WO2011040489A1 - 太陽電池素子および太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本発明の実施形態に係る太陽電池素子を、図を用いて説明する。
まず、図2(a)に示すように、シリコンのインゴットをスライスする等して得られる平板状の半導体基板2を準備する。この半導体基板2はp型の単結晶又は多結晶のシリコンから成るものを用いることができる。例えば、ボロン(B)などの不純物を微量添加することによりp型の導電型を呈する、比抵抗0.2~2.0Ω・cm程度の半導体基板2を用いることができる。
材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できる厚みとすることができる。例えば、シリコンから成る半導体基板2の場合、反射防止膜8の屈折率は1.8~2.3程度、厚み500~1200Å程度にすればよい。反射防止膜8は、プラズマCVD法、蒸着法、スパッタ法などを用いて形成することができる。
次に、本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール21について、図10乃至図12を用いて、説明する。
接続導体23は、太陽電池素子50のバスバー電極3や出力取出電極6にハンダ付けすることにより太陽電池素子50同士を直列接続するためのものである。例えば、幅1~3mm程度、厚み0.1~0.8mm程度のリボン状の銅箔をハンダコートしたものが用いられる。
次に、太陽電池モジュール21の作製方法について述べる。
最後に、モジュール枠24を取り付けて、太陽電池モジュール21を完成させる。具体的には、太陽電池パネル22の外周部にアルミニウムなどで作製されたモジュール枠24を取り付ける。モジュール枠24は、例えば、その角部をビスなどで固定することにより、取り付けることができる。このようにして、太陽電池モジュール21が完成する。
まず、一導電型を示す半導体基板19として、例えばボロンなどがドープされたp型のシリコン基板を準備する。このシリコン基板は、シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板からなるシリコン基板を用いればよく、シリコン基板の大きさは例えば一辺140~180mm程度の正方形又は矩形で、その厚みは150μm~300μm程度にすればよい。
次に、半導体基板19の第1面19aと第2面19bとの間に貫通孔を形成する。この貫通孔は、機械的ドリル、ウォータージェット或いはレーザ装置等を用いて、例えば半導体基板19の第2面19b側から第1面19a側に向けて形成される。特に貫通孔形成時又は形成後のマイクロクラックの発生防止のために、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザやYVO4(イットリウム・バナデイト)レーザなどが好適に用いられる。
次に、半導体基板19の第1面19aに光反射率の低減を効果的に行うための微細な突起(凸部)をもつ凹凸構造を形成する。凹凸構造の形成方法としては、アルカリ液によるウェットエッチング法や、エッチングガスによるドライエッチング法を用いることができる。
次に、半導体基板19の第1面19a、貫通孔の内面及び第2面19bに半導体層29を形成する。半導体基板19と逆の導電型を呈するn型化ドーピング元素としてはp(リン)を用い、シート抵抗が60~300Ω/□程度のn+型とする。これによって上述の半導体基板19のp型領域との間にpn接合部が形成される。また、半導体基板19へのドーピング元素の拡散に気相拡散法を用いることにより、半導体基板19の第1面、第2面及び貫通孔の内面に、同時に半導体層29を形成することができる。
上述の気相拡散法を用いて半導体層29を形成した場合、半導体基板19の第1面及び第2面のみならず、半導体基板19の側面にも半導体層29が形成されるため、半導体基板19の第1面19aと第2面19bの半導体層29の一部を分離(pn分離)する。このpn分離は、第2面19bの周辺部のみに酸化珪素やアルミナなどの粉末を高圧で吹きつけ第2面19bの周辺部の半導体層29を削るブラスト加工法やレーザ加工法を用いて、第2面19bの周辺端部に第1溝部89bを形成する。
次に、半導体基板19に、表面電極39と貫通電極49を形成する。これらの電極は、半導体基板19の第1面19aにスクリーン印刷法などの塗布法を用いて銀や銅等からなる導電性ペーストを塗布する。このとき、半導体基板19の貫通孔内に導電性ペーストが充填されるようにする。その後、導電性ペーストを最高温度500~850℃で数十秒~数十分程度焼成することにより表面電極39及び貫通電極49が形成される。
次に、半導体基板19の第2面19b上に、第1乃至第3電極を形成する。まず、第1電極69のうち集電部69aを形成する半導体基板19の第2面19b上にスクリーン印刷法を用いて、アルミニウム等からなる導電性ペーストを所定の形状になるように塗布し、最高温度500~850℃で数十秒~数十分程度焼成することにより集電部69aを形成する。この集電部69aの形成と同時に、高濃度ドープ層6’が形成される。
