WO2008088059A1

WO2008088059A1 - 透明導電性積層体およびそれよりなるタッチパネル

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Publication number: WO2008088059A1
Application number: PCT/JP2008/050662
Authority: WO
Inventors: Haruhiko Ito
Original assignee: Teijin Limited
Priority date: 2007-01-16
Filing date: 2008-01-15
Publication date: 2008-07-24
Also published as: EP2109116A1; US11327621B2; EP2109116B1; EP2109116A4; CN101578667B; ATE555483T1; US20090315849A1; TWI410830B; KR101410075B1; JP5091165B2; JPWO2008088059A1; CN101578667A; KR20090110914A; TW200844823A

Abstract

　高分子フィルムの少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、透明導電層−１と透明導電層−２が順次積層されてなる透明導電性積層体であって、該透明導電層−１が有機成分を含有しない結晶質の透明導電層であり、該透明導電層−２がアルコキシシランと少なくとも１種類の平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の導電性金属酸化物または金属微粒子からなる微粒子Ａとを含有する透明導電性積層体。

Description

明細書

透明導電性積層体およびそれよりなる夕ツチパネル技術分野

本発明は、高分子フィルムの少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、透明導電層一 1と透明導電層一 2が順次積層された透明導電性積層体に関する。背景技術

表示装置（d i s p l a y ) と入力装置としての透明タツチパネルとを搭載した携帯型情報端末が広く普及し始めた。透明夕ツチパネルと.して多く用いられる抵抗膜方式の透明夕ツチパネルは、透明導電層が形成された 2枚の透明電極基板が、およそ 1 0 ^ m〜l 0 0 x mの間隔で互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成されており、外力を加える部分のみで互いの透明導電層表面同士が接触してスィッチとして動作するものであり、例えば表示画面上のメニュー選択、図形 '文字入力等を行うことができる。

近年、液晶表示体などで狭額縁化が進み、これと同様に透明タツチパネルにも狭額縁化が進んできた。この狭額縁化に伴い従来透明夕ツチパネルに要求されていた筆記耐久性以外に、透明夕ツチパネル端部での筆記耐久性である端押し耐久性が要求される傾向が強くなつた。

透明夕ツチパネルに要求される筆記耐久性を改善するために、特許文献 1、特許文献 2、特許文献 3では、 2枚の透明高分子フィルム基材の間に硬さ（またはヤング率）を規定した粘着剤または透明樹脂層を介して透明高分子フィルム基材を積層した透明導電性積層体が提案されている。いずれの方法でも筆記耐久性を改善することは知られているが、 2 枚の透明高分子フィルムを粘着剤または透明樹脂層を介して積層させるため生産工程が複雑となり生産効率が悪く、更に 1 0インチを超える大型透明夕ツチパネルを作製すると構成上の観点から剛性が弱いため透明導電性積層体が橈む問題がある。

また、特許文献 4では、製造コストの低減化、量産化が可能な抵抗膜方式の夕ツチパネルとして、透明電極層の少なくとも一方が、チォフエン系導電ポリマーゃポリァニリン系導電ポリマー等の透明導電ポリマ一より形成されることを特徴とした夕ツチパネルが提案されている。更に I T O (酸化インジウムスズ）層と透明導電ポリマ一層との積層体についても提案されている。しかし導電性ポリマー材を透明電極として使用した透明導電性積層体では、透明夕ツチパネルを構成する対向して配置された透明導電層同士が接触した時の接触抵抗が大きく透明夕ツチパネルが動作しない問題や透過率、環境信頼性が確保できない問題がある。特許文献 5では、透明基板の透明電極表面上に、導電性微粒子を含んだ高分子層が形成されている夕ツチパネル.が提案されている。特許文献 6では、真空蒸着法、イオンプレーティング法、あるいはスパッ夕リング法にて形成した金属及び Z又は金属酸化物の薄層を導電層として形成した後、導電性を有する塗料を積層することが提案されている。しかしながら、これら特許文献 4、 5、 6で提案されている透明導電性積層体を使用した透明夕ツチパネルでは、透明導電層と高分子フィルムの間に硬化樹脂層を有していないため、一的に透明夕ツチパネルの可動電極基板として使用されるポリエチレンテレフ夕レートを高分子フィルムとして使用した場合には加熱処理などを実施した後、高分子フィルムからオリゴマー成分が析出する問題となる。また透明導電層の層質（膜質）を特定していないためこれら透明導電性積層体を透明夕ツチパネルとして使用した場合、透明夕ツチパネルに必要とされる筆記耐久性を確保することが出来ない問題がある。

【特許文献 1】特開平 2— 6 6 8 0 9号公報

【特許文献 2】特開平 2— 1 2 9 8 0 8号公報

【特許文献 3】特開平 8— 1 9 2 4 9 2号公報

【特許文献 4】特開 2 0 0 5— 1 8 2 7 3 7号公報

【特許文献 5】特開平 7— 2 1 9 6 9 7号公報

【特許文献 6】特公平 3— 4 8 6 0 5号公報発明の開示

本発明の目的は、従来透明夕ツチパネルに要求されていた筆記耐久性を向上させ、透明夕ツチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性 ) を向上させた透明夕ツチパネルおよび該透明夕ツチパネル用として好適な透明導電積層体を提供することにある。図面の簡単な説明

第 1図は、本願の実施例 1、 7並びに比較例 3、 4の操作で得られた透明夕ツチパネルの構成を模式的に示した断面図である。

第 2図は、本願の実施例 2、 3、 4、 5、 6並びに比較例 5、 6の操作で得られた透明夕ツチパネルの構成を模式的に示した断面図である。第 3図は、本願の比較例 1の操作で得られた透明夕ツチパネルの構成を模式的に示した断面図である。

第 4図は、本願の比較例 2の操作で得られた透明夕ツチパネルの構成を模式的に示した断面図である。

第 5図は、本願の実施例 8並びに比較例 1 0の操作で得られた透明タッチパネルの構成を模式的に示した断面図である。

第 6図は、本願の比較例 1 2の操作で得られた透明夕ツチパネルの構成を模式的に示した断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下に、本発明を実施するための形態につき詳細に説明する。尚、これらの説明および実施例は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。高分子フィルム

本発明における透明導電性積層体は、高分子フィルムの少なくとも一方の面上に、硬化物樹脂層、透明導電層一 1、透明導電層一 2が順次積層されてなる。

高分子フィルムを構成する有機高分子としては、耐熱性に優れた透明な有機高分子であれば特に限定されない。有機高分子としては、例えば、ポリエチレンテレフ夕レート、ポリエチレン一 2， 6—ナフタレート、ポリジァリルフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、アクリル樹脂、セルロースアセテート樹脂、シクロォレフィンポリマー等が挙げられる。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマ一として使用しても良い。また、上記有機高分子を単独で使用しても良いし、ブレンドしても使用し得る。

これらの高分子フィルムは一般的な溶融押し出し法もしくは溶液流延法等により好適に成形されるが、必要に応じて成形した高分子フィルムに一軸延伸もしくば二軸延伸を実施して、機械的強度を高めたり、光学的機能を高めたりすることも好ましく行われる。

本発明の透明導電積層体を透明夕ツチパネルの可動電極基板として用いる場合には、透明夕ツチパネルをスィッチとして動作させるための可撓性と平坦性を保つ為の強度の点から、高分子フィルムとして、厚みが 7 5〜4 0 0 x mのものが好ましい。固定電極基板として用いる場合は平坦性を保つ為の強度の点から高分子フィルムとして、厚みが 0 . 4〜 4 . ,. 0 mmのシート状のものが好ましいが、厚み 5 0〜4 0 0 x mのフイルム状のものを他のプラスチックシートと貼り合わせ、全体の厚みを 0 . 4〜4 . 0 mmになるような構成にして用いても良い。

本発明の透明導電積層体を透明夕ツチパネルの可動電極基板として用いた場合には、固定電極基板には前記プラスチックシート、ガラス基板あるいは高分子フィルムとガラス基板との積層体または高分子フィルムとプラスチックシートとの積層体上に透明導電層を形成したものを用いても良い。透明夕ツチパネルの強度、重量の点から、単層又は積層体よりなる固定電極基板の厚みは 0 . 1〜4 . 0 mmが好ましい。

また、最近では透明タツチパネルの入力側の面、すなわち使用者側の面上に、偏光板または偏光板と位相差フィルムとを積層した構成の新しいタイプの透明夕ツチパネルが開発されている。この構成の利点は主として偏光板または、偏光板と位相差フィルムの光学的作用によって、透明夕ツチパネル内部における外来光の反射率を半分以下に低減し、透明夕ツチパネルを設置した状態でのディスプレイのコントラストを向上させることにある。

このようなタイプの透明夕ツチパネルでは、偏光が透明導電積層体を通過することから、高分子フィルムとして光学等方性に優れたものを用いる事が好ましく、具体的にはフィルムの遅相軸方向の屈折率を n_x、進相軸方向の屈折率を n_y、フィルムの厚みを d (nm) とした場合に Re = (n_x— n_y) Xd (nm) で表される面内リタ一デ一シヨン値 R eが少なくとも 3 Onm以下であることが好ましく、 20 nm以下であることがより好ましい。なお、ここで基板の面内リタ一デーシヨン値は分光エリプソメ一夕（日本分光株式会社製 M— 150) を用いて測定した波長 590 nmでの値で代表している。

この様に例示した透明導電性積層体を偏光が通過するタイプの透明夕ツチパネルの用途においては、透明電極基板の面内リタ一デーシヨン値が非常に重要であるが、これに加えて透明電極基板の三次元屈折率特性、すなわち基板の厚み方向の屈折率を n_zとしたときに K= { (η_χ + η _y) /2 -n_z} X dで表される K値が一 250〜 + 150 nmであることが好ましく、 — 200〜+ 100 nmの範囲にあることが透明夕ツチパネルの i れた視野角特性を得る上でより好ましい。

これらの光学等方性に優れた高分子フィルムとしては、例えば、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリァセチルセルロース、ジァセチルセルロース、シクロォレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等の成型基板、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂の成形基板やァクリル樹脂等の電離放射線硬化性樹脂の成形基板等が挙げられる。成形性や製造コスト、熱的安定性等の観点から、例えばポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、シクロォレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等の成型基板が最も好ましく挙げられる。より具体的には、ポリカーボネートとしては例えば、ビスフエノール A、 1， 1ージ（4—フエノール）シクロへキシリデン、 3 , 3 , 5— トリメチル一 1， 1—ジ（4一フエノール）シクロへキシリデン、フルオレン一 9 , 9ージ（4一フエノール）、フルオレン一 9， 9—ジ（3 ーメチルー 4一フエノール）等からなる群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位とする重合体や共重合体であるか、または上記群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位とする重合体または共重合体の混合物であり、平均分子量がおよそ 1 5 0 0 0〜 1 0 0 0 0 0の範囲のポリカーボネート（商品としては、例えば帝人化成株式会社製「パンライト」、「ピュアエース」やバイエル社製「A p e c H T 」等が例示される。）の成型基板が好ましく用いられる。

また非晶性ポリアリレートとしては、商品として株式会社カネ力製「エルメック」、ュニチカ株式会社製「Uボリマー」、イソノバ社製「ィサリル」等の成型基板が例示される。

またシクロォレフィンポリマーとしては、商品として日本ゼオン株式会社製「ゼォノア」や J S R株式会社製「ァ一トン」等の成型基板が例示される。 '

またこれらの高分子材料の成形方法としては、溶融押出法や溶液流延法、射出成型法等の方法が例示されるが、優れた光学等方性を得る観点からは、特に溶液流延法ゃ溶融押し出し法を用いて成形を行うことが好ましい。透明導電層一 1

本発明における透明導電層一 1は、有機成分を含有しない結晶質の導電層であり、例えば、結晶質の金属層あるいは結晶質の金属化合物層を挙げることができる。

なお、本発明において、 "有機成分を含有しない" とは有機成分を 0 . 5重量％以上含まないことを意味し、透明導電層一 1を構成する成分としては、例えば酸化ゲイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシゥム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。これらのうち酸化インジウム及び Z又は酸化錫の金属酸化物層が特に好ましい。

更に、透明導電層一 1は、酸化インジウムを主成分とした結晶質の層であることが好ましく、特に結晶質の I T Oからなる層が好ましく用いられる。 I T Oの酸化錫の含有量は、 2 w t %以上 2 0 w t %以下が好ましく、更に好ましく 2 w t %以上 1 5 w t %以下が好ましい。また結晶粒径は、特に上限を設ける必要はないが 3 0 0 O n m以下であることが好ましい。結晶粒径が 3 0 0 0 n mを超えると筆記耐久性が悪くなるため好ましくない。ここで結晶粒径とは、透過型電子顕微鏡（T E M) 下で観察される多角形状または長円状の各領域における対角線または直径の中で最大のものと定義される。

