JP5355684B2 - 透明導電性積層体及び透明タッチパネル - Google Patents

Description

本発明は透明タッチパネルの電極基板のための透明導電性積層体に関する。また、本発明は、このような透明導電性積層体を有する透明タッチパネルに関する。

マン−マシンインタフェイスの１つとして対話型入力方式を実現する透明タッチパネルが多く使用されるようになった。透明タッチパネルは位置検出方式によって、光学方式、超音波方式、静電容量方式、抵抗膜方式などがあるが、このうち抵抗膜方式は、構造が単純で価格／性能比も良いため、最も普及した方式である。

抵抗膜方式の透明タッチパネルは、対向する側に透明導電層を有する２枚の透明基板を一定間隔に保持して構成される電子部品であり、可動電極基板（視認側の電極基板）をペン又は指で押圧し、たわませ、固定電極基板（対向する側の電極基板）と接触、導通することによって検出回路が位置を検知し、所定の入力がなされるものである。

タッチパネルは通常、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機ＥＬディスプレイなどの表示素子と組み合わせて使用される。近年、これら表示素子の解像度や画質が向上し、より鮮明で曇りのないディスプレイが開発されており、これらと組み合わせるタッチパネル基板についても当然ながら高い透明性や低ヘーズ特性が求められるようになってきた。

タッチパネルを構成する透明導電層を有する透明基板には、通常、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）のようなセルロース系フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのようなポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、非晶性ポリオレフィン系フィルム等の高い透明性を有する有機高分子基板が用いられる。

これらの透明有機高分子基板は、取り扱いの際にそのままでは滑り性が不足するため、表面に凹凸を形成した易滑層を導入し、易滑性を向上させることが一般的である。しかしながら、表面に凹凸を形成して易滑性を改良する場合、表面での光の乱反射が生じ、透明性の低下、及びヘーズの増大が起こる。このため、高い透明性や小さいヘーズを維持しつつ、優れた易滑性を有する有機高分子基板を提供することは、非常に重要である。

透明有機高分子基板に易滑層を形成する一般的な手法としては、サブミクロン程度の粒径を持つ微粒子、例えばシリカ、炭酸カルシウム、カオリン等の無機粒子、及び／又はシリコーン、架橋ポリスチレン等の有機粒子を樹脂に含有させ、このような微粒子を含有している樹脂で易滑層を形成することが知られている（特許文献１及び２）。

しかしながら、サブミクロン程度の粒径を持つ微粒子を含有している樹脂から作られた易滑層を用いる場合、樹脂中に含有されるこれらの微粒子によって光が散乱し、得られる透明有機高分子基板の透明性又はヘーズ特性が損なわれるという問題があった。

これに関して、樹脂に含有される微粒子の量を減らすことによって、ある程度の透明度及び低ヘーズを実現することは可能であるが、この場合には、充分な易滑性を得ることが困難な場合がある。

また、サブミクロン程度の粒径を持つ微粒子を含有している樹脂から作られた易滑層を用いる場合、筆記耐久試験を行ったときに、電極基板の透明導電層形成面の突起を形成する粒子が剥がれ落ち、タッチパネル内に飛散することがある。このように飛散した微粒子が可動電極基板と固定電極基板間の導通を妨げ、タッチパネルの電気特性を劣化させることがある。更にこれら飛散した微粒子は、可動電極基板と固定電極基板の透明導電層を着傷し、タッチパネルの電気特性を劣化させることがある。

これらの問題を解決するために、例えば特許文献３及び４では、透明有機高分子基板としての透明基材フィルムに、平均粒径１〜３０ｎｍの超微粒子を含む樹脂で形成された凹凸表面を有するアンカー層を形成し、その上に透明導電層を設けて、透明導電性フィルムを得ることを提案している。

ここでは、凹凸表面を有するアンカー層が透明基材フィルム上に配置されていることによって、抵抗膜方式タッチパネルにおけるフィルム同士の貼り付きに起因するスティッキングを防止している。しかしながら、ここでは、平均粒径１〜３０ｎｍの超微粒子によってアンカー層が凹凸表面を有するようにするために、比較的多量の超微粒子をアンカー層に含有させており、したがってアンカー層は比較的大きいヘーズ値を有することが理解される。

特開２００１−１０９３８８号 特開平０６−９９５５９号 特開２００１−２８３６４４号 特開２００２−１１７７２４号

本発明の目的は、高い透明性、小さいヘーズ、及び充分な易滑性の組み合わせを有する透明導電性積層体を提供することである。また、本発明の目的は、このような透明導電性積層体を有する透明タッチパネル、特に抵抗膜方式の透明タッチパネルを提供することである。

上記課題を解決するための鋭意検討した結果、本件発明者らは、硬化樹脂層が、特定の組み合わせの樹脂成分及び超微粒子を含有することによって、高い透明性、小さいヘーズ、及び充分な易滑性の組み合わせを提供できることを見出して、下記の本発明に至った。また更に、本件発明者らは、硬化樹脂層が、特定のもう１種類の超微粒子を更に含有することによって、透明導電性積層体の透過率及び／又は色調調整力を向上させられることを見出して、下記の本発明に至った。

〈１〉透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、そして透明導電層が順次積層されてなり、且つ以下（ａ）〜（ｄ）を満たす、透明導電性積層体：
（ａ）上記硬化樹脂層が、樹脂成分、及び平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の第１の超微粒子を含み、
（ｂ）上記樹脂成分及び上記第１の超微粒子が、同じ金属及び／又は半金属元素を含み、
（ｃ）上記硬化樹脂層において、上記第１の超微粒子の含有量が、上記樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部以上３質量部以下であり、且つ
（ｄ）上記硬化樹脂層の厚みが０．０１以上２μｍ以下である。
〈２〉上記透明導電層が、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さの突起を、５０μｍ四方当たり１０個以上３００個以下有する、上記〈１〉項記載の透明導電性積層体。
〈３〉上記透明導電層の表面粗さＲａが、２０ｎｍ以下である、上記〈１〉又は〈２〉項記載の透明導電性積層体。
〈４〉全光線透過率が８５％以上であり、且つヘーズが２％以下である、上記〈１〉〜〈３〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体。
〈５〉上記金属及び／又は半金属元素が、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒからなる群より選択される１又は複数の元素である、上記〈１〉〜〈４〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体。
〈６〉以下（ｄ’）〜（ｆ）を満たす、上記〈１〉〜〈５〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体：
（ｄ’）上記硬化樹脂層の厚みが０．０１以上０．５μｍ以下であり、
（ｅ）上記透明有機高分子基板の屈折率ｎ_３、上記硬化樹脂層の屈折率ｎ_２、及び上記透明導電層の屈折率ｎ_１が、ｎ_１＞ｎ_２、且つｎ_３＞ｎ_２の関係を満たし、且つ
（ｆ）上記硬化樹脂層が、平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で且つ屈折率が上記樹脂成分よりも小さい第２の超微粒子を更に含む。
〈７〉上記硬化樹脂層が、上記第２の超微粒子を含むことによって、上記硬化樹脂層が第２の超微粒子を含まない場合と比較して、上記硬化樹脂層の屈折率が０．０１以上低下している、上記〈６〉項に記載の透明導電性積層体。
〈８〉Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系のクロマティクネス指数ｂ^＊値が、−１．０〜１．５の範囲である、上記〈６〉又は〈７〉項記載の透明導電性積層体。
〈９〉上記透明導電層側から入った光について、上記透明導電層の表面での反射と上記硬化樹脂層の表面での反射との光路差が、４７０ｎｍ×ｎ−１００ｎｍ〜４７０ｎｍ×ｎ＋１００ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲であり、且つ上記透明導電層の表面での反射と上記透明有機高分子基板の表面での反射との光路差が、４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−７０ｎｍ〜４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋７０ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲である、上記〈６〉〜〈８〉項のいずれか記載の透明導電性積層体。
〈１０〉上記透明導電層側から入った光について、上記透明導電層の表面での反射と上記硬化樹脂層の表面での反射との光路差が、５５０ｎｍ×ｎ−１２０ｎｍ〜５５０ｎｍ×ｎ＋１２０ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲であり、且つ上記透明導電層の表面での反射と上記透明有機高分子基板の表面での反射との光路差が、５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−８０ｎｍ〜５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋８０ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲である、上記〈６〉〜〈８〉項のいずれか記載の透明導電性積層体。
〈１１〉上記硬化樹脂層の屈折率が１．２０以上１．５０以下である、上記〈６〉〜〈１０〉項のいずれか記載の透明導電性積層体。
〈１２〉上記第１及び第２の超微粒子がそれぞれ、金属酸化物超微粒子又は金属フッ化物超微粒子である、上記〈６〉〜〈１１〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体。
〈１３〉上記樹脂成分が、有機ケイ素化合物であり、上記第１の超微粒子が、シリカ（ＳｉＯ_２）であり、且つ上記第２の超微粒子が、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）である、上記〈６〉〜〈１２〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体。
〈１４〉上記透明導電層と上記硬化樹脂層との間に金属化合物層を更に有し、且つ上記金属化合物層、硬化樹脂層の樹脂成分、及び硬化樹脂層の超微粒子がいずれも、同じ金属及び／又は半金属元素を含む、上記〈１〉〜〈１３〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体。
〈１５〉上記透明有機高分子基板が、追加の硬化樹脂層を表面に有する積層体である、上記〈１〉〜〈１４〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体。
〈１６〉少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として上記〈１〉〜〈１５〉項のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タッチパネル。