次に、第2電極59の周囲の部分でpn分離を行う。第2電極59と第1電極69(集電部69a)との間と、第2電極59と第3電極79との間における半導体基板19の半導体層29が形成された部分にYAGレーザ(波長1064nm)やSHG(second harmonic generation)―YAGレーザ(波長532nm)などを用いてレーザ光を照射し、矩形状に第2溝部89aを形成する。このとき、第2溝部89aと第1乃至第3電極との位置関係は、上述したような最短距離の関係を満たすようにする。
2;半導体基板
2a;第1面
2b;第2面
2b1;第2面の外周部
2c;側面
3;バスバー電極
4;フィンガー電極
5;集電極(第1電極)
6;出力取出電極
7;第1溝部
8:第1の面の反射防止膜
8a;側面に設けられた反射防止膜
8b;第2面の外周部に設けられた反射防止膜
8c;第1溝部の内周面に設けられた反射防止膜
9;n層
10;バルク領域
11;集電極(第1電極)の端部
12;第1溝部の幅方向の中心線
13;側面のpn接合部
20、30、40、50、60、70;太陽電池素子
21;太陽電池モジュール
22;太陽電池パネル
23;接続導体
24;モジュール枠
25;透光性基板
26;受光面側充填材
27;裏面側充填材
28;裏面シート
31;端子ボックス
32;出力導線
E;バルク領域で発生した少数キャリヤ
Q;集電極の端部と第1溝部の幅方向の中心線との最短距離
P;側面のpn接合部と第1溝部の幅方向の中心線との最短距離
G;接触部
Claims (15)
- 受光面となる第1面、該第1面の裏側に位置する第2面および前記第1面と前記第2面とを接続する側面を具備し、一導電型を有する半導体基板と、
前記第1面から前記側面および前記第2面の外周部に渡って設けられた第1pn接合領域と、
前記第2面上に配置されるとともに、前記第1pn接合領域に隣接して配置された前記一導電型を有する第1電極と、
前記第2面の外周と前記第1電極の端部との間に設けられた、前記第2面の前記第1pn接合領域を前記第2面の外周に沿って分離する第1溝部とを備えており、
前記第2面側から平面視したときに、前記第1電極の前記端部と前記第1溝部との最短距離Qは、前記側面の前記第1pn接合領域のpn接合部と前記第1溝部との最短距離Pよりも小さい、太陽電池素子。 - 前記第1溝部は、前記第1溝部の内周面と前記第1溝部よりも外側の前記第2面との交差部に位置する第1隆起部および前記第1溝部の内周面と前記第1溝部よりも内側の前記第2面との交差部に位置する第2隆起部の少なくとも一方を有している、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記第1溝部は、前記第1隆起部および前記第2隆起部を有しており、前記第1隆起部の高さは、前記第2隆起部の高さ以下である、請求項2に記載の太陽電池素子。
- 前記第1隆起部上および前記第2隆起部上の少なくとも一方には、酸化膜が形成されている、請求項2に記載の太陽電池素子。
- 前記第2面の外周と前記第1溝部との間には、酸化膜が形成されている、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記第1面および前記側面に設けられた反射防止膜をさらに備える、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記反射防止膜は、前記第2面のうち前記側面から前記第1溝部までの外周領域にも設けられている、請求項6に記載の太陽電池素子。
- 前記反射防止膜は、前記第1溝部の内周面にも設けられている、請求項7に記載の太陽電池素子。
- 前記第2面のうち前記第1pn接合領域よりも内側に設けられた第2pn接合領域と、
該第2接合領域上の一部に配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に位置する前記第2pn接合領域を、前記第2電極を取り囲むように分離する第2溝部と、をさらに備えており、
前記第2面側から平面視したとき、前記第1電極と前記第2溝部との最短距離Tは、前記第2電極と前記第2溝部との最短距離Sよりも小さい、請求項1に記載の太陽電池素子。 - 前記第1電極は、前記第2電極を挟むように配置された対電極と、該対電極を電気的に接続する接続電極と、をさらに備えており、
前記第2面から平面視したときに、前記接続電極と前記第2溝部との最短距離Uは、前記第2電極と前記第2溝部との最短距離Sよりも小さい、請求項9に記載の太陽電池素子。 - 前記第1電極は、前記第2溝部と離間するように配置されている、請求項9に記載の太陽電池素子。
- 前記第1溝部は、前記第2面に垂直な横断面形状において、底部から内側面にかけて曲線部を有する、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 請求項1に記載の複数の太陽電池素子を備えた、太陽電池モジュール。
- 請求項2に記載の複数の太陽電池素子を備えた、太陽電池モジュール。
- 請求項5に記載の複数の太陽電池素子を備えた、太陽電池モジュール。
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