにより島状に形成されたＮ+層２上
に、厚さ２０乃至４０μｍのアルミニウムペースト酸化
層５をスクリーン印刷し、空気中に於て８２５乃至８５
０℃で４乃至６分間焼成する。この焼成によって、アル
ミニウムペースト酸化層５は、シリコンウエハ１上のＮ
+層２を通過して、Ｐ型シリコンウエハ１内に拡散して
いき、Ｐ+層９を形成し、Ｎ+ＰＰ+接合が形成されＢＳ
Ｆ化処理が行われる。
【００１８】図１（ｅ）に於て、ＢＳＦ化処理が行われ
たシリコンウエハ１を１０％のフッ化水素に１０乃至１
５分間浸漬することによって、そのシリコンウエハ１の
裏面側に存在する余分なアルミニウムペースト酸化層５
を除去し、Ｐ+層９を露出させ、このＰ+層９上にＡｇペ
ーストをスクリーン印刷した後、焼成することによって
裏面電極６を形成する。
たシリコンウエハ１を１０％のフッ化水素に１０乃至１
５分間浸漬することによって、そのシリコンウエハ１の
裏面側に存在する余分なアルミニウムペースト酸化層５
を除去し、Ｐ+層９を露出させ、このＰ+層９上にＡｇペ
ーストをスクリーン印刷した後、焼成することによって
裏面電極６を形成する。
【００１９】また、シリコンウエハ１の表面上には、裏
面電極６と同様な方法で、表面電極７を離間形成すると
共に、この表面電極７間にＴｉＯ2からなる反射防止膜
８を常圧ＣＶＤ法で形成し、本発明の一連の太陽電池の
製造工程が終了する。
面電極６と同様な方法で、表面電極７を離間形成すると
共に、この表面電極７間にＴｉＯ2からなる反射防止膜
８を常圧ＣＶＤ法で形成し、本発明の一連の太陽電池の
製造工程が終了する。
【００２０】このように、本発明の単結晶太陽電池を製
造するに当たって、シリコンウエハ１の拡散処理によっ
て得られたシリコンウエハ１の裏面側のＮ+層２の除去
の際にスクリーン印刷法によって耐酸性レジスト３を塗
布したり、乾燥させたり、またフッ硝酸によるシリコン
ウエハ１裏面のエッチング処理、更には耐酸性レジスト
３の除去、洗浄、乾燥処理のウエットプロセスを行う必
要がなくなる。
造するに当たって、シリコンウエハ１の拡散処理によっ
て得られたシリコンウエハ１の裏面側のＮ+層２の除去
の際にスクリーン印刷法によって耐酸性レジスト３を塗
布したり、乾燥させたり、またフッ硝酸によるシリコン
ウエハ１裏面のエッチング処理、更には耐酸性レジスト
３の除去、洗浄、乾燥処理のウエットプロセスを行う必
要がなくなる。
【００２１】更に、本発明の単結晶太陽電池の製造方法
によれば、従来と比較して、その太陽電池のＮ+層２の
表面積が広くなるために、光変換効率が１４．４％から
１５．０％までに向上した。
によれば、従来と比較して、その太陽電池のＮ+層２の
表面積が広くなるために、光変換効率が１４．４％から
１５．０％までに向上した。
【００２２】なお、本実施例では、単結晶シリコン太陽
電池に関して述べたが、これには限られず多結晶太陽電
池においても、本発明を適用できることはいうまでもな
い。
電池に関して述べたが、これには限られず多結晶太陽電
池においても、本発明を適用できることはいうまでもな
い。
【００２３】
【発明の効果】本発明の太陽電池の製造方法によれば、
シリコンウエハの拡散処理によって得られたシリコンウ
エハの裏面側のＮ+層の除去の際にスクリーン印刷法に
よって耐酸性レジストを塗布したり、乾燥させたり、ま
たフッ硝酸によるシリコンウエハ裏面のエッチング処
理、更には耐酸性レジストの除去、洗浄、乾燥処理のウ
エットプロセスを行う必要がなくなることによって、特
に時間を要したウエットプロセスの工程を削減させるこ
とができ、安価な太陽電池を提供することが可能にな
る。
シリコンウエハの拡散処理によって得られたシリコンウ
エハの裏面側のＮ+層の除去の際にスクリーン印刷法に
よって耐酸性レジストを塗布したり、乾燥させたり、ま
たフッ硝酸によるシリコンウエハ裏面のエッチング処
理、更には耐酸性レジストの除去、洗浄、乾燥処理のウ
エットプロセスを行う必要がなくなることによって、特
に時間を要したウエットプロセスの工程を削減させるこ
とができ、安価な太陽電池を提供することが可能にな
る。
【００２４】更に、シリコンウエハの側面のＮ+層は除
去されないので、従来と比較してシリコンウエハ上のＮ
+層の表面積が広くなるために、光変換効率が向上す
る。
去されないので、従来と比較してシリコンウエハ上のＮ
+層の表面積が広くなるために、光変換効率が向上す
る。
【図１】本発明の太陽電池の製造工程図
【図２】従来の太陽電池の製造工程図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−182577（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−120592（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−25487（ＪＰ，Ａ) 実開 昭50−13562（ＪＰ，Ｕ) 特表 平５−508742（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型シリコンウエハの全面に逆導電
型層を形成する第１工程と、上記一導電型シリコンウエ
ハの裏面側の上記逆導電型層上にそのウエハの裏面周辺
部に沿って、エネルギビームを照射し、上記シリコンウ
エハの裏面の逆導電型層を島状に分離する第２工程と、
上記シリコンウエハの裏面に形成された島状の逆導電型
層の領域に一導電型不純物を導入し、その領域に一導電
型層を形成する第３工程と、上記シリコンウエハの裏面
の一導電型層上に裏面電極を形成すると共に、上記シリ
コンウエハの一主面に形成された上記逆導電型層上に表
面電極を形成する第４工程と、からなることを特徴とす
る太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238095A JP2951061B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238095A JP2951061B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575148A JPH0575148A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2951061B2 true JP2951061B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=17025095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238095A Expired - Lifetime JP2951061B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951061B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3032422B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2000-04-17 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルとその製造方法 |
| DE10020541A1 (de) | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
| DE10021440A1 (de) * | 2000-05-03 | 2001-11-15 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle |
| GB0114896D0 (en) | 2001-06-19 | 2001-08-08 | Bp Solar Ltd | Process for manufacturing a solar cell |
| JP5289764B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2013-09-11 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP4903444B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-03-28 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
| JP4854387B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-01-18 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
| JP2011009663A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子の製造装置 |
| WO2011040489A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
| JP2014239085A (ja) * | 2011-10-03 | 2014-12-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| CN111725331B (zh) * | 2020-06-11 | 2021-10-08 | 中山德华芯片技术有限公司 | 正负电极同侧的多结砷化镓太阳电池芯片及其制备方法 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3238095A patent/JP2951061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0575148A (ja) | 1993-03-26 |
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