DE3627641A1 - Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number
DE3627641A1
DE3627641A1 DE19863627641 DE3627641A DE3627641A1 DE 3627641 A1 DE3627641 A1 DE 3627641A1 DE 19863627641 DE19863627641 DE 19863627641 DE 3627641 A DE3627641 A DE 3627641A DE 3627641 A1 DE3627641 A1 DE 3627641A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solar cell
layer
cell according
connector
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19863627641
Other languages
English (en)
Other versions
DE3627641C2 (de
Inventor
Gerhard Dipl Ing Strobl
Gerhard Dipl Ing Wahl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Systemtechnik AG
Original Assignee
Telefunken Electronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Electronic GmbH filed Critical Telefunken Electronic GmbH
Priority to DE19863627641 priority Critical patent/DE3627641A1/de
Publication of DE3627641A1 publication Critical patent/DE3627641A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3627641C2 publication Critical patent/DE3627641C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Description

Solarzellen werden bekanntlich bei ihrem Einsatz im Weltraum beim Umkreisen der Erde Temperaturschwankungen von beispielsweise ±100°C ausgesetzt. Durch diese hohen Temperaturschwankungen wird die Verbindung zwi­ schen dem Solarzellenkontakt und dem Verbinder, der für den Einsatz der Solarzellen in Solarzellengeneratoren benötigt wird, extrem beansprucht. Diese Beanspruchung hat zur Folge, daß Solarzellengeneratoren früher als erwartet ausfallen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Solar­ zelle anzugeben, die bei ihrem Einsatz in Solarzellen­ generatoren wesentlich mehr Betriebsstunden aushält als bekannte Solarzellen. Diese Aufgabe wird bei einer So­ larzelle nach der Erfindung durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispie­ len erläutert.
Eine Solarzelle besteht nach der Fig. 1 aus einem Halb­ leiterkörper 1 aus Silizium mit einem pn-Übergang 2 und einem Vorderseitenkontakt 3 sowie einem Rückseitenkon­ takt 4. Die Solarzellenkontakte 3 und 4 bestehen gemäß der Fig. 2 beispielsweise aus Titan-Palladium-Silber, wobei die Titanschicht 5 die unterste und damit die auf dem Halbleiterkörper befindliche Schicht, die Palladium- Schicht 6, die mittlere Schicht und die Silberschicht 7 die oberste Schicht ist. Die Silberschicht 7 ist wesent­ lich dicker als die beiden anderen Schichten 5 und 6.
An der oberen Silberschicht 7 wird für den Einsatz der Solarzellen in Solarzellengeneratoren gemäß der Fig. 3 ein Verbinder 8 angebracht, der beispielsweise aus Sil­ ber besteht. Silber hat einen wesentlich größeren ther­ mischen Ausdehnungskoeffizient als das Silizium des Halbleiterkörpers. Dies hat zur Folge, daß sich das Silber bei thermischer Belastung wesentlich mehr aus­ dehnt als das Silizium. Bei der Ausdehnung kann das Silber des Solarzellenkontaktes nur nach oben auswei­ chen. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß eine starke thermische Belastung der Solarzelle zu ei­ ner Degradation der Silberschicht und damit zu einer unebenen Oberfläche der Silberschicht führt. Dies hat zur Folge, daß sich der Verbinder im Laufe der Zeit von der Silberschicht löst.
