JPH04107924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04107924A JPH04107924A JP22720290A JP22720290A JPH04107924A JP H04107924 A JPH04107924 A JP H04107924A JP 22720290 A JP22720290 A JP 22720290A JP 22720290 A JP22720290 A JP 22720290A JP H04107924 A JPH04107924 A JP H04107924A
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置のテトラエトキシシラン（ＴＥ０１）等のシ
リコンアルコキシドとオゾンを原料ガスとして用いる化
学気相成長法により所定厚さの層間絶縁層を形成する方
法に関し。
リコンアルコキシドとオゾンを原料ガスとして用いる化
学気相成長法により所定厚さの層間絶縁層を形成する方
法に関し。
ＴＥ０１等が特徴とする表面の平坦な層間絶縁層を形成
可能とするために、金属や半導体から成る導電層上と該
導電層の下地となる絶縁層上における成長速度差の影響
が防止された形成方法を提供することを目的とし。
可能とするために、金属や半導体から成る導電層上と該
導電層の下地となる絶縁層上における成長速度差の影響
が防止された形成方法を提供することを目的とし。
絶縁層上に該絶縁層を部分的に表出するようにして金属
層もしくは半導体層が形成された基板上に、４５０℃以
下で行う低温化学気相成長法、とくにシラン（ＳｉＨ４
）と亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を原料ガスとするプラズマ化
学気相成長法またはシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）
を原料ガスとする減圧もしくは常圧化学気相成長法によ
り薄い酸化膜を形成する工程と。
層もしくは半導体層が形成された基板上に、４５０℃以
下で行う低温化学気相成長法、とくにシラン（ＳｉＨ４
）と亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を原料ガスとするプラズマ化
学気相成長法またはシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）
を原料ガスとする減圧もしくは常圧化学気相成長法によ
り薄い酸化膜を形成する工程と。
シリコンアルコキシドとオゾンを原料ガスとする化学気
相成長法を用いて厚い酸化膜を該薄い酸化膜上に形成す
る工程とを含むことから構成される。
相成長法を用いて厚い酸化膜を該薄い酸化膜上に形成す
る工程とを含むことから構成される。
本発明は、半導体装置のテトラエトキシシラン（ＴＥ０
１）等のシリコンアルコキシドとオゾンを原料ガスとし
て用いる化学気相成長法により所定厚さの層間絶縁層を
形成する方法に関する。
１）等のシリコンアルコキシドとオゾンを原料ガスとし
て用いる化学気相成長法により所定厚さの層間絶縁層を
形成する方法に関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路の高密度化およびゲート数の増大にとも
なって、配線敷設密度が増加し、また。
なって、配線敷設密度が増加し、また。
配線パターンが複雑になる傾向にある。このため。
多層配線の導入が一般的になっている。配線が多層化す
るのにともなって１層間絶縁層表面における段差が大き
くなる。この段差は、一方で９層間絶縁層上に形成され
る配線層のカバレッジや微細配線のパターンニングを困
難にし、配線敷設密度や微細化に限界を生じる要因とな
る。
るのにともなって１層間絶縁層表面における段差が大き
くなる。この段差は、一方で９層間絶縁層上に形成され
る配線層のカバレッジや微細配線のパターンニングを困
難にし、配線敷設密度や微細化に限界を生じる要因とな