本発明において "酸化インジウムを主成分とした" とは、ドーパントとして錫、テルル、カドミウム、モリブデン、タングステン、フッ素、亜鉛等を含有する酸化ィンジゥム、或いはドーパントとして錫の他に更に、珪素、チタン、亜鉛等を含有する酸化インジウムを意味する。

また、 "結晶質の導電層" とは、ドーパントを含有する酸化インジゥムからなる層の 5 0 %以上、好ましくは 7 5 %以上、より好ましくは 9 5 %以上、特に好ましくはほぼ 1 0 0 %が結晶相で占められていることを意味する。

透明導電層一 1が結晶質の導電層であることにより、基板である高分子フィルム、硬化樹脂層、金属酸化物層などと透明導電層一 1との密着性や環境信頼性が他の透明導電層、例えば非晶質層の透明導電層より優れたものとなる。その結果、本発明の透明導電性積層体を夕ツチパネルに用いた際、夕ツチパネルに必要とされる環境信頼性や夕ツチパネルの筆記耐久性、端押し耐久性が著しく改善される。

更に結晶質の導電層である透明導電層を用いた場合には、非晶質の導電層である透明導電層を用いた場合よりも光学特性、特に全光線透過率や色目（b*値） ·着色が改善される。

透明導電層一 1は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えば DCマグネ卜ロンスパッタリング法、 R Fマグネ卜口ンスパッ夕リング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザ一デポジション法等の物理的形成法（Phy s i c a l Vap o r De p o s i t i on、以下、 PVD) 等を用いることができるが、大面積に対して均一な厚みの金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、 DCマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（P VD) のほかに、 Chemi c a l Va o r De p o s i t i on (以下、 CVD) 、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、厚み制御の観点からはやはりスパッ夕リング法が望ましい。

透明導電層一 1の厚みは、透明性と導電性の点から 5〜50 nmであることが好ましい。更に好ましくは 5〜30 nmである。透明導電層一 1の厚みが 5 nm未満では抵抗値の経時安定性 ·環境信頼性が劣る傾向が有り好ましくない、また透明導電層一 1の厚みが 5 Onmを超えると表面抵抗値が低下する δ 夕ツチパネルとして好ましくない。更に透明導電層一 1の厚みが 30 nmを超える場合では 30 nm以下の透明導電層と比較して曲げ特性が劣化する傾向にあるため夕ツチパネルに要求される端押し耐久性を確保することが困難になり好ましくない。

本発明の透明導電性積層体を透明タツチパネルに用いる場合、透明夕ツチパネルの消費電力の低減と回路処理上の必要等から、厚み 10〜3 0 nmにおいて透明導電層一 1の表面抵抗値が 100〜 2000 (Ω/s q) 、より好ましくは 140〜 1000 ΩΖ口 (Ω/s q) の範囲を示す透明導電層を用いることが好ましい。透明導電層一 2

本発明における透明導電層一 2は、アルコキシシランと少なくとも 1 種類の平均 1次粒子径が 100 nm以下の導電性金属酸化物または金属微粒子からなる微粒子 Aとを含有する。

透明導電層一 2中の微粒子 Aの含有量はアルコキシシラン 100重量部に対して、 0. 1重量部以上 400重量部以下であることが好ましい。更に好ましくは、 0. 5重量部以上 200重量部以下、より好ましくは、 0. 5重量部以上 100重量部以下である。微粒子 Aの含有量がァルコキシシラン 100重量部に対して 0. 1重量部より少ない場合は、透明夕ツチパネルにおいて対向して配置する両透明導電層表面同士が接触した際の接触抵抗が著しく大きくなり透明夕ツチパネルとして動作しにくくなる。更に微粒子 Aの含有量が 0. 5重量部未満になると透明導電層を酸を用いてパターニングする際のエッチング工程で残像が残り、エッチング不良になることがあり好ましくない。，また微粒子 Aの含有量がアルコキシシラン 100重量部に対して 40 0重量部より多い場合には、透明導電層一 2の層強度を充分に確保することが困難になり、透明夕ツチパネルに要求される筆記耐久性などを確保することが困難になる。'

透明導電層一 2の厚みは、 1 O n m以上 1 5 0 O n m以下であることが好ましい。更に好ましくは、 5 0 n m以上 1 0 0 0 nm以下、より好ましくは、 1 0 0 n m以上 1 0 0 0 n m以下である。厚みが 1 0 n m未満であると、本発明の透明導電性積層体を夕ツチパネル用の透明導電層として用いた際に、端押し耐久性の向上効果が得られ難い。また、厚みが 1 5 0 O n mを超えると、透明夕ツチパネルの対向して配置する透明導電層同士が接触した際の接触抵抗が著しく大きくなり透明夕ツチパネルとして動作しにくくなる。ア^ >レコキシシラン

透明導電層一 2に用いるアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テ卜ラエ卜キシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ァーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、 β— ( 3 , 4 _エポキシシクロへキシル) ェチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、 Ν— /3 (アミノエチル) ァーァミノプロピルトリメトキシシラン、 Ν— β (ァミノェチル）ァ一ァミノプロピルジメ卜キシシラン、ァーァミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。

これらのアルコキシシランは、層の機械的強度や密着性及び耐溶剤性等の観点からニ種類以上を混合して用いることが好ましく、特に耐溶剤性の観点から、アルコキシシランの全組成中に重量比率 0 . 5〜4 0 % の範囲で、分子内にアミノ基を有するアルコキシシランが含有されていることが好ましい。

アルコキシシランは、モノマーで用いてもあらかじめ加水分解と脱水縮合を行って適度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有機溶剤に溶解、希釈した塗工液を透明導電層一 1上に塗工する。透明導電層ー 1上に形成された塗工層は、空気中の水分等により加水分解が進行し、続いて、脱水縮合により架橋が進行する。 ' 一般に、架橋の促進には適当な加熱処理が必要であり、塗工工程において 1 0 0 °C以上の温度で数分間以上の熱処理を施すことが好ましい。また場合によっては、前記熱処理と並行して、紫外線等の活性光線を塗ェ層に照射することにより、架橋度をより高めることが出来る。

有機溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、ブ夕ノール、 1ーメトキシー 2—プ口パノ一ル、へキサン、シクロへキサン、リグ口イン等が好ましい。こ • の他に、キシレン、トルエン、シクロへキサノン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは 2種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。

また塗工には、ドクターナイフ、バーコ一夕一、グラビアロールコーター、カーテンコ一夕一、ナイフコ一夕一、スピンコ一夕一等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が用いられる。

アルコキシシラン以外に放射線硬化樹脂などと微粒子 Aを組み合わせて用いて透明導電層一 2を形成することも可能である。しかし放射線硬化樹脂を使用した場合には、透明導電層一 2の厚みが薄いため放射線硬化樹脂が酸素阻害により硬化不足となり、放射線硬化樹脂を用いた透明導電性積層体を用いた夕ツチパネルでは摺動耐久性が劣化する問題がある。

更にアルコキシシラン以外の硬化性樹脂と微粒子 Aとを組み合わせて用'いる事も可能である。しかしアルコキシシラン以外の硬化性樹脂を用いた場合には、透明導電層一 1との密着性を確保することが困難であるため、アルコキシシラン以外の硬化性樹脂を用いた透明導電性積層体を用いたタツチパネルでは摺動耐久性が劣化する問題がある。

更に可塑性樹脂と微粒子 Aとを組み合わせて用いる事も可能である。しかし可塑性樹脂を用いた場合には、可塑性樹脂の耐薬品が不足しているため、夕ツチパネル作成時に問題がある。微粒子 A

本発明における透明導電層一 2には、アルコキシシランと、少なくとも 1種類の平均 1次粒子径が 100 nm以下の導電性金属酸化物または金属微粒子からなる微粒子 Aが成分として必要である。

微粒子 Aが金属酸化物の場合、例えば、酸化インジウム、二酸化錫、酸化亜鉛、酸化カドミウム、インジウム酸化カドミウム（CdZl n₂〇 ₄) 、酸化スズカドミウム（Cd₂Sn〇₄) 、酸化スズ亜鉛（Zn₂Sn 〇₄) 、酸化インジウムなどが挙げられる。これらのうち酸化インジウム及びノまたは酸化錫の金属酸化物が特に好ましい。

特に酸化インジウム及び/または酸化錫の金属酸化物微粒子を透明導電層ー 2中に含有される微粒子 Aとして用いる場合には、他の金属酸化物微粒子と比較して環境信頼性に優れている。その中でも結晶質の I T 〇微粒子が特に優れている。更に I TO微粒子中の酸化錫含有量が 2 w t %以上 20 w t %以下であることが好ましく、更に好ましくは 2 w t %以上 15wt%以下である。

微粒子 Aが金属微粒子の場合、金属微粒子及び合金微粒子の少なくともいずれかの金属系粒子であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。金属微粒子を構成する金属は、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる。金属そのものであってもよいし、金属カルコゲナイド、金属ハロゲン化合物などであってもよい。前記金属としては、 T i 、 Fe、 Co、 N i、 Z r、 Mo、 Ru、 Rh、 Ag、 Cd、 Sn、 I r、 P t、 Au、 Pb、 B i、これらの合金等が挙げられる。

前記合金としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記金属として例示したものと、 S c,、 Y、 T i、 Z r、 V、 Nb、 Fe、 Co、 N i、 u, Rh、 Pd、〇s、 I r、ランタノィド系列の元素及びァクチノィド系列の元素から選択したものとの合金、などが挙げられる。

上記微粒子 Aの平均一次粒子径は 100 nm以下であることが必要であり、好ましくは 75 nm以下、更には 50 nmであることが好ましい。微粒子 Aの平均一次粒子径が 100 nmより大きい場合は、形成した透明導電層が白化し、透明夕ツチパネルの透明性が損なわれる問題がある。微粒子 B

透明夕ツチパネルにおいて対向して配置された透明導電層の両層の表面が実質的に平坦である場合、対向して配置された両透明導電層表面同士が接触した際に、両透明導電層表面同士がくっつく現象により、透明導電層が劣化し透明夕ッチパネルが誤動作する問題がある。この両透明導電層表面同士のくっつき現象を防止するために、透明導電層一 2中に微粒子 Bを含有させることができる。

また透明導電層の表面が実質的に平坦でなくても、透明導電層表面の滑り性を改善することを目的として、透明導電層一 2中に微粒子 Bを含有させることもできる。

微粒子 Bの平均 1次粒子径は、透明導電層一 2の厚みを基準としてその 1 . 2倍以上であることが好ましい。微粒子 Bの平均一次粒子径が透明導電層一 2の厚みの 1 . 2倍未満である場合、透明導電層一 2の表面を粗面化することは困難となり、透明夕ツチパネルを構成する両透明導電層表面同士のくつっき現象を防止することが困難になる。

微粒子 Bの平均 1次粒子径に特に上限を設けないが、透明導電層一 2 の厚みを基準として 1 . 5倍以下であることが好ましい。微粒子 Bの平均 1次粒子径が透明導電層一 2の厚みを基準にして 1 . 5倍を越える場合微粒子 Bが透明導電層一 2から脱落しやすくなるため、夕ツチパネルに要求される摺動耐久性がなどの信頼性を確保することが困難になる。更に微粒子 Bの平均 1次粒子径が透明導電層一 2を基準として 1 . 5倍を超える場合、夕ツチパネルと表示体を組み合わせた場合の見栄え（ちらつき発生による）を損ねることもあり好ましくない。

透明導電層一 2中の微粒子 Bの含有量としては、透明導電層一 2を形成するアルコキシシラン成分と微粒子 Aの合計を 1 0 0重量部とした場合、 2 . 5重量部以下が好ましい、更に好ましくは 1 . 5重量部以下である。微粒子 Bの含有量を 2 . 5重量部以下にすることによって、透明夕ツチパネルにおいて、対向して配置されている両透明導電層表面同士のひっつき現象による透明夕ツチパネルの誤動作抑制効果を損なわず、更に白濁のない良好な透明導電層を形成することが可能である。微粒子 Bを過剰に透明導電層中に含有させた場合、微粒子 Bが透明導電層より脱落しやすくなることや透明導電層一 1との密着性が低下し透明夕ツチパネルに要求される筆記耐久性の信頼性を損なうことがある。

