JP5546653B2 - 太陽電池素子および太陽電池モジュール - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 140
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 36
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 22
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
まず、本発明の実施形態に係る太陽電池素子を、図を用いて説明する。
まず、図2(a)に示すように、シリコンのインゴットをスライスする等して得られる平板状の半導体基板2を準備する。この半導体基板2はp型の単結晶又は多結晶のシリコンから成るものを用いることができる。例えば、ボロン(B)などの不純物を微量添加することによりp型の導電型を呈する、比抵抗0.2〜2.0Ω・cm程度の半導体基板2を用いることができる。
次に、本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール21について、図10乃至図12を用いて、説明する。
次に、太陽電池モジュール21の作製方法について述べる。
まず、一導電型を示す半導体基板19として、例えばボロンなどがドープされたp型のシリコン基板を準備する。このシリコン基板は、シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板からなるシリコン基板を用いればよく、シリコン基板の大きさは例えば一辺140〜180mm程度の正方形又は矩形で、その厚みは150μm〜300μm程度にすればよい。
次に、半導体基板19の第1面19aと第2面19bとの間に貫通孔を形成する。この貫通孔は、機械的ドリル、ウォータージェット或いはレーザ装置等を用いて、例えば半導体基板19の第2面19b側から第1面19a側に向けて形成される。特に貫通孔形成時又は形成後のマイクロクラックの発生防止のために、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザやYVO4(イットリウム・バナデイト)レーザなどが好適に用いられる。
次に、半導体基板19の第1面19aに光反射率の低減を効果的に行うための微細な突起(凸部)をもつ凹凸構造を形成する。凹凸構造の形成方法としては、アルカリ液によるウェットエッチング法や、エッチングガスによるドライエッチング法を用いることができる。
次に、半導体基板19の第1面19a、貫通孔の内面及び第2面19bに半導体層29を形成する。半導体基板19と逆の導電型を呈するn型化ドーピング元素としてはp(リン)を用い、シート抵抗が60〜300Ω/□程度のn+型とする。これによって上述の半導体基板19のp型領域との間にpn接合部が形成される。また、半導体基板19へのドーピング元素の拡散に気相拡散法を用いることにより、半導体基板19の第1面、第2面及び貫通孔の内面に、同時に半導体層29を形成することができる。
上述の気相拡散法を用いて半導体層29を形成した場合、半導体基板19の第1面及び第2面のみならず、半導体基板19の側面にも半導体層29が形成されるため、半導体基板19の第1面19aと第2面19bの半導体層29の一部を分離(pn分離)する。このpn分離は、第2面19bの周辺部のみに酸化珪素やアルミナなどの粉末を高圧で吹きつけ第2面19bの周辺部の半導体層29を削るブラスト加工法やレーザ加工法を用いて、第2面19bの周辺端部に第1溝部89bを形成する。
次に、半導体基板19に、表面電極39と貫通電極49を形成する。これらの電極は、半導体基板19の第1面19aにスクリーン印刷法などの塗布法を用いて銀や銅等からなる導電性ペーストを塗布する。このとき、半導体基板19の貫通孔内に導電性ペーストが充填されるようにする。その後、導電性ペーストを最高温度500〜850℃で数十秒〜数十分程度焼成することにより表面電極39及び貫通電極49が形成される。
次に、半導体基板19の第2面19b上に、第1乃至第3電極を形成する。まず、第1電極69のうち集電部69aを形成する半導体基板19の第2面19b上にスクリーン印刷法を用いて、アルミニウム等からなる導電性ペーストを所定の形状になるように塗布し、最高温度500〜850℃で数十秒〜数十分程度焼成することにより集電部69aを形成する。この集電部69aの形成と同時に、高濃度ドープ層69’が形成される。
次に、第2電極59の周囲の部分でpn分離を行う。第2電極59と第1電極69(集電部69a)との間と、第2電極59と第3電極79との間における半導体基板19の半導体層29が形成された部分にYAGレーザ(波長1064nm)やSHG(second harmonic generation)―YAGレーザ(波長532nm)などを用いてレーザ光を照射し、矩形状に第2溝部89aを形成する。このとき、第2溝部89aと第1乃至第3電極との位置関係は、上述したような最短距離の関係を満たすようにする。
2;半導体基板
2a;第1面
2b;第2面
2b1;第2面の外周部
2c;側面
3;バスバー電極
4;フィンガー電極
5;集電極(第1電極)
6;出力取出電極
7;第1溝部
8;第1の面の反射防止膜
8a;側面に設けられた反射防止膜
8b;第2面の外周部に設けられた反射防止膜
8c;第1溝部の内周面に設けられた反射防止膜
9;n層
10;バルク領域
11;集電極(第1電極)の端部
12;第1溝部の幅方向の中心線
13;側面のpn接合部
20、30、40、50、60、70;太陽電池素子
21;太陽電池モジュール
22;太陽電池パネル
23;接続導体
24;モジュール枠
25;透光性基板
26;受光面側充填材
27;裏面側充填材
28;裏面シート
31;端子ボックス
32;出力導線
E;バルク領域で発生した少数キャリヤ
Q;集電極の端部と第1溝部の幅方向の中心線との最短距離
P;側面のpn接合部と第1溝部の幅方向の中心線との最短距離
G;接触部
Claims (13)
- 受光面となる第1面、該第1面の裏側に位置する第2面および前記第1面と前記第2面とを接続する側面を具備し、一導電型を有する半導体領域のうちの前記第1面側の表面上から前記側面側の表面上および前記第2面側の外周部の表面上に渡って、前記一導電型とは逆の逆導電型を有する層が形成されていることで、前記第1面から前記側面および前記第2面の外周部の各表面に沿って第1pn接合領域が内部に設けられた結晶シリコンの半導体基板と、
前記第2面上に配置されるとともに、前記第1pn接合領域に隣接して配置された前記一導電型を有する第1電極と、
前記第1面および前記側面に設けられた反射防止膜とを備えており、
前記半導体領域は、前記一導電型のバルク領域と、該バルク領域の前記第2面側に前記第1電極に接して形成された、前記バルク領域よりも前記一導電型の不純物濃度が大きい高濃度層とを有しており、
前記半導体基板は、前記第2面の外周と前記第1電極の端部との間に前記第1電極および前記高濃度層と離れて設けられた、前記第2面の前記第1pn接合領域を前記第2面の外周に沿って分離するとともに内周面に前記反射防止膜が形成されている第1溝部を有しており、
前記第2面側から平面視したときに、前記第1電極の前記端部と前記第1溝部との最短距離Qは、前記側面の前記第1pn接合領域のpn接合部と前記第1溝部との最短距離Pよりも小さい、太陽電池素子。 - 前記第2面上において、前記第1溝部の内周面と前記第2面のうちの前記第1溝部よりも外側の部分との交差部に位置する第1隆起部、および前記第1溝部の内周面と前記第2面のうちの前記第1溝部よりも内側の部分との交差部に位置する第2隆起部の少なくとも一方をさらに備えており、
前記第1隆起部および前記第2隆起部が、前記第2面上において前記第2面の法線方向に突出している、請求項1に記載の太陽電池素子。 - 前記第2面上において前記第1隆起部および前記第2隆起部を備えており、前記第1隆起部の高さは、前記第2隆起部の高さ以下である、請求項2に記載の太陽電池素子。
- 前記第1隆起部上および前記第2隆起部上の少なくとも一方には、酸化膜が形成されている、請求項2に記載の太陽電池素子。
