JPH0590425A - 多層配線形成法 - Google Patents
多層配線形成法Info
- Publication number
- JPH0590425A JPH0590425A JP27713391A JP27713391A JPH0590425A JP H0590425 A JPH0590425 A JP H0590425A JP 27713391 A JP27713391 A JP 27713391A JP 27713391 A JP27713391 A JP 27713391A JP H0590425 A JPH0590425 A JP H0590425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- wiring layer
- deposited
- connection hole
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線形成法において、高信頼の層間接続
部を簡単に得る。 【構成】 半導体基板１０の表面を覆う絶縁膜１２の上
に第１の配線層１４を形成した後、配線層１４を覆って
ＰＳＧ等の第１の堆積絶縁膜１６、ＳＯＧ等の塗布絶縁
膜１８及びＢＰＳＧ等の第２の堆積絶縁膜２０を含む層
間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜に対して選択エッ
チングにより塗布絶縁膜１８にアンダーカットが生ずる
ように接続孔を形成した後、堆積絶縁膜２０を流動化す
べくアニール処理を行なうことにより接続孔内で塗布絶
縁膜１８の端縁を堆積絶縁膜２０で覆うと同時に堆積絶
縁膜２０を接続孔の開口端に相当する部分で丸める。こ
の後、接続孔を介して第１の配線層１４と接続されるよ
うに第２の配線層２２を堆積絶縁膜２０の上に形成す
る。
部を簡単に得る。 【構成】 半導体基板１０の表面を覆う絶縁膜１２の上
に第１の配線層１４を形成した後、配線層１４を覆って
ＰＳＧ等の第１の堆積絶縁膜１６、ＳＯＧ等の塗布絶縁
膜１８及びＢＰＳＧ等の第２の堆積絶縁膜２０を含む層
間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜に対して選択エッ
チングにより塗布絶縁膜１８にアンダーカットが生ずる
ように接続孔を形成した後、堆積絶縁膜２０を流動化す
べくアニール処理を行なうことにより接続孔内で塗布絶
縁膜１８の端縁を堆積絶縁膜２０で覆うと同時に堆積絶
縁膜２０を接続孔の開口端に相当する部分で丸める。こ
の後、接続孔を介して第１の配線層１４と接続されるよ
うに第２の配線層２２を堆積絶縁膜２０の上に形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩ等の製造に用
いるに好適な多層配線形成法に関し、特に第１及び第２
の堆積絶縁膜の間に塗布絶縁膜を介在させた層間絶縁膜
に対して選択エッチングにより塗布絶縁膜にアンダーカ
ットが生ずるように接続孔を形成した後第２の堆積絶縁
膜を流動化すべくアニール処理を行なうことにより高信
頼の層間接続部が簡単に得られるようにしたものであ
る。
いるに好適な多層配線形成法に関し、特に第１及び第２
の堆積絶縁膜の間に塗布絶縁膜を介在させた層間絶縁膜
に対して選択エッチングにより塗布絶縁膜にアンダーカ
ットが生ずるように接続孔を形成した後第２の堆積絶縁
膜を流動化すべくアニール処理を行なうことにより高信
頼の層間接続部が簡単に得られるようにしたものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の多層配線を形成する方
法としては、図６〜８に示す方法が知られている。
法としては、図６〜８に示す方法が知られている。
【０００３】図６の工程では、半導体基板１０の表面を
覆う絶縁膜１２の上に第１の配線層１４を形成した後、
ＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジション）法等によ
り配線層１４を覆って基板上面に第１の堆積絶縁膜１６
を形成する。
覆う絶縁膜１２の上に第１の配線層１４を形成した後、
ＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジション）法等によ
り配線層１４を覆って基板上面に第１の堆積絶縁膜１６
を形成する。
【０００４】図７の工程では、基板上面にＳＯＧ（スピ
ン・オン・ガラス）を回転塗布するなどして絶縁膜１６
を覆うように塗布絶縁膜１８を形成する。これは、配線
段差を軽減して基板上面を平坦化するためである。この
後、周知のエッチバック技術により絶縁膜１８をエッチ
して絶縁膜１６を配線層１４の上方で露出させる。これ
は、吸湿性の絶縁膜１８が後述の接続孔内に露出するの
を防ぐためである。
ン・オン・ガラス）を回転塗布するなどして絶縁膜１６
を覆うように塗布絶縁膜１８を形成する。これは、配線
段差を軽減して基板上面を平坦化するためである。この
後、周知のエッチバック技術により絶縁膜１８をエッチ
して絶縁膜１６を配線層１４の上方で露出させる。これ
は、吸湿性の絶縁膜１８が後述の接続孔内に露出するの
を防ぐためである。
【０００５】図８の工程では、ＣＶＤ法等により基板上
面に第２の堆積絶縁膜２０を形成する。そして、絶縁膜