本発明によれば、高い透明性、小さいヘーズ、及び充分な易滑性の組み合わせを有する透明導電性積層体が提供される。特に、本発明によれば、改良された透過率及び／又は色調調整力を有する透明導電性積層体が提供される。また、本発明によれば、このような透明導電性積層体を用いた透明タッチパネル、特に抵抗膜方式の透明タッチパネルが提供される。

より具体的には、本発明の透明導電性積層体によれば、透明性が高く且つヘーズが小さいことによって、また特に改良された透過率及び／又は色調調整力を有することによって、タッチパネルに用いる場合、高精細ディスプレイに適応しても画像の鮮明度を低下させにくい。また、本発明の透明導電性積層体によれば、充分な易滑性を有することによって、取り扱いが容易となるだけでなく、抵抗膜方式のタッチパネルとして使用したときにスティッキングが発生しにくく、それによって高い筆記耐久性を提供できる。

本発明の透明導電性積層体を有する透明タッチパネルの例を示す図である。 実施例Ａ−１の透明導電性積層体表面の形態についてＡＦＭにて観察した結果を示す図である。 実施例Ｂ−１の透明導電性積層体表面の形態についてＡＦＭにて観察した結果を示す図である。 本発明の透明導電性積層体の１つの態様について説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではない。

本発明の透明導電性積層体は、透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、そして透明導電層が順次積層された透明導電性積層体である。この本発明の透明導電性積層体の１つの態様は、図１に示すように、透明有機高分子基板（１６）の少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層（１５）と透明導電層（１４）とが順次積層された透明導電性積層体（１４、１５、１６）である。この図１で示す本発明の透明導電性積層体の１つの態様では、本発明の透明導電性積層体（１４、１５、１６）は、透明導電層（１２）を有するガラス板のような他の基板（１１）と、互いの透明導電層（１２、１４）同士が向き合うように配置され、その間にスペーサー（１３）が配置されて、透明タッチパネル（２０）を形成することができる。

〈表面の突起数〉
本発明の透明導電性積層体では、硬化樹脂層の表面に微小な突起が形成され、それによって高い透明性、小さいヘーズ、及び充分な易滑性の組み合わせが提供される。具体的に、透明導電層は、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さの突起を５０μｍ四方当たり、好ましくは１０個以上３００個以下、特に好ましくは２０個以上２００個以下、更に好ましくは３０個以上１５０個以下有する。

ここで、突起の高さが３０ｎｍ以下の突起については、積層体の易滑性に与える効果が小さいため考慮しない。一方、突起の高さが２００ｎｍ以上である突起は、積層体に易滑性を与えるものの、光散乱を生じてヘーズを増加させる傾向がある。

透明導電層上の３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さの突起の数が、少なすぎる場合には、透明導電性積層体に十分な滑り性が得られないことがあり、一方でこの突起の数が多すぎる場合には、積層体表面における光散乱が大きくなり、したがってヘーズが増加することがある。

なお、本発明に関して、透明導電層上の表面の突起数はＳＩＩナノテクノロジー株式会社製の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ４００を用い、ダイナミックフォースモードにて、測定範囲１５０μｍのスキャナーを使用し、カンチレバーとして背面Ａｌ付Ｓｉカンチレバー（ＳＩＩナノテクノロジー株式会社製 ＳＩ−ＤＦ４０）を使用し、走査範囲５０×５０μｍにて測定を行った。データ数はＸ方向５１２個、Ｙ方向５１２個にて測定した。得られた形状像データを３次プロファイル変換し、得られた表面データから各々の突起部分の高さを見積もり、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の突起数をカウントした。各サンプルについて５回測定し、突起数の平均値を算出した。

〈平均算術粗さ（Ｒａ）〉
透明導電層の表面の凹凸の平均算術粗さ（Ｒａ）は、２０ｎｍ以下であることが望ましく、１０ｎｍ以下であることがより望ましく、８ｎｍ以下であることが特に望ましい。平均算術粗さ（Ｒａ）が大きすぎると、ヘーズが大きくなり、高画質の液晶ディスプレイに適応したときに、鮮明度を落とすなどの理由から特に好ましくない。

なお、本発明に関して、平均算術粗さ（中心線平均粗さ）（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４準拠で定義されるものである。具体的には、算術平均粗さ（Ｒａ）は、粗さ曲線からその中心線の方向に基準長さｌの部分を抜き取り、その抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸とし、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表した時、下記の式によって表されるものである：

〈厚さ及び屈折率〉
硬化樹脂層の厚さ及び屈折率については、これらの層と屈折率が相違する適当な熱可塑性フィルム基板上に同様のコーティング条件で単層で積層し、該積層面の光反射スペクトル上に光干渉効果に基づいて発現する反射率の極大ピークもしくは極小ピークの波長とそのピーク反射率の値を用いて、光学シミュレーションにより算出した。なお、ハードコート層の屈折率はアッベ屈折率計を用いて測定し、またハードコート層の厚みは光学干渉層と同様の光干渉法を用いた計算により求めた。

〈全光線透過率〉
視認性の観点から、本発明の透明導電性積層体の全光線透過率は、８５％以上、より好ましくは８８％以上、特に好ましくは９０％以上である。

本発明に関して全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１に準じて測定されるものである。具体的には全光線透過率τ_ｔ（％）は、下記の式によって表される値である：
τ_ｔ＝τ_２／τ_１×１００
（τ_１：入射光
τ_２：試料片を透過した全光線）

〈ヘーズ〉
視認性の観点から、本発明の透明導電性積層体のヘーズは、２％以下であることが望ましく、１．５％以下であることがより望ましく、１％以下であることが更により望ましく、０．５％以下であることが特に望ましい。

なお、本発明に関して、ヘーズは、ＪＩＳ Ｋ７１３６準拠で定義されるものである。具体的には、ヘーズは、全光線透過率τ_ｔに対する拡散透過率τ_ｄの比として定義される値であり、より具体的には下記の式から求めることができる：
ヘーズ（％）＝［（τ_４／τ_２）−τ_３（τ_２／τ_１）］×１００
τ_１： 入射光の光束
τ_２： 試験片を透過した全光束
τ_３： 装置で拡散した光束
τ_４： 装置及び試験片で拡散した光束

〈透明有機高分子基板〉
本発明の透明導電性積層体で用いられる透明有機高分子基板は、任意の透明有機高分子基板、特に光学分野で使用されている耐熱性、透明性等に優れた透明有機高分子基板であってよい。

本発明の透明導電性積層体に用いる透明有機高分子基板としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース等のセルロース系ポリマー、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー等の透明ポリマーからなる基板があげられる。また、本発明の透明導電性積層体に用いる透明有機高分子基板としては、ポリスチレン、アクリロニトリル・スチレン共重合体等のスチレン系ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、環状ないしノルボルネン構造を有するポリオレフィン、エチレン・プロピレン共重合体等のオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、ナイロンや芳香族ポリアミドに代表されるアミド系ポリマー等の透明ポリマーからなる基板もあげられる。またさらに、本発明の透明導電性積層体に用いる透明有機高分子基板としては、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー、ポリフェニレンスルフィド系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、ビニルブチラール系ポリマー、アリレート系ポリマー、ポリオキシメチレン系ポリマー、エポキシ系ポリマーや上記ポリマーのブレンド物等の透明ポリマーからなる基板などもあげられる。