Um eine bessere und thermisch mehr belastbare Verbin­ dung zwischen einem Solarzellenkontakt und einem Ver­ binder zu erhalten, wird der Verbinder nach der Erfin­ dung nicht unmittelbar mit der Silberschicht verbunden bzw. auf dieser befestigt, sondern es wird eine Zwi­ schenschicht verwendet, die zwischen der Silberschicht 7 und dem Verbinder 8 liegt. Der Verbinder kann auf der Zwischenschicht befestigt oder in die Zwischenschicht eingebettet sein. Die Zwischenschicht muß so ausgebil­ det sein, daß sie in der Lage ist, Material der Silber­ schicht 7, welches sich bei thermischer Belastung nach oben ausdehnt, aufzunehmen. Diese Bedingung erfüllt eine Schicht, die entsprechende Hohlräume aufweist, die das Material der Silberschicht aufnehmen können. Die Zwischenschicht wird deshalb beispielsweise porös aus­ gebildet.
Um eine poröse Zwischenschicht zu erhalten, wird das Material 9 für die Zwischenschicht gemäß der Fig. 4 beispielsweise im Siebdruckverfahren aufgebracht. Die­ ses Verfahren wird durch das Sieb 10 angedeutet. Als Material für die Zwischenschicht 9 eignet sich bei­ spielsweise eine Silberpaste oder ein Silberepoxykle­ ber.
Um den Verbinder 8 in eine Zwischenschicht 9 einzubet­ ten, gibt es beispielsweise zwei Möglichkeiten. Die eine Möglichkeit besteht darin, daß vor dem Siebdrucken eine perforierter oder ein im Kontaktierungsbereich fingerförmig ausgebildeter Verbinder auf die Oberfläche des Solarzellenkontaktes und damit auf die Oberfläche der Silberschicht 7 aufgelegt und danach Siebdruckpaste wie z.B. eine Silberpaste aufgedrückt wird. Beim Auf­ drücken der Silberpaste bleibt der Verbinder 8, wenn er beispielsweise perforiert ist, nicht auf der Oberfläche der Silberschicht 7, sondern die Silberpaste drückt sich durch die Hohlräume des Verbinders 8, was zur Fol­ ge hat, daß der Verbinder 8 gemäß der Fig. 5 in die Siebdruckpaste 9 eingebettet wird.
Die zweite Möglichkeit zeigen die Fig. 6 bis 9. Nach den Fig. 6 und 7 wird im Siebdruckverfahren zunächst eine Teilschicht 9′ der Zwischenschicht 9 auf die Ober­ fläche des Solarzellenkontaktes bzw. der Silberschicht 7 aufgebracht und erst danach der Verbinder 8 gemäß der Fig. 8 auf die Teilschicht 9′ aufgelegt. Anschließend wird gemäß der Fig. 9 eine zweite Teilschicht 9′′ der Zwischenschicht 9 auf den Verbinder 8 im Siebdruckver­ fahren aufgebracht. Der Verbinder 8 wird auch bei die­ sem Verfahren, wie in der Fig. 5 dargestellt, in die Zwischenschicht 9 eingebettet.
Die Fig. 10 zeigt eine nach der Erfindung hergestellte Verbindung zwischen dem Rückseitenkontakt 4 der Solar­ zelle und einem Verbinder 11. Diese Verbindung kann ebenfalls nach den beiden beschriebenen Herstellungs­ verfahren erfolgen, d.h. entweder durch Auflegen eines perforierten Verbinders 11 auf die Oberfläche des Rück­ seitenkontaktes 4 und Aufdrücken einer Siebdruckpaste, oder andererseits durch Aufbringen einer ersten Teil­ schicht der Zwischenschicht 12 im Siebdruckverfahren, Aufbringen des Rückseitenkontaktes und Aufbringen einer zweiten Teilschicht der Zwischenschicht 12 im Sieb­ druckverfahren.
Die Erfindung findet mit Vorteil bei allen Solarzellen­ kontakten Anwendung, die sich bei thermischer Belastung nach oben ausdehnen wollen und dadurch eine unebene Oberfläche annehmen.

