JPS6010674A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS6010674A JPS6010674A JP11960383A JP11960383A JPS6010674A JP S6010674 A JPS6010674 A JP S6010674A JP 11960383 A JP11960383 A JP 11960383A JP 11960383 A JP11960383 A JP 11960383A JP S6010674 A JPS6010674 A JP S6010674A
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- Japan
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- silicon substrate
- gold
- aluminum
- aluminum layer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子の製造方法に係り、特に電極の
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
従来、半導体素子、例えばシリコン半導体素子の電極の
形成に際しては、白金を付着させ、この白金をシリコン
基板との間に白金シリサイドが形成される温度で白金に
焼付処理を施す工程と、同工程を経た前記シリコン基板
上に金層を形成する工程において、白金シリサイドと金
層間に、シリコン基板への金の拡散を防ぐために白金シ
リサイドと金層への密着性のよい金属層２例えはチタン
層、タングステン層が形成されている。
形成に際しては、白金を付着させ、この白金をシリコン
基板との間に白金シリサイドが形成される温度で白金に
焼付処理を施す工程と、同工程を経た前記シリコン基板
上に金層を形成する工程において、白金シリサイドと金
層間に、シリコン基板への金の拡散を防ぐために白金シ
リサイドと金層への密着性のよい金属層２例えはチタン
層、タングステン層が形成されている。
しかしながら、白金シリサイドを形成する工程において
、高温の焼付処理を施すことＫよってパンシベーション
膜、特にガラス保護膜の割れによりシリコン半導体素子
の特性を劣化させることが判明した。
、高温の焼付処理を施すことＫよってパンシベーション
膜、特にガラス保護膜の割れによりシリコン半導体素子
の特性を劣化させることが判明した。
また、他の方法として、シリコン半導体素子にアルミニ
ウム層を付着させ、アルミニウム層とシリコン基板間に
合金が形成される温度で焼付処理を施すことによってＮ
掩を形成するものがある。
ウム層を付着させ、アルミニウム層とシリコン基板間に
合金が形成される温度で焼付処理を施すことによってＮ
掩を形成するものがある。
しかしながら、上記アルミニウム電極に金線のり−ドポ
ンデイングを施し、この両金属を接触させ、高温下にお
くと金ボンドコンタクトが劣化することが判明した。
ンデイングを施し、この両金属を接触させ、高温下にお
くと金ボンドコンタクトが劣化することが判明した。
この発明は、上記の点妬かんがみなされたもので、パン
シベーション膜を劣化させることのない焼付処理の可能
なアルミニウム層で、シリコン基板とオーミンク接触を
取り、さらに、前記アルミニウム層にチタン層、タング
ステン層、金層を形成するようにしたものである。
シベーション膜を劣化させることのない焼付処理の可能
なアルミニウム層で、シリコン基板とオーミンク接触を
取り、さらに、前記アルミニウム層にチタン層、タング
ステン層、金層を形成するようにしたものである。
以下第１図〜第３図に従ってこの発明の製造方法を具体
的に説明する。
的に説明する。
まず、第１図のようにＮ型シリコン基板１中に付着させ
、加熱炉内において焼結した後、フォトエンチング工程
によってガラス保護膜３を選択的に除去したものである
。
、加熱炉内において焼結した後、フォトエンチング工程
によってガラス保護膜３を選択的に除去したものである
。
電極形成としては第２図に示すように、アルミニウム層
４を蒸着し、フォトエンチング工程によって選択的に除
去した後、４５０℃で３０分程度の加熱処理を施す。こ
の加熱処理を施すことによって、Ｎ型シリコン基板１に
選択的に拡散されたＰ型領域２とアルミニウム層４は接
触抵抗も十分低いものとなり、また、密着性のよいもの
となる。
４を蒸着し、フォトエンチング工程によって選択的に除
去した後、４５０℃で３０分程度の加熱処理を施す。こ
の加熱処理を施すことによって、Ｎ型シリコン基板１に
選択的に拡散されたＰ型領域２とアルミニウム層４は接
触抵抗も十分低いものとなり、また、密着性のよいもの
となる。
このようにして形成されたアルミニウム層４に、さらに
、第３図のようにチタン層５．タングステン層６．金層
Ｔをスパツクを用いて連続的に形成する。さらに、金層
７は選択的にメッキを施すことによって厚さを増し、ま
た、不用な部分のチタン・層５．タングステン層６．金
層７はフォトエンチング工程により選択的に除去されて
いる。
、第３図のようにチタン層５．タングステン層６．金層
Ｔをスパツクを用いて連続的に形成する。さらに、金層
７は選択的にメッキを施すことによって厚さを増し、ま
た、不用な部分のチタン・層５．タングステン層６．金
層７はフォトエンチング工程により選択的に除去されて
いる。
以上説明したように、この発明によれば、アルミニウム
層によりシリコン基板との接触抵抗を低くシ、また、ア
ルミニウム層、チタン層、タングステン層、金層がそれ
そハ密着強度に優れるため電極の接触状態は１−こぶる
良好なものとなり、また、リードボンディングも良好な
ものとなる利点が得られる。
層によりシリコン基板との接触抵抗を低くシ、また、ア
ルミニウム層、チタン層、タングステン層、金層がそれ
そハ密着強度に優れるため電極の接触状態は１−こぶる
良好なものとなり、また、リードボンディングも良好な
ものとなる利点が得られる。
第１図〜第３図はこの発明により製造されたシリコンダ
イオードの断面図である。 図中、１はＮ型シリコン基板、２はＰ型頭域、３はガラ
ス保護膜、４はアルミニウム層、５はチタン層、６はタ
ングステン層、７は金層である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す・
１ 代理人 大岩増雄 （外２名）
イオードの断面図である。 図中、１はＮ型シリコン基板、２はＰ型頭域、３はガラ
ス保護膜、４はアルミニウム層、５はチタン層、６はタ
ングステン層、７は金層である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す・
１ 代理人 大岩増雄 （外２名）
Claims (1)
- 少な（とも１つのＰＮ接合が形成されたシリコン基板の
所要領域の表面にアルミニウム層を付着させる工程と、
前記アルミニウム層上に密着性のよいチタン層、タング
ステン層および金層を順次形成し電極とする工程とを含
むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11960383A JPS6010674A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11960383A JPS6010674A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010674A true JPS6010674A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14765477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11960383A Pending JPS6010674A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108074A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Nec Corp | プリンタ装置 |
| JPS62160257A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 印字装置 |
| US8858710B2 (en) | 2007-07-20 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Chemical solution vaporizing tank and chemical solution treating system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208161A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11960383A patent/JPS6010674A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208161A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108074A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Nec Corp | プリンタ装置 |
| JPS62160257A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 印字装置 |
| US8858710B2 (en) | 2007-07-20 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Chemical solution vaporizing tank and chemical solution treating system |
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