JPS6068633A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6068633A JPS6068633A JP17743283A JP17743283A JPS6068633A JP S6068633 A JPS6068633 A JP S6068633A JP 17743283 A JP17743283 A JP 17743283A JP 17743283 A JP17743283 A JP 17743283A JP S6068633 A JPS6068633 A JP S6068633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polycrystalline silicon
- silicon layer
- polycrystalline
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多結晶シリコン層を２層以上有する半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
多結晶シリコン層を２層以上有する半導体装置に於て、
従来、一層目多結晶シリコン層と２層目の多結晶シリコ
ン層との導伝型が異なる場合、一層目多結晶シリコン層
と２層目多結晶シリコン層とを直接接触させると、接触
した部分にＰＮ接合が出来てしまう。このＰＮ接合に逆
バイアスが印加されると電流が流れなくなる。このため
、１層目多結晶シリコン層と二層目多結晶シリコン層と
を結ぶ場合には、配線材料（例えばｋｔ等）を用いて結
んでいる・この方法では１層目多結晶シリコン層と配線
材料とを、２層目多結晶シリコン層と配線材料とをそれ
ぞれ結ぶためにそれぞれコンタクト部分が必要となる。
従来、一層目多結晶シリコン層と２層目の多結晶シリコ
ン層との導伝型が異なる場合、一層目多結晶シリコン層
と２層目多結晶シリコン層とを直接接触させると、接触
した部分にＰＮ接合が出来てしまう。このＰＮ接合に逆
バイアスが印加されると電流が流れなくなる。このため
、１層目多結晶シリコン層と二層目多結晶シリコン層と
を結ぶ場合には、配線材料（例えばｋｔ等）を用いて結
んでいる・この方法では１層目多結晶シリコン層と配線
材料とを、２層目多結晶シリコン層と配線材料とをそれ
ぞれ結ぶためにそれぞれコンタクト部分が必要となる。
このコンタクト部分の存在によシ半導体装置の微細化に
大きな障害となる。又、一層目の多結晶シリコン層上に
は厚く絶縁体膜が形成され、配線材料がコンタクト孔に
よる段切れ等の欠点もおる。加えて多結晶シリコン層に
不純物を拡散しても層抵抗は数十〇／口程度にしか下が
らず、高速化に不利である。
大きな障害となる。又、一層目の多結晶シリコン層上に
は厚く絶縁体膜が形成され、配線材料がコンタクト孔に
よる段切れ等の欠点もおる。加えて多結晶シリコン層に
不純物を拡散しても層抵抗は数十〇／口程度にしか下が
らず、高速化に不利である。
本発明は半導体装置の微細化、高速化にも有効な半導体
装置を提供するものである。
装置を提供するものである。
本発明は、少なくとも二つの多結晶半導体層を部分的に
接触させて形成し、接触した部分を含む二つの多結晶半
導体層上の大部分に金属半導体化層を形成することを特
徴とする特 以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
接触させて形成し、接触した部分を含む二つの多結晶半
導体層上の大部分に金属半導体化層を形成することを特
徴とする特 以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
従来の方法による半導体装置の構造断面図を第１図に示
す・この方法に於ては、基板１上の絶線膜２上に形成さ
れた１層目多結晶シリコン層３と２層目多結晶シリコン
層５とを配線材料７（例えばＡＬ）を用いて結んでいる
。このため、配線材料７と多結晶シリコン層３，５との
コンタクトを取るためのコンタクトスペースが必要とな
る＠このため、無駄なスペースが必要となシ、半導体装
置の微細化には不利である◎同時に配線の自由度がなく
なる等の欠点がある。又、多結晶シリコン層３．５に不
純物を拡散し、層抵抗を下げる場合でも数十Ω／口程度
までしか下がらず高速化に不利である◎ 本発明の一実施例の半導体装置の製造工程を示す構造断
面図を第２図（ａ）〜（ｅ）に示す。まず同図（ａ）の
様に周知の方法で半導体基板１上に多結晶シリコン層３
と絶縁体膜４を形成し、該基板上の絶縁体膜４を平担化
する。次に同図（ｂ）の様に絶縁体膜４を周知の方法で
均等にエツチングすることによシ、多結晶シリコン層３
の表面を露出させる。次に同図（Ｃ）の様に、残った絶
縁層４上の所定の部分に第２の多結晶シリコン層５を形
成する。この時、第２の多結晶シリコン層５にテーパー
をつける方法もある。次に同図（ｄ）の様に例えば白金
を、例えば蒸着によシ白金層を形成し、熱処理を加える
ことによシ白金シリサイド層６を形成する。同図（ｅ）
は同図（ｄ）に示した半導体基板上に絶縁体膜７を形成
したものである。かようにして１層目多結晶シリコン層
３と２層目多結晶シリコン層５とを配線材料を用いずに
結ぶことの出来る半導体装置が製造される。
す・この方法に於ては、基板１上の絶線膜２上に形成さ
れた１層目多結晶シリコン層３と２層目多結晶シリコン
層５とを配線材料７（例えばＡＬ）を用いて結んでいる
。このため、配線材料７と多結晶シリコン層３，５との
コンタクトを取るためのコンタクトスペースが必要とな
る＠このため、無駄なスペースが必要となシ、半導体装
置の微細化には不利である◎同時に配線の自由度がなく
なる等の欠点がある。又、多結晶シリコン層３．５に不
純物を拡散し、層抵抗を下げる場合でも数十Ω／口程度
までしか下がらず高速化に不利である◎ 本発明の一実施例の半導体装置の製造工程を示す構造断
面図を第２図（ａ）〜（ｅ）に示す。まず同図（ａ）の
様に周知の方法で半導体基板１上に多結晶シリコン層３
と絶縁体膜４を形成し、該基板上の絶縁体膜４を平担化
する。次に同図（ｂ）の様に絶縁体膜４を周知の方法で
均等にエツチングすることによシ、多結晶シリコン層３
の表面を露出させる。次に同図（Ｃ）の様に、残った絶
縁層４上の所定の部分に第２の多結晶シリコン層５を形
成する。この時、第２の多結晶シリコン層５にテーパー
をつける方法もある。次に同図（ｄ）の様に例えば白金
を、例えば蒸着によシ白金層を形成し、熱処理を加える
ことによシ白金シリサイド層６を形成する。同図（ｅ）
は同図（ｄ）に示した半導体基板上に絶縁体膜７を形成
したものである。かようにして１層目多結晶シリコン層
３と２層目多結晶シリコン層５とを配線材料を用いずに
結ぶことの出来る半導体装置が製造される。
以上述べたように本発明の実施例によれば、１層目多結
晶シリコン層と２層目多結晶シリコン層とを結ぶための
配線材料は不用となシ、かつ、多結晶シリコン層をシリ
サイド化することにより、層抵抗は十分に下げることが
出来る・このため、本発明を用いることにより、高集積
かつ高速な半導体装置を製造することが出来る。
晶シリコン層と２層目多結晶シリコン層とを結ぶための
配線材料は不用となシ、かつ、多結晶シリコン層をシリ
サイド化することにより、層抵抗は十分に下げることが
出来る・このため、本発明を用いることにより、高集積
かつ高速な半導体装置を製造することが出来る。
第１図は従来例を示す断面図、第２図（ａ）乃至（ｅ）
は本発明の一実施例を製造工程順に示した断面図である
。 １は半導体基板、２は絶縁体膜、３は１層目多結晶シリ
コン層、４は１層目多結晶シリコン層と２層目多結晶シ
リコン層との間の層間絶縁体膜、５は２層目多結晶シリ
コン！＠、６は多結晶シリコン層と配線材料との間の層
間絶縁体膜、７は配線材料、８は金属シリサイド層をそ
れぞれ示す。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅／ 図 （ａ）
は本発明の一実施例を製造工程順に示した断面図である
。 １は半導体基板、２は絶縁体膜、３は１層目多結晶シリ
コン層、４は１層目多結晶シリコン層と２層目多結晶シ
リコン層との間の層間絶縁体膜、５は２層目多結晶シリ
コン！＠、６は多結晶シリコン層と配線材料との間の層
間絶縁体膜、７は配線材料、８は金属シリサイド層をそ
れぞれ示す。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅／ 図 （ａ）
Claims (1)
- 半導体基板上に少なくとも二つの多結晶半導体層が部分
的に接触して形成され、この接触した部分を含む二つの
多結晶半導体層上の大部分に金属半導体化層が形成され
ていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17743283A JPS6068633A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17743283A JPS6068633A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068633A true JPS6068633A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16030835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17743283A Pending JPS6068633A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068633A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190040928A (ko) | 2017-09-13 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 히터 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17743283A patent/JPS6068633A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190040928A (ko) | 2017-09-13 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 히터 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
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