JP2006190511A - 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル - Google Patents
透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006190511A JP2006190511A JP2005000100A JP2005000100A JP2006190511A JP 2006190511 A JP2006190511 A JP 2006190511A JP 2005000100 A JP2005000100 A JP 2005000100A JP 2005000100 A JP2005000100 A JP 2005000100A JP 2006190511 A JP2006190511 A JP 2006190511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- layer
- cured resin
- transparent
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
【解決手段】透明高分子基板の少なくとも片面上に凹凸を有する硬化樹脂層を配し、かつこの硬化樹脂層の上に、直接または他の層を介して透明導電層を設けてなる透明導電性積層体。この硬化樹脂層は、平均一次粒子径が0.5〜5μmの微粒子Aと、平均一次粒子径が100nm以下の金属酸化物及び/または金属フッ化物からなる超微粒子Cとを含む。上記透明導電性積層体は、0.25mmの光学くしを使用した場合の透過法で測定した像鮮明度が10%以上60%以下である。
【選択図】なし
Description
本発明の他の目的は、上記視認性を維持し、かつヘーズの低い透明導電性積層体を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記透明導電性積層体を用いた新規な透明タッチパネルを提供することにある。
(A)該硬化樹脂層−1は、(i)硬化樹脂成分と(ii)少なくとも1種の平均一次粒子径が0.5〜5μmの微粒子Aと、(iii)金属酸化物及び金属フッ化物よりなる群から選ばれる少なくとも一種であって平均一次粒子径が100nm以下の超微粒子Cを有すること。
(B)硬化樹脂層−1における微粒子Aの含有量は硬化樹脂成分(i)100重量部あたり0.3重量部以上1.0重量部未満であること。
(C)硬化樹脂層−1における超微粒子Cの含有量は硬化樹脂成分(i)100重量部あたり1〜20重量部であること。
(D)硬化樹脂層−1の厚さが0.5〜4.5μmであること。
(E)透明高分子基板と硬化樹脂層−1に基づくJIS K7136で定義されるヘーズが1%以上6%未満であること。
本発明の透明導電性積層体は少なくとも片面に、0.25mmの光学くしを適応した際の像鮮明度が10%以上60%以下となる凹凸面を形成する必要があるが、このような凹凸面を形成する方法はいかなる方法であってもよい。
シクロオレフィンポリマーとしては、例えば日本ゼオン株式会社製「ゼオノア」やJSR株式会社製「アートン」等の成型基板として入手できる。
硬化樹脂層−2を形成するために用いる樹脂としては、電離放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が挙げられる。
本発明で用いられる光学干渉層は、好ましくは、少なくとも一層の高屈折率層と少なくとも一層の低屈折率層より構成される。高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ単位を二つ以上とすることもできる。光学干渉層が一層の高屈折率層と一層の低屈折率層から構成される場合、光学干渉層の厚さは30nm〜300nmが好ましく、更に好ましくは50nm〜200nmである。
金属アルコキシドとして、例えば、チタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシドを挙げることができる。
後述する金属酸化物超微粒子Cを添加することにより屈折率の調整を行う場合には、金属アルコキシドとして、アルコキシシランを用いことも可能である。
また該高屈折率層の屈折率は、後述する低屈折率層及び硬化樹脂層−2の屈折率より大きく、その差が0.2以上であることが好ましい。
これらの金属化合物層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えばDCマグネトロンスパッタリング法、RFマグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法、これらを複合した物理的形成法(Physical Vapor Deposition、以下、PVD)等を用いることができるが、大面積に対して均一な膜厚の金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、DCマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法(PVD)のほかに、Chemical Vapor Deposition(以下、CVD)、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、金属化合物層の厚みの制御の観点からはやはりスパタリング法が望ましい。
通常ハードコート層表面を粗面化することにより防眩(アンチグレア)機能を付与することができる。ハードコート層表面を粗面化する方法としては、例えばハードコート層を形成するための樹脂成分中に少なくとも1種類以上の平均1次粒子径が0.001μm〜5.0μmの微粒子を含有するか、あるいはハードコート層を形成するための樹脂成分中に平均1次粒子径が100nm以下の超微粒子Cが1.0μm未満の凝集体を形成する状態で含有する方法を挙げることができる。
更に好ましくは、4%以上15%未満であり、特に好ましくは4%以上12%未満である。
十点平均粗さ(Rz):(株)小坂研究所製 Surfcorder SE−3400 を用いて測定した。測定はJIS B0601−1982年版に準拠して行なった。
像鮮明度:スガ試験機社製 ICM−1Tを用いて測定を行った。測定は、JIS K7105(1999年版)に準拠し、透過の像鮮明度を測定した。本発明における像鮮明度の光学くしは0.25mmで測定した場合の値と規定する。なお、JIS K7105(1999年版)には、0.25mmの光学くしを使用する像鮮明度の測定法を定めていないが、本発明においては0.25mmの光学くしを使用する以外は上記のJISとまったく同一の測定法である。
ヘーズ:日本電色(株)製ヘーズメーター(MDH 2000)を用いてヘーズ(Haze)値を測定した。
チラツキ性評価:約123dpi(対角10.4インチ、XGA(1024×768ドット))の液晶ディスプレイ上に透明タッチパネルを設置しチラツキの有無を目視で確認した。チラツキが確認できないものを良好、確認できるものを不良とした。
ニュートンリング防止性評価:3波長蛍光灯の下で、透明タッチパネルの表面(垂直方向0度)に対して斜め60度の方向から可動電極基板と固定電極基板を接触させた領域でのニュートンリングの有無を目視で観察し、評価した。ニュートンリングが観測できないものを良好、観測できるものを不良とした。
硬化樹脂層−1のレベリング状態評価:レーザーテック(株)社製のレーザー顕微鏡、1LM21Dを用いて樹脂のレベリング性を観察した。
4官能アクリレート アロニックス M405(東亞合成(株)製)100重量部、イルガキュア184(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)5重量部、宇部日東化成(株)製(ハイプレシカ 3.0μm品グレードN3N)0.7重量部をイソプロビルアルコールと1−メトキシ−2−プロパノールの1:1混合溶媒に溶解し塗工液Aを作製した。塗工液Aと平均一次粒子径が30nmであるMgF2微粒子(シーアイ化成(株)製 20重量% エチルアルコール・n−ブチルアルコール混合溶媒分散液)を硬化樹脂成分100重量部に対して固形分として5重量部となるように混合し塗工液Bを作製した。
硬化樹脂層−1を形成した面の反対面上に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さが4μmのハードコート層1を形成した。
更にイソプロピルアルコールとn−ブタノールの混合溶液で希釈を行い、アルコキシシラン塗工液Cを作製した。
実施例1の塗工液Aに、さらに宇部日東化成(株)製(ハイプレシカ 2.0μm品 グレードN3N)0.2重量部を追加したこと、および硬化樹脂層−1の硬化後の膜厚を1.9μmに設定して塗工した以外は、実施例1と同様にして透明導電性積層体及び透明タッチパネルを作製した。透明導電性積層体のヘーズ、Ra、Rz、像鮮明度の測定結果と透明タッチパネルのチラツキ性とニュートンリング防止性の評価結果を表1に示す。
実施例1の透明高分子基板を、日本ゼオン(株)製のゼオノア(ZF14−100)に変更した以外は、実施例1と同様にして透明導電性積層体及び透明タッチパネルを作製した。透明導電性積層体のヘーズ、Ra、Rz、像鮮明度の測定結果と透明タッチパネルのチラツキ性とニュートンリング防止性の評価結果を表1に示す。
実施例1の透明高分子基板を、帝人化成(株)製のポリカーボネートフィルム(「ピュアエース」C110−100)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電性積層体及び透明タッチパネルを作製した。透明導電性積層体のヘーズ、Ra、Rz、像鮮明度の測定結果と透明タッチパネルのチラツキ性とニュートンリング防止性の評価結果を表1に示す。
実施例1の塗工液Bの代わりに塗工液Aを用いて硬化樹脂層−1を形成した。作製した硬化樹脂層−1のレーザー顕微鏡の写真を図2に示す。実施例1の図1に比べ、硬化樹脂層−1のレベリングが不十分であり、凹凸形状の度合いを示す干渉縞が非常に強く出ている。引き続いて硬化樹脂層−1以外は実施例1と同様にして透明導電性積層体及び透明タッチパネルを作製した。
透明導電性積層体のヘーズ、Ra、Rz、像鮮明度の測定結果と透明タッチパネルのチラツキ性とニュートンリング防止性の評価結果を表1に示す。
実施例1の塗工液Bの代わりに、MgF2微粒子を硬化樹脂成分100重量部に対して20重量部となるように混合した塗工液Bを用いて硬化樹脂層−1を形成した。作製した硬化樹脂層−1のレーザー顕微鏡の写真を図3に示す。実施例1の図1に比べ硬化樹脂層−1が過剰にレベリングしている。凹凸形状の度合いを示す干渉縞のリングがまったく無い。
引き続いて硬化樹脂層−1以外は実施例1と同様にして透明導電性積層体及び透明タッチパネルを作製した。透明導電性積層体のヘーズ、Ra、Rz、像鮮明度の測定結果と透明タッチパネルのチラツキ性とニュートンリング防止性の評価結果を表1に示す。
透明導電層(ITO)を形成しない以外は、実施例1と同様にして透明積層体を作製した。この透明積層体のヘーズを表1に示す。実施例1と参考例1の比較により、透明導電層によるヘーズの影響が無いことがわかった。
Claims (13)
- 透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に、凹凸の形状を形成する硬化樹脂層−1と透明導電層とが順次積層された透明導電積層体であり、JIS K7105(1999年版)によって規定される0.25mmの光学くしを使った場合の透過法の像鮮明度が10%以上60%以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
- 前記硬化樹脂層−1が下記(A)〜(E)の要件を同時に満たすものである、請求項1記載の透明導電性積層体。
(A)該硬化樹脂層−1は、(i)硬化樹脂成分と(ii)少なくとも1種の平均一次粒子径が0.5〜5μmの微粒子Aと、(iii)金属酸化物及び金属フッ化物よりなる群から選ばれる少なくとも一種であって平均一次粒子径が100nm以下の超微粒子Cを有すること。
(B)硬化樹脂層−1における微粒子Aの含有量は硬化樹脂成分(i)100重量部あたり0.3重量部以上1.0重量部未満であること。
(C)硬化樹脂層−1における超微粒子Cの含有量は硬化樹脂成分(i)100重量部あたり1〜20重量部であること。
(D)硬化樹脂層−1の厚さが0.5〜4.5μmであること。
(E)透明高分子基板と硬化樹脂層−1に基づくJIS K7136で定義されるヘーズが1%以上6%未満であること。 - 前記硬化樹脂層−1が熱可塑性樹脂を含有しない、請求項1記載の透明導電性積層体。
- 前記超微粒子CがAl2O3、Bi2O3、CeO2、In2O3、(In2O3・SnO2)、HfO2、La2O3、MgF2、Sb2O5、(Sb2O5・SnO2)、SiO2、SnO2、TiO2、Y2O3、ZnO及びZrO2よりなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項2に記載の透明導電性積層体。
- 硬化樹脂層−1のJIS B0601−1994準拠で定義される算術平均粗さ(Ra)が50nm以上500nm未満でありかつ硬化樹脂層−1のJIS B0601−1982準拠で定義される十点平均粗さ(Rz)が100nm以上1000nm未満である、請求項2に記載の透明導電性積層体。
- 前記硬化樹脂層−1と透明導電層との間に、屈折率が1.20〜1.55であり、そして厚さが0.05〜0.5μmである硬化樹脂層−2を更に有する、請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 前記硬化樹脂層−1と透明導電層との間に少なくとも1層の低屈折率層と少なくとも1層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、そして低屈折率層が透明導電層と接している、請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 透明導電層が酸化インジウムを主成分とした結晶質の層であり、そして透明導電層の厚さが5〜50nmである、請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 硬化樹脂層−2と透明導電層との間に、透明導電層と接し、且つ膜厚が透明導電層より薄く、更に膜厚が0.5nm以上10.0nm未満である金属化合物層を有する、請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 透明高分子基板の透明導電層が形成された面と反対側の面に防眩機能を有する硬化樹脂層−3を形成する、請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 透明高分子基板、硬化樹脂層−1及び硬化樹脂層−3に基づくJIS K7136で定義されるヘーズが4%以上18%未満である、請求項9の透明導電性積層体。
- 少なくとも片面に透明導電層が形成された透明電極基板2枚が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルであって、少なくとも一方の透明電極基板が請求項1に記載の透明導電性積層体であることを特徴とする透明タッチパネル。
- 少なくとも片面に透明導電層が形成された透明電極基板2枚が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルであって、少なくとも一方の透明電極基板が請求項9に記載の透明導電性積層体であることを特徴とする透明タッチパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000100A JP2006190511A (ja) | 2005-01-04 | 2005-01-04 | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000100A JP2006190511A (ja) | 2005-01-04 | 2005-01-04 | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006190511A true JP2006190511A (ja) | 2006-07-20 |
Family
ID=36797516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005000100A Withdrawn JP2006190511A (ja) | 2005-01-04 | 2005-01-04 | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006190511A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009054227A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Teijin Limited | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
JP2010162746A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Jsr Corp | 透明導電性積層フィルム及びそれを用いたタッチパネル |
JP4844692B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-12-28 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性積層フィルム |
KR101243719B1 (ko) | 2009-05-27 | 2013-03-13 | 주식회사 엘지화학 | 고내구성 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11291381A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透明導電性フィルム |
WO2003020509A1 (fr) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Teijin Limited | Stratifie conducteur transparent |
JP2006179274A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体およびそれを備えたタッチパネル |
-
2005
- 2005-01-04 JP JP2005000100A patent/JP2006190511A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11291381A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透明導電性フィルム |
WO2003020509A1 (fr) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Teijin Limited | Stratifie conducteur transparent |
JP2006179274A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体およびそれを備えたタッチパネル |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009054227A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Teijin Limited | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
US8512847B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-08-20 | Teijin Limited | Transparent conductive laminate and touch panel |
JP2010162746A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Jsr Corp | 透明導電性積層フィルム及びそれを用いたタッチパネル |
KR101243719B1 (ko) | 2009-05-27 | 2013-03-13 | 주식회사 엘지화학 | 고내구성 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 |
JP4844692B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-12-28 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性積層フィルム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4423264B2 (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP5091165B2 (ja) | 透明導電性積層体およびそれよりなるタッチパネル | |
KR101521317B1 (ko) | 투명 도전성 적층체 및 터치 패널 | |
JP4575384B2 (ja) | 透明導電性積層体および透明タッチパネル | |
EP2211356B1 (en) | Transparent conductive laminate and transparent touch panel | |
JP2007042284A (ja) | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル | |
JP2006252875A (ja) | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル | |
JP2005104141A (ja) | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル | |
JP2005209431A (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP2006190512A (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP2007042283A (ja) | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル | |
JP4391358B2 (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP2006190508A (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP2006190511A (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP2006190510A (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル | |
JP2005116515A (ja) | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル | |
JP2005014572A (ja) | 端押し耐久性に優れた透明導電性積層体 | |
JP2006190509A (ja) | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20100713 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100803 |