微粒子 Bは、平均一次粒子径が上記範囲の微粒子であれば、特にその成分に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる。例えば、無機化合物、有機化合物、金属酸化物、金属微粒子等を挙げることができる。

微粒子 Bは導電性金属酸化物または金属微粒子であることが好ましく、透明夕ツチパネルを構成する対向して配置した両透明導電層表面同士のくつっき現象の防止だけでなく、両透明導電層表面が接触した際の接触抵抗劣化も防止することができる。この場合、微粒子 Bの平均一次粒子径は、前記、透,明導電層一 2の導電性を良好なものとするために配合した平均 1次粒子径が 100 nm以下の微粒子 Aの平均一次粒子径ょりも明確に大きいことが必要である。

微粒子 Bが導電性金属酸化物の場合、例えば酸化ケィ素、酸化アルミ二ゥム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の微粒子が挙げられる。これらのうち酸化インジゥム及び Z又は酸化錫の金属酸化物微粒子が特に好ましい。

また、微粒子 Bが金属微粒子の場合、例えば、 T i、 F e、 Co、 N i、 Z r、 Mo、 Ru、 Rh、 Ag、 Cd、 Sn、 I r、 P t、 Au、 Pb、 B i、これらの合金等が好ましい。金属酸化物層

本発明の透明導電性積層体は、高分子フィルムと透明導電層一 1の間に厚みが 0. 5nm以上 5. 0 nm未満の金属酸化物層を更に有していてもよい。

高分子フィルム、厚みが制御された金属酸化物層、透明導電層一 1を順次積層することにより各層間の密着性が大幅に改善される。このような透明導電性積層体を用いた透明夕ツチパネルは、金属酸化物層がない 08050662

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場合と比較して、近年透明夕ッチパネルに要求される筆記耐久性が更に向上する。金属酸化物層の厚みが 5. O nm以上では、金属酸化物層が連続体としての機械物性を示し始めることにより、透明夕ツチパネルに要求される端押し耐久性の向上は望めない。一方、 0. 5nm未満の厚みでは厚みの制御が困難なことに加え、高分子フィルムと透明導電層一 1との密着性を十分発現させることが困難になり、透明夕ツチパネルに要求される筆記耐久性の向上は不十分となることがある。

金属酸化物層を構成する成分としては、例えば酸化ケィ素、酸化アルミニゥム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。

これらの金属酸化物層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えば D Cマグネト口ンスパッ夕リング法、 RFマグネ卜ロンスパッ夕リング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法等の物理的形成法（Phy s i c a l Va po r D e p o s i t i on, 以下、 PVD) 等を用いることができるが、大面積に対して均一な厚みの金属酸化物層を形成するという工業生産性に着目すると、 DCマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（P VD) のほかに、 C h em i c a 1 Va o r D e o s i t i on (以下、 CVD) 、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、厚み制御の観点からはやはりスパッタリング法が望ましい。

スパッタリングに用いるターゲットは金属夕ーゲットを用いることが望ましく、反応性スパッ夕リング法を用いることが広く採用されている。これは、金属酸化物層として用いる元素の酸化物が絶縁体であることが多く、金属化合物ターゲットの場合 DCマグネトロンスパッタリング法が適応できないことが多いからである。また、近年では、 2つのカソードを同時に放電させ、夕ーゲットへの絶縁体の形成を抑制するような電源が開発されており、擬似的な R Fマグネト口ンスパッ夕リング法を適応できるようになってきている。

本発明では、金属ターゲットを用いて DCマグネトロンスパッ夕リング法により上記金属酸化物層を形成する場合は、該金属酸化物層を形成する真空槽中の圧力（背圧）を一旦 1. 3 X 10— ⁴P a以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。金属酸化物層を形成する真空槽中の圧力を一旦 1. 3X 10— ⁴P a以下にすることが、真空槽中に残留し、且つ金属酸化物層の形成過程に影響を与えることが懸念される分子種の影響を低減できるので望ましい。より望ましくは、 5X 10— ⁵P a以下、更に望ましくは 2.X 10— ⁵P a以下である。

次いで導入される不活性ガスとしては、.例えば He、 Ne、 Ar、 K r、 Xeを用いることができ、原子量の大きな不活性ガスほど形成される金属酸化物層へのダメージが少なく表面平坦性が向上すると言われている。しかし、コスト面を考えると Arが望ましい。この不活性ガスには層中に取り込まれる酸素濃度を調整するために、分圧に換算して 1. 3X 10— ³〜7 X 10— ²P a台の酸素を添加しても構わない。更に、酸素の他に〇₃、 N₂、 N₂〇、 H₂〇、 NH₃等を目的に応じて用いることができる。

また、本発明では、金属酸化物層を形成する真空槽中の水の分圧を 1 . 3 X 10— ⁴P a以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。水の分圧は、より望ましくは、 4X 1 0— ⁵ P a以下、更に望ましくは 2 X 10— ⁵ P a以下に制御できる。金属酸化物層中に水素を取り込ませることで金属酸化物層内部の応力を緩和することを目的として、水を意図的に 1 . 3 X 1 0— ⁴〜3 X 1 0— ² P a の範囲で導入しても構わない。この調整は、一旦真空を形成した後に、バリァブルリークバルブやマスフローコントローラ一を用いて水を導入することで行っても良い。また、真空槽の背圧を制御することによっても実施することができる。

本発明における水分圧を決定するときには、差動排気型のインプロセスモニタ一を用いても良い。またはダイナミックレンジが広く、 0 . 1 P a台の圧力下においても計測が可能な四重極質量分析計を用いても良い。また、一般的に、 1 . 3 X 1 0— ⁵ P a程度の真空度においては、その圧力を形成し * いるのは水である。よって、真空計によって計測された値をそのまま水分圧と考えても構わない。

本発明においては、基板として高分子フィルムを用いるため、金属酸化物層を形成させる際の基板温度高分子フィルムの軟化点温度より上昇させることはできない。よって、金属酸/ ί匕物層を形成するためには、基板温度は室温以下程度から軟化点温度以下とする必要がある。

代表的な高分子フィルムであるポリエチレンテレフ夕レートの場合、特別な処理を行わないときは基板温度を 8 0 °C以下の温度に保ったまま金属酸化物層を形成することが望ましい。より望ましくは 5 0 °C以下の基板温度にて、更に望ましくは 2 0 °C以下である。また、高分子フィルム基板の上であっても、該高分子フィルム基板からのァゥトガスの制御という観点より 8 0 °C以下、より望ましくは 5 0 °C以下、更に望ましくは 2 0 °C以下に設定した基板温度で形成することが望ましい。硬化樹脂層本発明の透明導電性積層体は、高分子フィルムと透明導電層一 1との間に、或は高分子フィルムと前記金属酸化物層との間に、硬化樹脂層を設ける必要がある。

硬化樹脂層に用いられる硬化樹脂としては、電離放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が挙げられる。

電離放射線硬化性樹脂を与えるモノマーとしては、例えばポリオールァクリレート、ポリエステルァクリレート、ウレタンァクリレート、ェポキシァクリレ一卜、変性スチレンァクリレート、メラミンァクリレート、シリコン含有ァクリレート等の単官能及び多官能ァクリレートを挙げることができる。

具体的なモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリメ夕クリレート、トリメチロールプロパンエチレンォキサイド変性ァクリレ一卜、トリメチロールプロパンプロピレンォキサイド変性ァクリレート、ィソシァヌール酸アルキレンォキサイド変性ァクリレート、ペンタエリスリトールトリァクリレート、ジペン夕エリスリトールへキサァクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジァクリレート、トリプロピレングリコールトリァクリレート、ジエチレンダリコールジァクリレ一ト、 1 , 6—へキサンジオールジァクリレート、エポキシ変性ァクリレート、ウレタン変性ァクリレート、エポキシ変性ァクリレート等の多官能モノマーが挙げられる。これらを単独で用いても、数種類を混合して用いてよく、また場合によっては、各種アルコキシシランの加水分解物を適量添加してもよい。なお、電離放射線によって樹脂層の重合を行う場. 合には公知の光重合開始剤が適量添加される。また必要に応じ光増感剤を適量添加してもよい

光重合開始剤としては、ァセトフエノン、ベンゾフエノン、ベンゾィン、ベンゾィルベンゾェ一卜、チォキサンソン類等が挙げられ、光増感剤としては、トリェチルァミン、トリー n—プチルホスフィン等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、メチルトリエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のシラン化合物をモノマーとしたオルガノシラン系の熱硬化性樹脂やエーテル化メチロールメラミン等をモノマーとしたメラミン系熱硬化性樹脂、イソシァネート系熱硬化性樹脂、フエノール系熱硬化性樹脂、エポキシ系熱硬化性樹脂等が挙げられる。これら熱硬化性樹脂を単独又は複数組み合わせて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹脂を混合することも可能である。なお、熱によって樹脂層の架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤を適量添加される反応促進剤としては、例えばトリエチレンジァミン、ジブチル錫ジラゥレート、ベンジルメチルァミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルへキサヒドロ無水フタル酸、 4， 4 ' ージァミノジフエ二ルメタン、 4， 4 ' ージアミノー 3， 3 ' —ジェチルジフエ二ルメタン、ジァミノジフエニルスルフォン等が挙げられる。

硬化樹脂層の厚みは、特に下限値を設けないが可撓性、耐摩擦性の点から 1 0 z m以下であることが好まく、更に好ましくは 5 以下である。

硬化樹脂層と透明導電層一 1または硬化樹脂層と金属酸化物層との密着性を更に強化するため、硬化樹脂層中に、平均 1次粒子径が 1 0 O n m以下の酸化珪素微粒子を含有させることできる。更に、珪素原子を含有する有機化合物と平均一次粒子径が 1 0 0 n m以下の酸化珪素微粒子とを併用すると、該酸化珪素微粒子の金属酸化物微粒子が表面に偏祈した硬化樹脂層となるため、上記密着性の改善効果が向上する。珪素原子を含有する有機化合物としては、一般的な S i原子を含有する界面活性剤や UV硬化樹脂成分である。この際の酸化珪素微粒子の含有量は、硬化樹脂成分 100重量部に対して 1重量部以上 400重量部以下が好ましく、更に好ましくは 1重量部以上 200重量部以下、より好ましくは 5重量部以上 100重量部以下である。

透明夕ツチパネルを構成する対向して配置した透明導電層表面がいずれも平坦である場合、作製した透明夕ツチパネルの可動電極基板（上部電極基板）からの反射光と固定電極基板（下部電極基板）からの反射光の干渉によるニュートンリングが観察されることがある。

この反射光を光学的に散乱させることによりニュートンリングを防止するため、透明導電層の表面に凹凸を形成する方法がある。透明導電層表面に凹凸を形成する方法とじて硬化樹脂層の表面を粗面化することができ、硬化樹脂層を粗面化する方法としては、下記の 4通りの方法を例示することができる。

(1) 硬化樹脂層中に表面を粗面化するための微粒子を含有せずに、二種の成分が相分離して凹凸を形成し、硬化樹脂層の J I S B 0601 — 1994による算術平均粗さ（Ra) が 0. 05 111以上0. 5 m 未満、 J I S B 0601-1982による十点平均粗さ（R z) が 0. 5 zm以上 2 m未満の範囲とする方法。

硬化樹脂層を形成する成分が、第 1成分は重合体であり、第 2成分はモノマ一であることが好ましい。硬化樹脂層を形成する第 1成分と第 2 成分との SP値の差が 0. 5以上であることが好ましい。硬化樹脂層を形成する第 1成分は不飽和二重結合含有ァクリル共重合体であり、第 2 成分は多官能性不飽和二重結合含有モノマーであることが好ましい。硬化樹脂層を形成する成分が、シリコーンアクリルブロック共重合体とァクリル共重合体とであることが好ましい。 '

この方法で粗面化した際の本発明の透明導電性積層体は、 J I S K 7 1 3 6で定義されるヘーズが 1 %以上 2 0 %未満を達成することができる。

( 2 ) 硬化樹脂層中に硬化樹脂成分と平均一次粒子径が 0 . より大きい微粒子 Cを 1種類または平均一次粒子径が異なる微粒子 Cを 2種類以上含有し、且つ少なくとも 1種類の微粒子 Cの平均一次粒子径が硬化樹脂層厚みの 1 . 2倍以上である微粒子 Cを含有させるととによって硬化樹脂層を粗面化する方法。

この際硬化樹脂層に含有される微粒子 Cの含有量は、硬化樹脂成分に 1 0 0重量部に対して、 0 . 1重量部以上 3 0重量部以下、好ましくは 1重量部以上 2 0重量部以下、更に好ましくは 3重量部以上 1 5重量部以下である。微粒子 Cの含有量が 0 . 1重量部より少ない場合では、硬化樹脂層を充分に粗面化することが出来ないためニュートンリングの発現を防止する効果がない。また微粒子 Cの含有量が 3 0重量部より多い場合は、硬化樹脂層のヘーズが極端に大きくなるため透明性を確保することが困難になり、透明夕ツチパネルを介して透明夕ツチパネル下に設置される画面を鮮明に見ることが困難になる。

( 3 ) 硬化樹脂層中に硬化樹脂成分と 1種類または 2種類以上の平均 1 次粒子径が 1 0 0 n m以下の金属酸化物または金属フッ化物微粒子からなる微粒子 Dを含有させることによつて硬化樹脂層を粗面化する方法。

この際硬化樹脂層に含有される微粒子 Dの含有量は、硬化樹脂成分に 1 0 0重量部に対して、 0 . 1重量部以上 1 0 0重量部以下、好ましくは 0 . 5重量部以上 5 0重量部以下、更に好ましくは 1重量部以上 3 0 重量部以下である。微粒子 Dの含有量が 0 . 1重量部以下では硬化樹脂層を充分に粗面化することが出来ないためニュートンリングの発現を防止する効果がない。また微粒子 Dの含有量が 1 00重量部より多い場合は、硬化樹脂層のヘーズが極端に大きくなるため透明性を確保することが困難になり、透明夕ッチパネルを介して透明夕ツチパネル下に設置される画面を鮮明にみることが困難になる。 '

(4) 硬化樹脂層中に硬化樹脂成分と、平均 1次粒子径が 0. l imより大きい微粒子 Cを 1種類または 2種類以上、および 1種類または 2種類以上の平均 1次粒子径が 1 00 nm以下の金属酸化物または金属フッ化物微粒子からなる微粒子 Dとを含有し、少なくとも 1種類の微粒子 C の平均 1次粒子径が硬化樹脂層厚みの 1. 2倍以上とすることによって硬化樹脂層を粗面化する方法。

この際、硬化樹脂層に含有される微粒子 Cの含有量と微粒子 Dの含有量は、先に記載した含有量と同じである。

前記（2) 〜（4) の手法により硬化樹脂層の表面を粗面化した場合、 J I S B 06 0 1— 1 982で定義される十点平均粗さ（R z) は' 、好ましくは 10 O nm以上 1 50 O nm未満であり、より好ましくは 200 nm以上 1 300 nm未満であり、更に好ましくは 350 nm以上 1000 nm未満である。十点平均粗さ（R z) が 1 0 O nm未満である場合には、透明夕ツチパネルの可動電極基板と固定電極基板間に容易にニュートンリングが生じることがあり、十点平均粗さ（R z) が 1 000 nm以上となった場合には、ヘーズが大きくなり高精細ディスプレイ上に透明夕ツチパネルを設置すると、画素の色分離が生じてチラッ 'キを起こすなどの理由から好ましくない。また、 J I S B O 6 0 1— 1 994準拠で定義される算術平均粗さ（R a) は、好ましくは 3 O n m以上 500 nm未満であり、より好ましくは 40 nm以上 40 0 nm 未満であり、更に好ましくは 50 nm以上 300 nm未満である。算術平均粗さ（Ra) が 30 nm未満である場合には、透明夕ツチパネルの可動電極基板と固定電極基板間に容易にニュートンリングが生じることがある。算術平均粗さ（Ra) が 500 nm以上となった場合には、へーズが大きくなり高精細ディスプレイ上に透明タツチパネルを設置すると、画素の色分離が生じてチラツキを起こすなどの理由から好ましくなレ^

前記（2) 〜（4) の手法で粗面化された硬化樹脂層と高分子フィルムに基づく J I S K7105で定義されるヘーズは、 1%以上 10% 未満であり、好ましくは 1 %以上 8 %未満であり、更に好ましくは 1% 以上 6%未満である。ヘーズが 1 %未満である場合には、透明夕ツチパネルの可動電極基板と固定電極基板間に容易にニュートンリングが生じることがあり好ましくない。一方、ヘーズが 10 %以上め場合には透明夕ツチパネルをディスプレイ上に設置した際に映像や文字などの情報がぼやけるため好ましくない。

なお、前記の（1) の硬化樹脂層表面の粗面化手法については以下、具体的に説明する。

前記（1) の粗面化手法では、二種の成分が相分離して形成された凹凸を有する。硬化樹脂層は、凹凸を付与するための微粒子を含有しない。この凹凸は、第 1成分および第 2成分を含む組成物を基材上に塗布すると、第 1成分および第 2成分の物性の差により、両者が相分離し表面にランダムな凹凸が生じることにより形成される。硬化樹脂層は、組成物を基材上に塗布し凹凸を形成させた後、硬化することにより形成することができる。硬化樹脂層を形成する二種の成分のうち、第 1成分は重合体であり、第 2成分はモノマーであることが好ましい。前記第 1成分は、透明性に優れた硬化性の重合体が好ましく、熱硬化性重合体、電離放射線硬化性重合体がより好ましい。重合体は公知のものを用いることができ、例えば国際公開第 2 0 0 5 / 0 7 3 7 6 3号パンフレットに記載の重合体を挙げることができる。第 1成分として、不飽和二重結合含有アクリル共重合体（以下、共重合体（1 ) と呼ぶことがある）が好ましい。共重合体（1 ) としては、例えば、（メタ）ァクリルモノマ一などの酸基を有する重合性不飽和モノマーを重合または共重合した樹脂またはこの酸基を有する重合性不飽和モノマ一を重合または共重合した樹脂と他のエチレン性不飽和二重結合を有するモノマーとを共重合した樹脂に、エチレン性不飽和二重結合およびエポキシ基を有' するモノマーを反応させた共重合体、この酸基を有する重合性不飽和モノマーと他のエチレン性不飽和二重結合およびイソシァネート基を有するモノマーとを反応させた共重合体などが挙げられる。

不飽和二重結合含有アクリル共重合体の具体的な調整方法の一例として、例えば、酸基を有する重合性不飽和モノマーと、他の重合性不飽和モノマーとを共重合し、次いで得られた共重合体の酸基とエポキシ基含有エチレン性不飽和モノマーのエポキシ基とを反応させる方法が挙げられる。

酸基を有する重合性不飽和モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、 2— （メタ）ーァクリロイルォキシェチルコハク酸、 2 — (メタ）ァクリロイルォキシェチルフタル酸および 2— (メタ）ァクリロイルォキシェチルへキサヒドロフ夕ル酸のようなモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸およびィタコン酸のようなジカルポン酸、無水マレイン酸および無水ィタコン酸のような酸無水物およびマレイン酸モノエチル、フマル酸モノェチルおよびィタコン酸モノェチルのようなジカルボン酸のモノエステル、またはこれらの α—位のハロアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロもしくはシァノにより置換された置換誘導体、 ο—、 m—、 p—ビニル安息香酸またはこれらのアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、シァノ、アミドもしくはエステルにより置換された置換誘導体などを挙げることができる。こられは一種のみを用いてもよく、また 2種以上を併用してもよい。

他の重合体不飽和モノマーとして、例えば、スチレンまたはスチレンの α—、 ο—、 m—、 ρ—アルキル、アルコキシ、ハロゲン、ハロアルキル、ニトロ、シァノ、アミド、エステルにより置換された置換誘導体、ブタジエン、ィソプレン、ネオプレン等のォレフィン類、 o—、 m— 、 p—ヒドロキシスチレンまたはこれらのアルキル、アルコキシ、ハロゲン、八口アルキル、ニトロ、シァノ、アミド、エステルもしくはカルポキシにより置換された置換誘導体、ビニルヒドロキノン、 5—ビニルピロガノール、 6—ピニルピロガロール、 1 一ビニルフロログリシノール等のポリヒドロキシビニルフエノール類、メ夕クリル酸またはァクリル酸のメチル、ェチル、 n—プロピル、 i 一プロピル、 n—ブチル、 s e cーブチル、 t e rーブチル、ペンチル、ネオペンチル、イソアミルへキシル、シクロへキシル、ァダマンチル、ァリル、プロパギル、フエニル、ナフチル、アントラセニル、アントラキノニル、ピぺロニル、サリチル、シク口へキシル、ベンジル、フエネシル、クレシル、 .グリシジル、イソポロニル、トリフエニルメチル、ジシクロペン夕ニル、クミル、 3— (N, N—ジメチルァミノ) プロピル、 3一 (N, N—ジメチルァミノ）ェチル、フリルもしくはフルフリルエステル、メ夕クリル酸またはアクリル酸のァニリドもしくはアミド、または N, N—ジメチル、 N, N—ジェチル、 N , N—ジプロピル、 N, N—ジィソプロピルもしくはアントラニルアミド、アクリロニトリル、ァクロレイン、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、 N—ビニルピロリドン、ピニルピリジン、酢酸ビエル、 N—フェニルマレインイミド、 N— ( 4—ヒドロキシフエニル）マレインイミド、 N—メ夕クリロイルフ夕ルイミド、 N—ァクリロイルフ夕ルイミド等を用いることができる。

エポキシ含有エチレン性不飽和モノマ一として、例えば、グリシジル (メタ) ァクリレート、 ]3—メチルグリシジル (メタ）ァクリレートおよび 3， 4一エポキシシクロへキサニル（メタ）ァクリレート、 4ーヒドロキシプチルァクリレー卜ダリシジルエーテル等が挙げられる。バランスのとれた硬化性と貯蔵安定性を示す組成物であることから、グリシジル（メタ）ァクリレートを用いることが好ましい。

また、不飽和二重結合含有アクリル共重合体の具体的な調整方法としては、例えば、エポキシ基含有エチレン性不飽和モノマーと、他の重合性不飽和モノマーとを共重合し、次いで得られた共重合体のエポキシ基と、酸基を有する重合性不飽和モノマーの酸基とを反応させる方法を挙げることができる。

本発明において、第 1成分として使用される不飽和二重結合含有ァク- リル共重合体の重量平均分子量は、 5 0 0〜1 0 0， 0 0 0であるのが好ましく、 1 , 0 0 0〜5 0， 0 0 0であるのがより好ましい。本明細書における重量平均分子量は、ポリスチレン換算による重量平均分子量を意味する。また、不飽和二重結合含有アクリル共重合体は 1種を単独で用いてもよく、また、 2種以上を併用してもよい。

前記第 2成分は、共重合体（1 ) と混合した際に相分離するモノマーであればよい。モノマ一は公知のものを用いることができ、例えば国際公開第 2005/073763号パンフレツトに記載のモノマ一を挙げることができる。

第 2成分として、多官能性不飽和二重結合含有モノマー（以下、モノマー（2) と呼ぶことがある）が好ましい。モノマ一（2) として、多価アルコールと（メタ）ァクリレートとの脱アルコール反応物が挙げられる。具体的には、ペン夕エリスリトールトリァクリレート、ジペン夕エリスリトールへキサ（メタ）ァクリレート、ジペンタエリスリトールペン夕（メタ）ァクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）ァクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）ァクリレート、ネオペンチルダリコ一ルジ（メタ）ァクリレートなどが挙げられる。この他にも、ポリエチレングリコール # 200ジァクリレ一ト（共栄社化学株式会社製）などの、ポリエチレングリコール骨格を有するァクリレートモノマーを使用することもできる。これらの多官能性不飽和二重結合含有モノマ一は 1種を単独で用いてもよく、また 2種以上を混合して用いてもよい。

硬化樹脂層を形成する二種の成分のうち、第 1成分が不飽和二重結合含有ァクリル共重合体であり、第 2成分が多官能性不飽和二重結合含有モノマーであることが好ましい。

硬化樹脂層を形成する成分が、シリコーンアクリルブロック共重合体とァクリル共重合体とであることが好ましい。

また、第 1成分および第 2成分は、それぞれの成分の溶解度パラメ一夕一値（SP値）の差があることが好ましく、上記のように、第 1成分が共重合体（1) であり、第 2成分がモノマー（2) である場合、第 1 '成分の SP値（SP 1) および第 2成分の SP値（SP 2) が、 SP 1 <S P 2を満たすことが好ましい。第 1成分および第 2成分との S P値の差が 0. 5以上であることが好ましい。