本発明の透明導電性積層体における用途では、これら透明有機高分子基板のうち、光学的に複屈折の少ないもの、あるいは複屈折をλ／４やλ／２に制御したもの、さらには複屈折をまったく制御していないものを、用途に応じて適宜選択することができる。ここで言うように用途に応じて適宜選択を行う場合としては、例えば液晶ディスプレイに使用する偏光板や位相差フィルム、インナー型のタッチパネルのように、直線偏光、楕円偏光、円偏光などの偏光によって機能を発現するディスプレイ部材として、本発明の透明導電性積層体を用いる場合をあげることができる。

透明高分子基板の膜厚は適宜に決定しうるが、一般には強度や取扱性等の作業性などの点より１０〜５００μｍ程度であり、特に２０〜３００μｍが好ましく、３０〜２００μｍがより好ましい。なお、透明有機高分子基板は、追加の硬化樹脂層、特にいわゆるハードコート層を表面に有する積層体であってもよい。

〈硬化樹脂層〉
本発明の透明導電性積層体では、（ａ）硬化樹脂層が、樹脂成分、及び平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の第１の超微粒子を含み、（ｂ）樹脂成分及び第１の超微粒子が、同じ金属及び／又は半金属元素を含み、（ｃ）硬化樹脂層において、第１の超微粒子の含有量が、樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部以上３質量部以下であり、且つ（ｄ）硬化樹脂層の厚みが０．０１以上２μｍ以下である。

この本発明の透明導電性積層体の１つの態様では特に、（ｄ’）硬化樹脂層の厚みが０．０１以上０．５μｍ以下であり、（ｅ）透明有機高分子基板の屈折率ｎ_３、硬化樹脂層の屈折率ｎ_２、及び透明導電層の屈折率ｎ_１が、ｎ_１＞ｎ_２、且つｎ_３＞ｎ_２の関係を満たし、且つ（ｆ）硬化樹脂層が、平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で且つ屈折率が樹脂成分よりも小さい第２の超微粒子を更に含む。

本発明の透明導電性積層体では、透明導電層の表面に微小な突起が形成され、それによって高い透明性、小さいヘーズ、及び充分な易滑性の組み合わせが提供される。具体的な機構は不明であるが、透明導電層の表面の微小な突起は、硬化樹脂層の樹脂成分及び第１の超微粒子が同じ金属及び／又は半金属元素を含むことによって、樹脂成分の硬化の間に、樹脂成分と第１の超微粒子が何らかの相互作用を生じて、硬化樹脂層の表面に微小な突起が形成され、この突起が硬化樹脂層上の透明導電層の表面に反映されて形成されると考えられる。

透明導電層が平滑であると、フィルム同士の張り付きが生じることで、取り扱い性や巻き取り性が悪い。また、抵抗膜方式タッチパネルにおけるフィルム同士の貼り付きに起因するスティッキングが生じるために、筆記耐久性が低下するが、本発明の透明導電性積層体では表面に微小な突起が形成されているため、良好な取り扱い性や巻き取り性を有すると共に、高い筆記耐久性を有する。

また、サブミクロン程度の粒径を持つ微粒子を含有している樹脂から作られた易滑層を用いた場合、前述のようにこの微粒子がタッチパネルの筆記耐久性を低下させる原因となるが、本発明の透明導電性積層体は、非常に小さな粒径の第１の超微粒子を含有し、この第１の超微粒子と樹脂成分との相互作用により突起を形成しているため、筆記耐久性を低下させることがない。

ここで、樹脂成分及び第１の超微粒子の両者に含まれる「金属及び／又は半金属元素」は特に限定されるものではないが、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒからなる群より選択される１又は複数の元素であることが好ましく、Ａｌ、Ｓｉ及びＴｉからなる群より選択される１又は複数の元素であることがより好ましく、Ｓｉ及び／又はＴｉであることが更により好ましい。

また、本発明の透明導電性積層体の１つの態様では、透明有機高分子基板の屈折率ｎ_３、硬化樹脂層の屈折率ｎ_２、及び透明導電層の屈折率ｎ_１が、ｎ_１＞ｎ_２、且つｎ_３＞ｎ_２の関係を満たし、且つ硬化樹脂層が、平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で且つ屈折率が樹脂成分よりも小さい第２の超微粒子を更に含む。これによれば、硬化樹脂層が第２の超微粒子を更に含まない場合と比較して、硬化樹脂層の屈折率を低下させることができる。この硬化樹脂層の屈折率ｎ_２の低下によれば、透明導電層の屈折率ｎ_１と硬化樹脂層の屈折率ｎ_２との差、及び硬化樹脂層の屈折率ｎ_２と透明有機高分子基板の屈折率ｎ_３との差が大きくなっており、それによって透明導電層と硬化樹脂層との界面での反射、及び硬化樹脂層と透明有機高分子基板との界面での反射が促進される。この反射は、透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得るために用いることができる。

透明導電層と硬化樹脂層との界面での反射は、透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得るために用いることができる。ここで、空気の屈折率ｎ_０、硬化樹脂層の屈折率ｎ_２、及び透明導電層の屈折率ｎ_１は、ｎ_１＞ｎ_２＞ｎ_０の関係を満たすので、透明導電層の表面での反射では、位相が半波長ずれ、且つ硬化樹脂層の表面での反射では、位相がずれない。したがって、透明導電層側から入った光について、透明導電層の表面での反射と硬化樹脂層の表面での反射との光路差は、干渉によって打ち消すことを意図する光の波長の約ｎ倍（ｎは０又は正の整数）であることが好ましい。

すなわち、例えば波長４７０ｎｍの光に対する透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得る場合、硬化樹脂層の表面で反射する経路での光路差は、４７０ｎｍ×ｎ−７０ｎｍ〜４７０ｎｍ×ｎ＋７０ｎｍの正の範囲、すなわち例えば０ｎｍ〜７０ｎｍ、又は４００ｎｍ〜５４０ｎｍ、特に４７０ｎｍ×ｎ−５０ｎｍ〜４７０ｎｍ×ｎ＋５０ｎｍの正の範囲、すなわち例えば０ｎｍ〜５０ｎｍ、又は４２０ｎｍ〜５２０ｎｍ、より特に４７０ｎｍ×ｎ−２０ｎｍ〜４７０ｎｍ×ｎ＋２０ｎｍの正の範囲、すなわち例えば０ｎｍ〜２０ｎｍ、又は４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの範囲にすることができる。

また、例えば波長５５０ｎｍの光に対する透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得る場合、硬化樹脂層の表面で反射する経路での光路差は、５５０ｎｍ×ｎ−８０ｎｍ〜５５０ｎｍ×ｎ＋８０ｎｍの正の範囲、特に５５０ｎｍ×ｎ−５０ｎｍ〜５５０ｎｍ×ｎ＋５０ｎｍの正の範囲、より特に５５０ｎｍ×ｎ−２０ｎｍ〜５５０ｎｍ×ｎ＋２０ｎｍの正の範囲にすることができる。

ただし、透明導電層の厚さは、透明性及び導電性を両立させるために、実質的に制限されることがある。したがって、例えば波長４７０ｎｍの光に対する透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得る場合、硬化樹脂層の表面で反射する経路での光路差は、上記の範囲でなくてもよく、例えば４７０ｎｍ×ｎ−１００ｎｍ〜４７０ｎｍ×ｎ＋１００ｎｍの正の範囲、すなわち例えば０ｎｍ〜１００ｎｍ、又は３７０ｎｍ〜５７０ｎｍであれば充分に許容できる。

また、例えば波長５５０ｎｍの光に対する透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得る場合、硬化樹脂層の表面で反射する経路での光路差は、上記の範囲でなくてもよく、例えば５５０ｎｍ×ｎ−１２０ｎｍ〜５５０ｎｍ×ｎ＋１２０ｎｍの正の範囲であれば充分に許容できる。

具体的には、透明導電層としてＩＴＯ（インジウムスズ酸化物、屈折率：約２．１）を用いる場合、膜厚は２０ｎｍ程度に制限されることがある。この場合には、硬化樹脂層の表面で反射する経路での光路差は、約８４ｎｍ｛（２０ｎｍ×２．１）×２｝となる。

また、硬化樹脂層と透明有機高分子基板との界面での反射は、透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得るために用いることができる。ここで、空気の屈折率ｎ_０、透明有機高分子基板の屈折率ｎ_３、及び硬化樹脂層の屈折率ｎ_２は、ｎ_３＞ｎ_２＞ｎ_０の関係を満たすので、透明導電層の表面での反射、及び透明有機高分子基板の表面での反射ではいずれも、位相が半波長ずれる。したがって、透明導電層側から入った光について、透明導電層の表面での反射と透明有機高分子基板の表面での反射との光路差が、干渉によって打ち消すことを意図する光の波長の約ｎ＋１／２倍（ｎは０又は正の整数）であることが好ましい。