１６，１８，２０からなる層間絶縁膜に対して選択エッ
チングにより接続孔を形成した後、この接続孔を介して
配線層１４と接続されるように第２の配線層２２を層間
絶縁膜２０の上に形成する。
面に第２の堆積絶縁膜２０を形成する。そして、絶縁膜
１６，１８，２０からなる層間絶縁膜に対して選択エッ
チングにより接続孔を形成した後、この接続孔を介して
配線層１４と接続されるように第２の配線層２２を層間
絶縁膜２０の上に形成する。
【０００６】吸湿性の絶縁膜１８は、図７の工程でエッ
チバックされたことにより接続孔の内部で配線層２２と
接触することがなくなる。従って、配線腐食等が防止さ
れ、高信頼の層間接続部が得られる。
チバックされたことにより接続孔の内部で配線層２２と
接触することがなくなる。従って、配線腐食等が防止さ
れ、高信頼の層間接続部が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来法による
と、図７のエッチバック工程において、絶縁膜１６が配
線層１４の上方で丁度露出した時点でエッチングを停止
するのが容易でなく、エッチングの過不足が生じ易かっ
た。また、図８の配線形成工程では、接続孔の開口端近
傍で段差が急峻であるため、配線材の被覆性が良好でな
く、接続不良が生じ易かった。
と、図７のエッチバック工程において、絶縁膜１６が配
線層１４の上方で丁度露出した時点でエッチングを停止
するのが容易でなく、エッチングの過不足が生じ易かっ
た。また、図８の配線形成工程では、接続孔の開口端近
傍で段差が急峻であるため、配線材の被覆性が良好でな
く、接続不良が生じ易かった。
【０００８】この発明の目的は、これらの問題点を解決
した新規な多層配線形成法を提供することにある。
した新規な多層配線形成法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明による多層配線
形成法は、（ａ）基板の絶縁性表面の上に第１の配線層
を形成する工程と、（ｂ）前記第１の配線層を覆って前
記基板の絶縁性表面の上に第１の堆積絶縁膜、塗布絶縁
膜及び第２の堆積絶縁膜を順次に形成して層間絶縁膜を
構成する工程と、（ｃ）前記塗布絶縁膜にアンダーカッ
トが生ずるように前記層間絶縁膜に選択エッチング処理
を施して前記第１の配線層の一部に対応した接続孔を形
成する工程と、（ｄ）前記第２の堆積絶縁膜を流動化す
べくアニール処理を行なうことにより前記接続孔の内部
で前記塗布絶縁膜の端縁を前記第２の堆積絶縁膜で覆い
且つ前記第２の堆積絶縁膜を前記接続孔の開口端に相当
する部分で丸める工程と、（ｅ）前記層間絶縁膜の上に
前記接続孔を介して前記第１の配線層と接続されるよう
に第２の配線層を形成する工程とを含むものである。
形成法は、（ａ）基板の絶縁性表面の上に第１の配線層
を形成する工程と、（ｂ）前記第１の配線層を覆って前
記基板の絶縁性表面の上に第１の堆積絶縁膜、塗布絶縁
膜及び第２の堆積絶縁膜を順次に形成して層間絶縁膜を
構成する工程と、（ｃ）前記塗布絶縁膜にアンダーカッ
トが生ずるように前記層間絶縁膜に選択エッチング処理
を施して前記第１の配線層の一部に対応した接続孔を形
成する工程と、（ｄ）前記第２の堆積絶縁膜を流動化す
べくアニール処理を行なうことにより前記接続孔の内部
で前記塗布絶縁膜の端縁を前記第２の堆積絶縁膜で覆い
且つ前記第２の堆積絶縁膜を前記接続孔の開口端に相当
する部分で丸める工程と、（ｅ）前記層間絶縁膜の上に
前記接続孔を介して前記第１の配線層と接続されるよう
に第２の配線層を形成する工程とを含むものである。
【００１０】
【作用】この発明の方法によれば、アニール処理により
第２の堆積絶縁膜を流動化して第２の堆積絶縁膜で接続
孔内の塗布絶縁膜端縁を覆うようにしたので、エッチバ
ック工程なしに塗布絶縁膜と第２の配線層との接触を回
避して配線腐食を防止することができる。
第２の堆積絶縁膜を流動化して第２の堆積絶縁膜で接続
孔内の塗布絶縁膜端縁を覆うようにしたので、エッチバ
ック工程なしに塗布絶縁膜と第２の配線層との接触を回
避して配線腐食を防止することができる。
【００１１】また、アニール処理により第２の堆積絶縁
膜を流動化する時に第２の堆積絶縁膜を接続孔の開口端
相当分で丸めるようにしたので、工程数の増加なしに配
線材の被覆性を改善して接続不良を低減することができ
る。
膜を流動化する時に第２の堆積絶縁膜を接続孔の開口端
相当分で丸めるようにしたので、工程数の増加なしに配
線材の被覆性を改善して接続不良を低減することができ
る。
【００１２】
【実施例】図１〜５は、この発明の一実施例による多層
配線形成法を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（５）を順次に説明する。
配線形成法を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（５）を順次に説明する。
【００１３】（１）シリコン等の半導体基板１０の表面
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上に第１の
配線層１４を形成する。一例として、配線層１４は、低
抵抗化用不純物を含むポリシリコン層を形成した後、こ
のポリシリコン層を所望の配線パターンに従ってパター