特に、第 1成分が共重合体（1) であり、第 2成分がモノマー（2) であると、本'発明の透明導電性積層体をタツチパネルに用いた場合、チラツキがなく、ヘーズが低く、その摺動耐久性、端押し耐久性が飛躍的に向上するので好ましい。

本発明の透明導電性積層体は、その硬化樹脂層の J I S B 0 6 0 1 一 1 9 94による算術平均粗さ（R a) が 0. 0 5 /xm以上 0. 5 /xm 未満である。また、硬化樹脂層の J I S B 0 6 0 1 - 1 9 8 2による十点平均粗さ（Rz) が 0. 5 以上 2 _im未満である。

R aおよび R zがこの範囲であると、透明導電性積層体を、夕ツチパネルに用いた際に、防眩性、アンチニュートンリング性、指紋拭取り性が特に良好となり、チラツキの低減も著しい。上記特性を更に良好なものとするため、 R aの範囲は 0. l in以上 0. 4 xm未満が好ましく、 0. 1 111以上0. 3 5 m未満が特に好ましい。また、 R zの範囲は 0. 7 /111以上1. 5 m未満が好ましく、 0. 7 ^111以上1. 3 1 m未満が特に好ましい。

硬化樹脂層の厚さは 1 0 m以下であることが好ましい。厚さが 1 0 mを超えると柔軟性が不足し、夕ツチネルに用いた際の摺動耐久性、端押し耐久性が不良となることがある。上記特性を更に良好なものとするため、硬化樹脂層の厚さは 8 m以下であることが好ましく、ら H m以下であることが特に好ましい。

前記の硬化樹脂層は、第 1成分および第 2成分を含有する塗工液を高分子フィルムに塗工し、必要に応じ乾燥させた後に、電離放射線照射や加熱処理等により硬化させることにより形成することができる。塗工液 62

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は有機溶剤を含有することが好ましい。

塗工方法としては、ドクターナイフ、バーコ一夕一、グラビアロールコ一ター、カーテンコ一夕一、ナイフコー夕一、スピンコ一夕一等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が挙げられる。

尚、高分子フィルムの両面に硬化樹脂層を形成する場合、該硬化樹脂層は、同一の組成でも良く、相互に異なったものであっても良い。

また、前記（1 ) の粗面化手法を採らない場合の硬化樹脂層の形成方法としては、ドク夕一ナイフ、バーコ一ター、グラビア口一ルコ一夕一、力一テンコ一夕一、ナイフコー夕一、スピンコ一夕一等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が用いられる。実際の塗工法としては、前記の硬化性樹脂成分を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を形成する方法が挙げられる。

' 有機溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、ブ夕ノール、 1—メトキシー 2—プロパノール、へキサン、シクロへキサン、リグ口イン等が好ましい。特に、キシレン、トルエン、ケトン類、例えばメチルェチルケトン'、メチルイソブチルケトン等を使用するのが好ましい。この他に、シクロへキサノン、酢酸プチル、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独で用いるか、あるいは 2種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。

硬化樹脂層の熱や光劣化を防止するために、紫外線吸収剤、酸化防止剤、老化防止剤等を添加することも可能である。

硬化樹脂層の厚みや屈折率を調整することにより、透明導電性積層体の光学特性（透過率や色調）を調整することも可能である。その際の硬化樹脂層の厚みは 0. 05^m以上、 0. 5 m以下であることが好ましく、更に好ましくは 0. 05 m以上、 0. 3 2m以下である。硬化樹脂層の屈折率を調整するために平均一次粒子径が 100 nm以下の金属酸化物または金属フッ化物の微粒子 Dまたは Z及びフッ素系樹脂を単独または複数組み合わせて硬化樹脂層中に添加しても良い。この時の硬化樹脂層の屈折率は、高分子フィルムの屈折率より小さく、且つ屈折率が 1. 20以上 1. 55以下であることが好ましく、更に好ましくは 1 . 20以上 1. 45以下である。

硬化樹脂層は必要に応じ、材質や硬さの異なる 2種類以上の硬化樹脂層を積層することも可能である。例えば、（A) 高分子フィルム上に厚みが 2. 0 xmの微粒子 Cと微粒子 Dを含有する凹凸を有する硬化樹脂層を積層した後、該硬化樹脂層上に屈折率が 1. 4、厚みが 0. 1 xm の低屈折硬化樹脂層を積層する、（B) 高分子フィルム上に厚みが 10 mのゴム状ラテックスを混合した硬化樹脂層を積層した後、ゴム状ラテックス層上に厚みが 2 imの 2〜 4官能の紫外線硬化樹脂で構成された紫外線硬化樹脂層を積層するような硬化樹脂層を積層することが出来る。微粒子。

硬化樹脂層に含有させる微粒子 Cの平均一次粒子径は 0. 1 /mより大きく、微粒子 Cとしては具体的には、例えば、シリカ微粒子等の無機微粒子、架橋アクリル微粒子、架橋ポリスチレン等の有機微粒子を挙げることができる。微粒子 D 微粒子 Dの平均 1次粒子径は 10 Onm以下が好ましく、更に好ましぐは 75 nm以下、更に好ましくは 50 nm以下である。微粒子 Dの 1 次粒子径を 100 nm以下に制御すれば、塗工層が白化することがない該微粒子 Dとしては、例えば B i ₂〇₃、 Ce〇₂、 I n₂〇₃、 ( I n₂ 0₃ - S n0₂) 、 Hf 〇₂、 La₂〇₃、 MgF₂、 Sb₂〇₅、（Sb₂〇 5 - S n0₂) 、 S i〇₂、 Sn〇₂、 T i〇₂、 Y₂〇₃、 Zn〇、 Z r〇 2などの金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子が例示される。光学干渉層

本発明の透明導電性積層体は、高分子フィルムまたは硬化樹脂層と透明導電層一 1または金属酸化物層の間に少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層からなり、低屈折率層が金属酸化物層または透明導電層一 1と接する光学干渉層を有することができる。

上記のように、光学干渉層は、少なくとも一層の高屈折率層と少なくとも一層の低屈折率層より構成される。高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ単位を二つ以上とすることも出来る。光学干渉層が一層の高屈折率層と一層の低屈折率層から構成される場合、光学干渉層の厚みは 30 nm〜 300 nmが好ましく、更に好ましくは.50 nm〜 200 nmである。光学干渉層は、上記層間の密着性及び透明導電性積層体の光学特性、特に透過率と色調を改良する。

高屈折率層は、例えば金属アルコキシドを加水分解ならびに縮重合して形成された層、または金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合してなる成分または Z及び熱硬化性樹脂成分または Z及び電離放射線硬化性樹脂成分のうちの少なくとも 1種類と少なくとも平均 1次粒子径が 1 0 0 n m以下の金属酸化物または金属フッ化物からなる微粒子 Dとからなる層である。

金属アルコキシドとしては、例えばチタニウムアルコキシド、ジルコニゥムアルコキシド、アルコキシシランを挙げることができる。

チタニウムアルコキシドとしては、例えばチタニウムテトライソプロポキシド、テトラ一 n—プロピルオルトチタネート、チタニウムテトラ一 n—ブトキシド、テトラキス（2—ェチルへキシルォキシ）チタネート等が挙げられる。

ジルコニウムアルコキシドとしては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラー n—ブトキシド等が挙げられる。アルコキシシランとしては、前記透明導電層一 2の記載において例示したものと同じものを使用することができる。

高屈折率層中には、前記記載の平均 1次粒子径が 1 0 O n m以下の金属酸化物または金属フッ化物の微粒子 Dを単独または 2種類以上適当量添加することができる。微粒子 Dを添加することにより高屈折率層の屈折率を調整することが可能である。

高屈折率層中に微粒子 Dを添加する場合、微粒子 Dと金属アルコキシドまたは Z及び熱硬化性樹脂または Z及び電離放射線硬化性樹脂の重量比率は、 0 ： 1 0 0〜6 6 . 6 : 3 3 . 3であることが好ましく、更に好ましくは 0 ： 1 0 0〜6 0 ： 4 0である。微粒子 Dと金属アルコキシドまたは Z及び熱硬化性樹脂または Z及び電離放射線硬化性樹脂の重量比率が 6 6 . 6 : 3 3 . 3を超える場合は光学干渉層に必要な強度ゃ密着性が不足することがあり、好ましくない。

高屈折率層の厚みは、好ましくは 1 5〜2 5 0 n m、より好ましくは 3 0〜 1 5 0 n mである。また高屈折率層の屈折率は、後述する低屈折率層及び硬化樹脂層の屈折率より大きく、その差が 0 . 2以上であることが好ましい。

本発明の光学干渉層を構成する低屈折率層は、前記透明導電層一 2に用いるアルコキシシランとして例示した樹脂アルコキシシランや硬化樹脂層の記載において例示した電離放射線硬化型樹脂や熱硬化樹脂を用いて形成することが出来る。

透明導電層一 1または金属酸化物層との密着性を強化することや屈折率を調整することを目的として平均一次粒子径が 1 0 0 n m以下である金属酸化物または金属フッ化物からなる微粒子 Dを単独または 2種類以上適当量添加して用いることが出来る。この時に用いる微粒子 Dとしては屈折率が低い、 S i〇₂や M g F ₂などが適切である。低屈折率層の厚みは、好ましくは 1 5〜2 5 0 n m、より好ましくは 3 0〜 1 5 0 n m である。八一ドコー卜層

本発明の透明導電性積層体を可動電極基板として用いた場合は、夕ッチパネルに使うときに外力が加わる面、すなわち透明導電層とは反対側の高分子フィルム面には、ハードコート層を設けることが好ましい。ハードコート層を形成するための材料としては、例えばメチルトリエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系熱硬化性樹脂、エーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化性樹脂、ポリオールァクリレート、ポリエステルァクリレート、ウレタンァクリレ一ト、エポキシァクリレート等の多官能ァクリレート系紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。また、必要に応じて、これらに、 S i〇₂や M g F ₂ 等の微粒子等を混合したものを用いることができる。その際微粒子はハ一ドコート層内に均一に分散している。またハードコート層の厚みは、可撓性、耐摩擦性の点から 2〜 5 mが好ましい。

ハードコート層は塗工法により形成することができる。実際の塗工法としては、前記の化合物を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子フィルム上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させる。塗工方式としては、例えばマイクログラビヤコ一ト法、マイヤーバーコ一ト法、ダイレクトグラビヤコ一ト法、リバースロールコート法、力一テンコート法、スプレーコート法、コンマコ一ト法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコート法等の各種塗工方法が用いられる。

なお、ハードコート層は高分子フィルム上に直接、もしくは適切なァンカ一層を ·介して積層される。アンカー層としては例えば、該ハ一ドコート層と高分子フィルムとの密着性を向上させる機能を有する層や、 K 値が負の値となる三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補償層、水分や空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸収する機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能を有する層あるいはフィルムの帯電性を低下させる機能を有する層等が好ましく挙げられる。夕ツチパネル

透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された夕ッチパネルにおいて、少なくとも透明電極基板として本発明の透明導電性積層体を用いることにより筆記耐久性の向上した、特に端部領域での筆記耐久性 (摺動耐久性 ·端押し耐久性）の向上した透明夕ツチパネルを得ることができる。実施例以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

なお、本実施例における、各種測定 ·評価は以下の方法を用いた。リニアリティ一測定方法

可動電極基板上又は固定電極基板上の平行電極間に直流電圧 5 Vを印加する。平行電極と垂直の方向に 5mm間隔で電圧を測定した。測定開始位置 Aの電圧を E_A、測定終了位置 Bの電圧を E_B、 Aからの距離における電圧実測値 E_x、理論値を Ε_τ、リニアリティーを Lとし、下記式により求めた。 .