すなわち、例えば波長４７０ｎｍの光に対する透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得る場合、透明有機高分子基板の表面で反射する経路の光路長は、４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−７０ｎｍ〜４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋７０ｎｍの正の範囲、すなわち例えば１６５ｎｍ〜３４５ｎｍ、又は６３５ｎｍ〜７７５ｎｍ、特に４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−５０ｎｍ〜４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋５０ｎｍの正の範囲、すなわち例えば１８５ｎｍ〜２８５ｎｍ、又は６５５ｎｍ〜７５５ｎｍ、より特に４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−２０ｎｍ〜４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋２０ｎｍの正の範囲、すなわち例えば２１５ｎｍ〜２５５ｎｍ、又は６８５ｎｍ〜７２５ｎｍにすることができる。

また、例えば波長５５０ｎｍの光に対する透明導電層の表面での反射を打ち消す干渉効果を得る場合、透明有機高分子基板の表面で反射する経路での光路差は、５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−８０ｎｍ〜５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋８０ｎｍの正の範囲、特に５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−５０ｎｍ〜５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋５０ｎｍの正の範囲、より特に５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−２０ｎｍ〜５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋２０ｎｍの正の範囲にすることができる。

上記の干渉効果によれば、透明導電性積層体の色調及び透過率を調整することができる。例えば上記の計算例でのように、４７０ｎｍ程度の波長の光（青色光）の反射を干渉効果によって打ち消すことによって、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系のクロマティクネス指数ｂ^＊値を調節し、特に−１．０〜１．５、より特に−０．５〜１．５、更により特に０〜１．５の範囲にすることが可能になる。また、可視光の中心波長である５５０ｎｍ程度の波長の光の反射を干渉効果によって打ち消すことによって、透明導電性積層体の透過率を改良することができる。

ここで、本発明に関してｂ^＊値は、ＪＩＳ Ｚ８７２９にて定義されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系のクロマティクネス指数ｂ^＊値であり、ＪＩＳ Ｚ８７２２号に準じて、透過モードにより計測される値である。なお、ｂ^＊値の測定においては、光源として日本工業規格Ｚ８７２０に規定される標準の光Ｄ６５を採用し、２度視野の条件で測定を行う。

参考までに、本発明の透明導電性積層体の各層の表面での反射率、及びこれらの反射の際の光路長は、図４を用いて下記に示すようにして計算できる。この図４では、本発明の透明導電性積層体３０は、透明有機高分子基板３３（厚さ：ｄ_３、屈折率：ｎ_３）の少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層３２（厚さ：ｄ_２、屈折率：ｎ_２）、そして透明導電層３１（厚さ：ｄ_１、屈折率：ｎ_１）が順次積層されてなる。

ここで、透明導電層３１の表面での反射３１Ｒの反射率Ｒ_１、硬化樹脂層３２の表面での反射３２Ｒの反射率Ｒ_２、及び透明有機高分子基板３３の表面での反射３３Ｒの反射率Ｒ_３はそれぞれ、一般に下記の式によって計算することができる（ｎ_０：空気の屈折率）。
Ｒ_１＝（ｎ_０−ｎ_１）^２／（ｎ_０＋ｎ_１）^２ （式１）
Ｒ_２＝（ｎ_１−ｎ_２）^２／（ｎ_１＋ｎ_２）^２ （式２）
Ｒ_３＝（ｎ_２−ｎ_３）^２／（ｎ_２＋ｎ_３）^２ （式３）

また、透明導電層３１の表面での反射３１Ｒと硬化樹脂層３２の表面での反射３２Ｒとの光路差Ｄ_{３２Ｒ−３１Ｒ}、及び透明導電層３１の表面での反射３１Ｒと透明有機高分子基板３３の表面での反射３３Ｒとの光路差Ｄ_{３３Ｒ−３１Ｒ}はそれぞれ、下記の式によって計算することができる。
Ｄ_{３２Ｒ−３１Ｒ}＝（ｄ_１×ｎ_１）×２ （式４）
Ｄ_{３３Ｒ−３１Ｒ}＝（ｄ_１×ｎ_１＋ｄ_２×ｎ_２）×２ （式５）

〈硬化樹脂層−硬化樹脂成分〉
硬化性樹脂成分としては、第１の超微粒子、特に第１及び第２の超微粒子を分散させることができ、硬化樹脂層形成後に皮膜として十分な強度を持ち、透明性があり、且つ第１の超微粒子と同一の金属及び／又は半金属元素を含むものであれば特に制限なく使用できる。したがって例えば、硬化性樹脂成分としては、重合性の有機金属化合物、特に金属含有アクリレート、金属アルコキシド等を用いることができる。

硬化性樹脂成分としては例えば、電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型等が挙げられる。

電離放射線硬化型樹脂を与えるモノマーとしては、例えばポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、上記以外の硬い層を与えるウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、変性スチレンアクリレート、メラミンアクリレート、シリコーン含有アクリレート等の単官能及び多官能アクリレートを挙げることができる。

Ｓｉを含む電離放射線硬化型樹脂を与えるモノマーとしては、例えば、メチルアクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、トリス（トリメチルシロキシ）シリルプロピルメタクリレート、アリルトリメチルシラン、ジアリルジフェニルシラン、メチルフェニルビニルシラン、メチルトリアリルシラン、フェニルトリアリルシラン、テトラアリルシラン、テトラビニルシラン、トリアリルシラン、トリエチルビニルシラン、ビニルトリメチルシラン、１，３−ジメチル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、ジビニルテトラメチルジシロキサン、ビニルトリス（トリメチルシロキシ）シラン、ビニルメチルビス（トリメチルシリロキシ）シラン、Ｎ−（トリメチルシリル）アリルアミン、両末端に２重結合を有するポリジメチルシロキサン、シリコーン含有アクリレートが挙げられる。

なお、電離放射線によって樹脂層の重合を行う場合、一般に光重合開始剤を適量添加し、また必要に応じ光増感剤を適量添加してもよい。この光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾイルベンゾエート、チオキサンソン類等が挙げられ、光増感剤としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等が挙げられる。

熱硬化型樹脂としては、例えばアルコキシシラン系化合物などのオルガノシラン系熱硬化型樹脂や、アルコキシチタン系の熱硬化型樹脂、エーテル化メチロールメラミン等をモノマーとしたメラミン系熱硬化型樹脂、イソシアネート系熱硬化型樹脂、フェノール系熱硬化型樹脂、エポキシ硬化型樹脂等が挙げられる。これら熱硬化型樹脂を単独又は複数組合せて使用することも可能である。また必要に応じ、熱硬化型樹脂に、熱可塑性樹脂を混合することも可能である。

オルガノシラン系の熱硬化型樹脂としては、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン等を用いることが好ましい。中でも、基板への密着性の安定化を図るという観点から、安定した性能を発揮するメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等を用いることが好ましい。

アルコキシチタン系の熱硬化型樹脂としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、テトラメチルチタネート、チタンアセチルアセトネート、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンエチルアセトアセテート、チタンオクタンジオレート、チタンラクテート、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等を用いることが好ましい。中でも、塗料としての安定性や、基板への密着性の安定化を図るという観点から、安定した性能を発揮するテトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、チタンラクテート等を用いることが好ましい。

なお、熱によって樹脂層の架橋を行う場合には、反応促進剤及び／又は硬化剤を適量配合することができる。反応促進剤としては、例えばトリエチレンジアミン、ジブチル錫ジラウレート、ベンジルメチルアミン、ピリジン等が挙げられる。また、硬化剤としては、例えばメチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′―ジエチルジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。

硬化樹脂層を形成するモノマーが第１の超微粒子と同一の金属及び／又は半金属元素を含んでいる場合、これらのモノマーは、単独で、又は他のモノマーと組み合わせて、例えば第１の超微粒子と同一の金属及び／又は半金属元素を含んでいないモノマーと組み合わせて用いることができる。

なお、硬化樹脂層は、レベリング剤や光増感剤などの他の成分を含んでいても良い。

〈硬化樹脂層−第１の超微粒子〉
硬化樹脂層に含有される平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の第１の超微粒子は、樹脂成分と同一の金属及び／又は半金属元素を含むものであれば本質的には限定されるものではないが、金属酸化物又は金属フッ化物が好適に使用される。金属酸化物及び金属フッ化物としては、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＣａＦ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３・ＳｎＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、ＭｇＦ_２、Ｓｂ_２Ｏ_５、Ｓｂ_２Ｏ_５・ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｎＯ及びＺｒＯ_２からなる群から選ばれる少なくとも一種を好適に用いることができ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２を特に好適に用いることができる。

