JPH03237744A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03237744A JPH03237744A JP3433690A JP3433690A JPH03237744A JP H03237744 A JPH03237744 A JP H03237744A JP 3433690 A JP3433690 A JP 3433690A JP 3433690 A JP3433690 A JP 3433690A JP H03237744 A JPH03237744 A JP H03237744A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板上に生じた段差を、硼隣珪酸ガラ
ス（以下ＢＰＳＧ）膜を堆積し、フローすることで平坦
化する半導体装置の製造方法に関するものである。
ス（以下ＢＰＳＧ）膜を堆積し、フローすることで平坦
化する半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置の微細化、集積化が進む中で、半導体
基板に生じた段差は、大きなものとなり、その平坦化の
ためにフローしやすいＢＰＳＧ膜が使用されている。
基板に生じた段差は、大きなものとなり、その平坦化の
ためにフローしやすいＢＰＳＧ膜が使用されている。
以下に、従来の半導体基板上に生じた段差の平坦化方法
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は、従来の製造方法による平
坦化の工程順断面図である。まず、第２図（ａ）のよう
に、半導体基板１上に生した下地段差２にＢＰＳＧ膜３
を化学的気相成長（以下ＣＶＤと略す）により堆積する
。続いて、拡散炉においてＮ２雰囲気または酸化雰囲気
中で熱処理する。これにより、第２図（ｂ）のように、
ＢＰＳＧ膜３が溶解し、流動するため表面に平滑な面が
得られる。以上のようにして、半導体基板上に生じた段
差は平坦化される。
坦化の工程順断面図である。まず、第２図（ａ）のよう
に、半導体基板１上に生した下地段差２にＢＰＳＧ膜３
を化学的気相成長（以下ＣＶＤと略す）により堆積する
。続いて、拡散炉においてＮ２雰囲気または酸化雰囲気
中で熱処理する。これにより、第２図（ｂ）のように、
ＢＰＳＧ膜３が溶解し、流動するため表面に平滑な面が
得られる。以上のようにして、半導体基板上に生じた段
差は平坦化される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の製造方法では、第２図（ｂ）
に示すように、熱処理の際に蒸発したボロンやリンがＢ
ＰＳＧ膜表面で再結晶化し、平滑なりＰＳＧ膜３上に析
出型微粒子５が形成される。
に示すように、熱処理の際に蒸発したボロンやリンがＢ
ＰＳＧ膜表面で再結晶化し、平滑なりＰＳＧ膜３上に析
出型微粒子５が形成される。
この析出型微粒子５が発生すると、この後に、ＢＰＳＧ
膜３上膜形上する配線の歩留や信頼性に問題が生じる。
膜３上膜形上する配線の歩留や信頼性に問題が生じる。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、フロー中
に析出型微粒子を発生させることなく平滑な表面を得る
ことのできる半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
に析出型微粒子を発生させることなく平滑な表面を得る
ことのできる半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の製造方法では、Ｂ
ＰＳＧ膜を堆積した後、多結晶シリコン膜でＢＰＳＧ膜
を被覆し、酸化雰囲気中で熱処理することで多結晶シリ
コン膜を酸化するとともにＢＰＳＧ膜をフローすること
で平滑な表面を得る。
ＰＳＧ膜を堆積した後、多結晶シリコン膜でＢＰＳＧ膜
を被覆し、酸化雰囲気中で熱処理することで多結晶シリ
コン膜を酸化するとともにＢＰＳＧ膜をフローすること
で平滑な表面を得る。
作用
この製造方法により、ＢＰＳＧ膜を熱処理しフローする
際に、析出型微粒子が発生することがなく、後の配線工
程に対し歩留および信頼性の高い平滑な表面を形成する
ことができる。
際に、析出型微粒子が発生することがなく、後の配線工
程に対し歩留および信頼性の高い平滑な表面を形成する
ことができる。
実施例
以下に、本発明の実施例の半導体装置の製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。第１図（ａ）〜（ｅ
）は、本発明による平坦化の工程順断面図である。まず
、第１図（ａ）のように、半導体基板１上に生じた下地
段差２にＢＰＳＧ膜３をＣＶＤにより堆積する。続いて
、第１図（ｂ）のように、ＢＰＳＧ膜３上膜形上晶シリ
コン膜４を５０〜２００Ａの膜厚で被覆する。次に第１
図（Ｃ）のように、拡散炉において９００℃の温度で酸
化雰囲気により熱処理し、ＢＰＳＧ膜３を溶解し、流動
させる。拡散炉において熱処理する際、ＢＰＳＧ膜３は
多結晶シリコン膜２により被覆されているため、ボロン
やリンが蒸発することがなく、析出型微粒子の発生を防
止することができる。また、ＢＰＳＧ膜３を被覆した多
結晶シリコン膜４は、２００Ａ以下と非常に薄いために
、熱処理の際のＢ Ｐ Ｓ ＧＨの流動を阻止すること
がなく平滑な表面が得られ、多結晶シリコン膜４の膜厚
が５０Ａ以下では析出微粒子発生を阻止することが出来
ない。さらに、酸化雰囲気中で熱処理するため、被覆し
た多結晶シリコン膜４は完全に酸化され、配線層間の絶
縁に問題を与えることはない。以上のようにして、半導
体基板上に生じた段差は平坦化され、析出型微粒子のな
い平滑な表面が得られる。
て、図面を参照しながら説明する。第１図（ａ）〜（ｅ
）は、本発明による平坦化の工程順断面図である。まず
、第１図（ａ）のように、半導体基板１上に生じた下地
段差２にＢＰＳＧ膜３をＣＶＤにより堆積する。続いて
、第１図（ｂ）のように、ＢＰＳＧ膜３上膜形上晶シリ
コン膜４を５０〜２００Ａの膜厚で被覆する。次に第１
図（Ｃ）のように、拡散炉において９００℃の温度で酸