[数 1]

ET = (E_B-E_A) X X/ (B-A) +E_A

L (%) = ( I E_T - E_x I ) / (E_B - E_A) X 100

,

端押し耐久性試験方法 ' 作製した透明夕ツチパネルの可動電極基板の周囲の絶縁層から 2. 0 mm及び 1. 5 mmの位置を絶縁層と平行して先端が 0. 8 Rのポリアセタール製のペンを用いて 450 g荷重で直線 10万回往復の筆記耐久性試験を行った。端押し耐久性試験前後のリニアリティー変化量が 1. 5%以上となったものを NGと評価した。ヘーズ ·全光線透過率の測定

日本電色工業株式会社製ヘーズメーター NDH 200を用いて測定した。全光線透過率は、 J I S K7316- 1に準じて測定した。環境信頼性評価（高温高湿信頼性）

透明導電性積層体の透明導電層面の表面抵抗値 R 1を室温にて測定した。次いで透明導電性積層体を、 60°C 90%RHの環境下に 240 h r放置した後、室内に取り出し、室温にて透明導電層面の表面抵抗値 R 2を測定した。得られた R2、 R 1の値から表面抵抗値変化率（R2/ R 1) を求めた。表面抵抗値変化率が 0. 8から 1. 2の範囲内であれば、高温高^信頼性が良好であると評価した。環境信頼性評価（高温信頼性）

透明導電性積層体の透明導電層面の表面抵抗値 R 1を室温にて測定した。次いで透明導電性積層体を、 80°CDry (絶乾）の環境下に 24 Oh r放置した後、室内に取り出し、室温にて透明導電層面の表面抵抗値 R 2を測定した。得られた R 2、 R 1の値から表面抵抗値変化率（R 2/R 1) を求めた。表面抵抗値変化率が 0. 8から 1. 2の範囲内であれば、高温信頼性が良好であると評価した。微粒子の平均一次粒子径

微粒子の平均一次粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を使用して測定した。 '

SP (溶解度パラメーター） ■

P r op e r t i e s o f Po l yme r s 1 s e ν i e r , Ams t e r d am ( 1976) ) に記載の Van K 1 e v i nの方法に従って算出した。

Ra (算術平均粗さ）

S 1 o a n社製触針段差計 DEKTAK3を用いて測定した。測定は J I S B0601-1994年版に準拠して行なった。

Rz (十点平均粗さ）

(株）小坂研究所製 Su r i c o r de r SE- 3400を用いて測定した。測定は J I S B 0601 - 1982年版に準拠して行なった接触角

平板状の試料片を水平に置き、硬化樹脂層の面を上にして、 J I S R 3257の静滴法に従い、容量 lmlの注射器により水を 1滴滴下して、試料片上に 1 a 1以上 4 a 1以下の水滴を静置した。次いで角度測定器がついた顕微鏡により、 1分間静置後の水接触角 Θを読み取った。厚さ

ケーエルケ一 ·テンコ一社製、触針式膜厚計アルファステックを使用し測定を行った。防眩性

作成した透明導電性積層体の透明導電層が形成された面と反対面の硬化樹脂層表面に蛍光灯を映りこませる。その時、硬化樹脂層表面に映りこんだ蛍光灯端部の見え方により防眩性を評価した。評価は、良好 (〇）、やや良好（△) 、不良（X) で示した。アンチニュートンリング性

3波長蛍光灯の下で、夕ツチパネルの表面（垂直方向 0度）に対して斜め 60度の方向から、可動電極基板と固定電極基板を接触させた領域でのニュートンリングの有無を目視で観察した。ニュートンリングが観測できないものを良好（〇）、かすかに観測できるものをやや良好 (△) 、明確に観測できるものを不良（X) とした。チラツキ性

約 123 d p i (対角 10. 4インチ、 XGA (1024X768ドット））の液晶ディスプレイ上に夕ツチパネルを設置しチラツキの有無を目視で確認した。チラツキが確認できないものを良好（〇）、かすかに確認できるものをやや良好（△) 、明確に確認できるものを不良 0662

40

(X) とした。摺動耐久性

作成した夕ツチパネルの中央部を先端が 0. 8 Rのリアセ夕一ル製のペンを用いて 450 g荷重で直線往復 10万回ずつ最大 30万回まで摺動を行い、摺動耐久性試験前後の夕ッチパネルのリニァリティ一変化量を測定した。リニアリティー変化量が 1. 5%未満を良好（〇K) 、リニアリティ一変化量が 1. 5%以上を不良（NG) とした。電気特性が N Gとなつた摺動回数を測定した。端押し耐久性 Β

作製したタツチパネルの絶縁層から約 2. 0 mmの位置を絶縁層と平行して可動電極側から先端が 0. 8 Rのポリアセタール製のペンを用いて 450 g荷重で直線往復 1万回ずつ 10万回まで摺動を行い、端押し耐久性試験前後の夕ツチパネルのリニアリティ一変化量を測定した。リニァリティー変化量が 1. 5%未満を良好（〇K) 、リニアリティ一変化量が 1. 5%以上となった場合を不良（NG) とした。電気特性が Ν Gとなつた摺動回数を測定した。指紋拭取り性

測定サンプルの硬化樹脂層表面が上になるように黒色板上に置き、指紋をサンプル表面に押し付け、市販のティッシュペーパーを用いて拭き取り、その後、サンプル表面に残存する指紋の程度を目視で確認した。指紋が観測されないものを良好（〇）、かすかに観測されるものをやや良好（△) 、明確に観測されるものを不良（X) とした。表面張力

ビックケミ一社製ダイノメータ一を用いて輪環法（デュヌィ法）で測定した。参考例 1 (塗工液 Aの作製）

4官能ァクリレート「ァロニックス」 M400 (東亞合成株式会社製） 100重量部、「ィルガキュア」 184 (チバ ·スペシャルティ · ケミカルズ社製) 5重量部、宇部日東化成株式会社製（「ハイプレシ力」 3. O m品グレード N3N) 0. 7重量部をイソプロビルアルコールと 1ーメトキシー 2—プロパノールの 1 ： 1混合溶媒に溶解した後、平均一次粒子径が 3 Onmである MgF₂超微粒子（シーアィ化成株式会社製 20重量％エチルアルコール · n—ブチルアルコール混合溶媒分散液）を硬化樹脂成分 100重量部に対して固形分として 5重量部となるように混合し塗工液 Aを作製した。参考例 2 (塗工液 Bの作製）

Tーグリシドキシプロピルトリメトキシラン (信越化学工業株式会社製 KBM-403) とメチルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 KBM— 13) を 1 ： 1のモル比で混合し、酢酸水溶液（pH =3. 0) により公知の方法で前記アルコキシシランの加水分解を行い、アルコキシシラン加水分解物 1を得た。アルコキシシラン加水分解物 1 の固形分 20重量部に対して、 N— jS (アミノエチル）ァ―ァミノプロピルメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 KBM— 603) を固形分 1重量部の比率で添加し、更にィソプロピルアルコールと n—ブタノールとの混合溶液で希釈を行つた。この混合液に平均一次粒子径が 2 0 nmの結晶質 I TOナノ粒子をイソプロピルアルコールに分散させた 15%分散液（シ一アイ化成株式会社製）を固形分換算で 50重量部となるよう混合してアルコキシシラン塗工液 Bを作製した。参考例 3 (塗工液 Cの作製）

4官能ァクリレート「ァロニックス」 M400 (東亞合成株式会社製） 100重量部、「ィルガキュア」 184 (チパ ·スペシャルティ · ケミカルズ社製） 5重量部をイソプロビルアルコールと 1—メトキシー 2—プロパノールの 1 ： 1混合溶媒に溶解し塗工液 Cを作製した。参考例 4 (塗工液 Dの作製）

参考例 3で作成した塗工液 Cの樹脂 100重量部に対して、平均 1次粒子径が 2 Onmの S i〇₂ナノ粒子をイソプロピルアルコールに分散させた 12. 5 w t %分散液（シーアィ化成株式会社製）を固形分換算で 20重量部、界面活性剤 SH28PA (東レ ·ダウコ一ニング株式会社製） 0. 3重量部となるように混合して塗工液 Dを作成した。参考例 5 (塗工液 Eの作製）

参考例 2で作製した塗工液 B中に平均 1次粒子径が 1. 0 mの酸化珪素微粒子をアルコキシシラン成分 100重量部に対して 1. 0重量部を混合させて塗工液 Eを作製した。参考例 6 (塗工液 Fの作製）

第 1の成分として不飽和二重結合含有アクリル共重合体（SP値： 1 0. 0、 Tg ： 92°C) 4重量部、第 2の成分としてペン夕エリスリトールトリァクリレート（SP値： 12. 7) 100重量部、光重合開始剤「ィルガキュア」 184 (チバスべシャリティーケミカル社製） 7重量部を、イソブチルアルコール溶媒に固形分が 40重量％となるように溶解して作製した。

なお、不飽和二重結合含有アクリル共重合体（SP値： 10. 0、 T g ： 92°C) は、以下のとおりに調製を行なった。

イソポロニルメタクリレート 17 1. 6 g、メチルメタクリレート 2. 6 g、メチルアクリル酸 9. .2 gからなる混合物を混合した。この混合液を、攪拌羽根、窒素導入管、冷却管及び滴下漏斗を備えた 1， 000 ml反応容器中の、窒素雰囲気下で 110°Cに加温したプロピレンダリコールモノメチルエーテル 330. O gに、ターシャルブチルペルォキシ— 2一ェチルへキサノエ一ト 1. 8 gを含むプロピレングリコールモノメチルェ一テル 80. 0 g溶液と同時に 3時間かけて等速で滴下し、その後、 110°Cで 30分間反応させた。

その後、夕一シャルブチルペルォキシ一 2一ェチルへキサノエ一ト 0. 2 gをプロピレングリコールモノメチルェ一テル 17. 0 gの溶液を滴下してテトラプチルアンモニゥムブロマイド 1. 4 gと八ィドロキノン 0. l gを含む 5. 0 gのプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液を加え、空気バブリングしながら、 4ーヒドロキシブチルァクリレ一トグリシジルエーテル 22. 4 gとプロピレングリコールモノメチルェ一テル 5. 0 gの溶液を 2時間かけて滴下し、その後 5時間かけて更に反応させた。数平均分子量 5， 500、重量平均分子量 18, 000の不飽和二重結合含有アクリル共重合体を得た。この樹脂は、 SP値： 1 0. 0、 Tg ： 92°C、表面張力 : 31 X 10 -³ N/m (31 dy nZ cm) であった。実施例 1

厚み 188 xmのポリエチレンテレフ夕レートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製〇FW) の片面に紫外線硬化型多官能ァクリレ ―ト樹脂塗料を用いて厚みが 4 mのクリァハードコ一ト層を形成した。八ードコート層を形成した反対面上に、参考例 1で調整した塗工液 A を厚みが 2. 0 mとなるようにバーコート法によりコーティングし、 50°Cで 1分間乾燥させた後、紫外線を照射し凹凸を有する硬化樹脂層を形成した。硬化樹脂層形成後のフィルムへ一ズは 2. 4%であった。硬化樹脂層上に酸化インジウムと酸化錫が重量比 95 ： 5の組成で充填密度 98%の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I T〇層を形成した。形成された I Τ〇層の厚みは約 2 On m、 I TO形成後の表面抵抗値は約 350 Ω /口（QZS Q) であった。次いで、参考例 2の操作で作製した塗工液 Bを透明導電層一 1の表面に厚みが約 200 nmとなるようにバ一コート法によりコーティングし、 08050662

44

130°C 2分間の焼成後、透明導電層一 2を形成し可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。透明導電層一 1と透明導電層一 2を積層後の表面抵抗値は約 270 (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板を 1 50°C 90分の熱処理を行い、透明導電層一 1 (I T〇層）を結晶化させた。 I Τ〇層が結晶化した後の表面抵抗値は約 2 10 Ω /口 (Ω/s q) であった。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 1に示す。なお、 TEMにより観察された結晶粒径はいずれも 50 nm〜200 nmの範囲であった。

他方、厚み 1. 1mmのガラス板の両面に S i〇₂ディップコートを行つた後、スパッタリング法により、同様な方法で厚み 1 8 nmの I TO 層を形成した。次に I TO層上に高さ 7 nm, 直径 7 0 m、ピッチ 1 5mmのドットスべ一サーを形成することにより、固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて第 1図の透明夕ツチパネルを作製した。なお、第 1図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 9はドットスぺーサ一をそれぞれ示す。作製した透明夕ッチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティー変化量を表 1に示す。実施例 2

実施例 1と同様に厚み 1 88 mのポリエチレンテレフタレ一トフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の片面に層厚が 4 mのクリァ八ードコート層を形成した。

ハードコート層を形成した反対面上に実施例 1と同様にして塗工液 A を層厚が 2. 0 mとなるようにバーコート法によるコーティングし、 50°Cで 1分間乾燥した後、紫外線を照射し凹凸を有する硬化樹脂層を形成した。硬化樹脂層形成後のフィルムヘーズは 2. 3%であった。凹凸を有する硬化樹脂層上に S iターゲットを用いてスパッタリング法により S i〇x層を形成した。形成された S i〇x層の厚みは約 2. 08 050662

45

0 n mであった。

次いで実施例 1と同様にして透明導電層一 1と透明導電層一 2を形成し、可動電極基板を作製した。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 1に示す。なお、 T E Mにより観察された結晶粒径はいずれも 5 0 n m〜2 0 0 n mの範囲であった。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて第 2図の透明夕ツチパネルを作製した。

なお、第 2図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 7は金属酸化物層、 9はドットスぺ一サーをそれぞれ示す。

作製した透明夕ツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティー変化量を表 1に示す。実施例 3

実施例 2と同様に厚み 1 8 8 mのポリエステルテレフ夕レートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製〇FW) の片面に厚みが 4 mのクリァ八ードコ一ト層を形成した。

ハードコ一ト層を形成した反対面上に実施例 1と同様にして塗工液 A を厚みが 2 . 0 mとなるようにハーコート法によるコーティングし、 5 0 °Cで 1分間乾燥した後、紫外線を照射し凹凸を有する硬化樹脂層を形成した。硬化樹脂層形成後のフィルムへ一ズは 2 . 3 %であった。. 凹凸を有する硬化樹脂層上に S i夕ーゲットを用いてスパッタリング法により S i〇x層を形成した。形成された S i〇x層の厚みは約, 2 .