したがって例えば、硬化樹脂層の樹脂成分がアルコキシシランから得られる樹脂成分である場合、ＳｉＯ_２の超微粒子を第１の超微粒子として用いることができる。また例えば、硬化樹脂層の樹脂成分がアルコキシチタンから得られる樹脂成分である場合、ＴｉＯ_２の超微粒子を第１の超微粒子として用いることができる。

硬化樹脂層に含有される第１の超微粒子の粒径は１ｎｍ以上１００ｎｍであり、１ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが更により好ましい。第１の超微粒子の粒径が大きすぎる場合は、光散乱を生じやすくなるため好ましくない。第１の超微粒子の粒径が小さすぎる場合は、粒子の比表面積が増大することにより粒子表面の活性化を促し、粒子同士の凝集性が著しく高くなり、それによって溶液の調整・保存が困難となるため好ましくない。

硬化樹脂層に含有される第１の超微粒子は、本発明の特性を満たすものであれば、カップリング剤などにより表面修飾されていてもよい。また第１の超微粒子の製造法については液相法、気相法などが手法としてとりうるが、これら製造方法についても特に制約はない。

硬化樹脂に上記第１の超微粒子を分散させる配合比は、硬化後の樹脂成分１００質量部に対し、第１の超微粒子が０．０１質量部以上３質量部以下であることが必要であり、好ましくは０．０１質量部以上２．５質量部以下であり、より好ましくは０．０５質量部以上２質量部以下であり、更により好ましくは０．１質量部以上１質量部以下である。第１の超微粒子が少なすぎる場合には、本発明の用途に必要な表面に突起を有する樹脂層を形成することは難しい。他方でこの割合が大きすぎる場合には、表面の突起が大きくなり、表面において光の散乱が発生することによって、ヘーズが増大するため好ましくない。

〈硬化樹脂層−第２の超微粒子〉
硬化樹脂層に含有される平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の第２の超微粒子は、硬化樹脂層に含有される樹脂成分よりも小さい屈折率を有するものであれば本質的には限定されるものではないが、金属酸化物又は金属フッ化物が好適に使用される。第２の超微粒子の具体的な材料、粒径、表面修飾、製造法等に関しては、第１の超微粒子に関する上記の記載を参照できる。

例えば、硬化樹脂層が、樹脂成分として有機ケイ素化合物を含み、且つ第１の超微粒子としてシリカ（ＳｉＯ_２）を含む１つの態様では、硬化樹脂層の屈折率は約１．５０となる。この場合には、第２の超微粒子として、フッ化マグネシウム（屈折率：１．３６５）等の屈折率が小さい超微粒子を選択することができる。

硬化樹脂に上記第２の超微粒子を分散させる配合比は、配合が可能な範囲で任意に決定できる。したがってこの配合比は例えば、硬化後の樹脂成分１００質量部に対し、第２の超微粒子が１質量部以上、１０質量部以上、又は５０質量部以上であって、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、又は１５０質量部以下にすることができる。第２の超微粒子が少なすぎる場合には、硬化樹脂層の屈折率の変化が小さくなり、したがって得られる効果も比較的小さくなる。他方でこの割合が大きすぎる場合には、膜の形成が難しくなることがあり、またヘーズが増大することがある。

例えば、硬化樹脂に上記第２の超微粒子を分散させる配合比は、硬化樹脂層が、第２の超微粒子を含むことによって、硬化樹脂層が第２の超微粒子を含まない場合と比較して、硬化樹脂層の屈折率が０．０１以上、０．０２以上、０．０３以上、０．０４以上、０．０５以上、０．０６以上、０．０７以上、０．０８以上、又は０．１０以上低下するように選択できる。

これによって、硬化樹脂層の屈折率は、１．２０以上、１．３０以上、１．４０以上、又は１．２０以上であって、１．５０以下、１．４８以下、又は１．４５以下にすることができる。

〈硬化樹脂層−膜厚〉
硬化樹脂層はその屈折率と厚みを調整することにより、光学干渉層として機能させ、積層体の反射率低減や色調補正をおこなうこともできる。硬化樹脂層の膜層は０．０１μｍ以上２μｍ以下であってよい。特に硬化樹脂層の膜厚は、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であり、０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であることがより好ましい。硬化樹脂層は膜厚が小さすぎる場合には、層表面に有効な突起を形成することが困難となるため好ましくない。また一般的に膜厚が大きすぎる場合には、紫外線硬化樹脂の硬化収縮が高分子基板を撓ませ、カールが発生すると同時に、光学干渉による反射率低減や色調補正機能が減退してしまうため好ましくない。

〈硬化樹脂層−他の成分〉
また、本発明における硬化樹脂層の表面の突起は使用する第１及び第２の超微粒子のチクソ性にも依存する。それ故、チクソ性を発現、あるいは制御する目的で、硬化樹脂層を形成する際に、溶媒や分散剤を適宜選択して用いることができる。溶媒としては例えば、アルコール系、芳香族系、ケトン系、ラクテート系、セルソルブ系、グリコール系などの各種が使用できる。分散剤としては例えば、脂肪酸アミン系、スルホン酸アミド系、ε−カプロラクトン系、ハイドロステアリン酸系、ポリカルボン酸系、ポリエステルアミンなど各種が使用できる。これらの溶媒や分散剤は、それぞれ単独あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

〈硬化樹脂層−形成方法〉
本発明の硬化樹脂層の形成方法としては、特に湿式法による形成が好適であり、例えばドクターナイフ、バーコーター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、スピンコータ−、スプレー法、浸漬法等、公知のあらゆる方法を用いることができる。

〈透明導電層〉
本発明において、透明導電層は、特に制限は無いが、例えば結晶質の金属層あるいは結晶質の金属化合物層を挙げることができる。透明導電層を構成する成分としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。これらのうち酸化インジウムを主成分とした結晶質の層であることが好ましく、特に結晶質のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる層が好ましく用いられる。

また、透明導電層が結晶質の場合、結晶粒径は、特に上限を設ける必要はないが３０００ｎｍ以下であることが好ましい。結晶粒径が３０００ｎｍを超えると筆記耐久性が悪くなるため好ましくない。ここで結晶粒径とは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）下で観察される多角形状又は長円状の各領域における対角線又は直径の中で最大のものと定義される。

透明導電層が結晶質の膜でない場合には、タッチパネルに要求される摺動耐久性（又は筆記耐久性）や環境信頼性が低下することがある。

透明導電層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法等の物理的形成法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下では「ＰＶＤ」とする））等を用いることができるが、大面積に対して均一な膜厚の金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（ＰＶＤ）のほかに、化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下では「ＣＶＤ」とする））、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、膜厚制御の観点からはやはりスパッタリング法が望ましい。

透明導電層の膜厚は、透明性と導電性の点から５〜５０ｎｍであることが好ましい。更に好ましくは５〜３０ｎｍである。透明導電層の膜厚が５ｎｍ未満では抵抗値の経時安定性に劣る傾向が有り、また５０ｎｍを超えると表面抵抗値が低下するためタッチパネルとして好ましくないことがある。

本発明の透明導電性積層体をタッチパネルに用いる場合、タッチパネルの消費電力の低減と回路処理上の必要等から、膜厚１０〜３０ｎｍにおいて透明導電層の表面抵抗値が１００〜２０００Ω／□（Ω／ｓｑ）、より好ましくは１４０〜１０００Ω／□（Ω／ｓｑ）の範囲を示す透明導電層を用いることが好ましい。

〈金属化合物層〉
本発明の透明導電性積層体は、硬化樹脂層と透明導電層の間に、金属化合物層、特に膜厚が０．５ｎｍ以上５．０ｎｍ未満の金属化合物層を更に有していてもよい。

透明有機高分子基板、硬化樹脂層、膜厚が制御された金属化合物層、透明導電層を順次積層することにより各層間の密着性が大幅に改善される。さらに、硬化樹脂層中の金属酸化物超微粒子及び／又は金属フッ化物超微粒子等の超微粒子の金属と上記の金属化合物層の金属を同一にすることで、硬化樹脂層と透明導電層の層間の密着性が更に改善される。

このような金属化合物層を有する透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルでは、金属化合物層がない場合と比較して、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性が向上する。金属化合物層の膜厚が厚すぎる場合には、金属化合物層が連続体としての機械物性を示し始めることにより、透明タッチパネルに要求される端押し耐久性の向上は望めない。一方、金属化合物層の膜厚が薄すぎる場合には、膜厚の制御が困難なことに加え、凹凸表面を有する硬化樹脂層と透明導電層との密着性を十分発現させることが困難になり、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性の向上は不十分となることがある。