ニングすることにより形成される。
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上に第１の
配線層１４を形成する。一例として、配線層１４は、低
抵抗化用不純物を含むポリシリコン層を形成した後、こ
のポリシリコン層を所望の配線パターンに従ってパター
ニングすることにより形成される。
【００１４】次に、基板上面には、ＣＶＤ法等により配
線層１４を覆って第１の堆積絶縁膜１６を形成する。絶
縁膜１６は、後述の塗布絶縁膜１８からの不純物を阻止
するためのもので、一例として１０〜１００ｎｍの厚さ
のＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）膜を用いた。この後、絶
縁膜１６の上には、ＳＯＧを回転塗布するなどして塗布
絶縁膜１８を形成する。ＳＯＧとしては、無機ＳＯＧを
用いたが、有機ＳＯＧを用いてもよい。なお、絶縁膜１
８の厚さは、図７で示した従来の場合より薄くてよい。
これは、後述の第２の堆積絶縁膜２０を流動化する工程
で平坦性の改善が可能であるからである。
線層１４を覆って第１の堆積絶縁膜１６を形成する。絶
縁膜１６は、後述の塗布絶縁膜１８からの不純物を阻止
するためのもので、一例として１０〜１００ｎｍの厚さ
のＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）膜を用いた。この後、絶
縁膜１６の上には、ＳＯＧを回転塗布するなどして塗布
絶縁膜１８を形成する。ＳＯＧとしては、無機ＳＯＧを
用いたが、有機ＳＯＧを用いてもよい。なお、絶縁膜１
８の厚さは、図７で示した従来の場合より薄くてよい。
これは、後述の第２の堆積絶縁膜２０を流動化する工程
で平坦性の改善が可能であるからである。
【００１５】（２）次に、絶縁膜１８の上には、ＣＶＤ
法等により第２の堆積絶縁膜２０を形成する。絶縁膜２
０は、一例としてＢＰＳＧ（ボロン・リンケイ酸ガラ
ス）膜を用いた。塗布絶縁膜１８は、配線層１４の上方
ではほとんど膜厚を期待できないため、絶縁膜１６，１
８，２０からなる層間絶縁膜の膜厚としては、絶縁膜２
０の膜厚が支配的となり、必要とする層間膜厚に応じて
絶縁膜２０の膜厚を選定する。ＢＰＳＧ膜中のドーパン
ト濃度は、後述のアニーリングによる流動化に適した様
に選定するが、例えばＰ2 Ｏ5 として３〜６ｍｏｌ％、
Ｂ2 Ｏ3 として８〜１４ｍｏｌ％程度とすることができ
る。
法等により第２の堆積絶縁膜２０を形成する。絶縁膜２
０は、一例としてＢＰＳＧ（ボロン・リンケイ酸ガラ
ス）膜を用いた。塗布絶縁膜１８は、配線層１４の上方
ではほとんど膜厚を期待できないため、絶縁膜１６，１
８，２０からなる層間絶縁膜の膜厚としては、絶縁膜２
０の膜厚が支配的となり、必要とする層間膜厚に応じて
絶縁膜２０の膜厚を選定する。ＢＰＳＧ膜中のドーパン
ト濃度は、後述のアニーリングによる流動化に適した様
に選定するが、例えばＰ2 Ｏ5 として３〜６ｍｏｌ％、
Ｂ2 Ｏ3 として８〜１４ｍｏｌ％程度とすることができ
る。
【００１６】（３）次に、絶縁膜２０の上には、所望の
接続孔に対応した開口部を有するホトレジスト層ＰＲを
形成する。そして、ホトレジスト層ＰＲをマスクとする
選択エッチング処理により絶縁膜１６，１８，２０から
なる層間絶縁膜に配線層１４の一部に対応した接続孔Ｃ
Ｈを形成する。このときの選択エッチング処理は、塗布
絶縁膜１８にアンダーカットが生ずるような条件で行な
う。例えば絶縁膜１６，２０より絶縁膜１８の方がエッ
チ速度が大となる条件を選定してエッチングを行なう方
法、又は絶縁膜１６，１８，２０についてほぼ等しいエ
ッチ速度を選定してエッチングを行なってから絶縁膜１
８を選択的にエッチングする方法等を用いることができ
る。なお、エッチングの終了後は、ホトレジスト層ＰＲ
を除去する。
接続孔に対応した開口部を有するホトレジスト層ＰＲを
形成する。そして、ホトレジスト層ＰＲをマスクとする
選択エッチング処理により絶縁膜１６，１８，２０から
なる層間絶縁膜に配線層１４の一部に対応した接続孔Ｃ
Ｈを形成する。このときの選択エッチング処理は、塗布
絶縁膜１８にアンダーカットが生ずるような条件で行な
う。例えば絶縁膜１６，２０より絶縁膜１８の方がエッ
チ速度が大となる条件を選定してエッチングを行なう方
法、又は絶縁膜１６，１８，２０についてほぼ等しいエ
ッチ速度を選定してエッチングを行なってから絶縁膜１
８を選択的にエッチングする方法等を用いることができ
る。なお、エッチングの終了後は、ホトレジスト層ＰＲ
を除去する。
【００１７】（４）次に、絶縁膜２０を流動化すべくア
ニール処理を行なう。一例として、ランプアニール装置
を用いて９５０℃、９０秒〜１１００℃、５秒のアニー
ル処理を行なったが、炉を用いるアニール処理でもよ
い。アニール処理により絶縁膜２０の表層部が流動化す
ると、絶縁膜２０の上面が平坦化すると共に絶縁膜２０
が接続孔ＣＨの開口端相当部分で丸められ、さらには絶
縁膜２０が接続孔ＣＨ内で絶縁膜１８の端縁を覆うよう
になる。
ニール処理を行なう。一例として、ランプアニール装置
を用いて９５０℃、９０秒〜１１００℃、５秒のアニー
ル処理を行なったが、炉を用いるアニール処理でもよ
い。アニール処理により絶縁膜２０の表層部が流動化す
