JP5884549B2 - 透明酸化物膜およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 128
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 32
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 20
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 18
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
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Description
すなわち、上記特許文献1の技術に記載のターゲットでは、スパッタリング時にノジュールが多く発生して装置の掃除等に手間がかかるため、酸化スズ系ではなく他の組成系のガスバリア性に優れる透明酸化物膜が要望されている。しかしながら、上記特許文献2の技術で作製する透明酸化物膜は、光ディスク用であるために屈折率が高く、上述した電子ペーパーや太陽電池に用いる樹脂フィルム基材上のガスバリア層に採用するには、樹脂フィルム基材の屈折率(例えば波長633nmで屈折率n:1.5〜1.7)に近づけるために屈折率を低くする必要がある。このため、酸化亜鉛系の透明酸化物膜にSiO2をより多く含有させて屈折率を下げることが考えられるが、特許文献2で記載されているように、SiO2が20wt%を超えると添加した成分であるSiO2の結晶相が析出してしまう不都合があった。結晶相が析出してしまうとガスバリア性(例えば水蒸気バリア性)としての機能が低下してしまうため、保護膜として採用することができない。
すなわち、この透明酸化物膜では、全金属成分量に対してAl:0.9〜20.0at%、Si:25.5〜68.0at%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、非晶質であるので、従来よりも可視光域で低い屈折率が得られると共に高いガスバリア性(例えば、水蒸気バリア性)を有している。さらに、可視光域で95%以上の高い透過率が得られ、良好な透明性を有している。
また、上記Siの含有量を25.5〜68.0at%とした理由は、25.5at%未満であると所望の低屈折率およびガスバリア性が得られず、68.0at%を超える膜を得るための組成に設定したスパッタリングターゲットではSi量が多くなりDCスパッタができないためである。
すなわち、一般のDCスパッタで成膜可能な酸化物とは異なり、導電性酸化物にあるような電子による長波長側の吸収が少ないため、DCスパッタで成膜され、かつ可視光長波長の光を損失しない可視光全域で高い透明性を持つ膜となる。
すなわち、この透明酸化物膜では、可視光域での屈折率平均値が、1.59〜1.80であり、厚み50nm以上で水蒸気透過率が0.01g/(m2・day)以下であるので、電子ペーパーや太陽電池で採用される樹脂フィルム基材上に成膜されたガスバリア層として好適である。なお、ここで可視光域は、波長380nm〜750nmの範囲とする。
すなわち、この透明酸化物膜の製造方法では、上記酸化物焼結体の組織中に複合酸化物Zn2SiO4とZnOとが存在するスパッタリングターゲットを用いるので、DCスパッタが可能になり、さらに酸素を含有させた不活性ガス雰囲気中および基板を加熱した状態の少なくとも一方の環境下で、直流電流を投入してスパッタ(DCスパッタ)するので、Siを多く含有させた非晶質の透明酸化物膜(ZnO−SiO2−Al2O3膜)を成膜することができる。したがって、本発明の製法によれば、従来よりもSiO2を多く添加可能であり、屈折率を下げつつ、非晶質でガスバリア性の高い透明酸化物膜をDCスパッタで成膜可能である。
また、上記Siの含有量を6.0〜14.5wt%とした理由は、6.0wt%未満では、屈折率を下げる十分な効果が得られないためであり、14.5wt%を超えると、十分な導電性を得ることができず、異常放電が発生してDCスパッタができないためである。
すなわち、この透明酸化物膜の製造方法では、基板の加熱温度を、100〜200℃の範囲に設定するので、成膜する樹脂フィルム基材への熱影響を抑えつつ、電子ペーパーや太陽電池で採用されるガスバリア層として十分な透明性と低い屈折率とを有する透明酸化物膜が得られる。
なお、上記基板の加熱温度を100〜200℃の範囲に設定した理由は、100℃未満であると膜中のSi含有量が少なくなり透明性が低下すると共に屈折率が変化してしまうためであり、200℃を超えると樹脂フィルム基材が損傷を受けるためである。
すなわち、この透明酸化物膜の製造方法では、酸素と不活性ガスとの雰囲気ガス全体に対する酸素のガス分圧を、0.05以上に設定するので、電子ペーパーや太陽電池で採用されるガスバリア層として十分な透明性と低い屈折率とを有する透明酸化物膜が得られる。これは、酸素のガス分圧を0.05未満にすると、膜中のSi含有量が少なくなり透明性が低下すると共に屈折率が変化してしまうためである。なお、酸素のガス分圧は、0.2を超えるとスパッタの成膜速度が遅くなって生産性が低下するため、0.2以下とすることが好ましい。
このように本発明では、上記基板加熱温度および上記酸素のガス分圧の少なくとも一方を調整してDCスパッタすることで、膜中のSiの含有量を調整可能である。
すなわち、本発明に係る透明酸化物膜によれば、全金属成分量に対してAl:0.9〜28.5at%、Si:25.5〜68.0at%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、非晶質であるので、従来よりも可視光域で低い屈折率が得られると共に高いガスバリア性を有している。また、本発明に係る透明酸化物膜の製造方法によれば、上記酸化物焼結体の組織中に複合酸化物Zn2SiO4とZnOとが存在するスパッタリングターゲットを用いるので、DCスパッタが可能になり、酸素を含有させた不活性ガス雰囲気中および基板を加熱した状態の少なくとも一方の環境下で、直流電流を投入してスパッタするので、非晶質の上記組成の透明酸化物膜(ZnO−SiO2−Al2O3膜)を成膜することができる。
したがって、本発明の透明酸化物膜を電子ペーパーや太陽電池などのガスバリア層に採用することで、要求される高透明性、低屈折率および高ガスバリア性が得られ、高信頼性を有すると共に視認性の高い電子ペーパーや変換効率の良好な太陽電池などを作製可能である。
また、この透明酸化物膜は、膜厚100nmにおけるシート抵抗値が、1.0×1014Ω/sq以上である。
さらに、この透明酸化物膜は、可視光域での屈折率平均値が、1.59〜1.80であり、厚み50nm以上で水蒸気透過率が0.01g/(m2・day)以下である。なお、水蒸気透過率は、JIS規格のK7129法にしたがってモコン法により測定されたものである。
