JP2010037161A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
請求項１記載の発明の要旨は、ＺｎとＳｎの酸化物からなる酸化物焼結体の製造方法であって、ＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇであるＺｎＯ粉末とＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇであるＳｎＯ２粉末とを配合比率がＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．３〜０．９５の範囲で配合し、非還元性雰囲気中で９００〜１１００℃の範囲の温度で焼成した仮焼粉体を粉末化することで、ＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇの仮焼粉末を製造する仮焼粉末製造工程と、前記仮焼粉末を用い、造粒・成形した成形体を、非還元性雰囲気中で１３００〜１６００℃の範囲の温度で１〜１０時間の焼成時間で焼成して酸化物焼結体を得る本焼成工程とからなることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法に存する。
請求項２記載の発明の要旨は、前記本焼成工程において、前記仮焼粉末にさらにＺｎＯ粉末を混合して、造粒・成形して前記成形体を得ることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体の製造方法に存する。
請求項３記載の発明の要旨は、前記本焼成工程において、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｕのうちいずれか１種からなる添加物元素の酸化物粉末が前記仮焼粉末に配合されることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物焼結体の製造方法に存する。
請求項４記載の発明の要旨は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体の製造方法によって製造されたことを特徴とする酸化物焼結体に存する。
請求項５記載の発明の要旨は、Ｚｎ２ＳｎＯ４相が含まれることを特徴とする請求項４に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項６記載の発明の要旨は、Ｚｎ２ＳｎＯ４相とＳｎＯ２相とからなることを特徴とする請求項４又は５に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項７記載の発明の要旨は、Ｚｎ２ＳｎＯ４相の平均結晶粒径が１〜１０μｍの範囲であることを特徴とする請求項５又は６に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項８記載の発明の要旨は、相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項４から請求項７までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項９記載の発明の要旨は、請求項４から請求項８までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットに存する。
請求項１０記載の発明の要旨は、請求項９に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって成膜されたことを特徴とする半導体薄膜に存する。
請求項１１記載の発明の要旨は、常温でのキャリア密度が１０２１ｃｍ−３未満であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体薄膜に存する。
請求項１記載の発明の要旨は、ＺｎとＳｎの酸化物からなる酸化物焼結体の製造方法であって、ＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇであるＺｎＯ粉末とＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇであるＳｎＯ２粉末とを配合比率がＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．３〜０．９５の範囲で配合し、非還元性雰囲気中で９００〜１１００℃の範囲の温度で焼成した仮焼粉体を粉末化することで、ＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇの仮焼粉末を製造する仮焼粉末製造工程と、前記仮焼粉末を用い、造粒・成形した成形体を、非還元性雰囲気中で１３００〜１６００℃の範囲の温度で１〜１０時間の焼成時間で焼成して酸化物焼結体を得る本焼成工程とからなることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法に存する。
請求項２記載の発明の要旨は、前記本焼成工程において、前記仮焼粉末にさらにＺｎＯ粉末を混合して、造粒・成形して前記成形体を得ることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体の製造方法に存する。
請求項３記載の発明の要旨は、前記本焼成工程において、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｕのうちいずれか１種からなる添加物元素の酸化物粉末が前記仮焼粉末に配合されることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物焼結体の製造方法に存する。
請求項４記載の発明の要旨は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体の製造方法によって製造されたことを特徴とする酸化物焼結体に存する。
請求項５記載の発明の要旨は、Ｚｎ２ＳｎＯ４相が含まれることを特徴とする請求項４に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項６記載の発明の要旨は、Ｚｎ２ＳｎＯ４相とＳｎＯ２相とからなることを特徴とする請求項４又は５に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項７記載の発明の要旨は、Ｚｎ２ＳｎＯ４相の平均結晶粒径が１〜１０μｍの範囲であることを特徴とする請求項５又は６に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項８記載の発明の要旨は、相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項４から請求項７までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体に存する。
請求項９記載の発明の要旨は、請求項４から請求項８までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットに存する。
請求項１０記載の発明の要旨は、請求項９に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって成膜されたことを特徴とする半導体薄膜に存する。
請求項１１記載の発明の要旨は、常温でのキャリア密度が１０２１ｃｍ−３未満であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体薄膜に存する。
Claims (11)
- ＺｎとＳｎの酸化物からなる酸化物焼結体の製造方法であって、
ＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇであるＺｎＯ粉末とＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇであるＳｎＯ２粉末とを配合比率がＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．３〜０．９５の範囲で配合し、非還元性雰囲気中で９００〜１１００℃の範囲の温度で焼成した仮焼粉体を粉末化することで、ＢＥＴ比表面積が１〜２０ｍ ２ ／ｇの仮焼粉末を製造する仮焼粉末製造工程と、
前記仮焼粉末を用い、造粒・成形した成形体を、非還元性雰囲気中で１３００〜１６００℃の範囲の温度で１〜１０時間の焼成時間で焼成して酸化物焼結体を得る本焼成工程とからなることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 - 前記本焼成工程において、前記仮焼粉末にさらにＺｎＯ粉末を混合して、造粒・成形して前記成形体を得ることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記本焼成工程において、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｕのうちいずれか１種からなる添加物元素の酸化物粉末が前記仮焼粉末に配合されることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体の製造方法によって製造されたことを特徴とする酸化物焼結体。
- Ｚｎ２ＳｎＯ４相が含まれることを特徴とする請求項４に記載の酸化物焼結体。
- Ｚｎ２ＳｎＯ４相とＳｎＯ２相とからなることを特徴とする請求項４又は５に記載の酸化物焼結体。
- Ｚｎ２ＳｎＯ４相の平均結晶粒径が１〜１０μｍの範囲であることを特徴とする請求項５又は６に記載の酸化物焼結体。
- 相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項４から請求項７までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体。
- 請求項４から請求項８までのいずれか１項に記載の酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項９に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって成膜されたことを特徴とする半導体薄膜。
- 常温でのキャリア密度が１０２１ｃｍ−３未満であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体薄膜。
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