る。
このために２段差を有する層間絶縁層表面に。
いわゆるスピンオングラス（ＳＯＧ）と呼ばれる珪酸化
合物溶液を塗布し、これをエッチバックする平坦化方法
がある。しかし、 ＳＯＣの塗布・ベーキングあるいは
エッチバック等に長時間を要し、また。
合物溶液を塗布し、これをエッチバックする平坦化方法
がある。しかし、 ＳＯＣの塗布・ベーキングあるいは
エッチバック等に長時間を要し、また。
ＳＯＧから成る絶縁層の電気的耐圧が充分でないために
、 ＳＯＧ絶縁層を避けてコンタクトホールを形成する
必要がある等、レイアウト上の制約が生じる問題がある
。
、 ＳＯＧ絶縁層を避けてコンタクトホールを形成する
必要がある等、レイアウト上の制約が生じる問題がある
。
これに対して、テトラエトキシシラン［ＴＥ０１：５ｉ
（ＯＣＪ−）４：１等のシリコンアルコキシドのような
シリコン有機化合物のガスとオゾン（Ｏ３）とを原料ガ
スとする化学気相成長（ＣＶＤ）法が注目されている。
（ＯＣＪ−）４：１等のシリコンアルコキシドのような
シリコン有機化合物のガスとオゾン（Ｏ３）とを原料ガ
スとする化学気相成長（ＣＶＤ）法が注目されている。
これは、 ＴＥ０１−０．系のＣＶＤによる５ｉＯｚ層
は、配線層による段差を緩やかにするように成長し、あ
たかも、リフロー処理を行ったような表面を呈するため
、この上にカバレッジが良好な配線層等を形成できるの
である。
は、配線層による段差を緩やかにするように成長し、あ
たかも、リフロー処理を行ったような表面を呈するため
、この上にカバレッジが良好な配線層等を形成できるの
である。
しかしながら、 ＴＥ０１−Ｏｘ系ガスを用いるＣＶＤ
による５ｉＯｚ膜の成長速度には、下地依存性があるこ
とが知られている。例えば、第３図は、 ＴＥ０１−Ｏ
ｓ系ガスのＣＶＤによる５１０２膜の、シリコン（Ｓｉ
）表面上と酸化膜上における成長速度の違いを示すグラ
フであって、成長初期の段階で、酸化膜上での成長速度
が低いことが分かる。この傾向は、下地の前処理、とく
に酸溶液中への浸漬と水洗を繰り返す湿式処理によって
も影響を受け、酸化膜上にはほとんど成長しない場合も
生じる。その結果１層間絶縁層表面における段差がより
強調され、 ＴＥ０１−０３系ガスを用いるＣＶＤの長
所を充分発揮することができない。
による５ｉＯｚ膜の成長速度には、下地依存性があるこ
とが知られている。例えば、第３図は、 ＴＥ０１−Ｏ
ｓ系ガスのＣＶＤによる５１０２膜の、シリコン（Ｓｉ
）表面上と酸化膜上における成長速度の違いを示すグラ
フであって、成長初期の段階で、酸化膜上での成長速度
が低いことが分かる。この傾向は、下地の前処理、とく
に酸溶液中への浸漬と水洗を繰り返す湿式処理によって
も影響を受け、酸化膜上にはほとんど成長しない場合も
生じる。その結果１層間絶縁層表面における段差がより
強調され、 ＴＥ０１−０３系ガスを用いるＣＶＤの長
所を充分発揮することができない。
本発明は上記問題点を解決し、 ＴＥ０１−０３系ガス
によるＣＶＤが特徴とする表面の平坦な層間絶縁層を形
成可能とするために、金属や半導体から成る導電層上と
該導電層の下地となる絶縁層上における成長速度差の影
響が防止された形成方法を提供することを目的とする。
によるＣＶＤが特徴とする表面の平坦な層間絶縁層を形
成可能とするために、金属や半導体から成る導電層上と
該導電層の下地となる絶縁層上における成長速度差の影
響が防止された形成方法を提供することを目的とする。
上記目的は、金属もしくは半導体から成る導電層と絶縁
層とが表出する基板上に成長速度の下地選択性を示さな
い第１の化学気相成長法を用いて薄い酸化膜を形成する
工程と、シリコンアルコキシドとオゾンを成長原料ガス
とする第２の化学気相成長法を用いて厚い酸化膜を該薄
い酸化膜上に形成する工程とを含むことを特徴とする本
発明に係る半導体装置の製造方法、とくに、該薄い酸化
膜の成長を４５０℃以下の低温化学気相成長法９例えば
シラン（ＳｉＨ＜）と亜酸化窒素（Ｎｅｏ）を原料ガス
