JP5747738B2 - スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート - Google Patents
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Description
先ず、平均粒径が0.8μm、純度が99.8%の高純度ZnO粉末を、SiOブロック(高純度化学社製)を粉砕して得られた平均粒径が5.0μm、純度が99.9%の高純度SiO粉末を、バインダとしてPVB樹脂を、有機溶媒としてエタノールとアセトンをそれぞれ用意した。
ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが60モル%、SiOが40モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが85モル%、SiOが15モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが95モル%、SiOが5モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが70モル%、SiOが30モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
平均粒径が0.1μm、純度が99.8%の高純度ZnO粉末及び平均粒径が0.1μm、純度が99.9%の高純度SiO粉末を使用し、ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが70モル%、SiOが30モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
平均粒径が5.0μm、純度が99.8%の高純度ZnO粉末及び平均粒径が5.0μm、純度が99.9%の高純度SiO粉末を使用し、ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが70モル%、SiOが30モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
SiO粉末を混合せずに調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが98モル%、SiOが2モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
ZnO粉末並びにSiO粉末の混合量を、形成後のスパッタリングターゲットに含まれるZnOが35モル%、SiOが65モル%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
ZnO粉末を混合せずに調整したこと以外は、実施例1と同様にスパッタリングターゲットを得た。
実施例1〜11及び比較例1〜4で得られたスパッタリングターゲットを用いて、厚さ75μmのPETフィルム上に、RFスパッタリング法により蒸着を行って厚さ100nmの薄膜を成膜し、薄膜シートを形成した。スパッタリング条件は、成膜速度は1nm/secであり、基板温度、酸素ガス分圧は次の表1に示す通りである。これらの薄膜シートについて、水蒸気透過度を測定し、ガスバリア性を評価した。また、これらの薄膜シートについて、光透過率を測定し、透明性を評価した。これらの結果を以下の表1に示す。
11 第1基材フィルム
12 ZnO−SiO系膜
13 接着層
14 第2基材フィルム
20 積層シート
Claims (7)
- 酸化亜鉛(ZnO)と一酸化ケイ素(SiO)とを主成分とする焼結体からなり、前記焼結体の相対密度が95%以上であり、前記酸化亜鉛(ZnO)と前記一酸化ケイ素(SiO)のモル比が40:60〜95:5であることを特徴とするZnO−SiO系スパッタリングターゲット。
- 一次粒子の平均粒径が0.1〜5.0μmのZnO粉末とSiO粉末とを、製造後のスパッタリングターゲット中の前記酸化亜鉛(ZnO)と前記一酸化ケイ素(SiO)のモル比が40:60〜95:5になるように混合し、バインダーを加え、加圧成形し、脱型後、1000℃以上で焼結することによって、相対密度が95%以上の焼結体を製造することを特徴とするZnO−SiO系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 有機溶媒及び水分等の除去を目的とする予備乾燥として50〜150℃で1〜10時間の処理、バインダーの消失を目的とする脱脂処理として400〜600℃で3〜15時間の処理、及び密度を向上させる焼結工程として1000〜1500℃で3〜15時間の処理をこの順で行う請求項2記載のZnO−SiO系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1記載のZnO−SiO系スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により基板表面にZnO−SiO系膜を形成することを特徴とするZnO−SiO系膜の製造方法。
- 請求項4記載の製造方法により形成されたことを特徴とするZnO−SiO系膜。
- 請求項5記載のZnO−SiO系膜を第1基材フィルム上に備え、
温度20℃、相対湿度50%RHの条件で1時間放置したときの水蒸気透過度が0.3g/m2・day以下であることを特徴とする薄膜シート。 - 請求項6記載の薄膜シートの薄膜形成側に接着層を介して第2基材フィルムを積層してなる積層シート。
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