0 nmであった。

次いで実施例 1と同様にして透明導電層一 1と透明導電層一 2を形成し、可動電極基板を作製したが、透明導電層一 1の膜厚を 2 0 n mから 3 3 nmへ変更して可動電極基板を作成した。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 1に示す。なお、 T E Mにより観察された結晶粒径はいずれも 5 0 nm〜2 0 0 nmの範囲であった。 50662

46 実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて第 2図の透明タツチパネルを作製した。

なお、第 2図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 7は金属酸化物層、 9はドットスぺーサーをそれぞれ示す。

作製した透明夕ツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティ一変化量を表 1に示す。実施例 4

実施例 2と同様に厚み 1 8 8 mのボリエチレンテレフタレ一トフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製. O FW) の片面に厚みが 4 X mのクリァハードコート層を形成した。

ハードコート層を形成した反対面上に実施例 1と同様にして塗工液 A を厚みが 2 . 0； ti mとなるようにバーコート法によるコーティングし、 5 0 °Cで 1分間乾燥した後、紫外線を照射し凹凸を有する硬化樹脂層を形成した。硬化樹脂層形成後のフィルムヘーズは 2 . 3 %であった。

凹凸を有する硬化樹脂層上に S i夕ーゲットを用いてスパッタリング法により S i〇x層を形成した。形成された S i〇x層の厚みは約 2 . O n mであった。

次いで実施例 1と同様にして透明導電層一 1を形成した。実施例 1で使用した結晶質の I T〇ナノ粒子を非晶質の I T〇ナノ粒子（平均 1次粒子径が 2 0 nm、シーアィ化成株式会社製）に置き換えたこと以外は実施例 1と同様にして透明導電層一 2を透明導電層一 1上に形成し、可動電極基板を作製した。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 2に示す。なお、 T E Mにより観察された結晶粒径はいずれも 5 0 n m〜2 0 0 nmの範囲であった。

なお、第 2図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 7は金属酸化物層、 9はドットスぺ一サーをそれぞれ示す。作製した透明夕ツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティー変化量を表 2に示す。実施例 5

実施例 1と同様に厚み 188 xmのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の片面に厚みが 4 1 mのクリア八ードコート層を形成した。

ハードコート層を形成した反対面上に、参考例 3の操作で作製した塗ェ液 Cを厚みが 3. 5 xmとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし、 50°Cで 1分間乾燥させた後、紫外線を照射し硬化樹脂層を形成した。硬化樹脂層形成後のフィルムへ一ズは 1. 0%であった。

この硬化樹脂層上に、 S iターゲットを用いてスパッタリング法により S i〇x層を形成した。形成された S i〇x層の厚みは約 2. 0 nm であった。

次いで、この S i〇x層上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比 9 7 ： 3の組成で充填密度 98%の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成した。形成された I Τ〇層の厚みは約 20nm、 I TO層形成後の表面抵抗値は約 550 ΩΖ口 (Ω/ s q) であった。

参考例 5の操作で作製した塗工液 Eを実施例 1と同様にして透明導電層一 2を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。作製した可動電極基板を 150°C60分熱処理行い、 I T〇層を結晶化させた。 I Τ〇層が結晶化した後の表面抵抗値は約 37 ΟΩ/D (Ω/s q) であった。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 2に示す。なお、 TEMにより観察された結晶粒径は 50 nm〜200 nmの範囲であった。

なお、第 2図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層— 2、 6はガラス基板、 7は金属酸化物層、 9はドットスぺ一サーをそれぞれ示す。作製した透明夕ツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティー変化量を表 2に示す。実施例 6

実施例 1と同様に厚み 1 8 8 imのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の片面に厚みが 4 2 mのクリァ八ードコート層を形成した。

ハードコート層を形成した反対面上に、参考例 4の操作で作製した塗ェ液 Dを厚みが 2. 5 /mとなるようにバ一コート法によりコーティングし、 50°Cで 1分間乾燥させた後、紫外線を照射し硬化樹脂層を形成した。硬化樹脂層形成後のフィルムへ一ズは 0. 7 %であった。

この硬化樹脂層上に、 S iターゲットを用いてスパッタリング法により S i〇x層を形成した。形成された S i Ox層の厚みは約 2. O nm であった。

次いで、この S i〇x層上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比 9 7 ： 3の組成で充填密度 9 8 %の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成した。形成された I T〇層の厚みは約 20 nm、 I T〇層形成後の表面抵抗値は約 55 0 Ω /口 (Ω/s q) であった。

参考例 5の操作で作製した塗工液 Eを実施例 1と同様にして透明導電層一 2を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。作製した可動電極基板を 1 50°C6 0分熱処理行い、 I TO層を結晶化させた。 I T〇層が結晶化した後の表面抵抗値は約 3 7 0 Ω/Π (Ω/s q) であった。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 2に示す。なお、 TEMにより観察された結晶粒径は 50 nm〜2 00 nmの範囲であった。 '

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて第 2図の透明夕ツチパネルを作製した。なお、第 2図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層— 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 7は金属酸化物層、 9はドットスぺ一サーをそれぞれ示す。作製した透明夕ツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティー変化量を表 2に示す。

表 1

m 実施例 1 実施例 2 実施例 3

1

端押し +0. +0. 18¾ +0. 71¾ 耐久性端部〜 1. 5mm +0. 65¾ +0. 32¾ +1. 3應

+0. 33¾ +0. 18¾ +0. 22% 摺動耐久性

30万回 30万回 30万回透明導電性積層体の

90. 2%/2. 0¾ 88. 3¾/2. 1¾ 全光線透過率 Zヘーズ

環境信頼性評価

(高温高湿信頼性）

1. 04 1. 03 1. 01

60t 90¾RH240hr.保持後

表面抵抗値変化率

環境信頼性評価

(高温信頼性）

1. 09 1. 08 1. 02 80 Dry240 r.保持後

表面抵抗値変化率

P T/JP2008/050662

51 表 2

m 実施例 4 実施例 5 実施例 6 端押し +0. 20¾ +0. 11% +0. 09¾

耐久性端部〜 1. 5nmi +0. 40¾ +0. 41¾ +0. 29¾

+0. 22% +0. 19¾ +0. 09¾

摺動耐久性

30万回 30万回 30万回

透明導電性積層体の

91. 3¾/l. 1¾ 91. 8¾/0. 9¾

全光線透過率/ヘーズ

環境信頼性評価

(高温高湿信頼性）

1. 15 1. 03 1. 04

6(TC90%RH240hr.保持後

表面抵抗値変化率

環境信頼性評価

(高温信頼性）

1. 20 1. 09 1. 08

80t:Dry2401ir.保持後

表面抵抗値変化率

比較例 1

透明導電層— 2を積層しない以外は実施例 1と同様に可動電極基板として透明導電性積層体を作製した。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 3に示す。なお、 T E Mにより観察された結晶粒径は 5 0 nm〜2 0 0 n mの範囲であった。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて第 3図の透明夕ツチパネルを作製した。

なお、第 3図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 51 2、 6はガラス基板、 9はドットスぺーサ一をそれぞれ示す。作製した透明タツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニァリティ一変化量を表 3 に示す。比較例 2

実施例 1と同様に厚み 1 8 8 x mのポリエチレンテレフタレ一トフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社 O FW) の片面に厚みが 4 m の八一ドコート層を形成した。

ハードコート層を形成した反対面に参考例 1で作成した塗工液 Aを使用して凹凸を有する硬化樹脂層を形成した。形成した硬化樹脂層上に透明導電層としてポリチォフエン系導電性ポリマーを透明導電層形成後の表面抵抗値が約 5 0 0 Ω Ζ口 ( Ω/ s q ) となるように透明導電 ) を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成した透明導電層の厚みは約 1 5 0 n mであった。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 3に示す。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて第 4図の透明夕ツチパネルを作製した。

なお、第 4図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層— 1、 6はガラス基板、 8は導電性ポリマー層、 9はドットスぺ一サーをそれぞれ示す。作製した透明夕ツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリ二ァリティ一変化量を表 3に示す。比較例 3

透明導電層— 2としてポリチォフエン系導電性ポリマ一を積層した以外は実施例 1と同様に可動電極基板としての透明導電性積層体を作製した。透明導電層一 1と透明導電層一 2を積層後の表面抵抗値は約 3 1 0 Ω/Π (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板を 1 50°C 90分の熱処理を行い、透明導電層一 1 (I T〇層）を結晶化させた。 Ι ΤΟ 層が結晶化した後の表面抵抗値は約 240 Ω /口 (Ω/s q) であった。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 3に示す。なお、 TE Mにより観察された結晶粒径は 50 ηπ！〜 200 nmの範囲であった。実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて第 1図の透明夕ツチパネルを作製した。

なお、第 1図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層— 2、 6はガラス基板、 9はドットスぺ一サーをそれぞれ示す。，

作製した透明タツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティー変化量を表 3に示す。

表 3 比較例 1 比較例 2 比較例 3 端押し端部〜 2. 0腿 +3. (100往復後) +0. 32% 耐久性上下導通

端部〜 1. 5mm +5. （100往復後） +0. 77% 確保出来ず

筆記耐久性 (中央部） +0. 45¾ +0. 48¾ 透明導電性積層体の

87. 1¾/2. 4¾ 81. 8¾/1. 8¾ 全光線透過率 Zヘーズ

環境信頼性評価

(高温高湿信頼性）

1. 05 1. 85 し 28

60°C90¾RH240 r.保持後 o

表面抵抗値変化率.

環境信頼性評価

(高温信頼性）

1. 01 2. 27 1. 40 80 Dry2401ir.保持後

表面抵抗値変化率

比較例 4〜 6

透明導電層一 1として非晶質透明導電層 I Z〇を使用したこと以外は、実施例 1〜 3と同様にして可動電極基板としての透明導電性積層体を作 ' 製した。 I Z〇層を形成後の表面抵抗値は約 2 3 0 Ω /口 ( Ω / s q ) 、厚みは約 2 0 nmであった。透明導電層一 2を積層後の表面抵抗値は約 1 7 0 (Ω/ s q ) であった。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 4に示す。なお、 T E Mによる観察で結晶は確認されなかった。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板を用いて第 1図（比較例 4 ) または第 2図（比較例 5、 6 ) に示す構成の透明夕ツチパネルを作製した。なお、第 1図、第 2図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 7は金属酸化物層、 9はドットスぺーサーをそれぞれ示す。作製した透明タツチパネルの摺動耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニァリティ一変化量を表 4に示す。

表 4

m 比較例 4 比較例 5 比較例 6

+1. 9¾ +2. 4¾ +2. 0¾ 端押し (2万回後） (2万回後） (2万回後）耐久性 +3. 3¾ +2. 9¾ +5. 1¾ 端部〜 1. 5mm

( 万回後） (2万回後） (2万回後）

+2. 2% +1. 8¾ +3. 2¾ 筆記耐久性 (中央部）

( 万回後） (2万回後） (2万回後）透明導電性積層体の

全光線透過率 Zヘーズ

環境信頼性評価 \

(高温高湿信頼性）

1. 31 1. 29 1. 28

60で 90%RH240hr.保持後

表面抵抗値変化率

環境信頼性評価

(高温信頼性）

1. 37 1. 40 1. 36 80°CDry240hr.保持後

表面抵抗値変化率

比較例 7〜 9

硬化樹脂層を積層しないこと以外は実施例 1〜 3と同様にして可動電極基板として透明導電性積層体を作製した。作製したいずれの透明導電性積層体でも I T〇層を結晶化させるための熱処理後にポリエチレンテレフタレ一トフイルムからオリゴマ一成分が析出し、フィルムが白化したため、透明導電性積層体として使用が出来ないことから、これ以上の評価を行わなかった。実施例 7

透明導電層一 2の厚みを 1 . 1 ^ mに変更したこと以外は、実施例 1 と同様にして可動電極基板としての透明導電性積層体を作製した。作製した透明導電性積層体の環境信頼性特性を表 5に示す。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて第 1図の透明夕ツチパネルを作製した。

なお、第 1図において、 1はハードコート層、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 9はドットスぺーサ一をそれぞれ示す。

作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティーを表 5に示す。

表 5

m

実施例 7 端押し昌

耐久性 0. 71¾ 筆記耐久性 (中央部） 0. 69¾ 透明導電性積層体の

全光線透過率ノヘーズ

環境信頼性評価

(高温高湿信頼性）

1. 41

60°C90¾RH240 r.保持後

表面抵抗値変化率

環境信頼性評価

(高温信頼性）

1. 39 80°CDry240hr.保持後

表面抵抗値変化率

上記結果から明らかなように、本発明の透明導電性積層体は、端押し耐久性、透明性、環境信頼性がいずれも良好であった。一方、比較例 1 の透明導電性積層体は端押し耐久性が不良、比較例 2の透明導電性積層体は上下導通が確保出来ず、透明夕ツチパネルとして動作しなかった。比較例 3の透明導電性積層体は透明性が不良であった。実施例 8

厚さ 1 88 mのポリエチレンテレフ夕レート (PET) フィルム (帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の両面に参考例 6の操作で作製した塗工液 Fを用いてバーコート法によりコ一ティングし、 70。C で 1分間乾燥した後、紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ 3 5 mの硬化樹脂層を形成した。

次いで硬化樹脂層を形成した一方の面上に、酸化インジウムと酸化錫の重量比が 95 ： 5の組成で充填密度が 98%の酸化インジウム一酸化錫夕—ゲットを用いスパッタリング法により透明導電層— 1 (I T〇層）を形成した。 I Τ〇層の厚さは約 20 nm、表面抵抗値は約 3 50 /U (Ω/s q) であった。

更に、参考例 2の操作で作製した塗工液 Bを用いて透明導電層一 1上にバーコ一ト法によりコーティングし、 130°C2分間焼成して、厚さ約 200 nmの透明導電層一 2を形成した。

透明導電層一 1と透明導電層一 2からなる透明導電層の表面抵抗値は約 270 Ω /口 (Ω/s q) であった。引き続いて 1 50 °C 9◦分の熱処理を行い、透明導電層一 1 (I TO層）を結晶化させることにより可' 動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。 I TO層が結晶化した後の透明導電層一 1と透明導電層一 2からなる透明導電層の表面抵抗値は約 2 1 0ΩΖ口 (Ω/s q) であった。なお、 TEMにより観察された透明導電層一 1の結晶粒径は 50 nm〜20 O nmの範囲であった。作製した透明導電性積層体の特性を表 6に示す。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて第 5図の透明夕ツチパネルを作製した。

なお、第 5図において、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 5は透明導電層一 2、 6はガラス基板、 9はドットスぺーサ一をそれぞれ示す。

作製した夕ツチパネルの特性を表 6に示す。表 6から明らかなように、本例の透明導電性積層体を使用した夕ツチパネルは、防眩性、アンチ二ユートンリング性、チラツキ、摺動耐久性、端押し耐久性 Bおよび指紋拭取り性が何れも良好であった。比較例 10

実施例 8と同様にして、厚さ 1 88 xmのポリエチレンテレフタレ一トフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の両面に厚さ 3. 5 xmの硬化樹脂層を形成した。

次いで硬化樹脂層を形成した一方の面上に、酸化インジウムと酸化錫の重量比が 95 ： 5の組成で充填密度が 98%の酸化インジウム一酸化錫夕—ゲットを用いスパッタリング法により非晶質の透明導電層一 1

U TO層）を形成した。 I TO層の厚さは約 20 nm、表面抵抗値は約 350 Q/U (Ω/ s q) であった。

更に、実施例 8と同様にして、透明導電層— 1上に、厚さ約 20 O n mの透明導電層一 2を形成することにより可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。透明導電層一 1と透明導電層一 2からなる透明導電層の表面抵抗値は約 270 ΩΖ口（Ω/s q) であった。作製した透明導電性積層体の特性を表 6に示す。

作製した夕ッチパネルの特性を表 6に示す。表 6から明らかなように、透明導電層一 1が非晶質 I TO層である本例の透明導電性積層体を用いた夕ツチパネルは、摺動耐久性、端押し耐久性 Βが不良である。比較例 11

実施例 8と同様にして、厚さ 188 ^mのポリエチレンテレフ夕レートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の両面に厚さ 3. 5 mの硬化樹脂層を形成した。次いで硬化樹脂層を形成した一方の面上に直接、実施例 8と同様にして、厚さ約 20 Onmの透明導電層一 2を形成し、透明導電性積層体を作製した。作製した透明導電性積層体には導電性がなく、透明導電性積層体として機能しなかった。比較例 12

実施例 8と同様にして、厚さ 188 zmのポリエチレンテレフタレ一トフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) の両面に厚さ 3. 5 mの硬化樹脂層を形成した。

次いで硬化樹脂層を形成した一方の面上に、実施例 1と同様にして透明導電層一 1 (I T〇層）を形成した。 I TO層の厚さは約 20 nm、表面抵抗値は約 350 ΩΖ口 (Ω/s q) であった。引き続いて 15 0°C90分の熱処理を行い、透明導電層一 1 (I TO層）を結晶化させることにより可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。

I T〇層が結晶化した後の透明導電層一 1の表面抵抗値は約 260/ □ (Ω/s q) であった。作製した透明導電性積層体の特性を表 6に示す。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて第 6図の透明タツチパネルを作製した。

なお、第 6図において、 2は高分子フィルム、 3は硬化樹脂層、 4は透明導電層一 1、 6はガラス基板、 9はドットスぺーサ一をそれぞれ示す。

作製した夕ツチパネルの特性を表 6に示す。表 6から明らかなように、透明導電層一 2を積層していない本例の夕ツチパネルは、摺動耐久性、端押し耐久性 Bが不良である。

6 実施例 8 比較例 10 比較例 11 比較例 12 厚さ ( M m) 3. 5 3. 5 3. 5 3. 5 水接触角（度） 77 77 77 77 透明導電層側

硬化樹脂層表面粗さ Ra 125 125 130 135

(nm)

透明導電層側

表面粗さ Rz 0. 7 0. 75 0. 7 0. 75 ( m) 透明導電層 - 1 結晶質非晶質なし結晶質透明導電層 - 2 ありありありなしへ -ス' (¾) 9. 2 8. 9 9. 0 10. 1 透明導電性全光線透過率

積層体 90. 3 89. 9 90. 1 86. 7

(¾)

防眩性〇〇〇〇アンチニュ-トンリンク"

〇〇〇性

チラツキ性〇〇〇

30万回 0K •10万回 NG 30万回 0K タツチハ。ネル摺動耐久性

(+0. 05¾) (+1. 8¾) (+0. 35¾) 端押し耐久性 10万回 0K 3万回 NG 1万回 NG B (+0. 09¾) (+2. 2¾) (+3. 61¾) 指紋拭取り性〇〇 ― o

Claims

請求の範囲

1 . 高分子フィルムの少なくとも一方の面上に、硬化樹脂層、透明導電層ー 1と透明導電層一 2が順次積層されてなる透明導電性積層体であつて、該透明導電層一 1が有機成分を含有しない結晶質の透明導電層であり、該透明導電層— 2がアルコキシシランと少なくとも 1種類の平均 1次粒子径が 1 0 0 n m以下の導電性金属酸化物または金属微粒子からなる微粒子 Aとを含有することを特徴とする透明導電性積層体。

2 . 微粒子 Aの含有量がアルコキシシラン 1 0 0重量部に対して、 0 . 1重量部以上 4 0 0重量部以下である、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

3 . 透明導電層一 1の厚みが 5 n m以上 5 0 n m以下である、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

4 . 透明導電層一 2の厚みが 1 0 n m以上 1 5 0 0 nm以下である、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

5 . 透明導電層一 2中に、平均 1次粒子径が該透明導電層一 2の厚みを基準として 1 . 2倍以上の微粒子 Bを含有する、請求の範囲第 1に記載の透明導電性積層体。

6 . 微粒子 Bが導電性金属酸化物または金属微粒子である、請求の範囲第 5項に記載の透明導電性積層体。

7. 硬化樹脂層と透明導電層一 1との間に、更に、厚みが 0. 5nm 以上 5. 0 nm未満の金属酸化物層を有する請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

8. 硬化樹脂層が、その表面に二種の成分が相分離して形成された凹凸を有し、かつ凹凸を付与するための微粒子を含有せず、硬化樹脂層の J I S B0601- 1994による算術平均粗さ（R a) が 0. 05 ！以上 5 zm未満、 J I S B 0601— 1982による十点平均粗さ（Rz) が 0. 5 xm以上 2 im未満の範囲にある請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれかに記載の透明導電性積層体。

9. 硬化樹脂層を形成する成分が、第 1成分は重合体であり、第 2成分はモノマーである請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

.

10. 硬化樹脂層を形成する第 1成分と第 2成分との S P値の差が 0 . 5以上である請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

11. 硬化樹脂層を形成する第 1成分は不飽和二重結合含有ァクリル共重合体であり、第 2成分は多官能性不飽和二重結合含有モノマーである請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

12. 硬化樹脂層を形成する成分が、シリコーンアクリルブロック共重合体とァクリル共重合体とである、請求の範囲第 9項に記載の透明導電性積層体。

13. J I S K 7 136で定義されるへ一ズが 1 %以上 20%未満である請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

14. 硬化樹脂層が、その表面に凹凸を有し、硬化樹脂成分と平均 1 次粒子径が 0. 1 mより大きい微粒子 Cを 1種類または 2種類以上を含有し、少なくとも 1種類の微粒子 Cの平均 1次粒子径が硬化樹脂層厚みの 1. 2倍以上である請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれかに記載の透明導電性積層体。

15. 硬化樹脂層が、その表面に凹凸を有し、硬化樹脂成分と 1種類または 2種類以上の平均 1次粒子径が 100 nm以下の金属酸化物または金属フッ化物微粒子からなる微粒子 Dとを含有する請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれかに記載の透明導電性積層体。

16. 硬化樹脂層が、その表面に凹凸を有し、硬化樹脂成分、平均 1 次粒子径が 0. 1 xmより大きい微粒子 Cを 1種類または 2種類以上、および 1種類または 2種類以上の平均 1次粒子径が 10 Onm以下の金属酸化物または金属フッ化物微粒子からなる微粒子 Dとを含有し、少なくとも 1種類の微粒子 Cの平均 1次粒子径が硬化樹脂層厚みの 1. 2倍以上である請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれかに記載の透明導電性積層体。

17. 硬化樹脂層の屈折率が 1. 20〜1. 55、厚みが 0. 05 m以上 0. 5 im以下である請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれかに記載の透明導電性積層体

1 8 . 高分子フィルムと透明導電層一 1との間に、少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層とからなる光学干渉層を有し、低屈折率層が透明導電層一 1と接する、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

1 9 . 高分子フィルムと金属酸化物層との間に、少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層とからなる光学干渉層を有し、低屈折率層が金属酸化物層と接する、請求の範囲第 7項に記載の透明導電性積層体。

2 0 . 高分子フィルムと金属酸化物層との間に、少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層とからなる光学干渉層を有し、低屈折率層が金属酸化物層と接する、請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

2 1 . 高分子フィルムと金属酸化物層との間に、少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層とからなる光学干渉層を有し、低屈折率層が金属酸化物層と接する、請求の範囲第 1 4項に記載の透明導電性積層体。

2 2 . 高分子フィルムと金属酸化物層との間に、少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層とからなる光学干渉層を有し、低屈折率層が金属酸化物層と接する、請求の範囲第 1 5項に記載の透明導電性積層体

2 3 . 高分子フィルムと金属酸化物層との間に、少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層とからなる光学干渉層を有し、低屈折率層が金属酸化物層と接する、請求の範囲第 1 6項に記載の透明導電性積層体。

2 4 . 少なくとも片面に透明導電層が設けられた 2枚の透明電極基板が、互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成されたタツチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする夕ツチパネル