JPS61152043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、表面平坦化技術を用いて集積回路を形成す
る半導体装置の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、第２図に示す様に絶縁膜７にリンガラス（通称Ｐ
８Ｇ）′ｔ−用い、そｎを高温で熱処理する事に依り半
導体表面を平坦化し九半導体装置の製造方法が知らｎて
いた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、従来の半導体装置の製造方法は、表面を平坦化
するためにリンガラス絶縁膜７を約１０００℃位の高温
で数１０分間、熱処理する几め、トランジスタの一部を
形成する不純物拡散層２の不純物が熱拡散せざるを得す
、そ：ｎｔ−考慮に入ｎてパターン設計すると、トラン
ジスタの専有面積が、広くなり、トランジスタの微細化
、−回路の高集積化には同かなかつ比。

そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、従来のこの
様な欠点を解決するため、比較的低温で、凹凸を有す半
導体基板の表面を絶縁膜を被ってその表面をなだらかに
しようとしたものである。

〔問題点を解決する九めの手段〕

上記問題点を解決するために、本発明は、凹凸を有する
半導体基板表面に被覆性の良い非晶質シリコンをプラズ
マ雰囲気で堆積させ、その非晶質シリコン層を酸化雰囲
気中で、低温酸化する事に依り、不純物の熱拡散を防止
する様にし比。

〔作用〕

非晶質シリコンをプラズマ雰囲気で形成すると半導体表
面の凹凸をきｎいに被覆し、その表面もなだらかになる
。この非晶質シリコンは、多結晶シリコンに比べ、低温
でも充分酸化する九め、この非晶質シリコンを低温でウ
ェット酸化する事に依って半導体表面を平坦化しかつ絶
縁化している。酸化温度が低温の次め、その酸化による
不純物の熱拡散は、はとんどなくトランジスタの微細化
、及び高集積化が、容易となる。

〔実施例〕

以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する
。第１図ｂ）Ｋ於いて単結晶シリコン基板１に、不純物
を拡散させ、トランジスタのソース、ドレインとなる不
純物拡散層２′ｆ、通常の半導体技術を用いて形成する
。その上にシリコン酸化膜８を、熱酸化法や、ＯＶＤ法
と、フォトリソ技術を用い形成する。さらにその後、ト
ランジスタのゲート及び配線の役割をする多結晶シリコ
ン配線４ｆ、ＯＶＤ法と、フォトリソ技術を用い形成す
る。この多結晶シリコン配線４迄を形成し終えた段階で
の表面状態は、２〜８０００Ａから７〜８０００Ａの比
較的急峻な凹凸が形成さｎている。

この凹凸を充分被覆する様にこの表面に約４０００ムの
非晶質シリコンＩＪ４５を、プラズマ雰囲気中でシラン
ガスを分解する事に依り堆積させる。この後、約６００
℃でウェット酸化する事に依り第１図Ｃｂ）に示す様に
非晶質シリコン膜５が完全に酸化させ、シリコン酸化膜
６を形成する。この時、多結晶シリコン配線４はほとん
ど酸化さｎなかった。シリコン酸化膜６の表面はなだら
かな起伏を有する表面状態を示し、第２図のリンガラス
絶縁！ｇ！を用い比表面状態と遜色なかつ九。

〔発明の効果〕

比較的低温な熱工程で、急峻な凹凸を被覆し、平坦な表
面状態をもつ絶縁膜が形成でき、多Ｍ配線を容易にする
とともに、不純物の熱拡散−をおさえ、半導体装置の微
細化、高集積化を促進するとともに、トランジスタの閾
値制御も容易和する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ロ）、の）は、この発明の半導体装置の製造方
法の工程順の断面図、第２図は従来の半導体装置の製造
方法により作らｎた半導体装置の断面図である。 ５０．非晶質シリコン膜 ６１．シリコン酸化膜 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　最　上　　　　務 第１図（ｂ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）凹凸の表面を有する半導体基板に非晶質シリコン
   を堆積させ、前記非晶質シリコンを酸化させる事により
   、前記非晶質シリコンを酸化シリコンにかえて絶縁膜と
   し、前記半導体基板の表面が前記絶縁膜で被う事により
   、起伏のゆるやか表面となす半導体装置の製造方法。
2. （２）前記非晶質シリコンをシランガスをグロー放電し
   て堆積させた事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の半導体装置の製造方法。