として用いる該プラズマ化学気相成長法またはシラン（
Ｓｉ）ｆ４）と酸素（Ｏ２）を原料ガスとして用いる減
圧もしくは常圧化学気相成長法で行うことを特徴とする
本発明に係る半導体装置の製造方法によって達成される
。
層とが表出する基板上に成長速度の下地選択性を示さな
い第１の化学気相成長法を用いて薄い酸化膜を形成する
工程と、シリコンアルコキシドとオゾンを成長原料ガス
とする第２の化学気相成長法を用いて厚い酸化膜を該薄
い酸化膜上に形成する工程とを含むことを特徴とする本
発明に係る半導体装置の製造方法、とくに、該薄い酸化
膜の成長を４５０℃以下の低温化学気相成長法９例えば
シラン（ＳｉＨ＜）と亜酸化窒素（Ｎｅｏ）を原料ガス
として用いる該プラズマ化学気相成長法またはシラン（
Ｓｉ）ｆ４）と酸素（Ｏ２）を原料ガスとして用いる減
圧もしくは常圧化学気相成長法で行うことを特徴とする
本発明に係る半導体装置の製造方法によって達成される
。
ＳｉＨ，とＮ２Ｏを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法。
または、 ＳｉＨ４と０２を原料ガスとする減圧もしく
は常圧ＣＶＤ法等により４５０°Ｃ以下の低温でＳｉＯ
□膜を成長させる場合、成長速度に下地選択性は現れな
い。しかし、これらの成長方法では、高アスペクト比の
凹部に対するカバレッジが充分でないために、第４図に
示すように９例えば配線層３の側面には、 ＳｉＯ２膜
４がオーバーハング状に成長しやすい。したがって、上
記ＣＶＤ法は比較的厚い層間絶縁層を形成する方法とし
ては充分なものと言えあい。なお、同図におけるその他
の符号は、１は基板、２は下地の絶縁層含である。
は常圧ＣＶＤ法等により４５０°Ｃ以下の低温でＳｉＯ
□膜を成長させる場合、成長速度に下地選択性は現れな
い。しかし、これらの成長方法では、高アスペクト比の
凹部に対するカバレッジが充分でないために、第４図に
示すように９例えば配線層３の側面には、 ＳｉＯ２膜
４がオーバーハング状に成長しやすい。したがって、上
記ＣＶＤ法は比較的厚い層間絶縁層を形成する方法とし
ては充分なものと言えあい。なお、同図におけるその他
の符号は、１は基板、２は下地の絶縁層含である。
本発明においては、第１図に示すように２例えばアルミ
ニウム（ＡＩ）から成る配線層３が形成された基板ｌ上
に、上記低温成長が可能なＣＶＤ法によって５ｉＣＬ膜
４１を形成し、下地絶縁層２および配線層３表面を覆っ
てしまったのち、 ＴＥ０１−０３系のガスを用いるＣ
ＶＤ法によって５ｉＯｚ膜５を形成する。
ニウム（ＡＩ）から成る配線層３が形成された基板ｌ上
に、上記低温成長が可能なＣＶＤ法によって５ｉＣＬ膜
４１を形成し、下地絶縁層２および配線層３表面を覆っ
てしまったのち、 ＴＥ０１−０３系のガスを用いるＣ
ＶＤ法によって５ｉＯｚ膜５を形成する。
ＳｉＯ□膜５は、 ＳｉＯ□膜４１膜上１下地の絶縁層
２表面および配線層３表面の影響を直接受けなくなり。
２表面および配線層３表面の影響を直接受けなくなり。
その結果、配線層３による段差を緩やかにするような表
面を呈して成長するため、 ＴＥ０１−０３系のガスを
用いるＣＶＤ法本来の特徴を発揮可能となる。
面を呈して成長するため、 ＴＥ０１−０３系のガスを
用いるＣＶＤ法本来の特徴を発揮可能となる。
以下本発明の実施例を第２図を参照して説明する。同図
において、既掲の図面におけるのと同じ部分には同一符
号を付しである。
において、既掲の図面におけるのと同じ部分には同一符
号を付しである。
第２図Ｔａ）を参照して９例えば、シリコンウェハのよ
うな基板１の表面には多結晶シリコンから成る電極１１
が形成されており、さらに、電極１１を覆うＳｉｎ、か
ら成る絶縁層２が形成されている。そして、電極１１の
一部を表出する図示しないコンタクトホールを絶縁層２
に形成したのち、絶縁層２上に、 ＡＩから成る導電層
３１を堆積する。そして１周知のリソグラフ技術により
導電層３１をパターンニングして同図（ｂ）に示すよう
に配線層３を形成する。
うな基板１の表面には多結晶シリコンから成る電極１１