ると、絶縁膜２０の上面が平坦化すると共に絶縁膜２０
が接続孔ＣＨの開口端相当部分で丸められ、さらには絶
縁膜２０が接続孔ＣＨ内で絶縁膜１８の端縁を覆うよう
になる。
【００１８】（５）次に、絶縁膜２０の上には、接続孔
ＣＨを介して配線層１４と接続されるように第２の配線
層２２を形成する。配線層２２は、Ａｌ又はＡｌ合金等
の配線材を絶縁膜２０上に被着した後、その被着層を所
望の配線パターンに従ってパターニングすることによっ
て形成される。
ＣＨを介して配線層１４と接続されるように第２の配線
層２２を形成する。配線層２２は、Ａｌ又はＡｌ合金等
の配線材を絶縁膜２０上に被着した後、その被着層を所
望の配線パターンに従ってパターニングすることによっ
て形成される。
【００１９】上記した製法によれば、接続孔ＣＨの内部
で絶縁膜２０により絶縁膜１８の端縁が覆われるので、
図５に示すように接続孔ＣＨの内部で配線層２２と吸湿
性の絶縁膜１８との接触が絶縁膜２０により阻止され、
配線腐食等を未然に防止することができる。また、配線
材を被着する際に図５に示すように絶縁膜２０が接続孔
ＣＨの開口端縁近傍で丸められているので、配線材の被
覆性が良好となり、接続不良を大幅に低減することがで
きる。
で絶縁膜２０により絶縁膜１８の端縁が覆われるので、
図５に示すように接続孔ＣＨの内部で配線層２２と吸湿
性の絶縁膜１８との接触が絶縁膜２０により阻止され、
配線腐食等を未然に防止することができる。また、配線
材を被着する際に図５に示すように絶縁膜２０が接続孔
ＣＨの開口端縁近傍で丸められているので、配線材の被
覆性が良好となり、接続不良を大幅に低減することがで
きる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、アニ
ール処理により堆積絶縁膜を流動化して該堆積絶縁膜で
接続孔内の塗布絶縁膜端縁を覆い且つ該堆積絶縁膜を接
続孔の開口端相当部分で丸めるようにしたので、配線腐
食や接続不良の少ない高信頼の層間接続部が得られる効
果がある。
ール処理により堆積絶縁膜を流動化して該堆積絶縁膜で
接続孔内の塗布絶縁膜端縁を覆い且つ該堆積絶縁膜を接
続孔の開口端相当部分で丸めるようにしたので、配線腐
食や接続不良の少ない高信頼の層間接続部が得られる効
果がある。
【００２１】その上、エッチバック工程が不要であると
共に工程数の増加がなく、工程的に簡単である利点もあ
る。
共に工程数の増加がなく、工程的に簡単である利点もあ
る。
【図１】〜
【図５】 この発明の一実施例による多層配線形成法を
示す基板断面図である。
示す基板断面図である。
【図６】〜
【図８】 従来の多層配線形成法を示す基板断面図であ
る。
る。
１０：半導体基板、１２：絶縁膜、１４：第１の配線
層、１６，２０：堆積絶縁膜、１８：塗布絶縁膜、２
２：第２の配線層、ＣＨ：接続孔。
層、１６，２０：堆積絶縁膜、１８：塗布絶縁膜、２
２：第２の配線層、ＣＨ：接続孔。
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）基板の絶縁性表面の上に第１の配線
層を形成する工程と、 （ｂ）前記第１の配線層を覆って前記基板の絶縁性表面
の上に第１の堆積絶縁膜、塗布絶縁膜及び第２の堆積絶
縁膜を順次に形成して層間絶縁膜を構成する工程と、 （ｃ）前記塗布絶縁膜にアンダーカットが生ずるように
前記層間絶縁膜に選択エッチング処理を施して前記第１
の配線層の一部に対応した接続孔を形成する工程と、 （ｄ）前記第２の堆積絶縁膜を流動化すべくアニール処
理を行なうことにより前記接続孔の内部で前記塗布絶縁
膜の端縁を前記第２の堆積絶縁膜で覆い且つ前記第２の
堆積絶縁膜を前記接続孔の開口端に相当する部分で丸め
る工程と、 （ｅ）前記層間絶縁膜の上に前記接続孔を介して前記第
１の配線層と接続されるように第２の配線層を形成する
工程とを含む多層配線形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277133A JP3064575B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 多層配線形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277133A JP3064575B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 多層配線形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590425A true JPH0590425A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3064575B2 JP3064575B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=17579254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3277133A Expired - Fee Related JP3064575B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 