JPS59207672A - 太陽電池およびその製造法 - Google Patents

太陽電池およびその製造法

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JPS59207672A
JPS59207672A JP59087998A JP8799884A JPS59207672A JP S59207672 A JPS59207672 A JP S59207672A JP 59087998 A JP59087998 A JP 59087998A JP 8799884 A JP8799884 A JP 8799884A JP S59207672 A JPS59207672 A JP S59207672A
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JP
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solar cell
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semiconductor block
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JP59087998A
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クラウス−デイ−タ−・ラツシユ
ヘルム−ト・フレ−ドル
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Telefunken Electronic GmbH
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Telefunken Electronic GmbH
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、背面接点を有しかつ前面接点としての条導体
部を有する板状の半導体ブロックより成る太陽電池に関
する。
従来技術 太陽電池は、半導体ブロック中にｐｎ接合を製造するた
め拡散工程を施こし、それにより半導体ペースブロック
と反対の導電モードの薄い表面層を形成する必要がある
。このｐｎ接合は、全面的に半導体ブロックへ施こされ
てもよい。
この場合、半導体ベースブロックを半導体ウェーハの背
面で接続するだめ、１部分の表面層を除去しペースブロ
ックを露出させる必要がある。
他の方法は、拡散工程前に半導体ウェーハの１部分の背
面側表面を拡散マスクで被覆することであり、その結果
この位置で、拡散が行なわれかつ拡散マスクが再び除去
された後に、背面接点が半導体ベースブロックに取付け
られることができる。
発明が解決しようとする問題点 本発明の根底をなす課題は、太陽電池の製造法を著るし
く蘭学化することである。
問題点を解決するだめの手段 本発明によればこの課題は、第２の導電モードのゾーン
が第１の導電モードの半導体ブロックへ全面的に施こさ
れ、かつ背面接点が、第２の導電モードのゾーンを貫通
して第１の導電モードの半導体ブロックに抵抗接続され
ることにより解決される。
従って、本発明による装置の場合、ｐｎ接合が全面的に
半導体ウェーハ中へ施こされ、がっされ また背面接点に所定の表面位置から再び除−ｔ’ｂこと
がない。半導体ベースブロックの抵抗接続は、半導体ベ
ースブロックと反対の導電モードの薄い表面ゾーンが、
背面接点の施こされた後に熱処理工程で変質せしめられ
、従って背面接点および半導体ペースブロック間に抵抗
接続が形成されることにより製造される。熱処理工程お
よびチタニウム層厚は、この場合形成される金属間結合
が表面層およびこれに隣接するｐｎ接合を貫通するよう
に設定される必要がある。
背面接点は、半導体ブロックから出発し、有利にチタニ
ウム−パラジウム−銀の連続層より成る。周縁部分の短
絡を確実に阻止するため、熱処理工程の前またはその後
に、ｐｎ接合を背面接点の外側で遮断する。引続いて、
熱処理工程後に表面接点を製造する。
実施例 以下に、本発明を図面実施例につき詳説する。
図面に表わされている板状の半導体ブロック１は、厚さ
約３００μｍおよびｐ−導電率例えば１オーム・側を有
するシリコンより成る。円形、矩形または多角形である
ことができるこの半導体ウェーハ１へ、導電率約５０オ
ーム／口を有する薄いｎ−導電形表面ゾーン２が施こさ
れる。このことが、有利に植設または拡散により行なわ
れる。有利に、シリコンペースブロック１および拡散形
成されたゾーン２間のｐｎ接合３が、半導体表面の下方
０．２〜０．５μｍに配置される。
ｐｎ接合の製造後、太陽電池の、光入射に予定されない
背面に、重なり合った多数の金属層より成る背面接点が
取付けられる。有利に、第１の金属層４が、チタニウム
より成りかつ約０゜２μｍ厚である。有利に、第２の層
５が、ノミラジウムより成りかつ０１０１〜０．０２μ
ｍのわずかな厚さを有する。最後に施こされる銀層が、
１〜５μｍの相対的に大きい厚さを有する。全ての金属
層が、蒸着、ス・ξツタリングまたは、化学反応により
析出されることができる。