Claims (18)

1. Solarzelle mit einem Kontakt, der durch einen Ver­ binder kontaktiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kontakt und dem Verbinder eine Schicht vorgesehen ist, die bei Temperaturschwankungen, denen die Solarzelle ausgesetzt ist, dem Kontaktmaterial die Möglichkeit bietet, in die Zwischenschicht auszuwei­ chen.
2. Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht derart ausgebildet ist, daß sie bei Temperaturschwankungen eine ebene Oberfläche behält.
3. Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Schicht porös ist.
4. Solarzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine solche Porösität aufweist, daß das Kontaktmaterial bei Temperaturschwankungen in die Hohl­ räume der porösen Zwischenschicht ausweichen kann.
5. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine Siebdruckschicht ist.
6. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt aus Silber besteht oder eine obere Schicht aus Silber aufweist.
7. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus einem leitfähigen Material besteht.
8. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Silber besteht oder eine Komponente aus Silber aufweist.
9. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbinder Ausnehmungen aufweist.
10. Solarzelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbinder perforiert ist.
11. Solarzelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbinder im Kontaktierungsbereich fingerförmig ausgebildet ist.
12. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 11, da­ durch gekennzeichnet, daß der Verbinder aus Silber oder Molybdän besteht oder eine Komponente aus Silber auf­ weist.
13. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 12, da­ durch gekennzeichnet, daß der Verbinder auf die Schicht aufgeschweißt ist.
14. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 12, da­ durch gekennzeichnet, daß der Verbinder in die Schicht eingebettet ist.
15. Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle nach ei­ nem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst Material der Schicht auf den Solarzellenkon­ takt im Siebdruckverfahren aufgebracht wird, daß auf dieses Material ein mit Ausnehmungen versehener Verbin­ der aufgelegt wird und daß dann weiteres Material der Schicht im Siebdruckverfahren aufgebracht wird.
16. Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle nach ei­ nem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit Ausnehmungen versehener Verbinder auf den So­ larzellenkontakt gelegt wird und daß dann das Material der Schicht im Siebdruckverfahren aufgedrückt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im Siebdruckverfahren Siebdruckpaste auf­ gedrückt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, da­ durch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der Sieb­ druckpaste das Siebdruckmaterial ausgeheizt wird.
DE19863627641 1986-08-14 1986-08-14 Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung Granted DE3627641A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863627641 DE3627641A1 (de) 1986-08-14 1986-08-14 Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863627641 DE3627641A1 (de) 1986-08-14 1986-08-14 Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3627641A1 true DE3627641A1 (de) 1988-02-25
DE3627641C2 DE3627641C2 (de) 1991-01-17

Family

ID=6307412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863627641 Granted DE3627641A1 (de) 1986-08-14 1986-08-14 Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3627641A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0356033A2 (de) * 1988-08-26 1990-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Sonnenzelle
WO2007013625A1 (ja) * 2005-07-28 2007-02-01 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール
DE102006041046A1 (de) * 2006-09-01 2008-03-06 Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg Solarzelle, Verfahren zur Herstellung von Solarzellen sowie elektrische Leiterbahn
JP2008135652A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2112812A1 (de) * 1971-03-17 1972-10-19 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement
DE2411690A1 (de) * 1974-03-12 1975-09-25 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement, insbesondere solarzelle mit integrierten verbindern
US3912540A (en) * 1971-06-21 1975-10-14 Nasa Covered silicon solar cells and method of manufacture
US3993505A (en) * 1975-05-27 1976-11-23 Hughes Aircraft Company Interconnector for components such as solar cells or the like
US4043834A (en) * 1975-09-18 1977-08-23 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Flexible solar generator panel
DE2842791A1 (de) * 1977-10-07 1979-04-19 Org Europeene De Rech Verbindungselement fuer sonnenzellen
DE3028018A1 (de) * 1979-07-27 1981-02-19 Philips Nv Verfahren zur herstellung einer sonnenzelle
EP0024775A2 (de) * 1979-08-31 1981-03-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Silber enthaltende, leitende Dickfilm-Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung einer solchen Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle unter Aufdrucken dieser Zusammensetzung durch Siebdruck auf die n-Schicht eines Halbleiterplättchens und so erhaltene Solarzellen
US4336648A (en) * 1979-11-02 1982-06-29 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Method of contacting a solar cell
US4380112A (en) * 1980-08-25 1983-04-19 Spire Corporation Front surface metallization and encapsulation of solar cells
DE3303926A1 (de) * 1983-02-05 1984-08-16 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Scheibenfoermige solarzelle
DE3423172A1 (de) * 1983-06-22 1985-01-10 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung einer solarbatterie