- 前記第2面のうちの前記第2面の外周と前記第1溝部との間には、酸化膜が形成されている、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記反射防止膜は、前記第2面のうち前記側面から前記第1溝部までの外周領域にも設けられている、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記半導体基板は、前記一導電型を有する半導体領域のうちの前記第2面側の表面上において、前記第1pn接合領域よりも内側に設けられた第2pn接合領域を有しており、
該第2pn接合領域の一部を形成している前記逆導電型の層上に配置された第2電極をさらに備え、
前記半導体基板は、前記第2面側から平面視したときに、前記第1電極と前記第2電極との間において前記第2pn接合領域を、前記第2電極を取り囲むように分離する第2溝部をさらに有しており、
前記第2面側から平面視したとき、前記第1電極と前記第2溝部との最短距離Tは、前記第2電極と前記第2溝部との最短距離Sよりも小さい、請求項1に記載の太陽電池素子。 - 前記第1電極は、前記第2電極を挟むように配置された対電極と、該対電極を電気的に接続する接続電極と、をさらに備えており、
前記第2面側から平面視したときに、前記接続電極と前記第2溝部との最短距離Uは、前記第2電極と前記第2溝部との最短距離Sよりも小さい、請求項7に記載の太陽電池素子。 - 前記第1電極は、前記第2溝部と離れるように配置されている、請求項7に記載の太陽電池素子。
- 前記第1溝部は、前記第2面に垂直な横断面形状において、底部から内側面にかけて曲線部を有する、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 請求項1に記載の複数の太陽電池素子を備えた、太陽電池モジュール。
- 請求項2に記載の複数の太陽電池素子を備えた、太陽電池モジュール。
- 請求項5に記載の複数の太陽電池素子を備えた、太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013017255A JP5546653B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-01-31 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009224271 | 2009-09-29 | ||
JP2009224271 | 2009-09-29 | ||
JP2010172358 | 2010-07-30 | ||
JP2010172358 | 2010-07-30 | ||
JP2010193094 | 2010-08-31 | ||
JP2010193094 | 2010-08-31 | ||
JP2013017255A JP5546653B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-01-31 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534283A Division JP5289578B2 (ja) | 2009-09-29 | 2010-09-29 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013102217A JP2013102217A (ja) | 2013-05-23 |
JP5546653B2 true JP5546653B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=43826301
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534283A Expired - Fee Related JP5289578B2 (ja) | 2009-09-29 | 2010-09-29 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
JP2013017255A Expired - Fee Related JP5546653B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-01-31 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534283A Expired - Fee Related JP5289578B2 (ja) | 2009-09-29 | 2010-09-29 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8912431B2 (ja) |
EP (1) | EP2485278B1 (ja) |
JP (2) | JP5289578B2 (ja) |
CN (1) | CN102388465B (ja) |
WO (1) | WO2011040489A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209316A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
DE102011075681A1 (de) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
NL1038916C2 (en) | 2011-07-01 | 2013-01-07 | Stichting Energie | Photovoltaic cell with wrap through connections. |
JP2014239085A (ja) * | 2011-10-03 | 2014-12-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
WO2013100085A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュール |
JP6021392B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2016-11-09 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
EP4404282A2 (en) | 2012-07-02 | 2024-07-24 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Method of manufacturing a hetero-junction solar cell |
JP2014090160A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-05-15 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP6311999B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2018-04-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5759639B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2015-08-05 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
CN103346173A (zh) * | 2013-06-18 | 2013-10-09 | 南开大学 | 一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件及其制备方法 |
CN103680990A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碱液清洗用于制备染料敏化太阳能电池的基板的方法 |
JP6414550B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2018-10-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
JP6176195B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-08-09 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池 |
EP3346506B1 (en) * | 2015-08-31 | 2020-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element |
DE102016106563A1 (de) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Meyer Burger (Germany) Ag | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle, mit dem Verfahren hergestellte Solarzelle und Substratträger |
CN108886069B (zh) * | 2016-04-13 | 2022-01-14 | 株式会社钟化 | 晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
WO2018056142A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 昭和電工株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
JP7064646B1 (ja) | 2021-10-26 | 2022-05-10 | 株式会社東芝 | 太陽電池モジュール |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2086135B (en) * | 1980-09-30 | 1985-08-21 | Nippon Telegraph & Telephone | Electrode and semiconductor device provided with the electrode |
DE3316417A1 (de) * | 1983-05-05 | 1984-11-08 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Solarzelle |
US4989059A (en) * | 1988-05-13 | 1991-01-29 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cell with trench through pn junction |
DK170189B1 (da) * | 1990-05-30 | 1995-06-06 | Yakov Safir | Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf |
JP2951061B2 (ja) | 1991-09-18 | 1999-09-20 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2002198546A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の形成方法 |
JP2002353475A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
KR100786855B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2007-12-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 강유전체를 이용한 태양전지 |
DE10247681B4 (de) * | 2002-10-12 | 2007-08-09 | Peter Fath | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
JPWO2006087786A1 (ja) * | 2005-02-17 | 2008-07-03 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
US7329951B2 (en) * | 2005-04-27 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | Solder bumps in flip-chip technologies |
US20090159111A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | The Woodside Group Pte. Ltd | Photovoltaic device having a textured metal silicide layer |
JP2009158575A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Sharp Corp | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
TWI379427B (en) * | 2007-12-31 | 2012-12-11 | Ind Tech Res Inst | Transparent solar cell module |
TWI378565B (en) * | 2008-04-30 | 2012-12-01 | Nexpower Technology Corp | Stacked-layered thin film solar cell and manufacturing method thereof |
KR101032624B1 (ko) * | 2009-06-22 | 2011-05-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
-
2010
- 2010-09-29 WO PCT/JP2010/066988 patent/WO2011040489A1/ja active Application Filing
- 2010-09-29 US US13/388,034 patent/US8912431B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-29 JP JP2011534283A patent/JP5289578B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-29 CN CN201080015834.XA patent/CN102388465B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-29 EP EP10820604.6A patent/EP2485278B1/en active Active
-
2013
- 2013-01-31 JP JP2013017255A patent/JP5546653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5289578B2 (ja) | 2013-09-11 |
US20120125397A1 (en) | 2012-05-24 |
JP2013102217A (ja) | 2013-05-23 |
US8912431B2 (en) | 2014-12-16 |
EP2485278A4 (en) | 2017-12-20 |
EP2485278A1 (en) | 2012-08-08 |
EP2485278B1 (en) | 2020-02-12 |
CN102388465B (zh) | 2014-11-05 |
CN102388465A (zh) | 2012-03-21 |
JPWO2011040489A1 (ja) | 2013-02-28 |
WO2011040489A1 (ja) | 2011-04-07 |
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JP2015029014A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |