JPS61164240A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS61164240A JPS61164240A JP541585A JP541585A JPS61164240A JP S61164240 A JPS61164240 A JP S61164240A JP 541585 A JP541585 A JP 541585A JP 541585 A JP541585 A JP 541585A JP S61164240 A JPS61164240 A JP S61164240A
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- Japan
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- silicide
- wiring
- melting point
- point metal
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半尋体集槓装置に関するものである。
（従来技術〕
従来半導体装置において、配踪娯を多結晶シリコンと高
融点金属あるいはその硅化物との複合構造とした場合、
該配線とアルミ配線との接触抵抗が、アロイ温耽あるい
は、時間とともに増加する問題があった。
融点金属あるいはその硅化物との複合構造とした場合、
該配線とアルミ配線との接触抵抗が、アロイ温耽あるい
は、時間とともに増加する問題があった。
また、−専伝型半尋体基板上に形成された、拡散層・頭
載上に高融点金属あるいはその硅化物を形成した場合、
アルミ配線と接続をとる場合、アロイ温度の上昇、又時
間の延長にともない、接触抵抗の増加に加え、アルミと
高融点金属とシリコンとの反応が急激に進み、接合の短
絡が生じる。
載上に高融点金属あるいはその硅化物を形成した場合、
アルミ配線と接続をとる場合、アロイ温度の上昇、又時
間の延長にともない、接触抵抗の増加に加え、アルミと
高融点金属とシリコンとの反応が急激に進み、接合の短
絡が生じる。
（発明の目的）
本発明の目的は、半尋体来績装置において、配線領域ヶ
多結晶シリコンと、高融点金属、あるいばその硅化物と
の２層構造にした場合にも、Ａｌ配線との接触抵抗の増
加が生じず、また、拡散領域に高融点金属あるいはその
硅化′吻を形成した１易合にも接合の短絡の生じない、
半導体集積装置全提供することにある。
多結晶シリコンと、高融点金属、あるいばその硅化物と
の２層構造にした場合にも、Ａｌ配線との接触抵抗の増
加が生じず、また、拡散領域に高融点金属あるいはその
硅化′吻を形成した１易合にも接合の短絡の生じない、
半導体集積装置全提供することにある。
本発明の特徴は、配線領域を多結晶シリコンと高融点金
属あるいはその吐化匈との２層構造とした場合、該配線
とアルミ配線と（１）接続′ｆ：行なうコンタクト部の
み、該高融点金属あるいは、その硅化物を除去した半導
体集積装置の構造。また、拡散層領域上に高融点金属あ
るいはその硅化物全形成した場合、アルミ配線との接続
を行なうコンタクト孔のみ、該高融点金属あるいはその
硅化物を除去した半導体集積装置の構造［必る１、（発
明の要旨） この発明は多結晶シリコン配線層上もしくは半導体基板
の不純物領域上に高融点金属もしくはその硅化物を有す
るところに他の配線層全接続する場合、そのコンタクト
部の高融点金属もしくはその硅化物が除去された構造で
ある。これにエリ良好なコンタクトが得らｎる。
属あるいはその吐化匈との２層構造とした場合、該配線
とアルミ配線と（１）接続′ｆ：行なうコンタクト部の
み、該高融点金属あるいは、その硅化物を除去した半導
体集積装置の構造。また、拡散層領域上に高融点金属あ
るいはその硅化物全形成した場合、アルミ配線との接続
を行なうコンタクト孔のみ、該高融点金属あるいはその
硅化物を除去した半導体集積装置の構造［必る１、（発
明の要旨） この発明は多結晶シリコン配線層上もしくは半導体基板
の不純物領域上に高融点金属もしくはその硅化物を有す
るところに他の配線層全接続する場合、そのコンタクト
部の高融点金属もしくはその硅化物が除去された構造で
ある。これにエリ良好なコンタクトが得らｎる。
（失１か１し・す）
次に図面を用いＣ本発明の実施ヒ１にっ囚て説明する。
第ＩＩＡは第１の実施例全示すもので、半導体基板１に
、配譚層として多結晶シリコン６と、Ｔｉシリサイドの
２層構造とした・レロ葡示す。
、配譚層として多結晶シリコン６と、Ｔｉシリサイドの
２層構造とした・レロ葡示す。
この配線とアルミ配；腺８との接続を行なうため層間絶
縁膜７に開孔さＪ′シたコンタクト孔部９のみＴｉシリ
サイドを除去した構造である。ＴＩ、シリサイドの除去
ｒよバッフアートＩ−Ｉ Ｆ液を用いれば各局に可能で
あり、一層目の多結晶シリコン表面にダメージをあたえ
ることも無い。互た層間絶縁膜として化学気相成長によ
るＰＳＧをパ」めると、バッハアート１４１゛液による
エツチングｍＪ＆は、化学気相成長［よるＰＳＧの方が
、Ｔ、 シリサイドエリ約２倍はど速い。したがって
Ｔｉ シリサイド全除去する際、・一方間の広がＶは
コンタクト孔より犬きくなるＣとは無い。
縁膜７に開孔さＪ′シたコンタクト孔部９のみＴｉシリ
サイドを除去した構造である。ＴＩ、シリサイドの除去
ｒよバッフアートＩ−Ｉ Ｆ液を用いれば各局に可能で
あり、一層目の多結晶シリコン表面にダメージをあたえ
ることも無い。互た層間絶縁膜として化学気相成長によ
るＰＳＧをパ」めると、バッハアート１４１゛液による
エツチングｍＪ＆は、化学気相成長［よるＰＳＧの方が
、Ｔ、 シリサイドエリ約２倍はど速い。したがって
Ｔｉ シリサイド全除去する際、・一方間の広がＶは
コンタクト孔より犬きくなるＣとは無い。
これによって、層抵抗が低く、アルミ配線とりコンタク
ト抵抗が大きくならない配線が実現される。
ト抵抗が大きくならない配線が実現される。
第２図は第２の実施例會示すもので、Ｐ型シリコン基板
ＩＫ−形成された、拡散領域４の表面１ｃＴｉシリサイ
ド膜を形成したｌ＋ｌｌを示す。
ＩＫ−形成された、拡散領域４の表面１ｃＴｉシリサイ
ド膜を形成したｌ＋ｌｌを示す。
層間絶縁膜７に開孔されたコンタクト孔９を介してアル
ミ配；瀕との接続全行なっているが、コンタクト孔９部
のみ、同様にＴｉシリサイド膜を除去しである。ここで
も、Ｔｌシリサイド膜の除去には、バッフアートＨＦ液
を用いること［工って、シリコン基板にダメージ金あた
えること無く、又Ｉｌｌ 、シリサイド膜の除去部の孔
は層間膜に開孔されたコンタクト孔エリ大きくならない
。
ミ配；瀕との接続全行なっているが、コンタクト孔９部
のみ、同様にＴｉシリサイド膜を除去しである。ここで
も、Ｔｌシリサイド膜の除去には、バッフアートＨＦ液
を用いること［工って、シリコン基板にダメージ金あた
えること無く、又Ｉｌｌ 、シリサイド膜の除去部の孔
は層間膜に開孔されたコンタクト孔エリ大きくならない
。
これによって、拡散層とアルミ配線との近触抵抗全上げ
ることもなく、又、アルミとＴｉ シリコンの反応に工
って接合の短絡とｂつだ問題も解消される。
ることもなく、又、アルミとＴｉ シリコンの反応に工
って接合の短絡とｂつだ問題も解消される。
第３図は第３の実施例を示すもので、ゲート′ぼ極を多
結晶シリコン６とＴ、シリサイド膜５の２層構造とし、
ソース／ドレイン領域である拡散層４上ｆ／ｌ：Ｔｉシ
リサイド膜５全形成したＭＯＳ）ランジスタの例を示す
。
結晶シリコン６とＴ、シリサイド膜５の２層構造とし、
ソース／ドレイン領域である拡散層４上ｆ／ｌ：Ｔｉシ
リサイド膜５全形成したＭＯＳ）ランジスタの例を示す
。
ここでＰ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３を形成後
、多結晶シリコン膜を成長、写真蝕刻法によりケート電
極６を形成し、ソース／ドレインとなる拡散領域４を形
成する。その後ｒｌｌ 、膜をスパッタ法によって形成
し、熱処理によって拡散層上のシリコンおよび多結晶シ
リコンとＴｌｋ反応させＴ１シリサイド膜５會形成する
。酸化膜上のＴｉは反応しないためＨ２０２： Ｎ１−
１４０Ｈ，Ｈ２０の混合液で除去する。
、多結晶シリコン膜を成長、写真蝕刻法によりケート電
極６を形成し、ソース／ドレインとなる拡散領域４を形
成する。その後ｒｌｌ 、膜をスパッタ法によって形成
し、熱処理によって拡散層上のシリコンおよび多結晶シ
リコンとＴｌｋ反応させＴ１シリサイド膜５會形成する
。酸化膜上のＴｉは反応しないためＨ２０２： Ｎ１−
１４０Ｈ，Ｈ２０の混合液で除去する。
次に層間絶縁膜として気相成長法による１） ８ Ｇ膜
全形成し、ゲートｉｍ及び、ソース／ドレイン領域にコ
ンタクト孔全開孔する。この時、ＨＦ液に工ってＴ１シ
リサイド′（ｉｌ−除去し、アルミ配線との接続をとる
。これにエリ、アルミ配線とゲート電極および拡散層領
域との接触抵抗の増加を避けることが可能であり、拡散
層領域におけるＴ１とアルミと、シリコンの反応による
接合の短絡も生じない。
全形成し、ゲートｉｍ及び、ソース／ドレイン領域にコ
ンタクト孔全開孔する。この時、ＨＦ液に工ってＴ１シ
リサイド′（ｉｌ−除去し、アルミ配線との接続をとる
。これにエリ、アルミ配線とゲート電極および拡散層領
域との接触抵抗の増加を避けることが可能であり、拡散
層領域におけるＴ１とアルミと、シリコンの反応による
接合の短絡も生じない。
４ 図面の１１１１羊な１況明
第１図乃至第３図ｔよそれぞれ本発明の芙施例葡ボ丁１
１．Ｉｒ而図である。
１．Ｉｒ而図である。
１はシリコン基板、２は酸化膜、３はゲート酸化膜、４
は拡散層領域、５はＴ、シリサづド、６は多結晶シリコ
ン、７は層間絶縁膜、８はアルミ自己ｉ＃ｊ！、ｉエコ
ンタクト孔。
は拡散層領域、５はＴ、シリサづド、６は多結晶シリコ
ン、７は層間絶縁膜、８はアルミ自己ｉ＃ｊ！、ｉエコ
ンタクト孔。
Claims (2)
- （１）配線層として、多結晶シリコンと高融点金属、あ
るいは、多結晶シリコンと前記高融点金属の硅化物との
複合構造を有する半導体集積回路装置において、前記配
線層と、他の金属系配線層とのオーミック接続を行なう
コンタクト孔部は、前記高融点金属あるいは、高融点金
属硅化物が除去されてなることを特徴とする半導体集積
回路装置。 - （２）一導電型半導体基板の主表面上に形成された拡散
領域上に、高融点金属あるいは、該高融点金属の硅化物
を有する半導体集積回路装置において、他の金属系配線
層とのオーミック接続を行なうコンタクト孔部は、前記
高融点金属あるいは、該高融点金属の硅化物が除去され
てなる事を特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP541585A JPS61164240A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP541585A JPS61164240A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164240A true JPS61164240A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11610512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP541585A Pending JPS61164240A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61164240A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127552A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01266746A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP541585A patent/JPS61164240A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127552A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01266746A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Sony Corp | 半導体装置 |
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