KR101410075B1 - 투명 도전성 적층체 및 그것으로 이루어지는 터치 패널 - Google Patents

투명 도전성 적층체 및 그것으로 이루어지는 터치 패널 Download PDF

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Abstract

고분자 필름의 적어도 일방의 면 상에, 경화 수지층, 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 가 순차로 적층되어 이루어지는 투명 도전성 적층체로서, 이 투명 도전층-1 이 유기 성분을 함유하지 않는 결정질의 투명 도전층이고, 이 투명 도전층-2 가 알콕시실란과 적어도 1 종류의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 도전성 금속 산화물 또는 금속 미립자로 이루어지는 미립자 A 를 함유하는 투명 도전성 적층체.
투명 도전성 적층체, 터치 패널,

Description

투명 도전성 적층체 및 그것으로 이루어지는 터치 패널{TRANSPARENT CONDUCTIVE MULTILAYER BODY AND TOUCH PANEL MADE OF THE SAME}
본 발명은, 고분자 필름의 적어도 일방의 면 상에, 경화 수지층, 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 가 순차로 적층된 투명 도전성 적층체에 관한 것이다.
표시 장치 (display) 와 입력 장치로서의 투명 터치 패널을 탑재한 휴대형 정보 단말기가 널리 보급되기 시작하였다. 투명 터치 패널로서 많이 사용되는 저항막 방식의 투명 터치 패널은, 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이 대략 10 ㎛ ∼ 100 ㎛ 의 간격으로 서로의 투명 도전층끼리 마주보도록 배치되어 구성되어 있고, 외력을 가하는 부분에서만 서로의 투명 도전층 표면끼리 접촉하여 스위치로서 동작하는 것으로, 예를 들어 표시 화면 상의 메뉴 선택, 도형·문자 입력 등을 실시할 수 있다.
최근, 액정 표시체 등에서 프레임 협소화가 진행되고, 이와 마찬가지로 투명 터치 패널에도 프레임 협소화가 진행되어 왔다. 이 프레임 협소화에 따라 종래 투명 터치 패널에 요구되었던 필기 내구성 이외에, 투명 터치 패널 단부에서의 필기 내구성인 단부 누름 내구성이 요구되는 경향이 강해졌다.
투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성을 개선하기 위해서, 특허 문헌 1, 특허 문헌 2, 특허 문헌 3 에서는, 2 장의 투명 고분자 필름 기재 사이에 경도 (또는 영률) 를 규정한 점착제 또는 투명 수지층을 개재하여 투명 고분자 필름 기재를 적층한 투명 도전성 적층체가 제안되어 있다. 어느 방법이나 필기 내구성을 개선하는 것은 알려져 있지만, 2 장의 투명 고분자 필름을 점착제 또는 투명 수지층을 개재하여 적층시키기 때문에 생산 공정이 복잡해져 생산 효율이 나쁘고, 게다가 10 인치를 초과하는 대형 투명 터치 패널을 제조하면 구성상의 관점에서 강성이 약하기 때문에 투명 도전성 적층체가 휘는 문제가 있다.
또한 특허 문헌 4 에서는, 제조 비용의 저감화, 양산화가 가능한 저항막 방식의 터치 패널로서, 투명 전극층의 적어도 일방이 티오펜계 도전 폴리머나 폴리아닐린계 도전 폴리머 등의 투명 도전 폴리머로 형성되는 것을 특징으로 한 터치 패널이 제안되어 있다. 또한 ITO (산화인듐주석) 층과 투명 도전 폴리머층의 적층체에 대해서도 제안되어 있다. 그러나 도전성 폴리머재를 투명 전극으로서 사용한 투명 도전성 적층체에서는, 투명 터치 패널을 구성하는 대향하여 배치된 투명 도전층끼리 접촉하였을 때의 접촉 저항이 커서 투명 터치 패널이 동작하지 않는 문제나 투과율, 환경 신뢰성을 확보할 수 없는 문제가 있다.
특허 문헌 5 에서는, 투명 기판의 투명 전극 표면 상에, 도전성 미립자를 함유한 고분자층이 형성되어 있는 터치 패널이 제안되어 있다. 특허 문헌 6 에서는, 진공 증착법, 이온 플레이팅법, 혹은 스퍼터링법으로 형성한 금속 및/또는 금속 산화물의 박층을 도전층으로서 형성한 후, 도전성을 갖는 도료를 적층하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 이들 특허 문헌 4, 5, 6 에서 제안되어 있는 투명 도 전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널에서는, 투명 도전층과 고분자 필름 사이에 경화 수지층을 갖고 있지 않기 때문에, 일반적으로 투명 터치 패널의 가동 전극 기판으로서 사용되는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 고분자 필름으로서 사용한 경우에는, 가열 처리 등을 실시한 후, 고분자 필름으로부터 올리고머 성분이 석출되는 문제가 된다. 또한 투명 도전층의 층질 (막질) 을 특정하고 있지 않기 때문에 이들 투명 도전성 적층체를 투명 터치 패널로서 사용한 경우, 투명 터치 패널에 필요한 필기 내구성을 확보할 수 없는 문제가 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 평2-66809호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 평2-129808호
특허 문헌 3 : 일본 공개특허공보 평8-192492호
특허 문헌 4 : 일본 공개특허공보 2005-182737호
특허 문헌 5 : 일본 공개특허공보 평7-219697호
특허 문헌 6 : 일본 특허공보 평3-48605호
발명의 개시
본 발명의 목적은, 종래 투명 터치 패널에 요구되었던 필기 내구성을 향상시키고, 투명 터치 패널 단부 영역에서의 필기 내구성 (단부 누름 내구성) 을 향상시킨 투명 터치 패널 및 그 투명 터치 패널용으로서 바람직한 투명 도전 적층체를 제공하는 것에 있다.
도 1 은, 본원의 실시예 1, 7 그리고 비교예 3, 4 의 조작으로 얻어진 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 는, 본원의 실시예 2, 3, 4, 5, 6 그리고 비교예 5, 6 의 조작으로 얻어진 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 3 은, 본원의 비교예 1 의 조작으로 얻어진 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 4 는, 본원의 비교예 2 의 조작으로 얻어진 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 5 는, 본원의 실시예 8 그리고 비교예 10 의 조작으로 얻어진 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 6 은, 본원의 비교예 12 의 조작으로 얻어진 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하에, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 이들 설명 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것이고, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
고분자 필름
본 발명에 있어서의 투명 도전성 적층체는, 고분자 필름의 적어도 일방의 면 상에, 경화물 수지층, 투명 도전층-1, 투명 도전층-2 가 순차로 적층되어 이루어진 다.
고분자 필름을 구성하는 유기 고분자로는, 내열성이 우수한 투명한 유기 고분자이면 특별히 한정되지 않는다. 유기 고분자로는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 폴리디알릴프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 아크릴 수지, 셀룰로오스아세테이트 수지, 시클로올레핀 폴리머 등을 들 수 있다. 물론 이들은 호모폴리머, 코폴리머로서 사용해도 된다. 또한, 상기 유기 고분자를 단독으로 사용해도 되고, 블렌드로도 사용할 수 있다.
이들 고분자 필름은 일반적인 용융 압출법 혹은 용액 유연법 등에 의해 바람직하게 성형되지만, 필요에 따라 성형한 고분자 필름에 1 축 연신 혹은 2 축 연신을 실시하여, 기계적 강도를 높이거나 광학적 기능을 높이는 것도 바람직하게 실시된다.
본 발명의 투명 도전 적층체를 투명 터치 패널의 가동 전극 기판으로서 사용하는 경우에는, 투명 터치 패널을 스위치로서 동작시키기 위한 가요성과 평탄성을 유지하기 위한 강도 면에서, 고분자 필름으로서 두께가 75 ∼ 400 ㎛ 인 것이 바람직하다. 고정 전극 기판으로서 사용하는 경우에는 평탄성을 유지하기 위한 강도 면에서, 고분자 필름으로서 두께가 0.4 ∼ 4.0 ㎜ 인 시트 형상의 것이 바람직하지만, 두께 50 ∼ 400 ㎛ 의 필름 형상의 것을 다른 플라스틱 시트와 부착시켜, 전체 두께를 0.4 ∼ 4.0 ㎜ 가 되는 구성으로 하여 사용해도 된다.
본 발명의 투명 도전 적층체를 투명 터치 패널의 가동 전극 기판으로서 사용 한 경우에는, 고정 전극 기판에는 상기 플라스틱 시트, 유리 기판 혹은 고분자 필름과 유리 기판과의 적층체 또는 고분자 필름과 플라스틱 시트와의 적층체 상에 투명 도전층을 형성한 것을 사용해도 된다. 투명 터치 패널의 강도, 중량 면에서, 단층 또는 적층체로 이루어지는 고정 전극 기판의 두께는 0.1 ∼ 4.0 ㎜ 가 바람직하다.
또한, 최근에는 투명 터치 패널의 입력측 면, 즉 사용자측 면 상에, 편광판 또는 편광판과 위상차 필름을 적층한 구성의 새로운 타입의 투명 터치 패널이 개발되었다. 이 구성의 이점은 주로 편광판 또는, 편광판과 위상차 필름의 광학적 작용에 의해, 투명 터치 패널 내부에 있어서의 외래광의 반사율을 절반 이하로 저감시키고, 투명 터치 패널을 설치한 상태에서의 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키는 것에 있다.
이와 같은 타입의 투명 터치 패널에서는, 편광이 투명 도전 적층체를 통과하기 때문에, 고분자 필름으로서 광학 등방성이 우수한 것을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 필름의 지상축 방향의 굴절률을 nx, 진상축 방향의 굴절률을 ny, 필름의 두께를 d (㎚) 로 한 경우에 Re = (nx - ny) × d (㎚) 로 나타내는 면내 리타데이션값 Re 가 적어도 30 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 여기서 기판의 면내 리타데이션값은 분광 엘립소미터 (니혼 분광 주식회사 제조 M-150) 를 사용하여 측정한 파장 590 ㎚ 에서의 값으로 대표된다.
이와 같이 예시한 투명 도전성 적층체를 편광이 통과하는 타입의 투명 터치 패널의 용도에 있어서는, 투명 전극 기판의 면내 리타데이션값이 매우 중요하지만, 이것에 추가하여 투명 전극 기판의 3차원 굴절률 특성, 즉 기판의 두께 방향의 굴절률을 nz 로 하였을 때에 K =｛(nx + ny)/2 - nz｝× d 로 나타내는 K 값이 -250 ∼ +150 ㎚ 인 것이 바람직하고, -200 ∼ +100 ㎚ 의 범위에 있는 것이 투명 터치 패널의 우수한 시야각 특성을 얻는 데에 있어서 보다 바람직하다.
이들 광학 등방성이 우수한 고분자 필름으로는, 예를 들어 폴리카보네이트, 비정성 (非晶性) 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 시클로올레핀 폴리머 및 이들의 변성물 혹은 별종 재료와의 공중합물 등의 성형 기판, 에폭시계 수지 등의 열경화성 수지의 성형 기판이나 아크릴 수지 등의 전리 방사선 경화성 수지의 성형 기판 등을 들 수 있다. 성형성이나 제조 비용, 열적 안정성 등의 관점에서, 예를 들어 폴리카보네이트, 비정성 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 시클로올레핀 폴리머 및 이들의 변성물 혹은 별종 재료와의 공중합물 등의 성형 기판을 가장 바람직하게 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 폴리카보네이트로는 예를 들어 비스페놀 A, 1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 3,3,5-트리메틸-1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 플루오렌-9,9-디(4-페놀), 플루오렌-9,9-디(3-메틸-4-페놀) 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 모노머 단위로 하는 중합체 또는 공중합체이거나, 또는 상기 군에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 모노머 단위로 하는 중합체 또는 공중합체 의 혼합물이며, 평균 분자량이 대략 15000 ∼ 100000 의 범위인 폴리카보네이트 (상품으로는, 예를 들어 테이진 화성 주식회사 제조 「팬라이트」, 「퓨어에이스」나 바이엘사 제조 「Apec HT」등이 예시된다) 의 성형 기판이 바람직하게 사용된다.
또한 비정성 폴리아릴레이트로는, 상품으로서 주식회사 카네카 제조 「엘메크」, 유니티카 주식회사 제조 「U 폴리머」, 이소노바사 제조 「이살릴」등의 성형 기판이 예시된다.