多層配線形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064575B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020085397A (ko) * | 2001-05-08 | 2002-11-16 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| CN1122301C (zh) * | 1997-03-31 | 2003-09-24 | 日本电气株式会社 | 利用平面化技术制造半导体器件的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7025594B1 (ja) | 2021-09-17 | 2022-02-24 | 松本油脂製薬株式会社 | 撥水繊維用処理剤及びその利用 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3277133A patent/JP3064575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1122301C (zh) * | 1997-03-31 | 2003-09-24 | 日本电气株式会社 | 利用平面化技术制造半导体器件的方法 |
| KR20020085397A (ko) * | 2001-05-08 | 2002-11-16 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3064575B2 (ja) | 2000-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4350337B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6174810B1 (en) | Copper interconnect structure and method of formation | |
| JP3501937B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7304386B2 (en) | Semiconductor device having a multilayer wiring structure | |
| JP2518435B2 (ja) | 多層配線形成法 | |
| JPH05304213A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5750403A (en) | Method of forming multi-layer wiring utilizing hydrogen silsesquioxane resin | |
| JP3193335B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100319588B1 (ko) | 배선구조의 형성방법 | |
| JP2000323479A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0969522A (ja) | 埋め込み導電層の形成方法 | |
| US20010018273A1 (en) | Method of fabricating copper interconnecting line | |
| JPH0590425A (ja) | 多層配線形成法 | |
| KR0149468B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPH05206282A (ja) | 半導体装置の多層配線構造体の製造方法 | |
| JP3323264B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100286253B1 (ko) | 질소플라즈마를 이용한 선택적 금속박막 증착방법 및 그를 이용한 다층금속 연결배선 방법 | |
| JPH08264535A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1074837A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100324020B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR100458589B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| JPH07106326A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04107924A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06151410A (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JPH02174250A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |