JPH06163523A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH06163523A
JPH06163523A JP4312423A JP31242392A JPH06163523A JP H06163523 A JPH06163523 A JP H06163523A JP 4312423 A JP4312423 A JP 4312423A JP 31242392 A JP31242392 A JP 31242392A JP H06163523 A JPH06163523 A JP H06163523A
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film
plasma
insulating film
silanol
semiconductor device
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Takashi Kato
隆 加藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の製造方法に関し、有機基を含ま
ないで流動性のある堆積法を用い、バリア性が高く、カ
バレージが良く、且つ吸湿性の少ない層間膜を実現し、
素子形状の微細化に伴う微細な段差部の上でも平坦で信
頼性のある絶縁膜によって被覆することができる半導体
装置の製造方法を提供する。 【構成】 シラン系ガスとＨ2 Ｏとを原料ガスとして，
プラズマＣＶＤ法により無機シラノールを含有する膜を
形成する。また、その際プラズマＣＶＤ法において、プ
ラズマの励起エネルギーと基板加熱温度の積が２０（℃
・Ｗ／cm2 ）以下である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に絶縁膜の形成方法に関する。半導体集積回
路（以下ＬＳＩという）においては、半導体基板上に能
動素子や受動素子等の回路素子を形成し、その上に堆積
した絶縁膜の上に形成された配線層によって回路素子相
互間を接続している。
【０００２】近年、ＬＳＩの微細化に伴い回路素子の寸
法形状が微細化され、絶縁膜を形成する下地の段差が峻
鋭になっている。更には、ＬＳＩの高集積化に伴い、そ
の構成素子間を接続するために多層配線を使用すること
が必要になり、この多層配線は、段差のある部分に絶縁
膜を介して形成されるから、絶縁膜が完全に形成されて
いないと、下層配線と上層配線が層間絶縁膜の不完全部
分を通して短絡されることになる。また、絶縁膜が平坦
に形成されず段差が残っていると、上層配線がその段差
部分で薄くなって高抵抗化したり、断線したりしてＬＳ
Ｉの信頼性が低下する恐れがある。そこで、素子形状の
微細化に伴う多層配線上の微細な段差部を平坦で信頼性
のある絶縁膜で被覆する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】ＬＳＩの層間膜には、吸湿性が少ないと
同時に高い平坦性が求められている。吸湿性の少ない絶
縁膜は、シラン系ガスと酸素，Ｎ2ＯなどのプラズマＣ
ＶＤにより形成される。しかし，これらの酸化膜はカバ
レージが悪く，素子の微細化に伴って益々悪くなる。こ
れは，無機系ガスが表面で反応した後，マイグレーショ
ンすることなく堆積するためである。
【０００４】これに対して、有機系ガスを用いてプラズ
マＣＶＤ法を行うと、流動性の高い絶縁膜を形成するこ
とができる。次に、従来の絶縁膜を形成する方法につい
ては、例えば特開平４−１１１４２４号公報に記載され
ている。以下、この従来の絶縁膜の形成方法について図
１０を参照して説明する。図１０は、従来の絶縁膜の形
成方法を説明する図である。また、図１０（ａ），
（ｃ）は絶縁膜の形成工程における工程断面図であり、
図１０（ｂ）はＴＥＯＳの加水分解で有機基を含むシラ
ノールが加熱縮合をする際の構造式である。図中、４１
は半導体基板、４２はＳｉＯ2 膜、４３はＡｌ配線、４
４は有機基を含むシラノール、４５は絶縁膜（ＳｉＯ2
膜）を示している。
【０００５】図１０（ａ）参照。 まず、半導体基板４１上に、ＳｉＯ2 膜４２及びＡｌ配
線４３を順次形成する。次いで、ＴＥＯＳ（テトラエト
キシシラン；〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕）等の有機ガス
を原料として、気相中または下地の膜表面で加水分解し
て該下地の膜上に、有機基（メチル，エチル基等）を含
むシラノール４４を形成する。
【０００６】このＴＥＯＳの加水分解で有機基を含むシ
ラノール４４を形成すると、有機基の残存によってマイ
グレーションが続き、流動性を持つことにより平坦性が
良くなる。 図１０（ｃ）参照。 次いで、有機基を含むシラノール４４を加熱し縮合させ
ることにより、絶縁膜４５を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上述べた
ような従来の製造方法では、図１０（ｂ）のように、Ｃ
Ｈ3のような有機基がどうしても残ってしまう。この有
機基を含む事で吸湿性が高いという問題が生じる。これ
は，後のアニールやプラズマ処理で有機成分が引き抜か
れてポーラスな膜になるからである。すなわち、絶縁膜
４５中にＣＨ3等の有機基が残存すると、図１０（ｃ）
に示したように多くの吸湿点を持つことになる。この炭
素を少なくするには，８００℃程度の熱処理が必要にな
り，アルミ配線で制限される４５０℃程度の熱処理では
吸湿性を改善することは出来ない。有機系のガスを使う
限りは，吸湿性の問題を逃れられない。
【０００８】また，ＳｉＯ2 膜からの脱ガスにより、Ａ
ｌ配線やＭＯＳデバイスに水分が到達すると，ボイド
（空洞）の発生や特性の不安定性を引き起こしてしま
う。このため、水分に対するバリア性を持つ層間絶縁膜
が必要となり，従来プラズマＣＶＤ酸化膜が使われてい
た。つまりこのバリア性膜が有れば，吸湿性の膜でも使
用できるようになるので，平坦性に優れた有機基を含ん
だ酸化膜との組み合わせで信頼性のある多層配線を形成
することができる。
【０００９】一方、バリア性膜と流動性膜の組み合わせ
による複合層間膜では，バリア性膜のカバレージが悪い
問題と微細化により，水をブロックできなくなるという
問題もある。したがって、本発明は、有機基を含まない
で流動性のある堆積法を用い、バリア性が高く、カバレ
ージが良く、且つ吸湿性の少ない層間膜を実現し、素子
形状の微細化に伴う微細な段差部の上でも平坦で信頼性
のある絶縁膜によって被覆することができる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に
示す半導体装置の製造方法により解決される。すなわ
ち、シラン系ガスとＨ2 Ｏとを原料ガスとして，プラズ
マＣＶＤ法により無機シラノールを含有する膜を形成す
ることを有する半導体装置の製造方法である。
【００１１】
【作用】図１は，プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜を成
長させる際の堆積速度とプラズマパワーとの関係を示し
た図である。成長条件は、温度３５０℃、圧力３Ｔｏｏ
ｒ、ＳｉＨ4 流量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｏ流量１００ｓｃ
ｃｍである。本発明では、図１のように、低プラズマパ
ワーで異常な成長がある事を発見し、それを利用してい
る。成長膜は無機シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）x ）を伴っ
た膜である。つまり、水とシラン系ガスとを原料にして
低パワーのプラズマで励起してやれば無機シラノールを
形成することができる。この膜は非常に流動性があり平
坦性の良い膜である。更に成長をゆっくりしてやるとカ
バレージが良く膜質も良好になる。
【００１２】この際、プラズマパワーは５０Ｗ（０．２
Ｗ／cm2)以下でなければならない。これ以上だとＳｉ−
ＯＨ結合が切れて，Ｓｉ−Ｏ結合とＨ2Ｏが形成されて
しまう。つまり、プラズマパワー密度が高いとＳｉ（Ｏ
Ｈ）x が形成されずにＳｉＯ 2 が形成されてしまう。通
常，プラズマパワーを５０Ｗ以下にすると放電が安定し
ない為にこの様な実験は行われなかったが、Ｈ2Ｏを原
料ガスとして用いると放電が安定する事も見出した為に
今回の発見に繋がった。
【００１３】更に、プラズマと加熱温度によって励起さ