또한 시클로올레핀 폴리머로는, 상품으로서 닛폰 제온 주식회사 제조 「제오노어」나 JSR 주식회사 제조 「아톤」등의 성형 기판이 예시된다.
또한 이들 고분자 재료의 성형 방법으로는, 용융 압출법이나 용액 유연법, 사출 성형법 등의 방법이 예시되는데, 우수한 광학 등방성을 얻는 관점에서는, 특히 용액 유연법이나 용융 압출법을 사용하여 성형하는 것이 바람직하다.
투명 도전층-1
본 발명에 있어서의 투명 도전층-1 은, 유기 성분을 함유하지 않는 결정질의 도전층이고, 예를 들어 결정질의 금속층 혹은 결정질의 금속 화합물층을 들 수 있다.
또한 본 발명에 있어서 “유기 성분을 함유하지 않는다”란 유기 성분을 0.5 중량％ 이상 함유하지 않는 것을 의미하고, 투명 도전층-1 을 구성하는 성분으로는, 예를 들어 산화규소, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 금속 산화물의 층을 들 수 있다. 이들 중 산화인듐 및/또 는 산화주석의 금속 산화물층이 특히 바람직하다.
또한 투명 도전층-1 은, 산화인듐을 주성분으로 한 결정질의 층인 것이 바람직하고, 특히 결정질의 ITO 로 이루어지는 층이 바람직하게 사용된다. ITO 의 산화주석의 함유량은 2 wt％ 이상 20 wt％ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 wt％ 이상 15 wt％ 이하가 바람직하다. 또한 결정 입경은, 특별히 상한을 형성할 필요는 없지만 3000 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 결정 입경이 3000 ㎚ 를 초과하면 필기 내구성이 나빠지기 때문에 바람직하지 않다. 여기서 결정 입경이란, 투과형 전자 현미경 (TEM) 하에서 관찰되는 다각 형상 또는 타원 형상의 각 영역에 있어서의 대각선 또는 직경 중에서 최대인 것으로 정의된다.
본 발명에 있어서 "산화인듐을 주성분으로 하였다" 란, 도펀트로서 주석, 텔루르, 카드뮴, 몰리브덴, 텅스텐, 불소, 아연 등을 함유하는 산화인듐, 혹은 도펀트로서 주석 외에 추가로 규소, 티탄, 아연 등을 함유하는 산화인듐을 의미한다.
또한 "결정질의 도전층" 이란, 도펀트를 함유하는 산화인듐으로 이루어지는 층의 50 ％ 이상, 바람직하게는 75 ％ 이상, 보다 바람직하게는 95 ％ 이상, 특히 바람직하게는 거의 100 ％ 가 결정상으로 점유되어 있는 것을 의미한다.
투명 도전층-1 이 결정질의 도전층임으로써, 기판인 고분자 필름, 경화 수지층, 금속 산화물층 등과 투명 도전층-1 의 밀착성이나 환경 신뢰성이 그 밖의 투명 도전층, 예를 들어 비정질층의 투명 도전층보다 우수한 것이 된다. 그 결과, 본 발명의 투명 도전성 적층체를 터치 패널에 사용하였을 때, 터치 패널에 필요한 환경 신뢰성이나 터치 패널의 필기 내구성, 단부 누름 내구성이 현저하게 개선된 다.
또한 결정질의 도전층인 투명 도전층을 사용한 경우에는, 비정질의 도전층인 투명 도전층을 사용한 경우보다 광학 특성, 특히 전체 광선 투과율이나 색조 (b* 값)·착색이 개선된다.
투명 도전층-1 은 공지된 수법으로 형성할 수 있고, 예를 들어 DC 마그네트론 스퍼터링법, RF 마그네트론 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 펄스 레이저 디포지션법 등의 물리적 형성법 (Physical Vapor Deposition, 이하 PVD) 등을 사용할 수 있지만, 대면적에 대하여 균일한 두께의 금속 화합물층을 형성한다는 공업 생산성에 주목하면, DC 마그네트론 스퍼터링법이 바람직하다. 또한, 상기 물리적 형성법 (PVD) 외에, Chemical Vapor Deposition (이하 CVD), 졸 겔법 등의 화학적 형성법을 사용할 수도 있지만, 두께 제어의 관점에서는 역시 스퍼터링법이 바람직하다.
투명 도전층-1 의 두께는, 투명성과 도전성 면에서 5 ∼ 50 ㎚ 인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 5 ∼ 30 ㎚ 이다. 투명 도전층-1 의 두께가 5 ㎚ 미만에서는 저항값의 경시 (經時) 안정성·환경 신뢰성이 열등한 경향이 있어 바람직하지 않고, 또한 투명 도전층-1 의 두께가 50 ㎚ 를 초과하면 표면 저항값이 저하되기 때문에 터치 패널로서 바람직하지 않다. 또한 투명 도전층-1 의 두께가 30 ㎚ 를 초과하는 경우에는 30 ㎚ 이하의 투명 도전층과 비교하여 굽힘 특성이 열화되는 경향이 있기 때문에 터치 패널에 요구되는 단부 누름 내구성을 확보하기 곤란해져 바람직하지 않다.
본 발명의 투명 도전성 적층체를 투명 터치 패널에 사용하는 경우, 투명 터치 패널의 소비 전력의 저감과 회로 처리상의 필요 등에 따라, 두께 10 ∼ 30 ㎚ 에 있어서 투명 도전층-1 의 표면 저항값이 100 ∼ 2000 Ω／□ (Ω／sq), 보다 바람직하게는 140 ∼ 1000 Ω／□ (Ω／sq) 의 범위를 나타내는 투명 도전층을 사용하는 것이 바람직하다.
투명 도전층-2
본 발명에 있어서의 투명 도전층-2 는, 알콕시실란과 적어도 1 종류의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 도전성 금속 산화물 또는 금속 미립자로 이루어지는 미립자 A 를 함유한다.
투명 도전층-2 중의 미립자 A 의 함유량은 알콕시실란 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 이상 400 중량부 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이상 200 중량부 이하, 보다 바람직하게는 0.5 중량부 이상 100 중량부 이하이다. 미립자 A 의 함유량이 알콕시실란 100 중량부에 대하여 0.1 중량부보다 적은 경우에는, 투명 터치 패널에 있어서 대향하여 배치되는 양 투명 도전층 표면끼리 접촉하였을 때의 접촉 저항이 현저하게 커져 투명 터치 패널로서 동작하기 어려워진다. 또한 미립자 A 의 함유량이 0.5 중량부 미만으로 되면 투명 도전층을 산을 사용하여 패터닝할 때의 에칭 공정에서 잔상이 남아, 에칭 불량이 되는 경우가 있어 바람직하지 않다.
또한 미립자 A 의 함유량이 알콕시실란 100 중량부에 대하여 400 중량부보다 많은 경우에는, 투명 도전층-2 의 층 강도를 충분히 확보하기 곤란해지고, 투명 터 치 패널에 요구되는 필기 내구성 등을 확보하기 곤란해진다.
투명 도전층-2 의 두께는 10 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 이상 1000 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이상 1000 ㎚ 이하이다. 두께가 10 ㎚ 미만이면, 본 발명의 투명 도전성 적층체를 터치 패널용 투명 도전층으로서 사용하였을 때에, 단부 누름 내구성의 향상 효과가 얻어지기 어렵다. 또한 두께가 1500 ㎚ 를 초과하면, 투명 터치 패널의 대향하여 배치되는 투명 도전층끼리 접촉하였을 때의 접촉 저항이 현저하게 커져 투명 터치 패널로서 동작하기 어려워진다.
알콕시실란
투명 도전층-2 에 사용하는 알콕시실란으로는, 예를 들어 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
이들 알콕시실란은, 층의 기계적 강도나 밀착성 및 내용제성 등의 관점에서 2 종류 이상을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하고, 특히 내용제성의 관점에서, 알콕시실란의 전체 조성 중에 중량 비율 0.5 ∼ 40 ％ 의 범위에서 분자 내에 아미노기를 갖는 알콕시실란이 함유되어 있는 것이 바람직하다.
알콕시실란은, 모노머로 사용해도 되고 미리 가수분해와 탈수 축합을 실시하 여 적당히 올리고머화하여 사용해도 되지만, 통상 적당한 유기 용제에 용해, 희석시킨 도공액을 투명 도전층-1 상에 도공한다. 투명 도전층-1 상에 형성된 도공층은, 공기 중의 수분 등에 의해 가수분해가 진행되고, 계속해서 탈수 축합에 의해 가교가 진행한다.
일반적으로 가교 촉진에는 적당한 가열 처리가 필요하고, 도공 공정에 있어서 100 ℃ 이상의 온도에서 수 분간 이상의 열처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또한 경우에 따라서는, 상기 열처리와 병행하여 자외선 등의 활성 광선을 도공층에 조사함으로써 가교도를 보다 높일 수 있다.
유기 용제로는, 알코올계, 탄화수소계 용제, 예를 들어 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등이 바람직하다. 이 밖에, 자일렌, 톨루엔, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, 아세트산이소부틸 등의 극성 용매도 사용할 수 있다. 이들은 단독 혹은 2 종류 이상의 혼합 용제로서 사용할 수 있다.
또한 도공에는, 닥터 나이프, 바 코터, 그라비어 롤 코터, 커튼 코터, 나이프 코터, 스핀 코터 등의 공지된 도공 기계를 사용하는 방법, 스프레이법, 침지법 등이 사용된다.
알콕시실란 이외에 방사선 경화 수지 등과 미립자 A 를 조합하여 사용하여 투명 도전층-2 를 형성할 수도 있다. 그러나 방사선 경화 수지를 사용한 경우에는, 투명 도전층-2 의 두께가 얇기 때문에 방사선 경화 수지가 산소 저해에 의해 경화 부족이 되고, 방사선 경화 수지를 사용한 투명 도전성 적층체를 사용한 터치 패널에서는 슬라이딩 내구성이 열화되는 문제가 있다.
또한 알콕시실란 이외의 경화성 수지와 미립자 A 를 조합하여 사용할 수도 있다. 그러나 알콕시실란 이외의 경화성 수지를 사용한 경우에는, 투명 도전층-1 과의 밀착성을 확보하는 것이 곤란하기 때문에, 알콕시실란 이외의 경화성 수지를 사용한 투명 도전성 적층체를 사용한 터치 패널에서는 슬라이딩 내구성이 열화되는 문제가 있다.
또한 가소성 수지와 미립자 A 를 조합하여 사용할 수도 있다. 그러나 가소성 수지를 사용한 경우에는, 가소성 수지의 내약품이 부족하기 때문에 터치 패널 작성시에 문제가 있다.
미립자 A
본 발명에 있어서의 투명 도전층-2 에는, 알콕시실란과, 적어도 1 종류의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 도전성 금속 산화물 또는 금속 미립자로 이루어지는 미립자 A 가 성분으로서 필요하다.
미립자 A 가 금속 산화물인 경우, 예를 들어 산화인듐, 이산화주석, 산화아연, 산화카드뮴, 인듐산화카드뮴 (Cd/In2O4), 산화주석카드뮴 (Cd2SnO4), 산화주석아연 (Zn2SnO4), 산화인듐 등을 들 수 있다. 이들 중 산화인듐 및/또는 산화주석의 금속 산화물이 특히 바람직하다.
특히 산화인듐 및/또는 산화주석의 금속 산화물 미립자를 투명 도전층-2 중에 함유되는 미립자 A 로서 사용하는 경우에는, 다른 금속 산화물 미립자와 비교하 여 환경 신뢰성이 우수하다. 그 중에서도 결정질의 ITO 미립자가 특히 우수하다. 또한 ITO 미립자 중의 산화주석 함유량이 2 wt％ 이상 20 wt％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 wt％ 이상 15 wt％ 이하이다.
미립자 A 가 금속 미립자인 경우, 금속 미립자 및 합금 미립자의 적어도 어느 하나의 금속계 입자이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
금속 미립자를 구성하는 금속은 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 금속 자체여도 되고, 금속 칼코게나이드, 금속 할로겐 화합물 등이어도 된다. 상기 금속으로는, Ti, Fe, Co, Ni, Zr, Mo, Ru, Rh, Ag, Cd, Sn, Ir, Pt, Au, Pb, Bi, 이들의 합금 등을 들 수 있다.
상기 합금으로는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 상기 금속으로서 예시한 것과, Sc, Y, Ti, Zr, V, Nb, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, 란타노이드 계열의 원소 및 악티노이드 계열의 원소에서 선택한 것의 합금 등을 들 수 있다.