金属化合物層を構成する成分としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。特に、硬化樹脂層に含有される樹脂成分と第１の超微粒子と同一の元素を含むことが好ましい。

これらの金属化合物層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法等の物理的形成法（ＰＶＤ）等を用いることができるが、大面積に対して均一な膜厚の金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（ＰＶＤ）のほかに、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、膜厚制御の観点からはやはりスパッタリング法が望ましい。

スパッタリングに用いるターゲットは金属ターゲットを用いることが望ましく、反応性スパッタリング法を用いることが広く採用されている。これは、金属化合物層として用いる元素の酸化物が絶縁体であることが多く、金属化合物ターゲットの場合ＤＣマグネトロンスパッタリング法が適応できないことが多いからである。また、近年では、２つのカソードを同時に放電させ、ターゲットへの絶縁体の形成を抑制するような電源が開発されており、擬似的なＲＦマグネトロンスパッタリング法を適応できるようになってきている。

〈追加の硬化樹脂層〉
本発明の透明導電性積層体は、用途に応じて、単独又は複数の追加の硬化樹脂層を更に有することができる。この追加の硬化樹脂層は、本発明の透明導電性積層体の任意の位置に配置することができ、すなわち本発明の透明導電性積層体を構成する透明有機高分子基板、硬化樹脂層、及び透明導電層の任意の層の間又は上に配置することができる。したがって、この追加の硬化樹脂層は、透明有機高分子基板の表面を構成するいわゆるハードコート層、特に微粒子等を含有しないクリアハードコート層であってもよい。

追加の硬化樹脂層は、熱硬化樹脂や活性エネルギー線硬化樹脂などで形成することができる。なかでも、活性エネルギー線に紫外線を用いた、紫外線硬化型樹脂は生産性や経済性に優れており好適である。

追加の硬化樹脂層のための紫外線硬化型樹脂としては、例えば１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、ポリ（ブタンジオール）ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリイソプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート及びビスフェノールＡジメタクリレートの如きジアクリレート類；トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリトリトールモノヒドロキシトリアクリレート及びトリメチロールプロパントリエトキシトリアクリレートの如きトリアクリレート類；ペンタエリトリトールテトラアクリレート及びジ−トリメチロールプロパンテトラアクリレートの如きテトラアクリレート類；並びにジペンタエリトリトール（モノヒドロキシ）ペンタアクリレートの如きペンタアクリレート類を挙げることができる。追加の硬化樹脂層のための紫外線硬化型樹脂としては、この他にも、５官能以上の多官能アクリレートも用いることができる。これらの多官能アクリレートは１種単独、又は２種以上混合して同時に用いてもよい。さらにこれらのアクリレート類には、光開始剤、光増感剤、レベリング剤、金属酸化物やアクリル成分などから成る微粒子や超微粒子などの第三成分を１種又は２種以上を添加して用いることができる。

〈積層順〉
本発明の透明導電性積層体において、透明導電層、金属化合物層、硬化樹脂層、及び追加の硬化樹脂層の積層順は、透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、そして透明導電層が順次積層されており、それによって用途に応じて発現を期待される機能を果たしていれば特に限定されるものではない。例えば、本発明の透明導電性積層体をタッチパネル用基板として用いる場合、透明導電層をＡ、金属化合物層をＢ、硬化樹脂層をＣ、透明有機高分子基板をＤ、追加の硬化樹脂層をＥとすると、Ａ／Ｃ／Ｄ、Ａ／Ｃ／Ｄ／Ｅ、Ａ／Ｃ／Ｄ／Ｃ、Ａ／Ｃ／Ｅ／Ｄ／Ｃ、Ａ／Ｃ／Ｅ／Ｄ／Ｅ、Ａ／Ｃ／Ｅ／Ｄ／Ｅ／Ｃ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ／Ｅ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ／Ｃ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｅ／Ｄ／Ｃ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｅ／Ｄ／Ｅ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｅ／Ｄ／Ｅ／Ｃのように積層することができる。

〈用途〉
本発明の透明導電性積層体は、透明タッチパネルにおける透明電極基板として使用できる。特に、本発明の透明導電性積層体は、少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された抵抗膜方式透明タッチパネルにおいて、可動及び／又は固定電極基板用の透明電極基板として使用できる。また、本発明の透明導電性積層体は、静電容量方式のタッチパネル用途でも好適に使用される。

以下では実施例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。なお、実施例中、「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。また、実施例中における各種の測定は、下記のとおり行った。

〈Ｒａ（算術平均粗さ）〉
Ｓｌｏａｎ社製触針段差計ＤＥＫＴＡＫ３を用いて測定した。測定はＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４年版に準拠して行なった。

〈表面の突起数（ＡＦＭ）〉
ＳＩＩナノテクノロジー株式会社製の原子間力顕微鏡ＳＰＡ４００を用い、ダイナミックフォースモードにて、測定範囲１５０μｍのスキャナーを使用し、カンチレバーとして背面Ａｌ付Ｓｉカンチレバー（ＳＩＩナノテクノロジー株式会社製 ＳＩ−ＤＦ４０）を使用し、走査範囲５０×５０μｍにて測定を行った。データ数はＸ方向５１２個、Ｙ方向５１２個にて測定した。得られた形状像データを３次プロファイル変換し、得られた表面データから各々の突起部分の高さを見積もり、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の突起数をカウントした。各サンプルについて５回測定し、突起数の平均値を算出した。

〈厚さ及び屈折率〉
硬化樹脂、透明導電層及びハードコート層の厚さ及び屈折率については、これらの層と屈折率が相違する適当な熱可塑性フィルム基板上に同様のコーティング条件で単層で積層し、該積層面の光反射スペクトル上に光干渉効果に基づいて発現する反射率の極大ピークもしくは極小ピークの波長とそのピーク反射率の値を用いて、光学シミュレーションにより算出した。なお、本発明に関して、屈折率は特に言及しない限り、５５０ｎｍの波長の光についての屈折率とする。

〈ヘーズ〉
ＪＩＳ Ｋ７１３６号に準じ、日本電色（株）製ヘーズメーター（ＭＤＨ２０００）を用いて測定した。

〈全光線透過率〉
日本電色（株）製ヘーズメーター（ＭＤＨ２０００）を用いてＪＩＳ Ｋ７３６１−１に準じて測定した。

〈ｂ^＊値〉
ＪＩＳ Ｚ８７２２に準じ、ＪＩＳ Ｚ８７２９にて定義されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系のクロマティクネス指数ｂ^＊値を透過モードにより計測した。なお、光源として日本工業規格Ｚ８７２０に規定される標準の光Ｄ_６５を採用し、２度視野の条件で測定を行った。

〈易滑性〉
硬化樹脂層の易滑性は官能試験で、フィルムが良好（○）であるか、不良（×）であるかを評価した。

〈筆記耐久試験〉
作製した透明タッチパネルの可動電極側から先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを用いて４５０ｇ荷重で直線往復５０万往復の筆記耐久性試験を行った。ペンは１０万回ごとに新規なものに交換した。筆記耐久性前後の透明タッチパネルの５０万回往復後のリニアリティ変化量が０．５％未満のものを合格（◎）、１．０％未満のものを合格（○）、１．５％未満のものを合格（△）、１．５％以上となったものを不合格（×）とした。

〈リニアリティ〉
可動電極基板上又は固定電極基板上の平行電極間に直流電圧５Ｖを印加する。平行電極と垂直の方向に５ｍｍ間隔で電圧を測定する。測定開始位置Ａの電圧をＥＡ、測定終了位置の電圧Ｂの電圧をＥＢ、Ａからの距離Ｘにおける電圧実測値ＥＸ、理論値をＥＴとすると、リニアリティＬは、下記のように表される：
ＥＴ＝（ＥＢ−ＥＡ）・Ｘ／（Ｂ−Ａ）＋ＥＡ
Ｌ（％）＝（｜ＥＴ−ＥＸ｜）／（ＥＢ−ＥＡ）１００

［実施例Ａ−１］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００、表中「ＰＣ」）を用い、その一方の面に下記の塗工液Ｘ１をワイヤーバーで塗布し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５０ｎｍ層の硬化樹脂層を形成した。

（塗工液Ｘ１）
水７２０質量部と２−プロパノール１０８０質量部と酢酸４６質量部を混合した後に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ４０３」）４８０質量部とメチルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ１３」）２４０質量部とＮ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ６０３」）１２０質量部を順次混合してアルコキシシラン混合液を生成し、このアルコキシシラン混合液を３時間攪拌して加水分解、部分縮合を行い、さらにイソプロピルアルコールと１−メトキシ−２−プロパノールの質量比率１：１の混合溶媒で希釈した。この液に更に表面修飾を施していない平均一次粒子径が２０ｎｍのシリカ超微粒子（表中「ＳｉＯ_２−１」）４質量部（投入する樹脂モノマー量１００質量部に対して超微粒子０．５質量部、硬化後の硬化樹脂成分１００質量部に対して超微粒子成分０．７質量部）を含むイソプロピルアルコール溶液を加え更に１０分間攪拌し、塗工液Ｘ１を作成した。なお、本発明に関して、硬化後の樹脂成分の質量部については、モノマーの縮合反応が１００％進行したことを仮定している。

次いで硬化樹脂層を形成した面上に、酸化インジウムと酸化錫の質量比が９５：５の組成で充填密度が９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いて、スパッタリング法により非晶質の透明導電層（ＩＴＯ層）を形成した。ＩＴＯ層の厚さは約２０ｎｍ、表面抵抗値は約３７０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

引き続いて１３０℃９０分の熱処理を行い、透明導電層（ＩＴＯ層）を結晶化させることにより透明導電性積層体を作製した。ＩＴＯ層が結晶化した後の透明導電層の厚さは約２０ｎｍ、屈折率は２．１０、表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。なお、ＴＥＭにより観察された透明導電層の結晶粒径は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であった。

作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。また、本例の透明導電性積層体表面の形態についてＡＦＭにて観察した結果を図２に示す。

［実施例Ａ−２〜Ａ−４］
塗工液Ｘ１の作成において、シリカ超微粒子の添加量を変更したこと以外は、実施例Ａ−１と同様にして塗工液Ｘ１を作成し、また実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。

［実施例Ａ−５及びＡ−６］
膜厚を約３０ｎｍ及び１０００ｎｍとする以外は実施例Ａ−１と同様の方法にて、塗工液Ｘ１をポリカーボネートフィルムに塗布して、硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。

［実施例Ａ−７］
塗工液Ｘ１の作成において、シリカ超微粒子の平均一次粒子径が５０ｎｍの超微粒子（表中「ＳｉＯ_２−２」）を使用すること以外は、実施例Ａ−１と同様にして塗工液Ｘ１を作成し、また実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。

［実施例Ａ−８］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００）を用い、その一方の面に下記の塗工液Ｙ１をワイヤーバーで塗布し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

（塗工液Ｙ１）
テトラブトキシチタネート（日本曹達社製の商品名「Ｂ−４」）２００質量部をリグロイン（和光純薬工業社製の等級が一級品）とブタノール（和光純薬工業社製の等級が特級品）の１：４混合溶媒で希釈した。この液に更に表面修飾を施していない平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン超微粒子（表中「ＴｉＯ_２」）０．３３質量部（投入する樹脂モノマー量１００質量部に対して超微粒子０．１７質量部、硬化後の硬化樹脂成分１００質量部に対して超微粒子０．７質量部）を含むイソプロピルアルコール溶液を加え更に１０分間攪拌し、塗工液Ｙ１を作成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。

［実施例Ａ−９］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００）を用い、その一方の面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて膜厚が４μｍのクリアハードコート層１を形成した。次にクリアハードコート層上に実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。

［実施例Ａ−１０］
透明有機高分子基板にポリエステルフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製「テイジンテトロンフィルム」、ＯＦＷ−１８８）を用い、その一方の面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて膜厚が４μｍのクリアハードコート層１を形成した。次にクリアハードコート層上に実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表１に示す。

［実施例Ｂ−１］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００、表中「ＰＣ」）を用い、その一方の面に下記の塗工液Ｘ２をワイヤーバーで塗布し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５０ｎｍ層の硬化樹脂層を形成した。

（塗工液Ｘ２）
水７２０質量部と２−プロパノール１０８０質量部と酢酸４６質量部を混合した後に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ４０３」）４８０質量部とメチルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ１３」）２４０質量部とＮ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ６０３」）１２０質量部を順次混合してアルコキシシラン混合液を生成し、このアルコキシシラン混合液を３時間攪拌して加水分解、部分縮合を行い、さらにイソプロピルアルコールと１−メトキシ−２−プロパノールの質量比率１：１の混合溶媒で希釈した。この液に、ＭｇＦ_２超微粒子（表中、「ＭｇＦ_２」）２０質量％イソプロピルアルコール分散液（シーアイ化成株式会社製、超微粒子の平均一次粒子径：５０ｎｍ）４２００質量部（固形分換算８４０質量部、すなわち投入する樹脂モノマー量１００質量部に対して１００質量部、硬化後の硬化樹脂成分１００質量部に対して超微粒子１４５質量部）超微粒子を加え、更に１０分間攪拌した。その後、この液に更に表面修飾を施していない平均一次粒子径が２０ｎｍのシリカ超微粒子（表中、「ＳｉＯ_２−１」）４質量部（投入する樹脂モノマー量１００質量部に対して超微粒子０．５質量部、硬化後の硬化樹脂成分１００質量部に対して超微粒子０．７質量部）を含むイソプロピルアルコール溶液を加え更に１０分間攪拌し、塗工液Ｘ２を作成した。なお、本発明に関して、硬化後の樹脂成分の質量部については、モノマーの縮合反応が１００％進行したことを仮定している。

次いで硬化樹脂層を形成した面上に、酸化インジウムと酸化錫の質量比が９５：５の組成で充填密度が９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いて、スパッタリング法により非晶質の透明導電層（ＩＴＯ層）を形成した。ＩＴＯ層の厚さは約２０ｎｍ、表面抵抗値は約３７０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

引き続いて１３０℃９０分の熱処理を行い、透明導電層（ＩＴＯ層）を結晶化させることにより透明導電性積層体を作製した。ＩＴＯ層が結晶化した後の透明導電層の厚さは約２０ｎｍ、屈折率は２．１０、表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。なお、ＴＥＭにより観察された透明導電層の結晶粒径は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であった。

作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。また、本例の透明導電性積層体表面の形態についてＡＦＭにて観察した結果を図３に示す。

［実施例Ｂ−２〜Ｂ−４］
塗工液Ｘ２の作成において、シリカ超微粒子の添加量を変更したこと以外は、実施例Ｂ−１と同様にして塗工液Ｘ２を作成し、また実施例Ｂ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ｂ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ｂ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。

［実施例Ｂ−５及びＢ−６］
膜厚を約３０ｎｍ及び２３０ｎｍとする以外は実施例Ｂ−１と同様の方法にて、塗工液Ｘ２をポリカーボネートフィルムに塗布して、硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ｂ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ｂ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。

［実施例Ｂ−７及びＢ−８］
塗工液Ｘ２の作成において、ＭｇＦ_２超微粒子２０質量％イソプロピルアルコール分散液の添加量を変更したこと以外は、実施例Ｂ−１と同様にして塗工液Ｘ２を作成し、また実施例Ｂ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ｂ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ｂ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。

［実施例Ｂ−９］
塗工液Ｘ２の作成において、シリカ超微粒子の平均一次粒子径が５０ｎｍの超微粒子（表中「ＳｉＯ_２−２」）を使用すること以外は、実施例Ｂ−１と同様にして塗工液Ｘ２を作成し、また実施例Ｂ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ｂ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ｂ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。

［実施例Ｂ−１０］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００）を用い、その一方の面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて膜厚が４μｍのクリアハードコート層１を形成した。次にクリアハードコート層上に実施例Ｂ−１と同様の方法にて塗工液Ｘ２をワイヤーバーで塗布し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ｂ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ｂ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。

［実施例Ｂ−１１］
透明有機高分子基板にポリエステルフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製「テイジンテトロンフィルム」、ＯＦＷ−１８８）を用い、その一方の面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて膜厚が４μｍのクリアハードコート層１を形成した。次にクリアハードコート層上に実施例Ｂ−１と同様の方法にて塗工液Ｘ２をワイヤーバーで塗布し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ｂ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ｂ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表２に示す。

［比較例１］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００）を用い、その一方の面に直接、実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表３に示す。

［比較例２］
塗工液Ｘ１の作成において、超微粒子を添加しないこと以外は、実施例Ａ−１と同様にして塗工液Ｘ１を作成し、また実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表３に示す。