背面接点の製造後に、この太陽電池に熱処理工程が施こ
される。ｐｎ接合の前記浸透性さ０゜２〜Ｏ５ｌ１ｍの
場合、例えば、６９０℃〜７００℃で時間１５分の熱処
理工程が選択される。
この熱処理工程により、背面接点がベースブロック１に
抵抗接続されると判明した。この接続は、合金工程によ
るかないしは金属間結合の形成により、太陽電池の、背
面接点に隣接する面範囲内に形成される。合金フロント
ないしは金属間結合のフロントが、表面ゾーン２を貫通
して延び、その結果この範囲内のｐｎ接合が無効になる
。これら２つのゾーン間の短絡を確実に回避ないしは除
去するため、ｐｎ接合が、さらに有利に背面接点の周縁
部分で分離される。例えばこのことが、図面によれば、
背面接点を全面的に包囲する環状または枠形の溝１０を
レーザ光束を使用し形成することにより行なわれること
ができる。他の分離の方法は、半導体ウェーハの、その
背面周縁部のエツジをｐｎ接合の分離下に研削すること
にある。前記操作法によるｐｎ接合の遮断は、接点を施
こす前またはその後に行なわれることができる。
背面接点が設けられた太陽電池を熱処理した後、前面接
点７が、半導体ウェー・・の、光入射に所定の前面側８
に取付けられる。この前面接点は条導体装置より成り、
この装置は指状構造または格子構造として形成されてよ
くかつ、光入射に使用可能な面積のできるだけわずかな
分量を使用すべきである。同じく有利に前面接点は、チ
タニウム−パラジウム−銀連続層より成る。さらに挙げ
られるのが、この太陽電池は、自体常用の方法で反射防
止層が設けられてよく、かつ最後に他の太陽電池と接続
されて種々多様な用途の太陽電池発電機とされうろこと
である。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明による太陽電池の１実施例の構造を略示
する斜視図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、背面接点を有しかつ前面接点としての条導体装置を
    有する板状の半導体ブロックより成る太陽電池において
    、第２の導電モードのゾーン（２）が第１の導電モード
    の半導体ブロック（１）へ全面的に施こされ、かつ背面
    接点（４，５，６）が、第２の導電モードのゾーン（２
    ）を貫通して第１の導電モードの半導体ブロック（１）
    に抵抗接続されていルコとを特徴とする太陽電池。 ２、裏面接点（４，５，６）が、半導体ブロックから出
    発しチタニウム層ノぐラジウム−銀の連続層より成るこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 ３、チタニウム層（４）が約０．２μｍ厚、パラジウム
    層（５）が約０．０１〜０．０２　ｌ１ｍ厚および銀層
    （６）が約１５分実施であることを特徴とする特許請求
    の範囲第２項記載の太陽電池。 ４、背面接点を有しかつ前面接点としての条導体装置を
    有する板状の半導体ブロックより成り、第２の導電モー
    ドのゾーン（２）が第１の導電モードの半導体ブロック
    （１）へ全面的に施こされ、かつ背面接点（４，５，６
    ）が、第２の導電モードのゾーン（２）を貫通して第１
    の導電モードの半導体ブロック（１）に抵抗接続されて
    いる太陽電池を製造するに当り、差当り多層の背面接点
    （４，５，６）を半導体ブロックに施こし、かつその後
    にこの半導体装置に熱処理を施こし、その場合第１の導
    電モードの半導体ブロック（１）および金属接点間の抵
    抗接続を形成することを特徴とする太陽電池の製造法。 ５、熱処理工程が、第２の導電モードの約０．２〜０．
    ５μｍ厚のゾーンの場合、温度約７００℃で約１５分実
    施されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    太陽電池の製造法。 ６．熱処理工程の前捷だけその後に、ｐｎ接合が背面接
    点の外側で遮断されることを特徴とする特許請求の範囲
    第４まだは第５項のいずれか１項に記載の太陽電池の製
    造法。 ７、熱処理工程後に、前面接点が製造されることを特徴
    とする特許請求の範囲第４項から第６項までのいずれか
    １項に記載の太陽電池の製造法。
JP59087998A 1983-05-05 1984-05-02 太陽電池およびその製造法 Pending JPS59207672A (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS59207672A true JPS59207672A (ja) 1984-11-24

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ID=6198222

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DE (1) DE3316417A1 (ja)

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