상기 미립자 A 의 평균 1 차 입자경은 100 ㎚ 이하인 것이 필요하고, 바람직하게는 75 ㎚ 이하, 나아가서는 50 ㎚ 인 것이 바람직하다. 미립자 A 의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 보다 큰 경우에는, 형성한 투명 도전층이 백화되어 투명 터치 패널의 투명성이 저해되는 문제가 있다.
미립자 B
투명 터치 패널에 있어서 대향하여 배치된 투명 도전층의 양 층의 표면이 실 질적으로 평탄한 경우, 대향하여 배치된 양 투명 도전층 표면끼리 접촉하였을 때에, 양 투명 도전층 표면끼리 들러붙는 현상에 의해, 투명 도전층이 열화되어 투명 터치 패널이 오동작되는 문제가 있다. 이 양 투명 도전층 표면끼리 들러붙는 현상을 방지하기 위해서, 투명 도전층-2 중에 미립자 B 를 함유시킬 수 있다.
또한 투명 도전층의 표면이 실질적으로 평탄하지 않아도, 투명 도전층 표면의 미끄럼성을 개선하는 것을 목적으로 하여 투명 도전층-2 중에 미립자 B 를 함유시킬 수도 있다.
미립자 B 의 평균 1 차 입자경은, 투명 도전층-2 의 두께를 기준으로 하여 그 1.2 배 이상인 것이 바람직하다. 미립자 B 의 평균 1 차 입자경이 투명 도전층-2 두께의 1.2 배 미만인 경우, 투명 도전층-2 의 표면을 조면화하기 곤란해지고, 투명 터치 패널을 구성하는 양 투명 도전층 표면끼리 들러붙는 현상을 방지하기 곤란해진다.
미립자 B 의 평균 1 차 입자경에 특별히 상한을 형성하지 않지만, 투명 도전층-2 의 두께를 기준으로 하여 1.5 배 이하인 것이 바람직하다. 미립자 B 의 평균 1 차 입자경이 투명 도전층-2 의 두께를 기준으로 하여 1.5 배를 초과하는 경우 미립자 B 가 투명 도전층-2 로부터 탈락되기 쉬워지기 때문에, 터치 패널에 요구되는 슬라이딩 내구성 등의 신뢰성을 확보하기 곤란해진다. 또한 미립자 B 의 평균 1 차 입자경이 투명 도전층-2 를 기준으로 하여 1.5 배를 초과하는 경우, 터치 패널과 표시체를 조합한 경우의 외관 (플리커 발생에 의함) 을 저해하는 경우도 있어 바람직하지 않다.
투명 도전층-2 중의 미립자 B 의 함유량으로는, 투명 도전층-2 를 형성하는 알콕시실란 성분과 미립자 A 의 합계를 100 중량부로 한 경우, 2.5 중량부 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1.5 중량부 이하이다. 미립자 B 의 함유량을 2.5 중량부 이하로 함으로써, 투명 터치 패널에 있어서, 대향하여 배치되어 있는 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의한 투명 터치 패널의 오동작 억제 효과를 저해하지 않고, 더욱 백탁이 없는 양호한 투명 도전층을 형성할 수 있다. 미립자 B 를 과잉으로 투명 도전층 중에 함유시킨 경우, 미립자 B 가 투명 도전층으로부터 탈락되기 쉬워지는 경우 또는 투명 도전층-1 과의 밀착성이 저하되어 투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성의 신뢰성을 저해하는 경우가 있다.
미립자 B 는, 평균 1 차 입자경이 상기 범위의 미립자이면, 특별히 그 성분에 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어 무기 화합물, 유기 화합물, 금속 산화물, 금속 미립자 등을 들 수 있다.
미립자 B 는 도전성 금속 산화물 또는 금속 미립자인 것이 바람직하고, 투명 터치 패널을 구성하는 대향하여 배치된 양 투명 도전층 표면끼리 들러붙는 현상의 방지뿐만 아니라, 양 투명 도전층 표면이 접촉하였을 때의 접촉 저항 열화도 방지할 수 있다. 이 경우, 미립자 B 의 평균 1 차 입자경은, 상기 투명 도전층-2 의 도전성을 양호하게 하기 위해서 배합한 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 미립자 A 의 평균 1 차 입자경보다 명확하게 클 필요가 있다.
미립자 B 가 도전성 금속 산화물인 경우, 예를 들어 산화규소, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 금속 산화물의 미립자를 들 수 있다. 이들 중 산화인듐 및/또는 산화주석의 금속 산화물 미립자가 특히 바람직하다.
또한 미립자 B 가 금속 미립자인 경우, 예를 들어 Ti, Fe, Co, Ni, Zr, Mo, Ru, Rh, Ag, Cd, Sn, Ir, Pt, Au, Pb, Bi, 이들의 합금 등이 바람직하다.
금속 산화물층
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 고분자 필름과 투명 도전층-1 사이에 두께가 0.5 ㎚ 이상 5.0 ㎚ 미만인 금속 산화물층을 또한 갖고 있어도 된다.
고분자 필름, 두께가 제어된 금속 산화물층, 투명 도전층-1 을 순차로 적층함으로써 각 층간 밀착성이 대폭 개선된다. 이와 같은 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널은, 금속 산화물층이 없는 경우와 비교하여, 최근 투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성이 더욱 향상된다. 금속 산화물층의 두께가 5.0 ㎚ 이상에서는, 금속 산화물층이 연속체로서의 기계 물성을 나타내기 시작함으로써, 투명 터치 패널에 요구되는 단부 누름 내구성의 향상은 기대할 수 없다. 한편, 0.5 ㎚ 미만의 두께에서는 두께의 제어가 곤란함과 더불어, 고분자 필름과 투명 도전층-1 의 밀착성을 충분히 발현시키기 곤란해져, 투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성의 향상은 불충분해지는 경우가 있다.
금속 산화물층을 구성하는 성분으로는, 예를 들어 산화규소, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 금속 산화물의 층을 들 수 있다.
이들 금속 산화물층은 공지된 수법으로 형성할 수 있고, 예를 들어 DC 마그 네트론 스퍼터링법, RF 마그네트론 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 펄스 레이저 디포지션법 등의 물리적 형성법 (Physical Vapor Deposition, 이하 PVD) 등을 사용할 수 있지만, 대면적에 대하여 균일한 두께의 금속 산화물층을 형성한다는 공업 생산성에 주목하면, DC 마그네트론 스퍼터링법이 바람직하다. 또한, 상기 물리적 형성법 (PVD) 외에, Chemical Vapor Deposition (이하 CVD), 졸 겔법 등의 화학적 형성법을 사용할 수도 있지만, 두께 제어의 관점에서는 역시 스퍼터링법이 바람직하다.
스퍼터링에 사용하는 타겟은 금속 타겟을 사용하는 것이 바람직하고, 반응성 스퍼터링법을 사용하는 것이 널리 채용되고 있다. 이것은, 금속 산화물층으로서 사용하는 원소의 산화물이 절연체인 경우가 많고, 금속 화합물 타겟의 경우 DC 마그네트론 스퍼터링법을 적용할 수 없는 경우가 많기 때문이다. 또한 최근에는, 2 개의 캐소드를 동시에 방전시키고, 타겟에 대한 절연체의 형성을 억제하는 전원이 개발되어, 의사적인 RF 마그네트론 스퍼터링법을 적용할 수 있게 되었다.
본 발명에서는, 금속 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 상기 금속 산화물층을 형성하는 경우에는, 그 금속 산화물층을 형성하는 진공조 중의 압력 (배압) 을 일단 1.3 × 10-4 ㎩ 이하로 하고, 이어서 불활성 가스 및 산소를 도입하는 제조 방법에 의해 형성할 수 있다. 금속 산화물층을 형성하는 진공조 중의 압력을 일단 1.3 × 10-4 ㎩ 이하로 하는 것이, 진공조 중에 잔류하고 또한 금속 산화물층의 형성 과정에 영향을 줄 것이 염려되는 분자종의 영향을 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는 5 × 10-5 ㎩ 이하, 더욱 바람직하게는 2 × 10-5 ㎩ 이하이다.
이어서 도입되는 불활성 가스로는 예를 들어 He, Ne, Ar, Kr, Xe 을 사용할 수 있고, 원자량이 큰 불활성 가스일수록 형성되는 금속 산화물층에 대한 데미지가 적고 표면 평탄성이 향상된다고 알려져 있다. 그러나, 비용면을 생각하면 Ar 이 바람직하다. 이 불활성 가스에는 층 중에 삽입되는 산소 농도를 조정하기 위해서, 분압으로 환산하여 1.3 × 10-3 ∼ 7 × 10-2 ㎩ 대의 산소를 첨가해도 상관없다. 또한, 산소 외에 O3, N2, N2O, H2O, NH3 등을 목적에 따라 사용할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 금속 산화물층을 형성하는 진공조 중의 물 분압을 1.3 × 10-4 ㎩ 이하로 하고, 이어서 불활성 가스 및 산소를 도입하는 제조 방법에 의해 형성할 수 있다. 물 분압은, 보다 바람직하게는 4 × 10-5 ㎩ 이하, 더욱 바람직하게는 2 × 10-5 ㎩ 이하로 제어할 수 있다. 금속 산화물층 중에 수소를 삽입시킴으로써 금속 산화물층 내부의 응력을 완화시키는 것을 목적으로 하여, 물을 의도적으로 1.3 × 10-4 ∼ 3 × 10-2 ㎩ 의 범위에서 도입해도 상관없다. 이 조정은, 일단 진공을 형성한 후에, 베리어블 리크 밸브나 매스 플로우 컨트롤러를 사용하여 물을 도입함으로써 실시해도 된다. 또한, 진공조의 배압을 제어함으로 써도 실시할 수 있다.
본 발명에 있어서의 물 분압을 결정할 때에는, 차동 배기형 인프로세스 모니터를 사용해도 된다. 또는 다이나믹 레인지가 넓고, 0.1 ㎩ 대의 압력하에서도 계측이 가능한 4중 극 질량 분석계를 사용해도 된다. 또한, 일반적으로 1.3 × 10-5 ㎩ 정도의 진공도에 있어서는, 그 압력을 형성하고 있는 것은 물이다. 따라서, 진공계에 의해 계측된 값을 그대로 물 분압이라고 생각해도 상관없다.
본 발명에 있어서는, 기판으로서 고분자 필름을 사용하기 때문에, 금속 산화물층을 형성시킬 때의 기판 온도를 고분자 필름의 연화점 온도보다 상승시킬 수는 없다. 따라서 금속 산화물층을 형성하기 위해서는, 기판 온도는 실온 이하 정도부터 연화점 온도 이하로 할 필요가 있다.
대표적인 고분자 필름인 폴리에틸렌테레프탈레이트의 경우, 특별한 처리를 실시하지 않을 때에는 기판 온도를 80 ℃ 이하의 온도로 유지한 채로 금속 산화물층을 형성하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 50 ℃ 이하의 기판 온도이고, 더욱 바람직하게는 20 ℃ 이하이다. 또한, 고분자 필름 기판 상이어도, 그 고분자 필름 기판으로부터의 아웃 가스의 제어라는 관점에서 80 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 50 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 20 ℃ 이하로 설정한 기판 온도에서 형성하는 것이 바람직하다.
경화 수지층
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 고분자 필름과 투명 도전층-1 사이에, 혹 은 고분자 필름과 상기 금속 산화물층 사이에, 경화 수지층을 형성할 필요가 있다.
경화 수지층에 사용되는 경화 수지로는, 전리 방사선 경화성 수지나 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
전리 방사선 경화성 수지를 부여하는 모노머로는, 예를 들어 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 변성 스티렌아크릴레이트, 멜라민아크릴레이트, 실리콘 함유 아크릴레이트 등의 단관능 및 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다.
구체적인 모노머로는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 아크릴레이트, 이소시아누르산알킬렌옥사이드 변성 아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜트리아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 에폭시 변성 아크릴레이트, 우레탄 변성 아크릴레이트, 에폭시 변성 아크릴레이트 등의 다관능 모노머를 들 수 있다. 이들을 단독으로 사용해도 되고, 여러 종류를 혼합하여 사용해도 되고, 또한 경우에 따라서는 각종 알콕시실란의 가수분해물을 적당량 첨가해도 된다. 또한, 전리 방사선에 의해 수지층의 중합을 실시하는 경우에는 공지된 광중합 개시제가 적당량 첨가된다. 또한 필요에 따라 광증감제를 적당량 첨가해도 된다.