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2112812A1 (de) * 1971-03-17 1972-10-19 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement
US3912540A (en) * 1971-06-21 1975-10-14 Nasa Covered silicon solar cells and method of manufacture
DE2411690A1 (de) * 1974-03-12 1975-09-25 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement, insbesondere solarzelle mit integrierten verbindern
US3993505A (en) * 1975-05-27 1976-11-23 Hughes Aircraft Company Interconnector for components such as solar cells or the like
US4043834A (en) * 1975-09-18 1977-08-23 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Flexible solar generator panel
DE2842791A1 (de) * 1977-10-07 1979-04-19 Org Europeene De Rech Verbindungselement fuer sonnenzellen
DE3028018A1 (de) * 1979-07-27 1981-02-19 Philips Nv Verfahren zur herstellung einer sonnenzelle
EP0024775A2 (de) * 1979-08-31 1981-03-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Silber enthaltende, leitende Dickfilm-Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung einer solchen Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle unter Aufdrucken dieser Zusammensetzung durch Siebdruck auf die n-Schicht eines Halbleiterplättchens und so erhaltene Solarzellen
US4336648A (en) * 1979-11-02 1982-06-29 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Method of contacting a solar cell
US4380112A (en) * 1980-08-25 1983-04-19 Spire Corporation Front surface metallization and encapsulation of solar cells
DE3303926A1 (de) * 1983-02-05 1984-08-16 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Scheibenfoermige solarzelle
DE3423172A1 (de) * 1983-06-22 1985-01-10 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung einer solarbatterie

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SUPPA, E., HEINECKE,J., KÖHLER,F.,MÜLLER, E.: Neue techologische Verfahren für Solarzellenan- lagen. In: Raumfahrtforschung 1969, H.5, S.205-212 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0356033A2 (de) * 1988-08-26 1990-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Sonnenzelle
EP0356033A3 (en) * 1988-08-26 1990-08-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell device
US5009721A (en) * 1988-08-26 1991-04-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell
WO2007013625A1 (ja) * 2005-07-28 2007-02-01 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール
DE102006041046A1 (de) * 2006-09-01 2008-03-06 Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg Solarzelle, Verfahren zur Herstellung von Solarzellen sowie elektrische Leiterbahn
JP2008135652A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US8314323B2 (en) 2006-11-29 2012-11-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module
US9825188B2 (en) 2006-11-29 2017-11-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module

Also Published As

Publication number Publication date
DE3627641C2 (de) 1991-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0330895B1 (de) Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben
DE2919041C2 (de)
EP0650189B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Modulaufbaus
DE1248813C2 (de) Federnde halbleiter-anschlusskontaktanordnung
DE2820403C2 (de) Verfahren zum Ankleben und zum Kontaktieren eines elektrischen Bauteils mit einer flächenförmigen Elektrode
DE2104175A1 (de) Thermoelektrische Einheit und Ver fahren zu ihrer Herstellung
DE2928943A1 (de) Verfahren zum diffusionsverbinden durch thermokompression
DE2624313A1 (de) Verfahren zur ausfuehrung von warmpressverbindungen von leiterstrukturen auf einem halbleiter- schaltungsbaustein
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2159530C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE4206490C2 (de) Elektrisch leitfähige Gasverteilerstruktur für eine Brennstoffzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1752679B2 (de) Verfahren zum verbindungsschweissen von kleinstbauteilen
EP1597786B1 (de) Herstellung eines hochtemperatur-brennstoffzellenstapels
DE3010876A1 (de) Verfahren zur herstellung einer leiterplatte
DE3903261C2 (de)
DE3335848A1 (de) Verfahren zum verbinden eines aluminiumdrahtes
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE1106422B (de) Blattfoermig zusammengesetztes, aus mehreren Lagen bestehendes Plaettchen aus Elektrodenmaterial zum Einlegieren von p-n-UEbergaengen in Halbleiteranordnungen
DE3627641A1 (de) Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2525121A1 (de) Waermepumpe
DE2435637B2 (de) Halbleiteranordnung mit Druckkontakt
DE2253830A1 (de) Integrierte halbleiteranordnung
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
DE2259133A1 (de) Verfahren zum kontaktieren einer halbleiteranordnung
DE3529341A1 (de) Solarzellen-modul

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8172 Supplementary division/partition in:

Ref country code: DE

Ref document number: 3645082

Format of ref document f/p: P

Q171 Divided out to:

Ref country code: DE

Ref document number: 3645082

8172 Supplementary division/partition in:

Ref country code: DE

Ref document number: 3645120

Format of ref document f/p: P

Q171 Divided out to:

Ref country code: DE

Ref document number: 3645120

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TELEFUNKEN SYSTEMTECHNIK GMBH, 7900 ULM, DE

AH Division in

Ref country code: DE

Ref document number: 3645120

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee