JPH06151410A - 窒化チタン膜の形成方法 - Google Patents
窒化チタン膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06151410A JPH06151410A JP29330992A JP29330992A JPH06151410A JP H06151410 A JPH06151410 A JP H06151410A JP 29330992 A JP29330992 A JP 29330992A JP 29330992 A JP29330992 A JP 29330992A JP H06151410 A JPH06151410 A JP H06151410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium nitride
- film
- nitride film
- forming
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜質の良いバリア性等にすぐれた窒化チタン
膜を形成する。 【構成】 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤによ
って窒化チタン膜１１２を形成し、続いて酸化処理を行
う。
膜を形成する。 【構成】 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤによ
って窒化チタン膜１１２を形成し、続いて酸化処理を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の配
線（電極）部の形成に用いて好適な窒化チタン膜の形成
方法に係わる。
線（電極）部の形成に用いて好適な窒化チタン膜の形成
方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の各種電子デバイスに
おいて、その小型、高密度化の要求から、その配線ない
しは電極（以下配線と称する）は層間絶縁層を介した多
層配線構造がとられているが、昨今益々電子デバイスの
小型、高密度化の要求が高まり、これに伴って、配線の
微細パターン化が進められている。
おいて、その小型、高密度化の要求から、その配線ない
しは電極（以下配線と称する）は層間絶縁層を介した多
層配線構造がとられているが、昨今益々電子デバイスの
小型、高密度化の要求が高まり、これに伴って、配線の
微細パターン化が進められている。
【０００３】このため、層間絶縁層に穿設したコンタク
トホール、ヴィアホール等の接続孔を通じて層間絶縁層
上に形成される配線を、層間絶縁層下の他の配線、或い
は例えば半導体領域に対して接続する場合の接続孔の径
も必然的に小さくなる。
トホール、ヴィアホール等の接続孔を通じて層間絶縁層
上に形成される配線を、層間絶縁層下の他の配線、或い
は例えば半導体領域に対して接続する場合の接続孔の径
も必然的に小さくなる。
【０００４】この場合、層間絶縁層は、その電気的信頼
性、寄生容量等の問題から、所定の厚さを確保する必要
があることから、畢竟その接続孔のアスペクト比（深さ
／直径）が大となる。
性、寄生容量等の問題から、所定の厚さを確保する必要
があることから、畢竟その接続孔のアスペクト比（深さ
／直径）が大となる。
【０００５】このように、アスペクト比の大なる接続孔
内に上層の配線、ないしはその接続のためのいわゆるメ
タルプラグを下層の配線ないしは半導体領域に電気的及
び機械的に良好にカバレージ良く充填させるに、例えば
Ａｌのバイアススパッタ法では対応しにくくなってきて
いる。
内に上層の配線、ないしはその接続のためのいわゆるメ
タルプラグを下層の配線ないしは半導体領域に電気的及
び機械的に良好にカバレージ良く充填させるに、例えば
Ａｌのバイアススパッタ法では対応しにくくなってきて
いる。
【０００６】そこで、カバレージの良いブランケットタ
ングステン（以下ＢｌｋーＷという）と称されるタング
ステンＷ膜を、この接続孔を含んで形成するという方法
がしばしば採られる。
ングステン（以下ＢｌｋーＷという）と称されるタング
ステンＷ膜を、この接続孔を含んで形成するという方法
がしばしば採られる。
【０００７】例えば図４に、その一例の要部の断面図を
示すように、例えば半導体基板による下地１００の半導
体領域１０２に、下地１００の表面に形成した層間絶縁
層１０４に穿設した接続孔１０６を通じて配線の接続を
行う場合、ＢｌｋーＷによる金属層１１４をＣＶＤ（化
学的気相成長）法によって形成する。
示すように、例えば半導体基板による下地１００の半導
体領域１０２に、下地１００の表面に形成した層間絶縁
層１０４に穿設した接続孔１０６を通じて配線の接続を
行う場合、ＢｌｋーＷによる金属層１１４をＣＶＤ（化
学的気相成長）法によって形成する。
【０００８】ところが、このＢｌｋーＷは、下地１００
の例えばＳｉ、或いは層間絶縁層１０４の例えばＳｉＯ
2 との密着性に劣ることから、この金属層１１４下にそ
の形成に先立って窒化チタン（ＴｉＮ，ＴｉＯＮ）膜１
０８のＣＶＤ膜を形成し、これによって、ＢｌｋーＷの
金属層１１４の密着性をはかることが行われる。
の例えばＳｉ、或いは層間絶縁層１０４の例えばＳｉＯ
2 との密着性に劣ることから、この金属層１１４下にそ
の形成に先立って窒化チタン（ＴｉＮ，ＴｉＯＮ）膜１
０８のＣＶＤ膜を形成し、これによって、ＢｌｋーＷの
金属層１１４の密着性をはかることが行われる。
【０００９】また、金属層１１４としてＡｌを用いる場
合においても、このＡｌの半導体領域１０２の突き抜け
を防止するなどの目的から同様の窒化チタン（ＴｉＮ，
ＴｉＯＮ）膜１０８の形成が行われる。
合においても、このＡｌの半導体領域１０２の突き抜け
を防止するなどの目的から同様の窒化チタン（ＴｉＮ，
ＴｉＯＮ）膜１０８の形成が行われる。
【００１０】このような密着層或いはバリア層等として
の窒化チタン膜１０８は、これ自体接続孔１０４内にカ
バレージ良く良質の皮膜として被着形成させることが必
要となる。
の窒化チタン膜１０８は、これ自体接続孔１０４内にカ
バレージ良く良質の皮膜として被着形成させることが必
要となる。
【００１１】すなわち、この窒化チタン膜１０８自体、
その密着性や膜質に問題があると、図５にその要部の断
面図を示すように、金属層１１４にボイド（中空）が発
生し、抵抗の増加、機械的、電気的信頼性の低下を来
す。
その密着性や膜質に問題があると、図５にその要部の断
面図を示すように、金属層１１４にボイド（中空）が発
生し、抵抗の増加、機械的、電気的信頼性の低下を来
す。
【００１２】一方、この窒化チタン膜の形成方法として
は、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ（以下ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤという）が知られている。
は、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ（以下ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤという）が知られている。
【００１３】このＥＣＲ−ＣＶＤは、低圧下でのＣＶＤ
であることから、活性種の平均自由行程が長いので、ア
スペクト比が大なる接続孔内にもカバレージ良くその成
膜を行うことができるという利点を有する。
であることから、活性種の平均自由行程が長いので、ア
スペクト比が大なる接続孔内にもカバレージ良くその成
膜を行うことができるという利点を有する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＥＣＲ−ＣＶＤによって形成した窒化チタン膜は、
必ずしも、上述のバリア層として充分満足できるもので
はなく、更に、これのコンタクト抵抗の低減化をはかる
べく窒化チタン膜下にチタンＴｉ膜の下地膜の形成が行
われるが、この積層構造においてバリア性の確保におい
て問題が生じる場合がある。
うなＥＣＲ−ＣＶＤによって形成した窒化チタン膜は、
必ずしも、上述のバリア層として充分満足できるもので
はなく、更に、これのコンタクト抵抗の低減化をはかる
べく窒化チタン膜下にチタンＴｉ膜の下地膜の形成が行
われるが、この積層構造においてバリア性の確保におい
て問題が生じる場合がある。
【００１５】本発明は、上述したＥＣＲ−ＣＶＤの特長
を有効に利用し更に良質でバリア性の確保ができる窒化
チタン膜の形成を行うことのできる窒化チタン膜の形成
方法を提供するものである。
を有効に利用し更に良質でバリア性の確保ができる窒化
チタン膜の形成を行うことのできる窒化チタン膜の形成
方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、ＥＣＲ
−ＣＶＤによって窒化チタン膜を形成する工程と、続い
てこの窒化チタン膜を酸化する工程とを採って窒化チタ
ン膜を形成する。
−ＣＶＤによって窒化チタン膜を形成する工程と、続い
てこの窒化チタン膜を酸化する工程とを採って窒化チタ
ン膜を形成する。
【００１７】第２の本発明は、ＥＣＲ−ＣＶＤによって
窒化チタン膜を形成する工程と、続いて窒化チタン膜を
酸素を含むガスのプラズマ処理による酸化工程とを採っ
て窒化チタン膜を形成する。
窒化チタン膜を形成する工程と、続いて窒化チタン膜を
酸素を含むガスのプラズマ処理による酸化工程とを採っ
て窒化チタン膜を形成する。
【００１８】第３の本発明は、同一チャンバ内で、ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤによる窒化チタン膜の形成工程と、続くこの
窒化チタン膜に対する酸化工程とを行って窒化チタン膜
を形成する。
Ｒ−ＣＶＤによる窒化チタン膜の形成工程と、続くこの
窒化チタン膜に対する酸化工程とを行って窒化チタン膜
を形成する。
【００１９】第４の本発明は、ＥＣＲ−ＣＶＤによって
窒化チタン膜を形成する工程と、続いて窒化チタン膜を
熱処理する工程とを採って窒化チタン膜を形成する。
窒化チタン膜を形成する工程と、続いて窒化チタン膜を
熱処理する工程とを採って窒化チタン膜を形成する。
【００２０】第５の本発明は、ＥＣＲ−ＣＶＤによって
窒化チタン膜を形成する工程と、続いて上記窒化チタン
膜を酸素を含む雰囲気で熱処理する工程とを採って窒化
チタン膜を形成する。
窒化チタン膜を形成する工程と、続いて上記窒化チタン
膜を酸素を含む雰囲気で熱処理する工程とを採って窒化
チタン膜を形成する。
【００２１】
【作用】本発明方法ではＥＣＲ−ＣＶＤによって窒化チ
タンの形成を行うので、前述したように、アスペクト比
の大なる接続孔内に対してもカバレージ良く窒化チタン
（ＴｉＮ，ＴｉＯＮ）の被着形成を行うことができると
共に、続いてこの窒化チタン膜を熱処理することによっ
て、熱処理室内に取り込まれていた酸素の存在によって
或いは外部からの酸素の供給によって、成膜のままの状
態では、比較的粗の状態にある窒化膜の粒界に酸素をと
り込んで、この酸素によって粒子間の結合が行われ、こ
の窒化膜の膜質、緻密性を高め、そのバリア層としての
機能を高めることができる。
タンの形成を行うので、前述したように、アスペクト比
の大なる接続孔内に対してもカバレージ良く窒化チタン
（ＴｉＮ，ＴｉＯＮ）の被着形成を行うことができると
共に、続いてこの窒化チタン膜を熱処理することによっ
て、熱処理室内に取り込まれていた酸素の存在によって
或いは外部からの酸素の供給によって、成膜のままの状
態では、比較的粗の状態にある窒化膜の粒界に酸素をと
り込んで、この酸素によって粒子間の結合が行われ、こ
の窒化膜の膜質、緻密性を高め、そのバリア層としての
機能を高めることができる。
【００２２】そして、ＥＣＲ−ＣＶＤでの窒化チタン膜
の形成方法を採ったことで、そのチャンバ内で続いての
熱処理を行うことができることによってこのようにする
ときは、工程、装置の簡略化、不要汚染物、不純物の導
入等を回避でき、特性の良い窒化膜の生成、ひいてはこ
れを用いる半導体装置等の電子デバイスの歩留りの向
上、信頼性の向上をはかることができる。
の形成方法を採ったことで、そのチャンバ内で続いての
熱処理を行うことができることによってこのようにする
ときは、工程、装置の簡略化、不要汚染物、不純物の導
入等を回避でき、特性の良い窒化膜の生成、ひいてはこ
れを用いる半導体装置等の電子デバイスの歩留りの向
上、信頼性の向上をはかることができる。
【００２３】
【実施例】図面を参照して本発明方法の実施例を説明す
る。
る。
【００２４】この例では、図１に示すようにシリコン基
板等の基板１００に形成された半導体領域１０２例えば
不純物拡散層に対して配線のコンタクトを行う場合であ
る。
板等の基板１００に形成された半導体領域１０２例えば
不純物拡散層に対して配線のコンタクトを行う場合であ
る。
【００２５】この場合、図１（Ａ）に示すように基板１
００上に形成されたＳｉＯ2 等の層間絶縁層１０４に穿
設した接続孔１０６を通じて配線コンタクトを行うもの
で、図１（Ｂ）に示すように、接続孔１０６内を含ん
で、層間絶縁層１０４上に、Ｔｉ下地膜１１０と、窒化
チタン（ＴｉＮ或いはＴｉＯＮ）膜１１２による２層構
造の密着層ないしはバリア層（以下バリア層という）１
０８を形成する。
００上に形成されたＳｉＯ2 等の層間絶縁層１０４に穿
設した接続孔１０６を通じて配線コンタクトを行うもの
で、図１（Ｂ）に示すように、接続孔１０６内を含ん
で、層間絶縁層１０４上に、Ｔｉ下地膜１１０と、窒化
チタン（ＴｉＮ或いはＴｉＯＮ）膜１１２による２層構
造の密着層ないしはバリア層（以下バリア層という）１
０８を形成する。
【００２６】そして、このバリア層１０８上に、接続孔
１０６による凹部を埋込むように、例えばＣＶＤ法によ
るＢｌｋ−Ｗ層またはスパッタリングによるＡｌ層の金
属層１１４を形成する。
１０６による凹部を埋込むように、例えばＣＶＤ法によ
るＢｌｋ−Ｗ層またはスパッタリングによるＡｌ層の金
属層１１４を形成する。
【００２７】（実施例１）Ｔｉ下地膜１１０とこれの上
の窒化チタン膜１１２とを、図２で示す構成によるＥＣ
Ｒ−ＣＶＤ装置１によって形成した。
の窒化チタン膜１１２とを、図２で示す構成によるＥＣ
Ｒ−ＣＶＤ装置１によって形成した。
【００２８】このＥＣＲ−ＣＶＤ装置１は、成膜チャン
バ１０及びプラズマチャンバ２０から成る。
バ１０及びプラズマチャンバ２０から成る。
【００２９】成膜チャンバ１０内には、半導体基板１０
０を載置するためのサセプタ１２が配置されている。サ
セプタ１２の下にはランプ加熱手段５０が配置されてい
る。半導体基板１００をランプ加熱手段５０によって加
熱することができる。
０を載置するためのサセプタ１２が配置されている。サ
セプタ１２の下にはランプ加熱手段５０が配置されてい
る。半導体基板１００をランプ加熱手段５０によって加
熱することができる。
【００３０】プラズマチャンバ２０は成膜チャンバ１０
の上部と連通している。プラズマチャンバ２０の上部に
はマイクロ波導入窓２２が設けられ、マイクロ波導入窓
２２の上部には、２．４５ＭＨｚのマイクロ波を導入す
るためのレクタンギュラーウエイブガイド２６が設けら
れている。
の上部と連通している。プラズマチャンバ２０の上部に
はマイクロ波導入窓２２が設けられ、マイクロ波導入窓
２２の上部には、２．４５ＭＨｚのマイクロ波を導入す
るためのレクタンギュラーウエイブガイド２６が設けら
れている。
【００３１】プラズマチャンバ２０の周囲には磁気コイ
ル２４が配設されている。そして、ＲＦパワーがＲＦ電
源２８からマイクロ波導入窓２２に加えられる。
ル２４が配設されている。そして、ＲＦパワーがＲＦ電
源２８からマイクロ波導入窓２２に加えられる。
【００３２】また、プラズマチャンバ２０には、アルゴ
ンガス導入口３０からアルゴンガスが供給される。アル
ゴンガスはマイクロ波導入窓２２のクリーニングを行う
ために導入される（この技術については、１９８９年春
の応用物理学会予稿集７２１頁の赤堀ら３Ｐ−２Ｆ−１
参照）。
ンガス導入口３０からアルゴンガスが供給される。アル
ゴンガスはマイクロ波導入窓２２のクリーニングを行う
ために導入される（この技術については、１９８９年春
の応用物理学会予稿集７２１頁の赤堀ら３Ｐ−２Ｆ−１
参照）。
【００３３】成膜チャンバ１０には、ＴｉＣｌ3 供給部
からマスフローコントローラ及び第１のガス導入部４０
を通してＴｉＣｌ3 ガスが供給される。尚、ＴｉＣｌ3
は固体であり、ＴｉＣｌ3 供給部には固体のＴｉＣｌ3
を昇華してガスとするための手段が設けられているが、
図示は省略した。
からマスフローコントローラ及び第１のガス導入部４０
を通してＴｉＣｌ3 ガスが供給される。尚、ＴｉＣｌ3
は固体であり、ＴｉＣｌ3 供給部には固体のＴｉＣｌ3
を昇華してガスとするための手段が設けられているが、
図示は省略した。
【００３４】また、Ｎ2 ガス及びＨ2 ガスが、同様にマ
スフローコントローラ及び第２のガス導入部４２を通し
て成膜チャンバ１０に供給される。
スフローコントローラ及び第２のガス導入部４２を通し
て成膜チャンバ１０に供給される。
【００３５】成膜チャンバ１０内のガスはガス排気部１
６から系外に排気される。
６から系外に排気される。
【００３６】尚、図２中、３２はプラズマ流を示す。
【００３７】また、１００は図１に示す構造を有する半
導体基板である。半導体基板１００は、熱電対（図示せ
ず）でその温度をモニターし、公知の温度制御手段（図
示せず）によってランプ５２への供給電力を制御し、半
導体基板１００を所要の温度に加熱する。
導体基板である。半導体基板１００は、熱電対（図示せ
ず）でその温度をモニターし、公知の温度制御手段（図
示せず）によってランプ５２への供給電力を制御し、半
導体基板１００を所要の温度に加熱する。
【００３８】このＥＣＲ−ＣＶＤ装置１を用いて、図１
のＴｉ下地膜１１０及び窒化チタン膜１１２層を形成す
る。
のＴｉ下地膜１１０及び窒化チタン膜１１２層を形成す
る。
【００３９】先ず、第１のガス導入部４０からＴｉＣｌ
3 ガスを成膜チャンバ１０に供給し、厚さ３０ｎｍのＴ
ｉ下地膜１１０を接続孔１０６内を含んで層間絶縁層１
０４上に形成する。Ｔｉ下地膜１１０の成膜条件は以下
のとおりとした。 ガス ＴｉＣｌ3 ／Ａｒ／Ｈ2 ＝１０／４０／５
０ｓｃｃｍ 温度 約４００℃ 圧力 ０．１３Ｐａ マイクロ波 ２．８ｋＷ
3 ガスを成膜チャンバ１０に供給し、厚さ３０ｎｍのＴ
ｉ下地膜１１０を接続孔１０６内を含んで層間絶縁層１
０４上に形成する。Ｔｉ下地膜１１０の成膜条件は以下
のとおりとした。 ガス ＴｉＣｌ3 ／Ａｒ／Ｈ2 ＝１０／４０／５
０ｓｃｃｍ 温度 約４００℃ 圧力 ０．１３Ｐａ マイクロ波 ２．８ｋＷ
【００４０】続いて、同じく、第１のガス導入部４０か
らＴｉＣｌ3 ガスを、第２のガス導入部４２からＮ2 ガ
ス及びＨ2 ガスを流し、厚さ５０ｎｍの窒化チタン膜と
しての１１２をＴｉＮを、Ｔｉ下地膜１１０の上に形成
した。ＴｉＮ膜１２２の成膜条件は以下のとおりとし
た。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ 尚、ガス流量の比は適宜に設定することができる。
らＴｉＣｌ3 ガスを、第２のガス導入部４２からＮ2 ガ
ス及びＨ2 ガスを流し、厚さ５０ｎｍの窒化チタン膜と
しての１１２をＴｉＮを、Ｔｉ下地膜１１０の上に形成
した。ＴｉＮ膜１２２の成膜条件は以下のとおりとし
た。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ 尚、ガス流量の比は適宜に設定することができる。
【００４１】この場合、ＲＦバイアスを印加するので、
ＴｉＮ膜のカバレッジが向上し、緻密な膜となる。
ＴｉＮ膜のカバレッジが向上し、緻密な膜となる。
【００４２】更に、このＴｉＮ膜１１２は低圧にて形成
されるため、接続孔１０６の底部にも厚く形成され、図
１（Ｂ）に示す構造が得られる。
されるため、接続孔１０６の底部にも厚く形成され、図
１（Ｂ）に示す構造が得られる。
【００４３】また、Ｃｌは揮発性の高い化合物ＨＣｌと
いう形態でＥＣＲ−ＣＶＤ装置１から排気されることか
ら、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜のＣｌ含有量が少なくなり、膜
質も向上した。
いう形態でＥＣＲ−ＣＶＤ装置１から排気されることか
ら、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜のＣｌ含有量が少なくなり、膜
質も向上した。
【００４４】また、これらＴｉ，ＴｉＮ膜は真空を破ら
ず連続して形成するので、膜質も安定し、スループット
も向上する。
ず連続して形成するので、膜質も安定し、スループット
も向上する。
【００４５】続いて同一チャンバ１０内で、このチャン
バ１０内にガス導入口４２からＯ2ガスを供給し、酸化
処理すなわち酸素スタックした。その条件は次のように
した 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ０Ｗ ガス Ｏ2 １００ｓｃｃｍ
バ１０内にガス導入口４２からＯ2ガスを供給し、酸化
処理すなわち酸素スタックした。その条件は次のように
した 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ０Ｗ ガス Ｏ2 １００ｓｃｃｍ
【００４６】次にＢｌＫ−Ｗ（ブランケットタングステ
ン）ＣＶＤ法にてＴｉＮ膜１１２の上に形成した。形成
条件は以下の２段階とした。 第１段階（核成長段階） ＷＦ6 ／ＳｉＨ4 ＝２５／１０ｓｃｃｍ 圧力 １．０６×１０4 Ｐａ 温度 ４７５℃ 第２段階（高速成長段階） ＷＦ6 ／Ｈ2 ＝６０／３６０ｓｃｃｍ 圧力 １．０６×１０4 Ｐａ 温度 ４７５℃ これにより、接続孔１０６内のＴｉＮ膜１１２上にカバ
レッジ良くＷ金属層１１４が形成された。このようにし
て、図１（Ｃ）に示す構造が得られた。この際、Ｔｉ／
ＴｉＮ膜にオーバーハングが生じることがなく、カバレ
ッジも良いので接続孔１０６内のＷ層にボイドが発生す
ることがなかった。また、接続孔１０６において、この
Ｔｉ／ＴｉＮ膜は良好なバリア性を有する膜として機能
した。
ン）ＣＶＤ法にてＴｉＮ膜１１２の上に形成した。形成
条件は以下の２段階とした。 第１段階（核成長段階） ＷＦ6 ／ＳｉＨ4 ＝２５／１０ｓｃｃｍ 圧力 １．０６×１０4 Ｐａ 温度 ４７５℃ 第２段階（高速成長段階） ＷＦ6 ／Ｈ2 ＝６０／３６０ｓｃｃｍ 圧力 １．０６×１０4 Ｐａ 温度 ４７５℃ これにより、接続孔１０６内のＴｉＮ膜１１２上にカバ
レッジ良くＷ金属層１１４が形成された。このようにし
て、図１（Ｃ）に示す構造が得られた。この際、Ｔｉ／
ＴｉＮ膜にオーバーハングが生じることがなく、カバレ
ッジも良いので接続孔１０６内のＷ層にボイドが発生す
ることがなかった。また、接続孔１０６において、この
Ｔｉ／ＴｉＮ膜は良好なバリア性を有する膜として機能
した。
【００４７】（実施例２）実施例１においてＴｉＮ膜１
１２の代わりに、ＴｉＯＮ膜を形成した。この場合のＴ
ｉＯＮ膜の成膜条件は以下のとおりとした。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ この場合も、Ｃｌは発揮性の高い化合物ＴｉＣｌX ＯY
という形態でＥＣＲ−ＣＶＤ装置１から排気され、Ｔｉ
膜及びＴｉＯＮ膜のＣｌ含有量が少なくなり、膜質も向
上する。
１２の代わりに、ＴｉＯＮ膜を形成した。この場合のＴ
ｉＯＮ膜の成膜条件は以下のとおりとした。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ この場合も、Ｃｌは発揮性の高い化合物ＴｉＣｌX ＯY
という形態でＥＣＲ−ＣＶＤ装置１から排気され、Ｔｉ
膜及びＴｉＯＮ膜のＣｌ含有量が少なくなり、膜質も向
上する。
【００４８】（実施例３）この実施例では、図３に示
す、ゲートバルブを介して連続的に接続された２つの成
膜チャンバを有するＥＣＲプラズマプロセス装置２００
を使用した。そして、それぞれの成膜チャンバで、Ｔｉ
膜と窒化チタン膜を独立して形成した。
す、ゲートバルブを介して連続的に接続された２つの成
膜チャンバを有するＥＣＲプラズマプロセス装置２００
を使用した。そして、それぞれの成膜チャンバで、Ｔｉ
膜と窒化チタン膜を独立して形成した。
【００４９】図３において、図２の装置１に対応する部
分には同一符号を付して示す。
分には同一符号を付して示す。
【００５０】図３に示すＥＣＲプラズマプロセス装置２
００は、Ｔｉ膜を形成するための第１の成膜チャンバ２
１０と、窒化チタン膜のＴｉＯＮ、ＴｉＮ膜を成膜する
ための第２の成膜チャンバ２２０から成る。
００は、Ｔｉ膜を形成するための第１の成膜チャンバ２
１０と、窒化チタン膜のＴｉＯＮ、ＴｉＮ膜を成膜する
ための第２の成膜チャンバ２２０から成る。
【００５１】第１の成膜チャンバ２１０には、ＴｉＣｌ
3 供給部からマスフローコントローラ及び第１のガス導
入部４０を通してＴｉＣｌ3 ガスが供給される。
3 供給部からマスフローコントローラ及び第１のガス導
入部４０を通してＴｉＣｌ3 ガスが供給される。
【００５２】また、Ｈ2 ガスが同様に、マスフローコン
トローラ及び第２のガス導入部４２Ａを通して成膜チャ
ンバ２１０に供給される。
トローラ及び第２のガス導入部４２Ａを通して成膜チャ
ンバ２１０に供給される。
【００５３】第２の成膜チャンバ２２０には、ＴｉＣｌ
3 供給部からマスフローコントローラ及び第１のガス導
入部４０Ａを通してＴｉＣｌ3 供給部からマスフローコ
ントローラ及び第１のガス導入部４０Ａを通してＴｉＣ
ｌ3 ガスが供給され、Ｎ2 ガス及びＨ2 ガスが、同様に
マスフローコントローラ及び第２のガス導入部４２Ａを
通して供給される。
3 供給部からマスフローコントローラ及び第１のガス導
入部４０Ａを通してＴｉＣｌ3 供給部からマスフローコ
ントローラ及び第１のガス導入部４０Ａを通してＴｉＣ
ｌ3 ガスが供給され、Ｎ2 ガス及びＨ2 ガスが、同様に
マスフローコントローラ及び第２のガス導入部４２Ａを
通して供給される。
【００５４】第１の成膜チャンバ２１０と第２の成膜チ
ャンバ２２０とはゲートバルブ２３０を介して接続され
ている。
ャンバ２２０とはゲートバルブ２３０を介して接続され
ている。
【００５５】また、ランプ加熱手段５０，５０Ａが、そ
れぞれの成膜チャンバ２１０，２２０内のサセプタ１
２，１２Ａの下に設けられている。先ず、成膜チャンバ
２１０内で、３０ｎｍ厚さのＴｉ膜１１０を実施例１と
同じ条件で形成した。即ち、Ｔｉ膜１１０の形成条件を
以下のとおりとした。 ガス ＴｉＣｌ3 ／Ａｒ／Ｈ2 ＝１０／４０／５
０ｓｃｃｍ 温度 約４００℃ 圧力 ０．１３Ｐａ マイクロ波 ２．８ｋＷ
れぞれの成膜チャンバ２１０，２２０内のサセプタ１
２，１２Ａの下に設けられている。先ず、成膜チャンバ
２１０内で、３０ｎｍ厚さのＴｉ膜１１０を実施例１と
同じ条件で形成した。即ち、Ｔｉ膜１１０の形成条件を
以下のとおりとした。 ガス ＴｉＣｌ3 ／Ａｒ／Ｈ2 ＝１０／４０／５
０ｓｃｃｍ 温度 約４００℃ 圧力 ０．１３Ｐａ マイクロ波 ２．８ｋＷ
【００５６】Ｔｉ膜の形成後、ゲートバルブ２３０を介
して搬送手段（図３には図示せず）によって、半導体基
板１００を第２の成膜チャンバ２２０に搬入し、第１の
ガス導入口４０ＡからＴｉＣｌ3 を、第２のガス導入口
４２ＡからＮ2 及びＨ2 ガスを流し、ＴｉＮ膜１１２を
形成した。ＴｉＮ膜の具体的な形成条件は以下のとおり
とした。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ
して搬送手段（図３には図示せず）によって、半導体基
板１００を第２の成膜チャンバ２２０に搬入し、第１の
ガス導入口４０ＡからＴｉＣｌ3 を、第２のガス導入口
４２ＡからＮ2 及びＨ2 ガスを流し、ＴｉＮ膜１１２を
形成した。ＴｉＮ膜の具体的な形成条件は以下のとおり
とした。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ
【００５７】そして、窒化チタン膜１１２としてＴｉＯ
Ｎ膜を形成する場合は、上の条件に代えて以下の通りと
する。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ
Ｎ膜を形成する場合は、上の条件に代えて以下の通りと
する。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ３００Ｗ ガス ＴｉＣｌ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｈ2 ／Ａｒ ＝１０／３０／３０／５０ｓｃｃｍ
【００５８】尚、いずれもガス流量の比は適宜設定する
ことができる。また、この場合においてもＲＦバイアス
を印加するので、窒化チタン膜のカバレッジが向上し、
更に緻密な膜を得ることができ、窒化チタン膜のバリア
性が向上する。更に、窒化チタン膜は、低圧で形成され
るため、開口部１０６の底部にも厚く形成され、図１
（Ｂ）に示す構造が得られる。又、実施例１と同様、Ｃ
ｌも発揮性の高い化合物であるＨＣｌという形態で排気
され、窒化チタン膜中のＣｌ含有量は少なくなり、ま
た、Ｔｉ膜と窒化チタン膜を連続して形成するので、膜
質の向上はもとより、スループットも向上した。
ことができる。また、この場合においてもＲＦバイアス
を印加するので、窒化チタン膜のカバレッジが向上し、
更に緻密な膜を得ることができ、窒化チタン膜のバリア
性が向上する。更に、窒化チタン膜は、低圧で形成され
るため、開口部１０６の底部にも厚く形成され、図１
（Ｂ）に示す構造が得られる。又、実施例１と同様、Ｃ
ｌも発揮性の高い化合物であるＨＣｌという形態で排気
され、窒化チタン膜中のＣｌ含有量は少なくなり、ま
た、Ｔｉ膜と窒化チタン膜を連続して形成するので、膜
質の向上はもとより、スループットも向上した。
【００５９】次にこのチャンバ２２０内でガス導入口４
２ＡからＯ2 ガスを導入し、次の条件下で熱処理（酸化
処理）した。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ０Ｗ ガス Ｏ2 ＝１００ｓｃｃｍ この酸化スタックでバリア性がより向上した。
２ＡからＯ2 ガスを導入し、次の条件下で熱処理（酸化
処理）した。 温度 約５００℃ マイクロ波 ２．８ｋＷ 圧力 ０．１３Ｐａ ＲＦバイアス ０Ｗ ガス Ｏ2 ＝１００ｓｃｃｍ この酸化スタックでバリア性がより向上した。
【００６０】次にこの実施例３では、金属層１１４とし
てＡｌをＤＣマグネトロンスパッタ法で形成した。その
条件は以下の通りとした。 ガス Ａｒ ４０ｓｃｃｍ 圧力 ０．６７Ｐａ ＤＣ電力 １０ｋＷ 温度 ５００℃
てＡｌをＤＣマグネトロンスパッタ法で形成した。その
条件は以下の通りとした。 ガス Ａｒ ４０ｓｃｃｍ 圧力 ０．６７Ｐａ ＤＣ電力 １０ｋＷ 温度 ５００℃
【００６１】この場合においても、Ａｌはカバレージ良
くボイドの発生もなく成膜された。 （実施例４）この実施例では、Ｔｉ膜１１０及び窒化チ
タン１１２の形成については、実施例１〜３と同様の方
法によった。そして、このＴｉ膜１１０及び窒化チタン
（ＴｉＮまたはＴｉＯＮ）膜１１２を形成した基板１０
０を、図２または図３のチャンバ１０または２２０から
とり出し、続いてこれを熱酸化処理装置（ＲＴＯ：Rapi
d Thermal Oxidation 装置）内で例えばハロゲンランプ
による加熱によって熱処理する。
くボイドの発生もなく成膜された。 （実施例４）この実施例では、Ｔｉ膜１１０及び窒化チ
タン１１２の形成については、実施例１〜３と同様の方
法によった。そして、このＴｉ膜１１０及び窒化チタン
（ＴｉＮまたはＴｉＯＮ）膜１１２を形成した基板１０
０を、図２または図３のチャンバ１０または２２０から
とり出し、続いてこれを熱酸化処理装置（ＲＴＯ：Rapi
d Thermal Oxidation 装置）内で例えばハロゲンランプ
による加熱によって熱処理する。
【００６２】この場合装置内に基板１００と共に取り込
まれた酸素によって窒化チタン膜に対する酸素スタック
を行うこともできるが、この実施例では次の条件下での
熱処理を行った。 温度 ８００℃ 圧力 常圧 ガス Ｏ2 １００ｓｃｃｍ このような熱処理を施したバリア層１０８は、そのバリ
ア性が向上した。
まれた酸素によって窒化チタン膜に対する酸素スタック
を行うこともできるが、この実施例では次の条件下での
熱処理を行った。 温度 ８００℃ 圧力 常圧 ガス Ｏ2 １００ｓｃｃｍ このような熱処理を施したバリア層１０８は、そのバリ
ア性が向上した。
【００６３】そして、次にこのバリア層１０８上に、実
施例１におけると同様の方法によって、Ｂｌk −Ｗによ
る金属層１１４を形成した。
施例１におけると同様の方法によって、Ｂｌk −Ｗによ
る金属層１１４を形成した。
【００６４】（実施例５）この実施例では、実施例４と
同様に、Ｔｉ膜１１０と、窒化チタン膜１１２によるバ
リア層１０８を形成して後、基板１００を、同様に図２
または図３のチャンバ１０または２２０からとり出し、
ＲＴＯ装置によって同様の条件下で酸素スタック処理を
行った。
同様に、Ｔｉ膜１１０と、窒化チタン膜１１２によるバ
リア層１０８を形成して後、基板１００を、同様に図２
または図３のチャンバ１０または２２０からとり出し、
ＲＴＯ装置によって同様の条件下で酸素スタック処理を
行った。
【００６５】その後、このバリア層１０８上に実施例３
におけるＡｌの形成と同様の方法によってＡｌ膜による
金属層１１４の形成を行った。この場合においてもＡｌ
層１１４はカバレージ良くボイドの発生も生じなかっ
た。
におけるＡｌの形成と同様の方法によってＡｌ膜による
金属層１１４の形成を行った。この場合においてもＡｌ
層１１４はカバレージ良くボイドの発生も生じなかっ
た。
【００６６】そして、上述した各実施例１〜５によって
形成した金属層１１４は、必要に応じて、その層間絶縁
層１０４の上面上部分を選択的にエッチバックによって
除去して、接続孔１０６内に金属層１１４より成るいわ
ゆるメタルプラグを形成させる。
形成した金属層１１４は、必要に応じて、その層間絶縁
層１０４の上面上部分を選択的にエッチバックによって
除去して、接続孔１０６内に金属層１１４より成るいわ
ゆるメタルプラグを形成させる。
【００６７】尚、本発明方法は、上述の実施例に限定さ
れるものではなく、例えば金属層１１４としてＭｏ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等、あるいは、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｎｉ，Ｃｏ等の各種シリサイド等によって構成すること
もできる。
れるものではなく、例えば金属層１１４としてＭｏ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等、あるいは、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｎｉ，Ｃｏ等の各種シリサイド等によって構成すること
もできる。
【００６８】また、層間絶縁層は、ＳｉＯ2 だけでな
く、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，シリコン窒
化膜，ＳｉＯＮ，ＳＯＧ等から構成することができ、従
来のＣＶＤ法で形成することができる。また、開口部の
形成は、通常、フォトリソグラフィ法及びリアクティブ
・イオン・エッチング法で形成することができる。
く、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，シリコン窒
化膜，ＳｉＯＮ，ＳＯＧ等から構成することができ、従
来のＣＶＤ法で形成することができる。また、開口部の
形成は、通常、フォトリソグラフィ法及びリアクティブ
・イオン・エッチング法で形成することができる。
【００６９】また、不純物拡散領域に接続孔を形成する
実施例に基づいて本発明を説明したが、多層配線間の層
間絶縁層のビヤホール、スルーホールを通じて下層配線
層と上層配線層を電気的に接続する場合等にも適用する
ことができる。
実施例に基づいて本発明を説明したが、多層配線間の層
間絶縁層のビヤホール、スルーホールを通じて下層配線
層と上層配線層を電気的に接続する場合等にも適用する
ことができる。
【００７０】
【発明の効果】本発明方法ではＥＣＲ−ＣＶＤによって
窒化チタンの形成を行うので、前述したように、アスペ
クト比の大なる接続孔内に対してもカバレージ良く窒化
チタン（ＴｉＮ，ＴｉＯＮ）の被着形成を行うことがで
きると共に、続いてこの窒化チタン膜を熱処理すること
から、この熱処理室内に取り込まれていた酸素の存在に
よって或いは外部からの酸素の供給によって、成膜のま
まの状態では、比較的粗の状態にある窒化チタン膜の粒
界に酸素をとり込んで、この酸素によって粒子間の結合
が行われ、この窒化膜の膜質、緻密性を高めるのでバリ
ア層としての機能を高めることができる。
窒化チタンの形成を行うので、前述したように、アスペ
クト比の大なる接続孔内に対してもカバレージ良く窒化
チタン（ＴｉＮ，ＴｉＯＮ）の被着形成を行うことがで
きると共に、続いてこの窒化チタン膜を熱処理すること
から、この熱処理室内に取り込まれていた酸素の存在に
よって或いは外部からの酸素の供給によって、成膜のま
まの状態では、比較的粗の状態にある窒化チタン膜の粒
界に酸素をとり込んで、この酸素によって粒子間の結合
が行われ、この窒化膜の膜質、緻密性を高めるのでバリ
ア層としての機能を高めることができる。
【００７１】そして、ＥＣＲ−ＣＶＤでの窒化チタン膜
の形成方法を採ったことで、そのチャンバ内で続いての
熱処理を行うことができることによって工程、装置の簡
略化、不要汚染物、不純物の導入等を回避でき、特性の
良い窒化膜の生成、ひいてはこれを用いる半導体装置等
の電子デバイスの歩留りの向上、信頼性の向上をはかる
ことができる。
の形成方法を採ったことで、そのチャンバ内で続いての
熱処理を行うことができることによって工程、装置の簡
略化、不要汚染物、不純物の導入等を回避でき、特性の
良い窒化膜の生成、ひいてはこれを用いる半導体装置等
の電子デバイスの歩留りの向上、信頼性の向上をはかる
ことができる。
【図１】本発明方法の工程の一部分を説明するための、
半導体素子の模式的な一部断面図である。
半導体素子の模式的な一部断面図である。
【図２】本発明方法において使用するのに適したＥＣＲ
プラズマプロセス装置の一例の構成図である。
プラズマプロセス装置の一例の構成図である。
【図３】本発明方法において使用するのに適したＥＣＲ
プラズマプロセス装置の別の例の構成図である。
プラズマプロセス装置の別の例の構成図である。
【図４】従来のメタルプラグ形成技術における問題点を
示すための、半導体素子の模式的な一部断面図である。
示すための、半導体素子の模式的な一部断面図である。
【図５】従来のメタルプラグ形成技術における問題点を
示すための、半導体素子の模式的な一部断面図である。
示すための、半導体素子の模式的な一部断面図である。
１００ 半導体基板 １０２ 不純物拡散領域 １０４ 層間絶縁層 １０６ 接続孔 １１０ Ｔｉ膜 １１２ 窒化チタン膜 １，２００ プラズマプロセス装置 １０，２１０，２２０ 成膜チャンバ ２０ プラズマチャンバ
Claims (5)
- 【請求項１】 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ
によって窒化チタン膜を形成する工程と、 続いて上記窒化チタン膜を酸化する工程とを採ることを
特徴とする窒化チタン膜の形成方法。 - 【請求項２】 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ
によって窒化チタン膜を形成する工程と、 続いて上記窒化チタン膜を酸素を含むガスのプラズマ処
理による酸化工程とを採ることを特徴とする窒化チタン
膜の形成方法。 - 【請求項３】 同一チャンバ内で、電子サイクロトロン
共鳴プラズマＣＶＤによる窒化チタン膜の形成工程と、
続く該窒化チタン膜に対する酸化工程とを行うことを特
徴とする窒化チタン膜の形成方法。 - 【請求項４】 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ
によって窒化チタン膜を形成する工程と、 続いて上記窒化チタン膜を熱処理する工程とを採ること
を特徴とする窒化チタン膜の形成方法。 - 【請求項５】 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ
によって窒化チタン膜を形成する工程と、 続いて上記窒化チタン膜を酸素を含む雰囲気で熱処理す
る工程とを採ることを特徴とする窒化チタン膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29330992A JPH06151410A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 窒化チタン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29330992A JPH06151410A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 窒化チタン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151410A true JPH06151410A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17793172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29330992A Pending JPH06151410A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 窒化チタン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151410A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100336554B1 (ko) * | 1994-11-23 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의배선층형성방법 |
| CN100454515C (zh) * | 2002-11-27 | 2009-01-21 | 三星电子株式会社 | 形成铝金属引线的方法 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP29330992A patent/JPH06151410A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100336554B1 (ko) * | 1994-11-23 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의배선층형성방법 |
| CN100454515C (zh) * | 2002-11-27 | 2009-01-21 | 三星电子株式会社 | 形成铝金属引线的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4738568B2 (ja) | 炭素含有層の付着強化と酸化最小限化のためのプラズマ処理 | |
| JPH08264530A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JP3077623B2 (ja) | プラズマ化学気相成長装置 | |
| US6268274B1 (en) | Low temperature process for forming inter-metal gap-filling insulating layers in silicon wafer integrated circuitry | |
| JPH0936230A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2809196B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100707656B1 (ko) | 금속배선의 형성 방법 및 그에 의해 형성된 금속배선을포함하는 반도체 소자 | |
| GB2336945A (en) | Method for forming interconnection structure for a semiconductor device | |
| JP3208124B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 | |
| JP3381774B2 (ja) | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 | |
| JP3636866B2 (ja) | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 | |
| JPH10199881A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3381767B2 (ja) | 成膜方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20090102053A1 (en) | Metal line stacking structure in semiconductor device and formation method thereof | |
| JP4071029B2 (ja) | 半導体素子の配線形成方法 | |
| JPH06151410A (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JP3449736B2 (ja) | メタルプラグの形成方法 | |
| JPH1167766A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6096645A (en) | Method of making IC devices having stable CVD titanium nitride films | |
| KR100827521B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법 | |
| JPH05267220A (ja) | 半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法 | |
| JP4198669B2 (ja) | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 | |
| KR100325597B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPH07201779A (ja) | 電極配線およびその形成方法 | |
| JPH05343354A (ja) | 半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法 |