광중합 개시제로는, 아세토페논, 벤조페논, 벤조인, 벤조일벤조에이트, 티옥산톤류 등을 들 수 있고, 광증감제로는, 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀 등을 들 수 있다.
열경화성 수지로는, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 실란 화합물을 모노머로 한 오르가노실란계 열경화성 수지나 에테르화메틸올멜라민 등을 모노머로 한 멜라민계 열경화성 수지, 이소시아네이트계 열경화성 수지, 페놀계 열경화성 수지, 에폭시계 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 이들 열경화성 수지를 단독 또는 복수 조합하여 사용할 수도 있다. 또한 필요에 따라 열가소성 수지를 혼합할 수도 있다. 또한, 열에 의해 수지층의 가교를 실시하는 경우에는 공지된 반응 촉진제, 경화제를 적당량 첨가할 수 있다.
반응 촉진제로는, 예를 들어 트리에틸렌디아민, 디부틸주석디라우레이트, 벤질메틸아민, 피리딘 등을 들 수 있다. 경화제로는, 예를 들어 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 4,4´-디아미노디페닐메탄, 4,4´-디아미노-3,3´-디에틸디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.
경화 수지층의 두께는 특별히 하한치를 형성하지 않지만 가요성, 내마찰성 면에서 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다.
경화 수지층과 투명 도전층-1 또는 경화 수지층과 금속 산화물층의 밀착성을 더욱 강화하기 위해서, 경화 수지층 중에, 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 산화규소 미립자를 함유시킬 수 있다. 또한, 규소 원자를 함유하는 유기 화합물과 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 산화규소 미립자를 병용하면, 그 산화규소 미립자의 금속 산화물 미립자가 표면에 편석된 경화 수지층으로 되기 때문에, 상기 밀착성의 개선 효과가 향상된다. 규소 원자를 함유하는 유기 화합물로는, 일반적 인 Si 원자를 함유하는 계면 활성제나 UV 경화 수지 성분이다. 이 때의 산화규소 미립자의 함유량은, 경화 수지 성분 100 중량부에 대하여 1 중량부 이상 400 중량부 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1 중량부 이상 200 중량부 이하, 보다 바람직하게는 5 중량부 이상 100 중량부 이하이다.
투명 터치 패널을 구성하는 대향하여 배치된 투명 도전층 표면이 모두 평탄한 경우, 제조한 투명 터치 패널의 가동 전극 기판 (상부 전극 기판) 으로부터의 반사광과 고정 전극 기판 (하부 전극 기판) 으로부터의 반사광의 간섭에 의한 뉴턴링이 관찰되는 경우가 있다.
이 반사광을 광학적으로 산란시킴으로써 뉴턴링을 방지하기 위해서, 투명 도전층의 표면에 요철을 형성하는 방법이 있다. 투명 도전층 표면에 요철을 형성하는 방법으로서 경화 수지층의 표면을 조면화할 수 있고, 경화 수지층을 조면화하는 방법으로는 하기의 4 가지 방법을 예시할 수 있다.
(1) 경화 수지층 중에 표면을 조면화하기 위한 미립자를 함유하지 않고, 2 종의 성분이 상분리되어 요철을 형성하고, 경화 수지층의 JIS B0601-1994 에 의한 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 미만, JIS B0601-1982 에 의한 십점 평균 거칠기 (Rz) 가 0.5 ㎛ 이상 2 ㎛ 미만의 범위로 하는 방법.
경화 수지층을 형성하는 성분이, 제 1 성분은 중합체이고, 제 2 성분은 모노머인 것이 바람직하다. 경화 수지층을 형성하는 제 1 성분과 제 2 성분의 SP 값의 차가 0.5 이상인 것이 바람직하다. 경화 수지층을 형성하는 제 1 성분은 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체이고, 제 2 성분은 다관능성 불포화 이중 결합 함유 모노머인 것이 바람직하다. 경화 수지층을 형성하는 성분이 실리콘아크릴 블록 공중합체와 아크릴 공중합체인 것이 바람직하다.
이 방법으로 조면화하였을 때의 본 발명의 투명 도전성 적층체는, JIS K7136 으로 정의되는 헤이즈가 1 ％ 이상 20 ％ 미만을 달성할 수 있다.
(2) 경화 수지층 중에 경화 수지 성분과 평균 1 차 입자경이 0.1 ㎛ 보다 큰 미립자 C 를 1 종류 또는 평균 1 차 입자경이 상이한 미립자 C 를 2 종류 이상 함유하고, 또한 적어도 1 종류의 미립자 C 의 평균 1 차 입자경이 경화 수지층 두께의 1.2 배 이상인 미립자 C 를 함유시킴으로써 경화 수지층을 조면화하는 방법.
이 때 경화 수지층에 함유되는 미립자 C 의 함유량은, 경화 수지 성분 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 이상 30 중량부 이하, 바람직하게는 1 중량부 이상 20 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 3 중량부 이상 15 중량부 이하이다. 미립자 C 의 함유량이 0.1 중량부보다 적은 경우에서는, 경화 수지층을 충분히 조면화할 수 없기 때문에 뉴턴링의 발현을 방지하는 효과가 없다. 또한 미립자 C 의 함유량이 30 중량부보다 많은 경우에는, 경화 수지층의 헤이즈가 극단적으로 커지기 때문에 투명성을 확보하기 곤란해져, 투명 터치 패널을 개재하여 투명 터치 패널 하에 설치되는 화면을 선명하게 보는 것이 곤란해진다.
(3) 경화 수지층 중에 경화 수지 성분과 1 종류 또는 2 종류 이상의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물 미립자로 이루어지는 미립자 D 를 함유시킴으로써 경화 수지층을 조면화하는 방법.
이 때 경화 수지층에 함유되는 미립자 D 의 함유량은, 경화 수지 성분 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 이상 100 중량부 이하, 바람직하게는 0.5 중량부 이상 50 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 1 중량부 이상 30 중량부 이하이다. 미립자 D 의 함유량이 0.1 중량부 이하에서는 경화 수지층을 충분히 조면화할 수 없기 때문에 뉴턴링의 발현을 방지하는 효과가 없다. 또한 미립자 D 의 함유량이 100 중량부보다 많은 경우에는, 경화 수지층의 헤이즈가 극단적으로 커지기 때문에 투명성을 확보하기 곤란해져, 투명 터치 패널을 개재하여 투명 터치 패널 하에 설치되는 화면을 선명하게 보는 것이 곤란해진다.
(4) 경화 수지층 중에 경화 수지 성분과, 평균 1 차 입자경이 0.1 ㎛ 보다 큰 미립자 C 를 1 종류 또는 2 종류 이상, 및 1 종류 또는 2 종류 이상의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물 미립자로 이루어지는 미립자 D 를 함유하고, 적어도 1 종류의 미립자 C 의 평균 1 차 입자경이 경화 수지층 두께의 1.2 배 이상으로 함으로써 경화 수지층을 조면화하는 방법.
이 때, 경화 수지층에 함유되는 미립자 C 의 함유량과 미립자 D 의 함유량은 앞서 기재한 함유량과 동일하다.
상기 (2) ∼ (4) 의 수법에 의해 경화 수지층의 표면을 조면화한 경우, JIS B0601-1982 로 정의되는 십점 평균 거칠기 (Rz) 는, 바람직하게는 100 ㎚ 이상 1500 ㎚ 미만이고, 보다 바람직하게는 200 ㎚ 이상 1300 ㎚ 미만이고, 더욱 바람직하게는 350 ㎚ 이상 1000 ㎚ 미만이다. 십점 평균 거칠기 (Rz) 가 100 ㎚ 미만인 경우에는, 투명 터치 패널의 가동 전극 기판과 고정 전극 기판 사이에 용이하게 뉴턴링이 발생하는 경우가 있고, 십점 평균 거칠기 (Rz) 가 1000 ㎚ 이상으로 된 경우에는, 헤이즈가 커지고 고정밀 디스플레이 상에 투명 터치 패널을 설치하면, 화소의 색 분리가 발생하여 플리커를 일으키는 등의 이유에서 바람직하지 않다. 또한, JIS B0601-1994 에 준거하여 정의되는 산술 평균 거칠기 (Ra) 는, 바람직하게는 30 ㎚ 이상 500 ㎚ 미만이고, 보다 바람직하게는 40 ㎚ 이상 400 ㎚ 미만이고, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만이다. 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 30 ㎚ 미만인 경우에는, 투명 터치 패널의 가동 전극 기판과 고정 전극 기판 사이에 용이하게 뉴턴링이 발생하는 경우가 있다. 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 500 ㎚ 이상으로 된 경우에는, 헤이즈가 커지고 고정밀 디스플레이 상에 투명 터치 패널을 설치하면, 화소의 색 분리가 발생하여 플리커를 일으키는 등의 이유에서 바람직하지 않다.
상기 (2) ∼ (4) 의 수법으로 조면화된 경화 수지층과 고분자 필름에 기초한 JIS K7105 로 정의되는 헤이즈는, 1 ％ 이상 10 ％ 미만이고, 바람직하게는 1 ％ 이상 8 ％ 미만이고, 더욱 바람직하게는 1 ％ 이상 6 ％ 미만이다. 헤이즈가 1 ％ 미만인 경우에는, 투명 터치 패널의 가동 전극 기판과 고정 전극 기판 사이에 용이하게 뉴턴링이 발생하는 경우가 있어 바람직하지 않다. 한편, 헤이즈가 10 ％ 이상인 경우에는 투명 터치 패널을 디스플레이 상에 설치하였을 때에 영상이나 문자 등의 정보가 흐릿해지기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 상기 (1) 의 경화 수지층 표면의 조면화 수법에 대해서는 이하에서 구체적으로 설명한다.
상기 (1) 의 조면화 수법에서는, 2 종의 성분이 상분리되어 형성된 요철을 갖는다. 경화 수지층은 요철을 부여하기 위한 미립자를 함유하지 않는다. 이 요철은, 제 1 성분 및 제 2 성분을 함유하는 조성물을 기재 상에 도포하면, 제 1 성분 및 제 2 성분의 물성의 차에 의해, 양자가 상분리되고 표면에 랜덤한 요철이 발생함으로써 형성된다. 경화 수지층은, 조성물을 기재 상에 도포하고 요철을 형성시킨 후, 경화함으로써 형성할 수 있다. 경화 수지층을 형성하는 2 종의 성분 중 제 1 성분은 중합체이고, 제 2 성분은 모노머인 것이 바람직하다.
상기 제 1 성분은 투명성이 우수한 경화성의 중합체가 바람직하고, 열경화성 중합체, 전리 방사선 경화성 중합체가 보다 바람직하다. 중합체는 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 국제 공개 제2005/073763호 팜플렛에 기재된 중합체를 들 수 있다. 제 1 성분으로서 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체 (이하, 공중합체 (1) 이라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하다. 공중합체 (1) 로는, 예를 들어 (메타)아크릴 모노머 등의 산기를 갖는 중합성 불포화 모노머를 중합 또는 공중합한 수지 또는 이 산기를 갖는 중합성 불포화 모노머를 중합 또는 공중합한 수지와 다른 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 모노머를 공중합한 수지에, 에틸렌성 불포화 이중 결합 및 에폭시기를 갖는 모노머를 반응시킨 공중합체, 이 산기를 갖는 중합성 불포화 모노머와 다른 에틸렌성 불포화 이중 결합 및 이소시아네이트기를 갖는 모노머를 반응시킨 공중합체 등을 들 수 있다.
불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체의 구체적인 조정 방법의 일례로서, 예를 들어 산기를 갖는 중합성 불포화 모노머와, 다른 중합성 불포화 모노머를 공중합하고, 이어서 얻어진 공중합체의 산기와 에폭시기 함유 에틸렌성 불포화 모노 머의 에폭시기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.
산기를 갖는 중합성 불포화 모노머로는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-(메타)-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈산 및 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산과 같은 모노카르복실산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산 및 이타콘산과 같은 디카르복실산, 무수 말레산 및 무수 이타콘산과 같은 산 무수물 및 말레산모노에틸, 푸마르산모노에틸 및 이타콘산모노에틸과 같은 디카르복실산의 모노에스테르, 또는 이들의
Figure 112009049683755-pct00001
-위치의 할로알킬, 알콕시, 할로겐, 니트로 혹은 시아노에 의해 치환된 치환 유도체, o-, m-, p-비닐벤조산 또는 이들의 알킬, 알콕시, 할로겐, 니트로, 시아노, 아미드 혹은 에스테르에 의해 치환된 치환 유도체 등을 들 수 있다. 이들은 1 종만을 사용해도 되고, 또한 2 종 이상을 병용해도 된다.