化雰囲気により熱処理し、ＢＰＳＧ膜３を溶解し、流動
させる。拡散炉において熱処理する際、ＢＰＳＧ膜３は
多結晶シリコン膜２により被覆されているため、ボロン
やリンが蒸発することがなく、析出型微粒子の発生を防
止することができる。また、ＢＰＳＧ膜３を被覆した多
結晶シリコン膜４は、２００Ａ以下と非常に薄いために
、熱処理の際のＢ Ｐ Ｓ ＧＨの流動を阻止すること
がなく平滑な表面が得られ、多結晶シリコン膜４の膜厚
が５０Ａ以下では析出微粒子発生を阻止することが出来
ない。さらに、酸化雰囲気中で熱処理するため、被覆し
た多結晶シリコン膜４は完全に酸化され、配線層間の絶
縁に問題を与えることはない。以上のようにして、半導
体基板上に生じた段差は平坦化され、析出型微粒子のな
い平滑な表面が得られる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、半導体基板上に生じた
段差にＢＰＳＧ膜を堆積し、５０〜２００Ａ以下の多結
晶シリコン膜で被覆した後、ＢＰＳＧ膜のフローを酸化
雰囲気中にて実施することにより、ＢＰＳＧ膜が多結晶
シリコン膜で被覆されているためボロンやリンの蒸発が
なくなり、析出型微粒子の発生が防止され、酸化雰囲気
中でフローするため、多結晶シリコン膜は完全に酸化さ
れ、配線層間の絶縁性において問題はなく、多結晶シリ
コン膜は２０ＯＡ以下と薄いため、ＢＰＳＧ膜の流動を
阻止することはなく、平滑な面が得られることになり、
後の配線工程に対し歩留および信頼性の高い平滑な面を
得ることができる。
段差にＢＰＳＧ膜を堆積し、５０〜２００Ａ以下の多結
晶シリコン膜で被覆した後、ＢＰＳＧ膜のフローを酸化
雰囲気中にて実施することにより、ＢＰＳＧ膜が多結晶
シリコン膜で被覆されているためボロンやリンの蒸発が
なくなり、析出型微粒子の発生が防止され、酸化雰囲気
中でフローするため、多結晶シリコン膜は完全に酸化さ
れ、配線層間の絶縁性において問題はなく、多結晶シリ
コン膜は２０ＯＡ以下と薄いため、ＢＰＳＧ膜の流動を
阻止することはなく、平滑な面が得られることになり、
後の配線工程に対し歩留および信頼性の高い平滑な面を
得ることができる。
第１図は本発明の実施例半導体装置の製造方法の工程順
断面図、第２図は従来例半導体装置の製造方法の工程順
断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・下地段差、
３・・・・・・ＢＰＳＧ膜、４・・・・・・多結晶シリ
コン膜、５・・・・・・析出型微粒子。
断面図、第２図は従来例半導体装置の製造方法の工程順
断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・下地段差、
３・・・・・・ＢＰＳＧ膜、４・・・・・・多結晶シリ
コン膜、５・・・・・・析出型微粒子。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された段差上に硼隣珪酸ガラス膜を
堆積する工程と、前記硼隣珪酸ガラス膜に多結晶シリコ
ン膜を堆積する工程と、酸化雰囲気で熱処理して、前記
多結晶シリコン膜を酸化するとともに、前記硼隣珪酸ガ
ラス膜を溶融平坦化する工程とを備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3433690A JPH03237744A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3433690A JPH03237744A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237744A true JPH03237744A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12411302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3433690A Pending JPH03237744A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03237744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169026B1 (en) | 1995-11-20 | 2001-01-02 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for planarization of semiconductor device including pumping out dopants from planarization layer separately from flowing said layer |
| CN1080928C (zh) * | 1995-11-20 | 2002-03-13 | 现代电子产业株式会社 | 半导体器件的平整方法 |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3433690A patent/JPH03237744A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169026B1 (en) | 1995-11-20 | 2001-01-02 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for planarization of semiconductor device including pumping out dopants from planarization layer separately from flowing said layer |
| CN1080928C (zh) * | 1995-11-20 | 2002-03-13 | 现代电子产业株式会社 | 半导体器件的平整方法 |
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