上記透明フィルム基材としては、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂セルロースおよびこれらの共重合樹脂、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、アクリル、ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンなどがあげられるが、この限りではない。
なお、上記スパッタリングターゲットは、焼結体の密度が、理論密度の100〜108%である。さらに、このスパッタリングターゲットは、バルク抵抗値が、1Ω・cm以下である。
ここで、理論密度比の計算には、ZnOは5.61g/cm3、SiO2は2.20g/cm3、Al2O3は3.99g/cm3の値を用いて計算を行っている。
また、スパッタリングターゲットのバルク抵抗値が、1Ω・cm以下であるので、安定して良好なDCスパッタが可能である。
このようにホットプレスした焼結体は、通常放電加工、切削または研削工法を用いて、ターゲットの指定形状に機械加工し、加工後のターゲットをInを半田として、CuまたはSUS(ステンレス)またはその他金属(例えば、Mo)からなるバッキングプレートにボンディングし、スパッタに供する。
さらに、酸素と不活性ガスとの雰囲気ガス全体に対する酸素のガス分圧を、0.05以上に設定するので、電子ペーパーや太陽電池で採用されるガスバリア層として十分な透明性と低い屈折率とを有する透明酸化物膜が得られる。
まず、表1に示す組成割合になるようにAl2O3粉末とSiO2粉末とZnO粉末とを秤量し、得られた粉末とその4倍量(重量比)のジルコニアボール(直径5mmのボールと直径10mmのボールとを半分ずつ)とを10Lのポリ容器(ポリエチレン製ポット)に入れ、ボールミル装置にて48時間湿式混合し、混合粉末とする。なお、溶媒には、例えばアルコールを用いた。
このようにホットプレスした焼結体を、ターゲットの指定形状(直径125mm、厚さ10mm)に機械加工し、加工したものを無酸素銅からなるバッキングプレートにボンディングして本実施例1〜16のスパッタリングターゲットを作製した。
また、密着性試験用にポリイミドフィルム(縦:100mm×横:100mm、厚さ:120μm)に50nmを有する透明膜の形成を試みた。
また、本発明の実施例および比較例の透明酸化物膜についてX線回折(XRD)の分析を行い、結晶ピークの有無について調べた結果を表1に示す。なお、代表的に実施例3,5,6,11および比較例4について、XRD分析結果のグラフを図2〜図6にそれぞれ示す。
密着性の測定として、まず得られたフィルム上の透明酸化物膜(実施例1〜17、比較例1〜7、従来例)をガラス基板の上に両面テープで貼り付け、透明酸化物膜の上から、カッターで碁盤の目状に100個の切り込みを入れた。次に、セロハン粘着テープを強く貼り付けた後、90゜方向に急速に剥し、透明酸化物膜の剥離の有無を調べた。その結果を表3に示す。100目のうち、剥離しない目の数をXで表示した。すなわち、剥離箇所がある場合はX/100、剥離箇所がない場合は100/100と示される。
例えば、樹脂フィルム上に成膜するだけでなく、逆にガラス上に透明酸化物膜を成膜し、その上に樹脂膜をつけ、さらにガラスから樹脂膜と共に透明酸化物膜を剥がすようにしても構わない。
本発明においては、DCスパッタによる成膜が求められるが、DCスパッタが可能なスパッタリングターゲットに関して検討結果を以下に示す。
本参考例に係るスパッタリングターゲットの製造は、以下の条件で行った。
まず、Al2O3粉末とSiO2粉末とZnO粉末とを表1に示した各割合で秤量し、得られた粉末とその4倍量(重量比)のジルコニアボール(直径5mmのボールと直径10mmのボールとを半分ずつ)とを10Lのポリ容器(ポリエチレン製ポット)に入れ、ボールミル装置にて48時間湿式混合し、混合粉末とする。なお、溶媒には、例えばアルコールを用いた。
このようにホットプレスした焼結体を、ターゲットの指定形状(直径125mm、厚さ10mm)に機械加工し、加工したものを無酸素銅からなるバッキングプレートにボンディングして本参考例のスパッタリングターゲットを作製した。
Claims (6)
- 全金属成分量に対してAl:0.9〜20.0at%、Si:25.5〜68.0at%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、非晶質であり、
厚み50nm以上で水蒸気透過率が0.01g/(m2・day)以下であることを特徴とする透明酸化物膜。 - 請求項1に記載の透明酸化物膜において、
波長750nmにおける透過率が、93%以上であることを特徴とする透明酸化物膜。 - 請求項1又は2に記載の透明酸化物膜において、
可視光域での屈折率平均値が、1.59〜1.80であることを特徴とする透明酸化物膜。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の透明酸化物膜を製造する方法であって、
全金属成分量に対してAl:0.3〜4.0wt%、Si:6.0〜14.5wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物焼結体からなり、該焼結体の組織中に複合酸化物Zn2SiO4とZnOとが存在するスパッタリングターゲットを用い、酸素を含有させた不活性ガス雰囲気中および基板を加熱した状態の少なくとも一方の環境下で、直流電流を投入してスパッタすることを特徴とする透明酸化物膜の製造方法。 - 請求項4に記載の透明酸化物膜の製造方法において、
前記基板が樹脂フィルム基材であり、
前記基板の加熱温度を、100〜200℃の範囲に設定することを特徴とする透明酸化物膜の製造方法。 - 請求項4に記載の透明酸化物膜の製造方法において、
前記酸素と不活性ガスとの雰囲気ガス全体に対する酸素のガス分圧を、0.05以上に設定することを特徴とする透明酸化物膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012039041A JP5884549B2 (ja) | 2011-02-25 | 2012-02-24 | 透明酸化物膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040441 | 2011-02-25 | ||
JP2011040441 | 2011-02-25 | ||
JP2012030340 | 2012-02-15 | ||
JP2012030340 | 2012-02-15 | ||
JP2012039041A JP5884549B2 (ja) | 2011-02-25 | 2012-02-24 | 透明酸化物膜およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013189657A JP2013189657A (ja) | 2013-09-26 |
JP5884549B2 true JP5884549B2 (ja) | 2016-03-15 |
Family