が形成されており、さらに、電極１１を覆うＳｉｎ、か
ら成る絶縁層２が形成されている。そして、電極１１の
一部を表出する図示しないコンタクトホールを絶縁層２
に形成したのち、絶縁層２上に、 ＡＩから成る導電層
３１を堆積する。そして１周知のリソグラフ技術により
導電層３１をパターンニングして同図（ｂ）に示すよう
に配線層３を形成する。
なお、上記導電層３１のパターンニングののち。
レジスト等の有機物残渣やＡＩ等の金属材料残渣。
あるいは、鉄（Ｆｅ）等の重金属汚染物質等を除去する
ための弗酸（ＨＦ）溶液や硝酸（）ＩＮＯ，ン溶液への
浸漬処理や、これに続（水洗等が行われるのであるが。
ための弗酸（ＨＦ）溶液や硝酸（）ＩＮＯ，ン溶液への
浸漬処理や、これに続（水洗等が行われるのであるが。
これらの処理によって、のちのＴＥ０１−０．系のＣＶ
Ｄにおいて、絶縁層２表面に５ｉｎ２膜か成長し難くな
る選択性が強調される場合がある。
Ｄにおいて、絶縁層２表面に５ｉｎ２膜か成長し難くな
る選択性が強調される場合がある。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、配線層３が形成され
た基板１表面に７例えば５ｉＨ４−Ｎ２Ｏ系のガスを用
いるプラズマＣＶＤ法により、厚さ約０．２〜０．５μ
ｍの５ｉＯｚ膜４１を堆積する。このプラズマＣＶＤ成
長の条件の例は、 ＳｉＨ，およびＮ２Ｏの流量が、そ
れぞれ、５〜ＩＯ３ＣＣＭおよび２Ｏ０〜４００３ＣＣ
Ｍ、反応系の全圧が１〜３ Ｔｏｒｒ、基板１温度が２
Ｏ０〜３５０°Ｃだある。この条件の下での成長速度は
１０００λ／ｍｉｎないしそれ以上である。なお、プラ
ズマの発生は電圧を印加して行う。
た基板１表面に７例えば５ｉＨ４−Ｎ２Ｏ系のガスを用
いるプラズマＣＶＤ法により、厚さ約０．２〜０．５μ
ｍの５ｉＯｚ膜４１を堆積する。このプラズマＣＶＤ成
長の条件の例は、 ＳｉＨ，およびＮ２Ｏの流量が、そ
れぞれ、５〜ＩＯ３ＣＣＭおよび２Ｏ０〜４００３ＣＣ
Ｍ、反応系の全圧が１〜３ Ｔｏｒｒ、基板１温度が２
Ｏ０〜３５０°Ｃだある。この条件の下での成長速度は
１０００λ／ｍｉｎないしそれ以上である。なお、プラ
ズマの発生は電圧を印加して行う。
次いで、同図（ｄｌに示すように、 ＳｉＯ□膜４１膜
上１された基板１表面に、 ＴＥ０１−Ｏ３系のガスを
用いるＣＶＤ法により、厚さ約０．４〜０．７ μｍの
Ｓｉｎ、膜５を堆積する。このＣＶＤの条件の例は、
ＴＥ０１中をバブリングするＮ２ガスおよびオゾン発生
装置における０２の流量が、それぞれ、３．５〜５．Ｏ
ＳＣＣＭおよび５．０〜１０．ＯＳＣＣＭ、反応系の全
圧が５００〜７６０Ｔｏｒｒ。
上１された基板１表面に、 ＴＥ０１−Ｏ３系のガスを
用いるＣＶＤ法により、厚さ約０．４〜０．７ μｍの
Ｓｉｎ、膜５を堆積する。このＣＶＤの条件の例は、
ＴＥ０１中をバブリングするＮ２ガスおよびオゾン発生
装置における０２の流量が、それぞれ、３．５〜５．Ｏ
ＳＣＣＭおよび５．０〜１０．ＯＳＣＣＭ、反応系の全
圧が５００〜７６０Ｔｏｒｒ。
基板ｌ温度が３７５〜４００℃である。これにより０２
の流量の５〜８％の０．がＣＶＤ装置に流入する。
の流量の５〜８％の０．がＣＶＤ装置に流入する。
次いで、配線層３上の所定領域に、 ５ｉＯｚ膜５およ
びＳｉＯ□膜４１膜上１するコンタクトホールを形成し
たのち、 ＳｉＯ□膜５上に９例えばＡ１層を堆積し。
びＳｉＯ□膜４１膜上１するコンタクトホールを形成し
たのち、 ＳｉＯ□膜５上に９例えばＡ１層を堆積し。
これをパターンニングして、同図（ｅ）に示すように。
上層配線層６を形成する。
本発明の別の実施例においては、 ５ｉｆｔ膜４１の形
成を、 ５ｉ）ｔ、と０２との混合ガスを用いる減圧Ｃ
ＶＤ法により行う。その条件例は、 ＳｉＨ，および０
２の流量が、それぞれ、３０〜５０３ＣＣＭおよび９０
〜１５０ｓｅｃＭ、反応系の全圧が０．３〜１．０Ｔｏ
ｒｒ、基板Ｉ温度が４００〜４３０℃である。この条件
の下での成長速度は２Ｏ０〜５００人／ｍｉｎである。