れる事とを考え合わせると、温度の影響も考えなければ
ならない。プラズマパワーが５０Ｗ以下でなければなら
ないのは，３００〜４００℃での実験で見出された結果
で，熱の効果を考慮する必要がある。プラズマパワーを
１００Ｗ一定として温度を変化した結果，２００℃以下
で膜堆積速度が急激に低下する事が分かった。プラズマ
パワーも熱も励起エネルギーであることを考え，更に相
乗効果と考えて，（パワー）×（熱）を考慮しなければ
ならない。つまり，０．２×２００＝４０（℃・Ｗ／cm
2）以下の励起エネルギーで初めて無機シラノールが形
成される。この条件を満たせば，２００℃以下でもパワ
ーを高くすれば無機シラノールを形成することができ
る。プラズマパワーと温度の相乗積を一定以下に抑える
ことがポイントである。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の４つの実施例について図面を
参照しつつ、具体的に説明する。なお、ここで説明する
実施例は、本発明の好ましい態様を示すものであり、本
発明の技術的範囲がこれらの実施例に限定されるもので
ないことはいうまでもない。また、各図面において同符
号のものは同一のものを示している。
【００１５】〔第１の実施例〕本発明における第１の実
施例は、図２乃至図４に示される。図２は、本発明の製
造方法を説明する図である。また、図２（ａ），（ｃ）
は絶縁膜の形成工程における工程断面図であり、図２
（ｂ）は本発明における無機シラノールの構造式であ
る。図中、１は半導体基板、２は酸化膜、３はアルミニ
ウム配線、４は無機シラノールである。
【００１６】図２（ａ）に示すように，水分とＳｉＨ4
を低パワーのプラズマで励起してやると，平坦性のいい
無機シラノール２が形成される。図２（ｂ）に示すよう
に、加熱または酸素プラズマに曝すことにより完全な酸
化膜を形成出来る。またシラノールの状態でアンモニア
・プラズマ処理を行うことで窒化膜も形成される。これ
は図（ｃ）に示すように，カバレージが良く緻密な膜で
ある。
【００１７】図３は，本発明の絶縁膜と従来の絶縁膜の
脱ガスレートの関係を示した図である。従来の有機系ガ
スを用いた平坦膜は，この図に示すように非常に多くの
脱ガスが発生する。これに対して水とＳｉＨ4 から形成
された本発明の平坦化膜は，１／１００以下に少ない脱
ガスとなる。同じ水を使った酸化でこのように違うの
は，ソースガスが有機系か無機系かによる。
【００１８】図４は，第１の実施例に用いる枚葉式ＣＶ
Ｄ装置の概略構成図である。図中、６は高周波発振器、
７乃至９はマスフローコントローラ（ＭＦＣ），１０は
ロードロック室、１１はシャワーノズル、１２はシリコ
ンウェーハ、１３はヒータ、１４は反応室である。この
枚葉式ＣＶＤ装置においては、図４に示されるように、
反応室１４の中に、ヒータ１３を備えたサセプタ（図示
せず）を配置し、このサセプタの上にシリコンウェーハ
１２を載置し、シリコン原料ガスとしてモノシラン（Ｓ
ｉＨ4 ）をマスフローコントローラ（ＭＦＣ）８を介し
て供給し，水供給装置から水蒸気（Ｈ2 Ｏ）をＭＦＣ９
を介して反応室１４供給されるようになっている。
【００１９】この際、水を１００ｓｃｃｍ、シランを１
５ｓｃｃｍ程度供給した。シラン，ジシランの水にたい
する割合は堆積膜質に影響する。シラン系を増やすとシ
ラノールが出来やすく，水に対してシラン系を減らすと
ＳｉＯ2に近づく。水／シランの比は，２〜２０程度が
適当である。そして、原料ガスはシャワーノズル１１か
らシリコンウェーハ１２に向かって噴射され、無機シラ
ノールを主体としたシリコン酸化膜が形成されるが、こ
のときのシリコンウェーハ１２は３００℃程度に加熱さ
れ、雰囲気の圧力は０．１〜３０Ｔｏｒｒ程度にコント
ロールされる。
【００２０】なお、反応室１４は、排気口１５をとおし
て排気できるように構成され、シリコンウェーハ１２は
ロードロック室１０からサセプタ上に移送される。な
お、シャワーノズル１１と接地間に高周波電源６によっ
て高周波電力を供給し原料ガスをプラズマ化し励起する
ことによって活性化して、シラノール，ＳｉＨ基を堆積
して，平坦化を図ることができる。ここで重要なこと
は，プラズマパワーを０．２Ｗ／cm2 以下にすることで
ある。
【００２１】また、この図では、シャワーノズル１１と
接地間に直接高周波電源６が接続されているが、高周波
電力の導入をヒータ１３側にしてバイアス電圧を印加
し、その電圧を調節することによって原料ガスのプラズ
マ化を調節し、堆積絶縁膜化膜の最適の緻密化、平坦化
を実現することもできる。上記の例では、原料ガスをプ
ラズマ化する電源として１３．５６ＭＨｚの高周波電力
を使用したが、このほか、マイクロ波や、１０ｋＨｚ程
度の低周波、あるいは直流でもよく、また、複数の周波
数の励起電力を導入することもできる。
【００２２】なお、励起電力をパルス的に印加して原料
ガスをプラズマ化すると、シリコン酸化膜の被覆性およ
び平坦性が向上することが見出された。これはプラズマ
のｏｆｆ状態で水およびシランの下地への吸着が促進さ
れ、プラズマのｏｎ状態で、前段階で吸着した水および
ジシランの酸化反応が促進されることの繰り返しによっ
てシリコン酸化膜が層状に規則的に形成されるためと考
えられる。
【００２３】以上のサイクルを多数回繰り返してもよ
い。また，ここでは水をガス化したが，水素と酸素から
反応室で形成してもよい。 〔第２の実施例〕本発明における第２の実施例は、図５
に示される。図５は，第２の実施例に用いるバッチ式Ｃ
ＶＤ装置の概略構成図である。図中、１６乃至１８はＭ
ＦＣ，１９は高周波発振器と誘導結合コイル，２０は電
気炉ヒータ，２１はシリコンウェーハ，２２は反応室、
２３は排気口である。また、ガスの供給などは，第１の
実施例と同じである。違いはプラズマ励起がウェハーか
ら離れた所で行われている所である。更にバッチタイプ
なのでスループットも向上する。このタイプの方が，無
機シラノールが形成し易いので平坦性は良好だろう。し
かし，それだけ膜質が悪いとも言えるので，あとのアニ
ール，プラズマ，ラジカル処理の方法が重要になる。こ
の場合のプラズマパワーの定義は難しいが，０．２Ｗ／
cm2 以下にすればよいのは同じである。この方式ではマ
イクロ波をガスの供給と垂直の方向から加える方式が効
果が上がる。
【００２４】〔第３の実施例〕上記第１の実施例におい
て、平坦化したシラノールを４００℃以上のアニールで
酸化膜にするか，プラズマ照射を窒素，または酸素雰囲
気で行い完全な酸化膜を形成する。ここで，アンモニア
雰囲気でプラズマ照射を行うと窒化膜が形成される。
【００２５】無機シラノールは流動性があるものの，Ｏ
Ｈ基，ＳｉＨ基等を多く含んでいるので，後で除去する
必要がある。このとき，酸素，窒素等の雰囲気でプラズ
マ処理すると水分となって放出される。特にアンモニア
等の窒素を含む雰囲気で行うと窒化膜が形成される事も
明らかとなった。この場合の形成温度は２００℃程度の
低温でも可能である。
【００２６】また，水とシラン系ガスで酸化膜を形成す
る場合，窒素を添加すると吸湿性が改善されることも分
かった。この場合，水の量を減らして行くと窒化シリコ
ン膜が形成されることも見出し，この膜は脱ガスが少な
くなるだけでなく，水分を透さない膜であることも明ら
かになった。水に対する窒素成分の割合を多くしていく
と酸化膜中の窒素の量が増加していき，最終的には窒化
膜が形成される。
【００２７】本発明における第３の実施例は、図６及び
図７に示される。図６は，本発明の多層配線における工
程断面図である。図中、２１はスピンオングラス（ＳＯ
Ｇ），２２は窒化膜，２３は酸化膜，２４はアルミニウ
ム，２５は酸化膜，２６は窒化膜である。次に、上記第
１の実施例で使用した装置を用いて更に詳しく説明す
る。パターニングしたアルミ配線上に、ＳｉＨ4 とＨ2
Ｏとをそれぞれ１０ｓｃｃｍ，３００ｓｃｃｍ流し、圧
力を１Ｔｏｒｒとして、プラズマパワーを２００Ｗと
し、基板温度を３５０℃として、まず、ＳｉＯ2 を１０
０ｎｍ形成する。この後、パワーを３０Ｗに下げてシラ
ノールを形成する。次いで、ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏとを止
め、アンモニア雰囲気でプラズマを３００Ｗで窒化す
る。膜厚は５０ｎｍとする。これを繰り返して複合膜を
形成し、最後にＳＯＧにより平坦化する。
【００２８】ＬＳＩの多層配線は，層間絶縁膜の多層化
複合化によって辛うじて実現されている。そこで，コス