ID=46720507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012039041A Active JP5884549B2 (ja) | 2011-02-25 | 2012-02-24 | 透明酸化物膜およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5884549B2 (ja) |
KR (2) | KR20140004143A (ja) |
CN (1) | CN103380229B (ja) |
TW (1) | TWI572731B (ja) |
WO (1) | WO2012114713A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200123775A (ko) | 2018-02-22 | 2020-10-30 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 산화물막, 산화물막의 제조 방법, 및, 질소 함유 산화물 스퍼터링 타깃 |
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---|---|---|---|---|
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JP2014114467A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Toray Ind Inc | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
JP6269476B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2018-01-31 | 東レ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
CN105849929B (zh) * | 2013-12-26 | 2018-03-02 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 金属氧化物的薄膜、具备该薄膜的有机电致发光元件、太阳能电池和有机太阳能电池 |
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JP6945965B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2021-10-06 | 日東電工株式会社 | 光学積層体 |
JP6938112B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2021-09-22 | 日東電工株式会社 | 光学積層体 |
KR102040234B1 (ko) | 2016-11-28 | 2019-11-06 | 주식회사 후본 | 이종 소재 융복합 3d 프린터 및 이를 이용한 이종 소재 융복합 인쇄물 출력 방법 |
JPWO2018110272A1 (ja) * | 2016-12-15 | 2019-10-24 | 東レフィルム加工株式会社 | ガスバリア性フィルムおよび有機elデバイス |
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CN110793937B (zh) * | 2018-08-03 | 2022-08-16 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 一种膜层类型测定方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPH11236219A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体およびその製法 |
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JP2000040429A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 |
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-
2012
- 2012-02-20 KR KR1020137019308A patent/KR20140004143A/ko active Application Filing
- 2012-02-20 KR KR1020177018979A patent/KR20170084351A/ko active Search and Examination
- 2012-02-20 CN CN201280007565.1A patent/CN103380229B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-20 WO PCT/JP2012/001108 patent/WO2012114713A1/ja active Application Filing
- 2012-02-23 TW TW101106025A patent/TWI572731B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-02-24 JP JP2012039041A patent/JP5884549B2/ja active Active
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---|---|---|---|---|
KR20200123775A (ko) | 2018-02-22 | 2020-10-30 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 산화물막, 산화물막의 제조 방법, 및, 질소 함유 산화물 스퍼터링 타깃 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103380229A (zh) | 2013-10-30 |
JP2013189657A (ja) | 2013-09-26 |
CN103380229B (zh) | 2016-05-04 |
KR20140004143A (ko) | 2014-01-10 |
TW201247915A (en) | 2012-12-01 |
WO2012114713A1 (ja) | 2012-08-30 |
TWI572731B (zh) | 2017-03-01 |
KR20170084351A (ko) | 2017-07-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150428 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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