［比較例３〜５］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００）を用い、その一方の面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料２００質量部（樹脂成分５０％）に平均一次粒子径が２０ｎｍのシリカ超微粒子０．７質量部、２０質量部及び４０質量部をそれぞれ含むイソプロピルアルコール溶液を用いて、膜厚が約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表３に示す。

［比較例６］
透明有機高分子基板にポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製、Ｃ１１０−１００）を用い、その一方の面に下記の塗工液Ｚ２をワイヤーバーで塗布し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

（塗工液Ｚ２）
水７２０質量部と２−プロパノール１０８０質量部と酢酸４６質量部を混合した後に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ４０３」）４８０質量部とメチルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ１３」）２４０質量部とＮ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ６０３」）１２０質量部を順次混合してアルコキシシラン混合液を生成し、このアルコキシシラン混合液を３時間攪拌して加水分解、部分縮合を行い、さらにイソプロピルアルコールと１−メトキシ−２−プロパノールの質量比率１：１の混合溶媒で希釈した。この液に更に表面修飾を施していない平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン超微粒子４質量部（投入する樹脂モノマー量１００質量部に対して超微粒子０．５質量部、硬化後の硬化樹脂成分１００質量部に対して超微粒子０．７質量部）を含むイソプロピルアルコール溶液を加え更に１０分間攪拌し、塗工液Ｚ２を作成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表３に示す。

［比較例７〜１０］
塗工液Ｘ１の作成において、シリカ超微粒子の添加量を変更したこと以外は、実施例Ａ−１と同様にして塗工液Ｘ１を作成し、また実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表３に示す。

［比較例１１］
塗工液Ｘ１の作成において、平均粒径が０．５μｍのシリカ微粒子（表中「ＳｉＯ_２−３」）を４質量部添加したこと以外は、実施例Ａ−１と同様にして塗工液Ｘ１を作成し、また実施例Ａ−１と同様にして膜厚約５０ｎｍの硬化樹脂層を形成した。

次いで実施例Ａ−１と同様にＩＴＯ層を形成し、結晶化させた。得られたＩＴＯ膜は、実施例Ａ−１のＩＴＯ膜と同様な表面抵抗値及び結晶粒径を有していた。作製した透明導電性積層体の特性を表３に示す。本例の透明導電性積層体は高さ３００ｎｍを超える突起がまばらに存在した表面形状をしていた。

表１及び２から明らかなように、実施例の透明導電性積層体を使用したタッチパネルは、低ヘーズであると共に、筆記（摺動）耐久性について優れたものであった。これに対して、表３から明らかなように、比較例１〜７の透明導電性積層体を使用したタッチパネルは、低ヘーズであるものの、滑り性が劣っており、また筆記耐久性についても低い結果であった。また、表３から明らかなように、比較例８〜１０の透明導電性積層体を使用したタッチパネルは、筆記（摺動）耐久性について優れたものであったものの、ヘーズが高く、光学特性が劣っていた。また更に、表３から明らかなように、比較例１１の透明導電性積層体を使用したタッチパネルは、比較的低ヘーズであるものの、筆記耐久性について劣っていた。

更に、表２から明らかなように、実施例Ｂ−１〜Ｂ−１１の透明導電性積層体を使用したタッチパネルは、実施例Ａ−１〜Ａ−１０の透明導電性積層体を使用したタッチパネルと比較しても、透明導電性積層体の透過率及び／又は色調調整力について優れたものであった。

なお、表において、「硬化樹脂層の表面で反射して戻る経路の光路差」は、透明導電層側から入った光について、透明導電層の表面での反射と硬化樹脂層の表面での反射との光路差を意味している。また、「透明有機高分子基板の表面で反射して戻る経路の光路差」は、透明導電層側から入った光について、透明導電層の表面での反射と透明有機高分子基板の表面での反射との光路差を意味している。

１１ 基板（ガラス板）
１２、１４、３１ 透明導電層
１３ スペーサー
１５、３２ 硬化樹脂層
１６、３３ 透明有機高分子基板
２０ 透明タッチパネル

Claims (18)

1. 透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、そして透明導電層が順次積層されてなり、且つ以下（ａ）〜（ｄ）を満たす、透明導電性積層体：
   （ａ）前記硬化樹脂層が、樹脂成分、及び平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の第１の超微粒子を含み、
   （ｂ）前記樹脂成分及び前記第１の超微粒子が、同じ金属及び／又は半金属元素を含み、
   （ｃ）前記硬化樹脂層において、前記第１の超微粒子の含有量が、前記樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部以上３質量部以下であり、且つ
   （ｄ）前記硬化樹脂層の厚みが０．０１以上２μｍ以下である。
2. 前記透明導電層が、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さの突起を、５０μｍ四方当たり１０個以上３００個以下有する、請求項１記載の透明導電性積層体。
3. 前記透明導電層の表面粗さＲａが、２０ｎｍ以下である、請求項１又は２記載の透明導電性積層体。
4. 全光線透過率が８５％以上であり、且つヘーズが２％以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性積層体。
5. 前記金属及び／又は半金属元素が、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒからなる群より選択される１又は複数の元素である、請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性積層体。
6. 前記金属及び／又は半金属元素が、Ｓｉである、請求項５に記載の透明導電性積層体。
7. 前記金属及び／又は半金属元素が、Ｔｉである、請求項５に記載の透明導電性積層体。
8. 以下（ｄ’）〜（ｆ）を満たす、請求項１〜７のいずれかに記載の透明導電性積層体：
   （ｄ’）前記硬化樹脂層の厚みが０．０１以上０．５μｍ以下であり、
   （ｅ）前記透明有機高分子基板の屈折率ｎ_３、前記硬化樹脂層の屈折率ｎ_２、及び前記透明導電層の屈折率ｎ_１が、ｎ_１＞ｎ_２、且つｎ_３＞ｎ_２の関係を満たし、且つ
   （ｆ）前記硬化樹脂層が、平均一次粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で且つ屈折率が前記樹脂成分よりも小さい第２の超微粒子を更に含む。
9. 前記硬化樹脂層が、前記第２の超微粒子を含むことによって、前記硬化樹脂層が第２の超微粒子を含まない場合と比較して、前記硬化樹脂層の屈折率が０．０１以上低下している、請求項８に記載の透明導電性積層体。
10. Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系のクロマティクネス指数ｂ^＊値が、−１．０〜１．５の範囲である、請求項８又は９記載の透明導電性積層体。
11. 前記透明導電層側から入った光について、前記透明導電層の表面での反射と前記硬化樹脂層の表面での反射との光路差が、４７０ｎｍ×ｎ−１００ｎｍ〜４７０ｎｍ×ｎ＋１００ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲であり、且つ前記透明導電層の表面での反射と前記透明有機高分子基板の表面での反射との光路差が、４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−７０ｎｍ〜４７０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋７０ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲である、請求項８〜１０のいずれか記載の透明導電性積層体。
12. 前記透明導電層側から入った光について、前記透明導電層の表面での反射と前記硬化樹脂層の表面での反射との光路差が、５５０ｎｍ×ｎ−１２０ｎｍ〜５５０ｎｍ×ｎ＋１２０ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲であり、且つ前記透明導電層の表面での反射と前記透明有機高分子基板の表面での反射との光路差が、５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）−８０ｎｍ〜５５０ｎｍ×（ｎ＋１／２）＋８０ｎｍ（ｎは０又は正の整数）の正の範囲である、請求項８〜１０のいずれか記載の透明導電性積層体。
13. 前記硬化樹脂層の屈折率が１．２０以上１．５０以下である、請求項８〜１２のいずれか記載の透明導電性積層体。
14. 前記第１及び第２の超微粒子がそれぞれ、金属酸化物超微粒子又は金属フッ化物超微粒子である、請求項８〜１３のいずれかに記載の透明導電性積層体。
15. 前記樹脂成分が、有機ケイ素化合物であり、前記第１の超微粒子が、シリカ（ＳｉＯ_２）であり、且つ前記第２の超微粒子が、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）である、請求項８〜１４のいずれかに記載の透明導電性積層体。
16. 前記透明導電層と前記硬化樹脂層との間に金属化合物層を更に有し、且つ前記金属化合物層、硬化樹脂層の樹脂成分、及び硬化樹脂層の超微粒子がいずれも、同じ金属及び／又は半金属元素を含む、請求項１〜１５のいずれかに記載の透明導電性積層体。
17. 前記透明有機高分子基板が、追加の硬化樹脂層を表面に有する積層体である、請求項１〜１６のいずれかに記載の透明導電性積層体。
18. 少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求項１〜１７のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タッチパネル。