成を、 ５ｉ）ｔ、と０２との混合ガスを用いる減圧Ｃ
ＶＤ法により行う。その条件例は、 ＳｉＨ，および０
２の流量が、それぞれ、３０〜５０３ＣＣＭおよび９０
〜１５０ｓｅｃＭ、反応系の全圧が０．３〜１．０Ｔｏ
ｒｒ、基板Ｉ温度が４００〜４３０℃である。この条件
の下での成長速度は２Ｏ０〜５００人／ｍｉｎである。
５ｉ０２膜５の形成は前記実施例と同様である。
また９本発明のさらに別の実施例においては。
Ｓｉｎ、膜４１の形成を、 ５ＩＨ４と０２との混合ガ
スを用いる常圧ＣＶＤ法により行う。その条件例は、
ＳｉＨ４および０２の流量が、それぞれ、 ４０ＳＣＣ
Ｍおよび８００ ＳＣＣＭ、反応系の圧力が７６０Ｔｏ
ｒｒ、基板１温度か４００〜４３０°Ｃである。ＳｉＯ
□膜５の形成は前記実施例と同様である。
スを用いる常圧ＣＶＤ法により行う。その条件例は、
ＳｉＨ４および０２の流量が、それぞれ、 ４０ＳＣＣ
Ｍおよび８００ ＳＣＣＭ、反応系の圧力が７６０Ｔｏ
ｒｒ、基板１温度か４００〜４３０°Ｃである。ＳｉＯ
□膜５の形成は前記実施例と同様である。
また、 ＳｉＯ□膜４１膜形１知のスパッタリング法に
より、と（に加熱しない基板ｌ上に形成してもよい。本
発明において、４５０℃以下の低温ＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ□膜４１膜形１した場合、成長速度の下地依存性、と
（に前記のような前処理による影響が実質的に現れない
。この理由については現在のところ不明である。
より、と（に加熱しない基板ｌ上に形成してもよい。本
発明において、４５０℃以下の低温ＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ□膜４１膜形１した場合、成長速度の下地依存性、と
（に前記のような前処理による影響が実質的に現れない
。この理由については現在のところ不明である。
本発明によれば、 ＴＥ０１−０３系の原料ガスを用い
るＣＶＤ法により成長するＳｉｎ、膜の下地依存性の影
響が現れなくなり、 ＴＥ０１−０３系ＣＶＤの特徴と
する平坦表面を有するＳｉＯ□膜の形成が可能となる。
るＣＶＤ法により成長するＳｉｎ、膜の下地依存性の影
響が現れなくなり、 ＴＥ０１−０３系ＣＶＤの特徴と
する平坦表面を有するＳｉＯ□膜の形成が可能となる。
その結果、この上に形成される上層配線層のカバレッジ
不良に起因する障害が防止され、多層配線を必須とする
高密度集積回路の製造歩留りおよび信頼性を向上可能と
する効果がある。
不良に起因する障害が防止され、多層配線を必須とする
高密度集積回路の製造歩留りおよび信頼性を向上可能と
する効果がある。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の実施例の工程説明図。
第３図はＴＥ０１−０３系ガスにより成長する５ｉ０２
膜の下地依存性を示すグラフ。 第４図は従来の問題点説明図 である。 図において。 １は基板、 ２は絶縁層、 ３は配線層。 ４と５と４１はＳｉＯ２膜、 ６は上層配線層。 ＩＩは電極、３１は導電層 である。 不全日月の源、ｆ甲８先ｅｆｔ図 第 １ 図 成Ｊｃ時？’７ ０分り ＴＥ０１−の至〃゛スｌ；よりＡ、−ｋｔ５ｓｒＯｚ＠
ｎＩｔ什＃ｎＰＬｔ示す２″ラフ第 ３ 図 仇λＩ！７）問題点説明図 第 ４ 図 Ａ登θ目の実オ色仔・ｌ／）、Ｉ−ネＬＳＬ日月囚第
２図（”ｆ／）’ｌ）
膜の下地依存性を示すグラフ。 第４図は従来の問題点説明図 である。 図において。 １は基板、 ２は絶縁層、 ３は配線層。 ４と５と４１はＳｉＯ２膜、 ６は上層配線層。 ＩＩは電極、３１は導電層 である。 不全日月の源、ｆ甲８先ｅｆｔ図 第 １ 図 成Ｊｃ時？’７ ０分り ＴＥ０１−の至〃゛スｌ；よりＡ、−ｋｔ５ｓｒＯｚ＠
ｎＩｔ什＃ｎＰＬｔ示す２″ラフ第 ３ 図 仇λＩ！７）問題点説明図 第 ４ 図 Ａ登θ目の実オ色仔・ｌ／）、Ｉ−ネＬＳＬ日月囚第
２図（”ｆ／）’ｌ）
Claims (5)
- （１）金属もしくは半導体から成る導電層と絶縁層とが
表出する基板上に成長速度の下地選択性を示さない第１
の化学気相成長法を用いて薄い酸化膜を形成する工程と
、 シリコンアルコキシドとオゾンを成長原料ガスとする第
２の化学気相成長法を用いて厚い酸化膜を該薄い酸化膜
上に形成する工程 とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）該第１の化学気相成長法は４５０℃以下で行う低
温化学気相成長法であることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - （３）該第１の化学気相成長法はシラン（ＳｉＨ＿４）
と亜酸化窒素（Ｎ＿２Ｏ）を原料ガスとして用いるプラ
ズマ化学気相成長法であることを特徴とする請求項２記
載の半導体装置の製造方法。 - （４）該第１の化学気相成長法はシラン（ＳｉＨ＿４）
と酸素（Ｏ＿２）を原料ガスとして用いる減圧化学気相
成長法であることを特徴とする請求項２記載の半導体装
置の製造方法。 - （５）該第１の化学気相成長法はシラン（ＳｉＨ＿４）
と酸素（Ｏ＿２）を原料ガスとして用いる常圧化学気相
成長法であることを特徴とする請求項２記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22720290A JPH0810692B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22720290A JPH0810692B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107924A true JPH04107924A (ja) | 1992-04-09 |
| JPH0810692B2 JPH0810692B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=16857099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22720290A Expired - Lifetime JPH0810692B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810692B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399389A (en) * | 1992-08-04 | 1995-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for locally and globally planarizing chemical vapor deposition of SiO2 layers onto structured silicon substrates |
| JPH07130847A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP22720290A patent/JPH0810692B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399389A (en) * | 1992-08-04 | 1995-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for locally and globally planarizing chemical vapor deposition of SiO2 layers onto structured silicon substrates |
| JPH07130847A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810692B2 (ja) | 1996-01-31 |
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