다른 중합체 불포화 모노머로서, 예를 들어 스티렌 또는 스티렌의
Figure 112009049683755-pct00002
-, o-, m-, p-알킬, 알콕시, 할로겐, 할로알킬, 니트로, 시아노, 아미드, 에스테르에 의해 치환된 치환 유도체, 부타디엔, 이소프렌, 네오프렌 등의 올레핀류, o-, m-, p-히드록시스티렌 또는 이들의 알킬, 알콕시, 할로겐, 할로알킬, 니트로, 시아노, 아미드, 에스테르 혹은 카르복시에 의해 치환된 치환 유도체, 비닐하이드로퀴논, 5-비닐피로가놀, 6-비닐피로갈롤, 1-비닐플로로글리시놀 등의 폴리히드록시비닐페놀류, 메타크릴산 또는 아크릴산의 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, sec-부틸, ter-부틸, 펜틸, 네오펜틸, 이소아밀헥실, 시클로헥실, 아다만틸, 알릴, 프로파길, 페닐, 나프틸, 안트라세닐, 안트라퀴노닐, 피페로닐, 살리실, 시클로헥실, 벤질, 페네틸, 크레실, 글리시딜, 이소보로닐, 트리페닐메틸, 디시클로펜타닐, 쿠밀, 3-(N,N-디메틸아미노)프로필, 3-(N,N-디메틸아미노)에틸, 푸릴 혹은 푸르푸릴에스테르, 메타크릴산 또는 아크릴산의 아닐리드 혹은 아미드, 또는 N,N-디메틸, N,N-디에틸, N,N-디프로필, N,N-디이소프로필 혹은 안트라닐아미드, 아크릴로니트릴, 아크롤레인, 메타크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, 불화비닐, 불화비닐리덴, N-비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 아세트산비닐, N-페닐말레인이미드, N-(4-히드록시페닐)말레인이미드, N-메타크릴로일프탈이미드, N-아크릴로일프탈이미드 등을 사용할 수 있다.
에폭시 함유 에틸렌성 불포화 모노머로서, 예를 들어 글리시딜(메타)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메타)아크릴레이트 및 3,4-에폭시시클로헥사닐(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 밸런스가 잡힌 경화성과 저장 안정성을 나타내는 조성물이라는 점에서, 글리시딜(메타)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체의 구체적인 조정 방법으로는, 예를 들어 에폭시기 함유 에틸렌성 불포화 모노머와, 다른 중합성 불포화 모노머를 공중합하고, 이어서 얻어진 공중합체의 에폭시기와, 산기를 갖는 중합성 불포화 모노머의 산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 제 1 성분으로서 사용되는 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량은 500 ∼ 100,000 인 것이 바람직하고, 1,000 ∼ 50,000 인 것이 보다 바람직하다. 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산에 의한 중량 평균 분자량을 의미한다. 또한, 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또한 2 종 이상을 병용해도 된다.
상기 제 2 성분은, 공중합체 (1) 과 혼합하였을 때에 상분리되는 모노머이면 된다. 모노머는 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 국제 공개 제2005/073763호 팜플렛에 기재된 모노머를 들 수 있다.
제 2 성분으로서, 다관능성 불포화 이중 결합 함유 모노머 (이하, 모노머 (2) 라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하다. 모노머 (2) 로서 다가 알코올과 (메타)아크릴레이트의 탈알코올 반응물을 들 수 있다. 구체적으로는, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이 밖에도, 폴리에틸렌글리콜 ＃200 디아크릴레이트 (쿄에이샤 화학 주식회사 제조) 등의, 폴리에틸렌글리콜 골격을 갖는 아크릴레이트 모노머를 사용할 수도 있다. 이들 다관능성 불포화 이중 결합 함유 모노머는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또한 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
경화 수지층을 형성하는 2 종의 성분 중 제 1 성분이 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체이고, 제 2 성분이 다관능성 불포화 이중 결합 함유 모노머인 것이 바람직하다.
경화 수지층을 형성하는 성분이 실리콘아크릴 블록 공중합체와 아크릴 공중 합체인 것이 바람직하다.
또한 제 1 성분 및 제 2 성분은, 각각의 성분의 용해도 파라미터값 (SP 값) 의 차가 있는 것이 바람직하고, 상기와 같이, 제 1 성분이 공중합체 (1) 이고, 제 2 성분이 모노머 (2) 인 경우, 제 1 성분의 SP 값 (SP1) 및 제 2 성분의 SP 값 (SP2) 이 SP1 ＜ SP2 를 만족시키는 것이 바람직하다. 제 1 성분 및 제 2 성분의 SP 값의 차가 0.5 이상인 것이 바람직하다.
특히, 제 1 성분이 공중합체 (1) 이고, 제 2 성분이 모노머 (2) 이면, 본 발명의 투명 도전성 적층체를 터치 패널에 사용한 경우, 플리커가 없고, 헤이즈가 낮고, 그 슬라이딩 내구성, 단부 누름 내구성이 비약적으로 향상되기 때문에 바람직하다.
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 그 경화 수지층의 JIS B0601-1994 에 의한 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 미만이다. 또한, 경화 수지층의 JIS B0601-1982 에 의한 십점 평균 거칠기 (Rz) 가 0.5 ㎛ 이상 2 ㎛ 미만이다.
Ra 및 Rz 가 이 범위이면, 투명 도전성 적층체를 터치 패널에 사용하였을 때에, 방현성, 안티 뉴턴링성, 지문 닦임성이 특히 양호해지고, 플리커의 저감도 현저하다. 상기 특성을 더욱 양호하게 하기 위해서, Ra 의 범위는 0.1 ㎛ 이상 0.4 ㎛ 미만이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 0.35 ㎛ 미만이 특히 바람직하다. 또한, Rz 의 범위는 0.7 ㎛ 이상 1.5 ㎛ 미만이 바람직하고, 0.7 ㎛ 이상 1.3 ㎛ 미만이 특히 바람직하다.
경화 수지층의 두께는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 두께가 10 ㎛ 를 초과하면 유연성이 부족하고, 터치 패널에 사용하였을 때의 슬라이딩 내구성, 단부 누름 내구성이 불량이 되는 경우가 있다. 상기 특성을 더욱 양호하게 하기 위해서, 경화 수지층의 두께는 8 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 6 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.
상기 경화 수지층은, 제 1 성분 및 제 2 성분을 함유하는 도공액을 고분자 필름에 도공하고, 필요에 따라 건조시킨 후에, 전리 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 도공액은 유기 용제를 함유하는 것이 바람직하다.
도공 방법으로는, 닥터 나이프, 바 코터, 그라비어 롤 코터, 커튼 코터, 나이프 코터, 스핀 코터 등의 공지된 도공 기계를 사용하는 방법, 스프레이법, 침지법 등을 들 수 있다.
또한, 고분자 필름의 양면에 경화 수지층을 형성하는 경우, 그 경화 수지층은 동일한 조성이어도 되고, 서로 상이한 것이어도 된다.
또한, 상기 (1) 의 조면화 수법을 채택하지 않는 경우의 경화 수지층의 형성 방법으로는, 닥터 나이프, 바 코터, 그라비어 롤 코터, 커튼 코터, 나이프 코터, 스핀 코터 등의 공지된 도공 기계를 사용하는 방법, 스프레이법, 침지법 등이 사용된다. 실제의 도공법으로는, 상기 경화성 수지 성분을 각종 유기 용제에 용해시키고, 농도나 점도를 조절한 도공액을 사용하여, 투명 유기 고분자 기판 상에 도공 후, 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 층을 형성하는 방법을 들 수 있다.
유기 용제로는, 알코올계, 탄화수소계 용제, 예를 들어 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등이 바람직하다. 특히, 자일렌, 톨루엔, 케톤류, 예를 들어 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이 밖에, 시클로헥사논, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸 등의 극성 용매도 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나, 혹은 2 종류 이상의 혼합 용제로 하여 사용할 수 있다.
경화 수지층의 열이나 광 열화를 방지하기 위해서, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 노화 방지제 등을 첨가할 수도 있다.
경화 수지층의 두께나 굴절률을 조정함으로써, 투명 도전성 적층체의 광학 특성 (투과율이나 색조) 을 조정할 수도 있다. 그 때의 경화 수지층의 두께는 0.05 ㎛ 이상, 0.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상, 0.3 ㎛ 이하이다. 경화 수지층의 굴절률을 조정하기 위해서 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물의 미립자 D 또는/및 불소계 수지를 단독 또는 복수 조합하여 경화 수지층 중에 첨가해도 된다. 이 때의 경화 수지층의 굴절률은 고분자 필름의 굴절률보다 작고, 또한 굴절률이 1.20 이상 1.55 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1.20 이상 1.45 이하이다.
경화 수지층은 필요에 따라 재질이나 경도가 상이한 2 종류 이상의 경화 수지층을 적층할 수도 있다. 예를 들어 (A) 고분자 필름 상에 두께가 2.0 ㎛ 인 미립자 C 와 미립자 D 를 함유하는 요철을 갖는 경화 수지층을 적층한 후, 그 경화 수지층 상에 굴절률이 1.4, 두께가 0.1 ㎛ 인 저굴절 경화 수지층을 적층하고, (B) 고분자 필름 상에 두께가 10 ㎛ 인 고무 형상 라텍스를 혼합한 경화 수지층을 적층 한 후, 고무 형상 라텍스층 상에 두께가 2 ㎛ 인 2 ∼ 4 관능의 자외선 경화 수지로 구성된 자외선 경화 수지층을 적층하는 것과 같은 경화 수지층을 적층할 수 있다.
미립자 C
경화 수지층에 함유시키는 미립자 C 의 평균 1 차 입자경은 0.1 ㎛ 보다 크고, 미립자 C 로는 구체적으로는, 예를 들어 실리카 미립자 등의 무기 미립자, 가교 아크릴 미립자, 가교 폴리스티렌 등의 유기 미립자를 들 수 있다.
미립자 D
미립자 D 의 평균 1 차 입자경은 100 ㎚ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 75 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 이하이다. 미립자 D 의 1 차 입자경을 100 ㎚ 이하로 제어하면, 도공층이 백화되는 경우가 없다.
그 미립자 D 로는, 예를 들어 Bi2O3, CeO2, In2O3, (In2O3·SnO2), HfO2, La2O3, MgF2, Sb2O5, (Sb2O5·SnO2), SiO2, SnO2, TiO2, Y2O3, ZnO, ZrO2 등의 금속 산화물 또는 금속 불화물의 초미립자가 예시된다.
광학 간섭층
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 고분자 필름 또는 경화 수지층과 투명 도전층-1 또는 금속 산화물층 사이에 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지고, 저굴절률층이 금속 산화물층 또는 투명 도전층-1 과 접하는 광학 간섭층을 가질 수 있다.
상기와 같이, 광학 간섭층은 적어도 1 층의 고굴절률층과 적어도 1 층의 저 굴절률층으로 구성된다. 고굴절률층과 저굴절률층의 조합 단위를 2 개 이상으로 할 수도 있다. 광학 간섭층이 1 층의 고굴절률층과 1 층의 저굴절률층으로 구성되는 경우, 광학 간섭층의 두께는 30 ㎚ ∼ 300 ㎚ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 이다. 광학 간섭층은, 상기 층간 밀착성 및 투명 도전성 적층체의 광학 특성, 특히 투과율과 색조를 개량한다.
고굴절률층은, 예를 들어 금속 알콕시드를 가수분해 그리고 축합 중합하여 형성된 층, 또는 금속 알콕시드를 가수분해 그리고 축합 중합하여 이루어지는 성분 또는/및 열경화성 수지 성분 또는/및 전리 방사선 경화성 수지 성분 중 적어도 1 종류와 적어도 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물로 이루어지는 미립자 D 로 이루어지는 층이다.
금속 알콕시드로는, 예를 들어 티타늄알콕시드, 지르코늄알콕시드, 알콕시실란을 들 수 있다.
티타늄알콕시드로는, 예를 들어 티타늄테트라이소프로폭시드, 테트라-n-프로필오르토티타네이트, 티타늄테트라-n-부톡시드, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티타네이트 등을 들 수 있다.
지르코늄알콕시드로는, 예를 들어 지르코늄테트라이소프로폭시드, 지르코늄테트라-n-부톡시드 등을 들 수 있다.
알콕시실란으로는, 상기 투명 도전층-2 의 기재에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
고굴절률층 중에는, 상기 기재된 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물의 미립자 D 를 단독 또는 2 종류 이상 적당량 첨가할 수 있다. 미립자 D 를 첨가함으로써 고굴절률층의 굴절률을 조정할 수 있다.
고굴절률층 중에 미립자 D 를 첨가하는 경우, 미립자 D 와 금속 알콕시드 또는/및 열경화성 수지 또는/및 전리 방사선 경화성 수지의 중량 비율은, 0：100 ∼ 66.6：33.3 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0：100 ∼ 60：40 이다. 미립자 D 와 금속 알콕시드 또는/및 열경화성 수지 또는/및 전리 방사선 경화성 수지의 중량 비율이 66.6：33.3 을 초과하는 경우에는 광학 간섭층에 필요한 강도나 밀착성이 부족한 경우가 있어 바람직하지 않다.
고굴절률층의 두께는, 바람직하게는 15 ∼ 250 ㎚, 보다 바람직하게는 30 ∼ 150 ㎚ 이다. 또한 고굴절률층의 굴절률은, 후술하는 저굴절률층 및 경화 수지층의 굴절률보다 크고, 그 차가 0.2 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 광학 간섭층을 구성하는 저굴절률층은, 상기 투명 도전층-2 에 사용하는 알콕시실란으로서 예시한 수지 알콕시실란이나 경화 수지층의 기재에 있어서 예시한 전리 방사선 경화형 수지나 열경화 수지를 사용하여 형성할 수 있다.
투명 도전층-1 또는 금속 산화물층의 밀착성을 강화하는 것이나 굴절률을 조정하는 것을 목적으로 하여 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물로 이루어지는 미립자 D 를 단독 또는 2 종류 이상 적당량 첨가하여 사용할 수 있다. 이 때에 사용하는 미립자 D 로는 굴절률이 낮은, SiO2 나 MgF2 등이 적절하다. 저굴절률층의 두께는, 바람직하게는 15 ∼ 250 ㎚, 보다 바람직하게는 30 ∼ 150 ㎚ 이다.
하드 코트층
본 발명의 투명 도전성 적층체를 가동 전극 기판으로서 사용한 경우에는, 터치 패널에 사용할 때에 외력이 가해지는 면, 즉 투명 도전층과는 반대측의 고분자 필름면에는 하드 코트층을 형성하는 것이 바람직하다. 하드 코트층을 형성하기 위한 재료로는, 예를 들어 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 오르가노실란계 열경화성 수지, 에테르화메틸올멜라민 등의 멜라민계 열경화성 수지, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트계 자외선 경화성 수지 등을 들 수 있다. 또한 필요에 따라, 이것들에 SiO2 나 MgF2 등의 미립자 등을 혼합한 것을 사용할 수 있다. 그 때 미립자는 하드 코트층 내에 균일하게 분산되어 있다. 또한 하드 코트층의 두께는, 가요성, 내마찰성 면에서 2 ∼ 5 ㎛ 가 바람직하다.
하드 코트층은 도공법에 의해 형성할 수 있다. 실제의 도공법으로는, 상기 화합물을 각종 유기 용제에 용해시키고, 농도나 점도를 조절한 도공액을 사용하여, 투명 유기 고분자 필름 상에 도공 후, 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 층을 경화시킨다. 도공 방식으로는, 예를 들어 마이크로 그라비어 코트법, 마이어 바 코트법, 다이렉트 그라비어 코트법, 리버스 롤 코트법, 커튼 코트법, 스프레이 코트법, 콤마 코트법, 다이 코트법, 나이프 코트법, 스핀 코트법 등의 각종 도 공 방법이 사용된다.
또한, 하드 코트층은 고분자 필름 상에 직접, 혹은 적절한 앵커층을 개재하여 적층된다. 앵커층으로는 예를 들어 그 하드 코트층과 고분자 필름의 밀착성을 향상시키는 기능을 갖는 층이나, K 값이 부 (負) 의 값이 되는 삼차원 굴절률 특성을 갖는 층 등의 각종 위상 보상층, 수분이나 공기의 투과를 방지하는 기능 혹은 수분이나 공기를 흡수하는 기능을 갖는 층, 자외선이나 적외선을 흡수하는 기능을 갖는 층 혹은 필름의 대전성을 저하시키는 기능을 갖는 층 등을 바람직하게 들 수 있다.
터치 패널
투명 도전층끼리 마주보도록 배치되어 구성된 터치 패널에 있어서, 적어도 투명 전극 기판으로서 본 발명의 투명 도전성 적층체를 사용함으로써 필기 내구성이 향상된, 특히 단부 영역에서의 필기 내구성 (슬라이딩 내구성·단부 누름 내구성) 이 향상된 투명 터치 패널을 얻을 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
또한, 본 실시예에 있어서의 각종 측정·평가는 이하의 방법을 사용하였다.
리니어리티 측정 방법
가동 전극 기판 상 또는 고정 전극 기판 상의 평행 전극 사이에 직류 전압 5 V 를 인가한다. 평행 전극과 수직인 방향으로 5 ㎜ 간격으로 전압을 측정하였 다. 측정 개시 위치 A 의 전압을 EA, 측정 종료 위치 B 의 전압을 EB, A 로부터의 거리 X 에 있어서의 전압 실측값 EX, 이론값을 ET, 리니어리티를 L 로 하고, 하기 식에 의해 구하였다.
ET = (EB - EA) × X/(B - A) + EA
L (％) = (｜ET - EX｜)/(EB - EA) × 100
단부 누름 내구성 시험 방법
제조한 투명 터치 패널의 가동 전극 기판 주위의 절연층으로부터 2.0 ㎜ 및 1.5 ㎜ 의 위치를 절연층과 평행하게 선단이 0.8 R 인 폴리아세탈제 펜을 사용하여 450 g 하중으로 직선 10 만 회 왕복의 필기 내구성 시험을 실시하였다. 단부 누름 내구성 시험 전후의 리니어리티 변화량이 1.5 ％ 이상으로 된 것을 NG 로 평가하였다.
헤이즈·전체 광선 투과율의 측정
닛폰 덴쇼쿠 공업 주식회사 제조 헤이즈 미터 NDH200 을 사용하여 측정하였다. 전체 광선 투과율은 JIS K7316-1 에 준하여 측정하였다.
환경 신뢰성 평가 (고온 고습 신뢰성)
투명 도전성 적층체의 투명 도전층면의 표면 저항값 R1 을 실온에서 측정하였다. 이어서 투명 도전성 적층체를 60 ℃ 90 ％ RH 의 환경하에서 240 hr 방치한 후 실내로 꺼내어 실온에서 투명 도전층면의 표면 저항값 R2 를 측정하였다. 얻어진 R2, R1 의 값으로부터 표면 저항값 변화율 (R2/R1) 을 구하였다. 표면 저항값 변화율이 0.8 내지 1.2 의 범위 내이면, 고온 고습 신뢰성이 양호한 것으로 평가하였다.
환경 신뢰성 평가 (고온 신뢰성)
투명 도전성 적층체의 투명 도전층면의 표면 저항값 R1 을 실온에서 측정하였다. 이어서 투명 도전성 적층체를 80 ℃ Dry (절건 (絶乾)) 의 환경하에서 240 hr 방치한 후 실내로 꺼내어 실온에서 투명 도전층면의 표면 저항값 R2 를 측정하였다. 얻어진 R2, R1 의 값으로부터 표면 저항값 변화율 (R2/R1) 을 구하였다. 표면 저항값 변화율이 0.8 내지 1.2 의 범위 내이면, 고온 신뢰성이 양호한 것으로 평가하였다.
미립자의 평균 1 차 입자경
미립자의 평균 1 차 입자경은, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 측정하였다.
SP (용해도 파라미터)
“Properties of Polymers”(Elsevier, Amsterdam (1976)) 에 기재된 Van Klevin 의 방법에 따라 산출하였다.
Ra (산술 평균 거칠기)
Sloan 사 제조 촉침 단차계 DEKTAK3 을 사용하여 측정하였다. 측정은 JIS B0601-1994년판에 준거하여 실시하였다.
Rz (십점 평균 거칠기)
(주) 고사카 연구소 제조 Surfcorder SE-3400 을 사용하여 측정하였다. 측정은 JIS B0601-1982년판에 준거하여 실시하였다.
접촉각
평판 형상의 시료편을 수평으로 두고 경화 수지층의 면을 위로 하여, JIS R3257 의 정적법에 따라 용량 1 ㎖ 의 주사기에 의해 물을 1 방울 적하하고, 시료편 상에 1 ㎕ 이상 4 ㎕ 이하의 물방울을 정치하였다. 이어서 각도 측정기가 부착된 현미경에 의해 1 분간 정치 후의 물 접촉각 θ 을 판독하였다.
두께
케이 엘 케이·텐코사 제조, 촉침식 막두께 측정기 알파 스텍을 사용하여 측정하였다.
방현성
작성한 투명 도전성 적층체의 투명 도전층이 형성된 면과 반대면의 경화 수지층 표면에 형광등을 비춘다. 그 때, 경화 수지층 표면에 비추어진 형광등 단부가 어떻게 보이는지에 따라 방현성을 평가하였다. 평가는 양호 (○), 약간 양호 (△), 불량 (×) 으로 나타냈다.
안티 뉴턴링성
3 파장 형광등 하에서, 터치 패널의 표면 (수직 방향 0 도) 에 대하여 기울기 60 도의 방향에서, 가동 전극 기판과 고정 전극 기판을 접촉시킨 영역에서의 뉴턴링의 유무를 육안으로 관찰하였다. 뉴턴링을 관측할 수 없는 것을 양호 (○), 희미하게 관측할 수 있는 것을 약간 양호 (△), 명확하게 관측할 수 있는 것을 불량 (×) 으로 하였다.
플리커성
약 123 dpi (대각 10.4 인치, XGA (1024 × 768 도트)) 의 액정 디스플레이 상에 터치 패널을 설치하고 플리커의 유무를 육안으로 확인하였다. 플리커를 확인할 수 없는 것을 양호 (○), 희미하게 확인할 수 있는 것을 약간 양호 (△), 명확하게 확인할 수 있는 것을 불량 (×) 으로 하였다.
슬라이딩 내구성
작성한 터치 패널의 중앙부를 선단이 0.8 R 인 폴리아세탈제 펜을 사용하여 450 g 하중으로 직선 왕복 10 만 회씩 최대 30 만회까지 슬라이딩을 실시하고, 슬라이딩 내구성 시험 전후의 터치 패널의 리니어리티 변화량을 측정하였다. 리니어리티 변화량이 1.5 ％ 미만을 양호 (OK), 리니어리티 변화량이 1.5 ％ 이상을 불량 (NG) 으로 하였다. 전기 특성이 NG 가 된 슬라이딩 횟수를 측정하였다.
단부 누름 내구성 B
제조한 터치 패널의 절연층으로부터 약 2.0 ㎜ 의 위치를 절연층과 평행하게 가동 전극측으로부터 선단이 0.8 R 인 폴리아세탈제 펜을 사용하여 450 g 하중으로 직선 왕복 1 만 회씩 10 만 회까지 슬라이딩을 실시하고, 단부 누름 내구성 시험 전후의 터치 패널의 리니어리티 변화량을 측정하였다. 리니어리티 변화량이 1.5 ％ 미만을 양호 (OK), 리니어리티 변화량이 1.5 ％ 이상으로 된 경우를 불량 (NG) 으로 하였다. 전기 특성이 NG 가 된 슬라이딩 횟수를 측정하였다.
지문 닦임성
측정 샘플의 경화 수지층 표면이 위가 되도록 흑색판 상에 두고, 지문을 샘플 표면에 가압하고, 시판되는 화장지를 사용하여 닦고, 그 후, 샘플 표면에 잔존하는 지문의 정도를 육안으로 확인하였다.
지문이 관측되지 않는 것을 양호 (○), 희미하게 관측되는 것을 약간 양호 (△), 명확하게 관측되는 것을 불량 (×) 으로 하였다.
표면 장력
빅케미사 제조 다이노미터를 사용하여 윤환법 (듀누이법) 으로 측정하였다.
참고예 1 (도공액 A 의 제조)
4 관능 아크릴레이트 「아로닉스」M400 (토아 합성 주식회사 제조) 100 중량부, 「이르가큐어」184 (치바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 5 중량부, 우베 닛토 화성 주식회사 제조 (「하이프레시카」3.0 ㎛ 품 그레이드 N3N) 0.7 중량부를 이소프로필알코올과 1-메톡시-2-프로판올의 1：1 혼합 용매에 용해한 후, 평균 1 차 입자경이 30 ㎚ 인 MgF2 초미립자 (CI 화성 주식회사 제조 20 중량％ 에틸알코올·n-부틸알코올 혼합 용매 분산액) 를 경화 수지 성분 100 중량부에 대하여 고형분으로서 5 중량부가 되도록 혼합하여 도공액 A 를 제조하였다.
참고예 2 (도공액 B 의 제조)
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조 KBM-403) 과 메틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조 KBM-13) 을 1：1 의 몰비로 혼합하고, 아세트산 수용액 (pH = 3.0) 에 의해 공지된 방법으로 상기 알콕 시실란의 가수분해를 실시하여 알콕시실란 가수분해물 1 을 얻었다. 알콕시실란 가수분해물 1 의 고형분 20 중량부에 대하여, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조 KBM-603) 을 고형분 1 중량부의 비율로 첨가하고, 또한 이소프로필알코올과 n-부탄올의 혼합 용액으로 희석을 실시하였다. 이 혼합액에 평균 1 차 입자경이 20 ㎚ 인 결정질 ITO 나노 입자를 이소프로필알코올에 분산시킨 15 ％ 분산액 (CI 화성 주식회사 제조) 을 고형분 환산으로 50 중량부가 되도록 혼합하여 알콕시실란 도공액 B 를 제조하였다.
참고예 3 (도공액 C 의 제조)
4 관능 아크릴레이트 「아로닉스」M400 (토아 합성 주식회사 제조) 100 중량부, 「이르가큐어」184 (치바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 5 중량부를 이소프로필알코올과 1-메톡시-2-프로판올의 1：1 혼합 용매에 용해하여 도공액 C 를 제조하였다.
참고예 4 (도공액 D 의 제조)
참고예 3 에서 작성한 도공액 C 의 수지 100 중량부에 대하여, 평균 1 차 입자경이 20 ㎚ 인 SiO2 나노 입자를 이소프로필알코올에 분산시킨 12.5 wt％ 분산액 (CI 화성 주식회사 제조) 을 고형분 환산으로 20 중량부, 계면 활성제 SH28PA (토레·다우코닝 주식회사 제조) 0.3 중량부가 되도록 혼합하여 도공액 D 를 작성하였다.
참고예 5 (도공액 E 의 제조)
참고예 2 에서 제조한 도공액 B 중에 평균 1 차 입자경이 1.0 ㎛ 인 산화규소 미립자를 알콕시실란 성분 100 중량부에 대하여 1.0 중량부를 혼합시켜 도공액 E 를 제조하였다.
참고예 6 (도공액 F 의 제조)
제 1 성분으로서 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체 (SP 값：10.0, Tg：92 ℃) 4 중량부, 제 2 성분으로서 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 (SP 값：12.7) 100 중량부, 광중합 개시제 「이르가큐어」184 (치바 스페셜티 케미컬사 제조) 7 중량부를, 이소부틸알코올 용매에 고형분이 40 중량％ 가 되도록 용해하여 제조하였다.
또한, 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체 (SP 값：10.0, Tg：92 ℃) 는 이하와 같이 조제하였다.
이소보로닐메타크릴레이트 171.6 g, 메틸메타크릴레이트 2.6 g, 메틸아크릴산 9.2 g 으로 이루어지는 혼합물을 혼합하였다. 이 혼합액을, 교반 날개, 질소 도입관, 냉각관 및 적하 깔때기를 구비한 1,000 ㎖ 반응 용기 중의, 질소 분위기하에서 110 ℃ 로 가온한 프로필렌글리콜모노메틸에테르 330.0 g 에, 타샬부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 1.8 g 을 함유하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 80.0 g 용액과 동시에 3 시간 동안 등속으로 적하하고, 그 후, 110 ℃ 에서 30 분간 반응시켰다.
그 후, 타샬부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 0.2 g 을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 17.0 g 의 용액을 적하하여 테트라부틸암모늄브로마이드 1.4 g 과 하이드 로퀴논 0.1 g 을 함유하는 5.0 g 의 프로필렌글리콜모노메틸에테르 용액을 첨가하고, 공기 버블링하면서, 4-히드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르 22.4 g 과 프로필렌글리콜모노메틸에테르 5.0 g 의 용액을 2 시간 동안 적하하고, 그 후 5 시간 동안 다시 반응시켰다. 수평균 분자량 5,500, 중량 평균 분자량 18,000 의 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체를 얻었다. 이 수지는, SP 값：10.0, Tg：92 ℃, 표면 장력：31 × 10-3 N/m (31 dyn/㎝) 이었다.
실시예 1
두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께가 4 ㎛ 인 클리어 하드 코트층을 형성하였다. 하드 코트층을 형성한 반대면 상에, 참고예 1 에서 조제한 도공액 A 를 두께가 2.0 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 요철을 갖는 경화 수지층을 형성하였다. 경화 수지층 형성 후의 필름 헤이즈는 2.4 ％ 였다.
경화 수지층 상에 산화인듐과 산화주석이 중량비 95：5 의 조성이고 충전 밀도 98 ％ 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하였다. 형성된 ITO 층의 두께는 약 20 ㎚, ITO 형성 후의 표면 저항값은 약 350 Ω／□ (Ω／sq) 이었다.
이어서, 참고예 2 의 조작으로 제조한 도공액 B 를 투명 도전층-1 의 표면에 두께가 약 200 ㎚ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 130 ℃ 2 분간의 소성 후, 투명 도전층-2 를 형성하고 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 를 적층한 후의 표면 저항값은 약 270 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 가동 전극 기판을 150 ℃ 90 분의 열처리를 실시하여, 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 210 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 1 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 모두 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
한편, 두께 1.1 ㎜ 의 유리판의 양면에 SiO2 딥 코트를 실시한 후, 스퍼터링법에 의해 동일한 방법으로 두께 18 ㎚ 의 ITO 층을 형성하였다. 다음으로 ITO 층 상에 높이 7 ㎛, 직경 70 ㎛, 피치 1.5 ㎜ 의 도트 스페이서를 형성함으로써, 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 1 의 투명 터치 패널을 제조하였다. 또한 도 1 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 1 에 나타낸다.
실시예 2
실시예 1 과 동일하게 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 편면에 층두께가 4 ㎛ 인 클리어 하드 코트층 을 형성하였다.
하드 코트층을 형성한 반대면 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 도공액 A 를 층두께가 2.0 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 요철을 갖는 경화 수지층을 형성하였다. 경화 수지층 형성 후의 필름 헤이즈는 2.3 ％ 였다.
요철을 갖는 경화 수지층 상에 Si 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 SiOx 층을 형성하였다. 형성된 SiOx 층의 두께는 약 2.0 ㎚ 였다.
이어서 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 를 형성하고, 가동 전극 기판을 제조하였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 1 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 모두 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 2 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 2 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 7 은 금속 산화물층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 1 에 나타낸다.
실시예 3
실시예 2 와 동일하게 두께 188 ㎛ 의 폴리에스테르테레프탈레이트 필름 (테 이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 편면에 두께가 4 ㎛ 인 클리어 하드 코트층을 형성하였다.
하드 코트층을 형성한 반대면 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 도공액 A 를 두께가 2.0 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 요철을 갖는 경화 수지층을 형성하였다. 경화 수지층 형성 후의 필름 헤이즈는 2.3 ％ 였다.
요철을 갖는 경화 수지층 상에 Si 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 SiOx 층을 형성하였다. 형성된 SiOx 층의 두께는 약 2.0 ㎚ 였다.
이어서 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 를 형성하고, 가동 전극 기판을 제조하였는데, 투명 도전층-1 의 막두께를 20 ㎚ 에서 33 ㎚ 로 변경하여 가동 전극 기판을 작성하였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 1 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 모두 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 2 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 2 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 7 은 금속 산화물층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 1 에 나타낸다.
실시예 4
실시예 2 와 동일하게 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 편면에 두께가 4 ㎛ 인 클리어 하드 코트층을 형성하였다.
하드 코트층을 형성한 반대면 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 도공액 A 를 두께가 2.0 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 요철을 갖는 경화 수지층을 형성하였다. 경화 수지층 형성 후의 필름 헤이즈는 2.3 ％ 였다.
요철을 갖는 경화 수지층 상에 Si 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 SiOx 층을 형성하였다. 형성된 SiOx 층의 두께는 약 2.0 ㎚ 였다.
이어서 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-1 을 형성하였다. 실시예 1 에서 사용한 결정질의 ITO 나노 입자를 비정질의 ITO 나노 입자 (평균 1 차 입자경이 20 ㎚, CI 화성 주식회사 제조) 로 치환한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-2 를 투명 도전층-1 상에 형성하고, 가동 전극 기판을 제조하였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 2 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 모두 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 2 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 2 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 7 은 금속 산화물 층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 2 에 나타낸다.
실시예 5
실시예 1 과 동일하게 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 편면에 두께가 4 ㎛ 인 클리어 하드 코트층을 형성하였다.
하드 코트층을 형성한 반대면 상에, 참고예 3 의 조작으로 제조한 도공액 C 를 두께가 3.5 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 경화 수지층을 형성하였다. 경화 수지층 형성 후의 필름 헤이즈는 1.0 ％ 였다.
이 경화 수지층 상에 Si 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 SiOx 층을 형성하였다. 형성된 SiOx 층의 두께는 약 2.0 ㎚ 였다.
이어서, 이 SiOx 층 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 97：3 의 조성이고 충전 밀도 98 ％ 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하였다. 형성된 ITO 층의 두께는 약 20 ㎚, ITO 층 형성 후의 표면 저항값은 약 550 Ω／□ (Ω／sq) 이었다.
참고예 5 의 조작으로 제조한 도공액 E 를 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-2 를 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 제조한 가동 전극 기판을 150 ℃ 60 분 열처리하여 ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 370 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 2 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 2 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 2 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 7 은 금속 산화물층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 2 에 나타낸다.
실시예 6
실시예 1 과 동일하게 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 편면에 두께가 4 ㎛ 인 클리어 하드 코트층을 형성하였다.
하드 코트층을 형성한 반대면 상에, 참고예 4 의 조작으로 제조한 도공액 D 를 두께가 2.5 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 경화 수지층을 형성하였다. 경화 수지층 형성 후의 필름 헤이즈는 0.7 ％ 였다.
이 경화 수지층 상에 Si 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 SiOx 층을 형성하였다. 형성된 SiOx 층의 두께는 약 2.0 ㎚ 였다.
이어서, 이 SiOx 층 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 97：3 의 조성이고 충전 밀도 98 ％ 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하였다. 형성된 ITO 층의 두께는 약 20 ㎚, ITO 층 형성 후의 표면 저항값은 약 550 Ω／□ (Ω／sq) 이었다.
참고예 5 의 조작으로 제조한 도공액 E 를 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-2 를 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 제조한 가동 전극 기판을 150 ℃ 60 분 열처리하여 ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 370 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 2 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 2 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 2 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 7 은 금속 산화물층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 2 에 나타낸다.
Figure 112009049683755-pct00003
Figure 112009049683755-pct00004
비교예 1
투명 도전층-2 를 적층하지 않는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 가동 전극 기판으로서 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 3 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 3 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 3 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다. 제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 3 에 나타낸다.
비교예 2
실시예 1 과 동일하게 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 OFW) 의 편면에 두께가 4 ㎛ 인 하드 코트층을 형성하였다.
하드 코트층을 형성한 반대면에 참고예 1 에서 작성한 도공액 A 를 사용하여 요철을 갖는 경화 수지층을 형성하였다. 형성한 경화 수지층 상에 투명 도전층으로서 폴리티오펜계 도전성 폴리머를 투명 도전층 형성 후의 표면 저항값이 약 500 Ω／□ (Ω／sq) 이 되도록 투명 도전층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 형성한 투명 도전층의 두께는 약 150 ㎚ 였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 3 에 나타낸다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 4 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 4 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 6 은 유리 기판, 8 은 도전성 폴리머층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다. 제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 3 에 나타낸다.
비교예 3
투명 도전층-2 로서 폴리티오펜계 도전성 폴리머를 적층한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 가동 전극 기판으로서의 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 를 적층한 후의 표면 저항값은 약 310 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 가동 전극 기판을 150 ℃ 90 분의 열처리를 실시하여 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 240 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 3 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 결정 입경은 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 1 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 1 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 3 에 나타낸다.
Figure 112009049683755-pct00005
비교예 4 ∼ 6
투명 도전층-1 로서 비정질 투명 도전층 IZO 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 ∼ 3 과 동일하게 하여 가동 전극 기판으로서의 투명 도전성 적층체를 제조하였다. IZO 층을 형성한 후의 표면 저항값은 약 230 Ω／□ (Ω／sq), 두께는 약 20 ㎚ 였다. 투명 도전층-2 를 적층한 후의 표면 저항값은 약 170 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 4 에 나타낸다. 또한, TEM 에 의한 관찰에서 결정은 확인되지 않았다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 1 (비교예 4) 또는 도 2 (비교예 5, 6) 에 나타내는 구성의 투명 터치 패널을 제조하였다. 또한 도 1, 도 2 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 7 은 금속 산화물층, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다. 제조한 투명 터치 패널의 슬라이딩 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 변화량을 표 4 에 나타낸다.
Figure 112009049683755-pct00006
비교예 7 ∼ 9
경화 수지층을 적층하지 않는 것 이외에는 실시예 1 ∼ 3 과 동일하게 하여 가동 전극 기판으로서 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 제조한 어느 투명 도전성 적층체에서도 ITO 층을 결정화시키기 위한 열처리 후에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 올리고머 성분이 석출되고, 필름이 백화되었기 때문에, 투명 도전성 적층체로서 사용할 수 없으므로, 더 이상의 평가를 실시하지 않았다.
실시예 7
투명 도전층-2 의 두께를 1.1 ㎛ 로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가동 전극 기판으로서의 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 환경 신뢰성 특성을 표 5 에 나타낸다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 1 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 1 에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단부 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 5 에 나타낸다.
Figure 112009049683755-pct00007
상기 결과에서 분명한 바와 같이, 본 발명의 투명 도전성 적층체는 단부 누름 내구성, 투명성, 환경 신뢰성이 모두 양호했다. 한편, 비교예 1 의 투명 도전성 적층체는 단부 누름 내구성이 불량, 비교예 2 의 투명 도전성 적층체는 상하 도통을 확보할 수 없어, 투명 터치 패널로서 동작하지 않았다. 비교예 3 의 투명 도전성 적층체는 투명성이 불량이었다.
실시예 8
두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 양면에 참고예 6 의 조작으로 제조한 도공액 F 를 사용하여 바 코트법에 의해 코팅하고, 70 ℃ 에서 1 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하여 경화시킴으로써, 두께 3.5 ㎛ 의 경화 수지층을 형성하였다.
이어서 경화 수지층을 형성한 일방의 면 상에, 산화인듐과 산화주석의 중량비가 95：5 의 조성이고 충전 밀도가 98 ％ 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 형성하였다. ITO 층의 두께는 약 20 ㎚, 표면 저항값은 약 350 Ω／□ (Ω／sq) 이었다.
또한, 참고예 2 의 조작으로 제조한 도공액 B 를 사용하여 투명 도전층-1 상에 바 코트법에 의해 코팅하고, 130 ℃ 2 분간 소성하여, 두께 약 200 ㎚ 의 투명 도전층-2 를 형성하였다.
투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 로 이루어지는 투명 도전층의 표면 저항값은 약 270 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 계속해서 150 ℃ 90 분의 열처리를 실시하여 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 결정화시킴으로써 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다. ITO 층이 결정화된 후의 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 로 이루어지는 투명 도전층의 표면 저항값은 약 210 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 또한, TEM 에 의해 관찰된 투명 도전층-1 의 결정 입경은 50 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위였다. 제조한 투명 도전성 적층체의 특성을 표 6 에 나타낸다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 5 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 5 에 있어서, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 터치 패널의 특성을 표 6 에 나타낸다. 표 6 에서 분명한 바와 같이, 본 예의 투명 도전성 적층체를 사용한 터치 패널은, 방현성, 안티 뉴턴링성, 플리커, 슬라이딩 내구성, 단부 누름 내구성 B 및 지문 닦임성이 모두 양호했다.
비교예 10
실시예 8 과 동일하게 하여, 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 양면에 두께 3.5 ㎛ 의 경화 수지층을 형성하였다.
이어서 경화 수지층을 형성한 일방의 면 상에, 산화인듐과 산화주석의 중량비가 95：5 의 조성이고 충전 밀도가 98 ％ 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 비정질의 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 형성하였다. ITO 층의 두께는 약 20 ㎚, 표면 저항값은 약 350 Ω／□ (Ω／sq) 이었다.
또한, 실시예 8 과 동일하게 하여, 투명 도전층-1 상에 두께 약 200 ㎚ 의 투명 도전층-2 를 형성함으로써 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 로 이루어지는 투명 도전층의 표면 저항값은 약 270 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 특성을 표 6 에 나타낸다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 5 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 5 에 있어서, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 5 는 투명 도전층-2, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 터치 패널의 특성을 표 6 에 나타낸다. 표 6 에서 분명한 바와 같이, 투명 도전층-1 이 비정질 ITO 층인 본 예의 투명 도전성 적층체를 사용한 터치 패널은, 슬라이딩 내구성, 단부 누름 내구성 B 가 불량이다.
비교예 11
실시예 8 과 동일하게 하여, 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 양면에 두께 3.5 ㎛ 의 경화 수지층을 형성하였다. 이어서 경화 수지층을 형성한 일방의 면 상에 직접, 실시예 8 과 동일하게 하여 두께 약 200 ㎚ 의 투명 도전층-2 를 형성하고, 투명 도전성 적층체를 제조하였다. 제조한 투명 도전성 적층체에는 도전성이 없어 투명 도전성 적층체로서 기능하지 않았다.
비교예 12
실시예 8 과 동일하게 하여, 두께 188 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 의 양면에 두께 3.5 ㎛ 의 경화 수지층을 형성하였다.
이어서 경화 수지층을 형성한 일방의 면 상에, 실시예 1 과 동일하게 하여 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 형성하였다. ITO 층의 두께는 약 20 ㎚, 표면 저항값은 약 350 Ω／□ (Ω／sq) 이었다. 계속해서 150 ℃ 90 분의 열처리를 실시하여 투명 도전층-1 (ITO 층) 을 결정화시킴으로써 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제조하였다.
ITO 층이 결정화된 후의 투명 도전층-1 의 표면 저항값은 약 260 Ω/□ (Ω／sq) 이었다. 제조한 투명 도전성 적층체의 특성을 표 6 에 나타낸다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제조하였다. 제조한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용하여 도 6 의 투명 터치 패널을 제조하였다.
또한 도 6 에 있어서, 2 는 고분자 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 투명 도전층-1, 6 은 유리 기판, 9 는 도트 스페이서를 각각 나타낸다.
제조한 터치 패널의 특성을 표 6 에 나타낸다. 표 6 에서 분명한 바와 같이, 투명 도전층-2 를 적층하지 않은 본 예의 터치 패널은, 슬라이딩 내구성, 단부 누름 내구성 B 가 불량이다.
Figure 112009049683755-pct00008

Claims (24)

  1. 고분자 필름의 적어도 일방의 면 상에, 경화 수지층, 투명 도전층-1 과 투명 도전층-2 가 순차로 적층되어 이루어지는 투명 도전성 적층체로서, 상기 투명 도전층-1 이 유기 성분을 함유하지 않는 결정질의 투명 도전층이고, 상기 투명 도전층-2 가 알콕시실란과 적어도 1 종류의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 도전성 금속 산화물 또는 금속 미립자로 이루어지는 미립자 A 를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미립자 A 의 함유량이 알콕시실란 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 이상 400 중량부 이하인, 투명 도전성 적층체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전층-1 의 두께가 5 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하인, 투명 도전성 적층체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전층-2 의 두께가 10 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하인, 투명 도전성 적층체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전층-2 중에, 평균 1 차 입자경이 상기 투명 도전층-2 의 두께를 기준으로 하여 1.2 배 이상인 미립자 B 를 함유하는, 투명 도전성 적층체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 미립자 B 가 도전성 금속 산화물 또는 금속 미립자인, 투명 도전성 적층체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 경화 수지층과 상기 투명 도전층-1 사이에, 또한 두께가 0.5 ㎚ 이상 5.0 ㎚ 미만인 금속 산화물층을 갖는, 투명 도전성 적층체.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 수지층이, 그 표면에 2 종의 성분이 상분리되어 형성된 요철을 갖고, 또한 요철을 부여하기 위한 미립자를 함유하지 않고, 상기 경화 수지층의 JIS B0601-1994 에 의한 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 미만, JIS B0601-1982 에 의한 십점 평균 거칠기 (Rz) 가 0.5 ㎛ 이상 2 ㎛ 미만의 범위에 있는, 투명 도전성 적층체.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 경화 수지층을 형성하는 성분이, 제 1 성분은 중합체이고, 제 2 성분은 모노머인, 투명 도전성 적층체.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 경화 수지층을 형성하는 제 1 성분과 제 2 성분의 SP 값의 차가 0.5 이상인, 투명 도전성 적층체.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 경화 수지층을 형성하는 제 1 성분은 불포화 이중 결합 함유 아크릴 공중합체이고, 제 2 성분은 다관능성 불포화 이중 결합 함유 모노머인, 투명 도전성 적층체.
  12. 삭제
  13. 제 8 항에 있어서,
    JIS K 7136 으로 정의되는 헤이즈가 1 ％ 이상 20 ％ 미만인, 투명 도전성 적층체.
  14. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 수지층이, 그 표면에 요철을 갖고, 경화 수지 성분과 평균 1 차 입자경이 0.1 ㎛ 보다 큰 미립자 C 를 1 종류 또는 2 종류 이상을 함유하고, 적어도 1 종류의 미립자 C 의 평균 1 차 입자경이 경화 수지층 두께의 1.2 배 이상인, 투명 도전성 적층체.
  15. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 수지층이, 그 표면에 요철을 갖고, 경화 수지 성분과 1 종류 또는 2 종류 이상의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물 미립자로 이루어지는 미립자 D 를 함유하는, 투명 도전성 적층체.
  16. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 수지층이, 그 표면에 요철을 갖고, 경화 수지 성분, 평균 1 차 입자경이 0.1 ㎛ 보다 큰 미립자 C 를 1 종류 또는 2 종류 이상, 및 1 종류 또는 2 종류 이상의 평균 1 차 입자경이 100 ㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물 미립자로 이루어지는 미립자 D 를 함유하고, 적어도 1 종류의 상기 미립자 C 의 평균 1 차 입자경이 상기 경화 수지층 두께의 1.2 배 이상인, 투명 도전성 적층체.
  17. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 수지층의 굴절률이 1.20 ∼ 1.55, 두께가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 이하인, 투명 도전성 적층체.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 필름과 상기 투명 도전층-1 사이에, 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 상기 저굴절률층이 상기 투명 도전층-1 과 접하는, 투명 도전성 적층체.
  19. 제 7 항에 있어서,
    상기 고분자 필름과 상기 금속 산화물층 사이에, 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 상기 저굴절률층이 상기 금속 산화물층과 접하는, 투명 도전성 적층체.
  20. 제 8 항에 있어서,
    상기 고분자 필름과 금속 산화물층 사이에, 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 상기 저굴절률층이 상기 금속 산화물층과 접하는, 투명 도전성 적층체.
  21. 제 14 항에 있어서,
    상기 고분자 필름과 금속 산화물층 사이에, 적어도 1 층의 저굴절률층과 적 어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 상기 저굴절률층이 상기 금속 산화물층과 접하는, 투명 도전성 적층체.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 고분자 필름과 금속 산화물층 사이에, 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 상기 저굴절률층이 상기 금속 산화물층과 접하는, 투명 도전성 적층체.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 고분자 필름과 금속 산화물층 사이에, 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 상기 저굴절률층이 상기 금속 산화물층과 접하는, 투명 도전성 적층체.
  24. 적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이, 서로의 투명 도전층끼리 마주보도록 배치되어 구성된 터치 패널에 있어서, 적어도 일방의 상기 투명 전극 기판으로서 제 1 항에 기재된 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 터치 패널.
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