トが安く，平坦性に優れたＳＯＧ利用は今後とも続くと
考えられる。そこで，アルミニウムの信頼性を高く維持
するにはＳＯＧからの水分を完全にシャッタアウトしな
ければならない。そこで図７に示した脱ガスの実験を先
ず行った。その結果，水分のバリア性は窒素を多く含有
するほど高く窒化膜が一番良い。しかし窒化膜を直にア
ルミニウムに接すると，アルミニウム配線が断線するな
どして信頼性が低下する問題がある。そこで，アルミ配
線２４に接する膜を酸化膜２３にしてその上にバリア性
の高い窒化膜２２をカバーした複合層間膜とすると，信
頼性が高い配線が得る。さらに酸化膜２５，窒化膜２６
を重ると効果は上がる。このプロセスは，アルミ配線２
４をパターニングした後行われる。
【００２９】図７は，TEOS( 酸化膜) ，Ｐ−ＳＩＯＮ
（酸化窒化膜），ＳｉＮ（窒化膜）の三種類の膜につい
て水分のバリア性を比較したものである。水分を多く含
むO3-TEOS 膜を５００ｎｍ堆積した後，三種類のバリア
性膜１００ｎｍをカバーして昇温脱ガスを測定した。窒
化膜が最もバリア性が高いが，引っ張り応力も最も強い
ので，これを層間絶縁膜に使うとＡｌ配線を断線する力
が働いて信頼性を低下させる。そこで，Ａｌに接する側
にプラズマＣＶＤ酸化膜を堆積した後，プラズマ窒化膜
を堆積する事により，よりバリア性の高く，かつ応力が
Ａｌに直接かからない層間絶縁膜を形成出来る。更にこ
の繰り返しで多層化すれば，窒化膜を薄く出来るので層
間絶縁膜の誘電率をあまり高くしない。これは集積回路
の高速化に有利である。この窒化膜を，Ｐ−ＳＩＯＮ
（プラズマ酸窒化膜か，酸素を結合してないシリコンを
含む酸化膜）で置き換えても良い。
【００３０】窒化膜に水分のバリア性が在るのは，シリ
コンと窒素の結合が強く非常に緻密な膜なためである。
Ｐ−SiO2に窒素が添加されても同様に緻密化されて，水
分を透過しにくくなる。Ｐ−SiO2にシリコンを含む膜は
緻密な膜であると同時に，水分をトラップするためバリ
ア性があると考えられる。 〔第４の実施例〕従来、ＭＯＳトランジスタのゲート酸
化膜は熱酸化で形成するのがほとんどで、９００℃程度
以上の高温で酸化する必要があった。このため拡散層を
形成した後に酸化すると、拡散領域が広がる問題があっ
た。熱酸化以外の方法としてはＣＶＤ法があるが、低温
で形成するため界面準位が多い問題があった。更に膜質
も悪くリーク電流が多く，耐圧も低い。Ｖfb（フラット
バンド電圧）シフトの問題もあって実現出来る状況では
無かった。
【００３１】そこで、流動性が高く、膜質の良好な絶縁
膜をゲート酸化膜に適用した例を次に示す。もちろん、
本発明はプラズマＣＶＤ法を用いているために、低温で
絶縁膜を形成することができる。本発明における第４の
実施例は、図８及び図９に示される。図８は，第４実施
例のＳｉＯ2 膜形成方法による薄膜トランジスタの工程
断面図である。図中、２７はＳｉＯ2 膜、２８はアモル
ファスシリコン膜、２９はポリシリコン膜、３０はゲー
ト絶縁膜、３１はゲート電極、３２はソース領域、３３
はドレイン領域である。
【００３２】この工程説明図によってこの実施例の製造
方法を説明する。 第１工程（図８（ａ）参照） シリコン基板４の上にＳｉＯ2 膜２７を形成し、その上
に厚さ５００ｎｍのアモルファスシリコン膜２８をＣＶ
Ｄ法によって形成する。 第２工程（図８（ｂ）参照） ６００℃程度のアニーニングを行って、アモルファスシ
リコン膜２８を結晶化してポリシリコン膜２９を形成す
る。 第３工程（図８（ｃ）参照） トランジスタとして用いない外部のポリシリコン膜２９
を除去した後、水＋ＳｉＨ4 を供給し、基板温度を４０
０℃に保って、プラズマＣＶＤ法によって厚さ３０ｎｍ
のゲート絶縁膜１１５を形成する。
【００３３】次いで、厚さ３００ｎｍのポリシリコン膜
を堆積してパターニングしてゲート電極３１を形成す
る。このゲート電極３１をマスクにしてＡｓをイオン注
入してソース領域３２とドレイン領域３３を形成して薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。図９は，各種酸
化膜形成方法で成長したＭＯＳダイオードのゲート酸化
膜に関する評価を示す図である。従来の熱酸化膜に対し
て，有機系のＴＥＯＳを原料としてＣＶＤで形成した酸
化膜は，耐圧が低く，界面準位が高い問題を持ってい
る。これに対して，水とＳｉＨ4 の無機系の原料で形成
した膜は４００℃と低温で堆積したにも係わらず，熱酸
化膜と同等の性質を持つ。
【００３４】SiH4─酸素系のプラズマＣＶＤなど従来の
酸化膜は全て界面準位の問題が在った。発明者等は当
然，水＋SiH4プラズマＣＶＤ酸化膜も界面準位が増加す
ると予想したが，結果は予想に反して非常に界面特性の
良いことを発見した。これは，水がプラズマ中の電子，
イオンを吸収すること，それぞれを加速する電界を小さ
くすることや，発生した水素によってダメージが補償さ
れることなどが考えられる。本発明は，水＋シラン系ガ
ス＋プラズマの組み合わせによって初めて達成されるも
のである。実験は３００℃と４００℃によりプラズマＣ
ＶＤを行った結果であるが，２００℃以上なら同様の良
質の酸化膜が形成される。また，表に示した様にダイオ
ードのＶｆｂ変動も熱酸化膜と同程度で少なく良好なＭ
ＯＳトランジスタが形成される。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平坦性が良好で且つ膜質が良いので信頼性が高い。また
この良質膜が単一膜で形成出来るので、大幅なコストダ
ウンになる。カーボンが全く無い状態で、酸化膜の流動
性を実現した。また、低温でゲート酸化膜が形成出来る
ので、非常に微細なデバイスを実現出来る。集積度の向
上がはかられる。また、低温でＭＯＳトランジスタが形
成出来るので，低価格の硝子基板が使えるのでコストダ
ウンの効果が高い。更に、低価格で形成された割には，
膜質がいいので信頼性も高い。膜形成の分布も飛躍的に
向上するので，製造が簡単で装置もシンプルのもので良
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜を成長させる
際の堆積速度とプラズマパワーとの関係を示した図であ
る。
【図２】本発明の製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の絶縁膜と従来の絶縁膜の脱ガスレート
の関係を示した図である。
【図４】第１の実施例に用いる枚葉式ＣＶＤ装置の概略
構成図である。
【図５】第２の実施例に用いるバッチ式ＣＶＤ装置の概
略構成図である。
【図６】本発明の多層配線における工程断面図である。
【図７】各種バリア性膜の脱ガス特性を比較した図であ
る。
【図８】第４実施例のＳｉＯ2 膜形成方法による薄膜ト
ランジスタの工程断面図である。
【図９】各種酸化膜形成方法で成長したＭＯＳダイオー
ドのゲート酸化膜に関する評価を示す図である。
【図１０】従来例の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
４ 無機シラノールを含有する膜

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シラン系ガスとＨ2 Ｏとを原料ガスとし
    て，プラズマＣＶＤ法により無機シラノールを含有する
    膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記プラズマＣＶＤ法において、プラズ
    マの励起エネルギーと基板加熱温度の積が２０（℃・Ｗ
    ／cm2 ）以下であることを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記無機シラノールを含有する膜を縮合
    または改質することを特徴とする請求項１または２記載
    の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記プラズマＣＶＤ法において、窒素を
    含む雰囲気で前記無機シラノールを含有する膜を形成す
    ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記１項と前記３項とを繰り返して、絶
    縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
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