JP2011174167A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. ニオブ（Ｎｂ）と銅（Ｃｕ）とを含む酸化物の膜（不可避不純物を含み得る）であって、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、ｐ型の導電性を有する、
   酸化物膜。
2. 前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．５以上３未満である、
   請求項１に記載の酸化物膜。
3. 前記酸化物膜が、微結晶の集合体又は微結晶を含むアモルファス状であって、１Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する、
   請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
4. ４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光線の透過率が、４０％以上である、
   請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
5. 表面の二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、
   請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
6. 前記銅（Ｃｕ）の価数が１である、
   請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
7. ニオブ（Ｎｂ）と銅（Ｃｕ）とからなる酸化物（不可避不純物を含み得る）のターゲットの構成原子を飛散させることにより、基板上に微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であってｐ型の導電性を有する第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む、
   酸化物膜の製造方法。
8. 前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．５以上３未満となる、
   請求項７に記載の酸化物膜の製造方法。
9. 前記第１酸化物膜を、酸素濃度が１％未満の環境下において２００℃以上５００℃以下で加熱することにより第２酸化物膜を形成する工程をさらに含む、
   請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
10. 前記第１酸化物膜を、酸素濃度が１％未満の環境下において２００℃以上４００℃未満で加熱することにより第２酸化物膜を形成する工程をさらに含む、
    請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
11. 第１酸化物膜を形成するときの前記基板の温度が０℃以上５００℃以下である、
    請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
12. 前記ターゲットの構成原子を、スパッタリング又はパルスレーザーの照射により飛散させることによって前記第１酸化物膜を形成する、
    請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
13. ニオブ（Ｎｂ）と銅（Ｃｕ）とからなる酸化物（不可避不純物を含み得る）であって、
    前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．２５以上４以下である、
    ターゲット。
14. 前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．６６以上１．５以下である、
    請求項１３に記載のターゲット。
15. 前記ターゲットが、焼結されたものであって、相対密度が５５％以上である、
    請求項１３又は請求項１４に記載のターゲット。
16. ニオブ（Ｎｂ）の酸化物（不可避不純物を含み得る）と銅（Ｃｕ）の酸化物（不可避不純物を含み得る）とを、前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．２５以上４以下となる割合で混合することにより混合物を得る混合工程と、
    前記混合物を圧縮成形することにより成形体を得る成形工程と、
    前記成形体を加熱することによって焼結させる焼結工程とを含む、
    酸化物焼結体の製造方法。
17. 前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．６６以上１．５以下である、
    請求項１６に記載の酸化物焼結体の製造方法。