JP2018195512A - 有機el素子 - Google Patents
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Description
該有機EL素子は、該ITO層と接して、非晶質金属酸化物薄膜層を備え、該非晶質金属酸化物薄膜層と接して、かつ、該有機機能層の一部として、正孔注入層を備え、
該非晶質金属酸化物薄膜層は、亜鉛(Zn)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を含み、Zn/(Zn+Si)の原子数比が0.30〜0.95である、有機EL素子。
以下、本発明に係る有機EL素子の実施形態について、図1(a)又は(b)を参照しながら、詳細に説明する。図1(a)又は(b)における各層は、以下の通りである。「ガラス基板」は、透光性絶縁基板を表す。「ITO」は、ITO層を意味し、陽極層を表す。「金属酸化物層」は、非晶質金属酸化物薄膜層を表す。「EL301:p型材料」又は「EL301:MoO3 or HAT(CN)6」は、正孔注入層を表す。単独の「EL301」は、正孔輸送層を表す。「CBP:Ir(ppy)3」は、発光層を表す。「BCP」は、正孔阻止層を表す。「Liq」は、電子注入層を表す。「Al」は、陰極層を表す。即ち、本実施形態に係る有機EL素子は、透光性絶縁基板/陽極層/非晶質金属酸化物薄膜層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極層の積層構造を備えている。
透光性絶縁基板は、面状に広がりを有し、かつ、透光性絶縁材料からなる部材である。透光性絶縁基板1としては、ガラス基板、樹脂フィルム基板等が使用できる。透光性絶縁基板は、性能低下の原因となる有機EL素子への水分侵入を抑止する観点から、ガラス基板であることが好ましい。また、透光性絶縁基板は、可撓性基板とすることもできる。
陽極層は、ITO層を含むため、透光性及び導電性をもち、陽極として機能する。陽極層は、ITO以外に、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明導電性金属酸化物を含んでもよいが、高性能素子とする観点から、高透明性をもつITOを単独で用いることが好ましい。
非晶質金属酸化物薄膜層は、亜鉛(Zn)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を含み、Zn/(Zn+Si)の原子数比が0.30〜0.95である。非晶質金属酸化物薄膜層において、Zn/(Zn+Si)の原子数比は0.30以上である。このため、十分に大きな電子移動度が得られやすく、有機デバイスの駆動電圧の上昇が抑えられやすい。非晶質金属酸化物薄膜層において、Zn/(Zn+Si)の原子数比は、0.70〜0.94であってもよく、0.80〜0.92であってもよく、0.85〜0.90であってもよい。
L=Kλ/(βcosθ) 式(1)
で表される。シェラー定数Kは0.9である。X線波長λは0.154nmである。
正孔注入層は、正孔輸送層に正孔を注入する層である。正孔注入層の材料としては、例えば、アリールアミン類、フタロシアニン類、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、及び、これらの誘導体等の導電性高分子等が採用できる。また、正孔注入層の材料は、正孔注入層の透明性を向上させることで輝度を向上させる観点から、正孔輸送性材料にアクセプター性材料をドープしたものも好ましく採用できる。特に好ましくは、正孔注入層は、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(HAT(CN)6)、MoO3、及びp型ドープト正孔輸送性材料からなる群より選ばれる1種以上を含む層である。ここで、p型ドープト正孔輸送性材料としては、例えば、アクセプター性材料をドープした正孔輸送性材料が挙げられる。正孔輸送性材料及びアクセプター性材料の例は、後述の通りである。正孔注入層の平均厚みは、正孔注入層の透明性を向上させることで輝度を向上させつつ、かつ、適切に光学調整せしめる観点から、0.1nm以上20nm以下であることが好ましい。
正孔輸送層は、正孔注入層側から発光層に正孔を効率的に輸送しつつ、正極側への電子の移動を制限する層である。正孔輸送層の材料としては、公知の正孔輸送性材料を使用することができる。正孔輸送層の平均厚みは、1nm以上200nm以下であることが好ましい。
発光層は、正孔輸送性又は電子輸送性を有するホスト材料に発光材料をドープした層であって、電界印加により正孔輸送層から流入する正孔と電子輸送層から流入する電子とが結合し、発光性励起子が発生する層である。発光層の厚みは、1nm以上40nm以下であることが好ましい。
発光層中に存在する正孔、電子、又は励起子の発光層外への拡散を阻止する目的で、阻止層を設けることもできる。正孔阻止層は、発光層と電子輸送層との間に配置され、正孔が発光層を通過して電子輸送層側に拡散することを阻止する。正孔阻止層には、後述の電子輸送層と同様の材料を用いることができる。
電子輸送層は、電子注入層側から発光層に電子を効率的に輸送しつつ、陰極層(負極)側への正孔の移動を制限する層である。電子輸送層の材料としては、公知の電子輸送性材料を使用することができる。電子輸送層の平均厚みは、1nm以上200nm以下であることが好ましい。
電子注入層は、陰極層(負極)側から電子を取り入れ、電子輸送層に電子を注入する層である。電子注入層の材料としては、例えば、リチウム(Li)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物等が採用できる。また、電子注入層の材料としては、電子注入層の透明性を向上させることで輝度を向上させる観点から、電子輸送性材料にドナー性材料をドープしたものも好ましく採用できる。電子注入層の平均厚みは、0.1nm以上20nm以下であることが好ましい。
陰極層は、導電性をもち、陰極として機能する。陰極層は、薄膜状に形成できる導電材料を用いて形成できる導電性薄膜層である。陰極層は、有機EL素子を高輝度化する観点から、光反射性の薄膜層であることが好ましい。陰極層は、各種金属材料を用いて形成可能である。陰極層は、発光層から照射される光を透光性絶縁基板側に反射し、光取り出し効率を向上させる観点から白色光沢金属が好ましく、その中でも、銀(Ag)やアルミニウム(Al)がより好ましく、Alが特に好ましい。
正孔輸送性材料としては、例えば、トリフェニルアミン系化合物、カルバゾール系化合物等が採用できる。
電子輸送性材料としては、例えば、キノリノラト系金属錯体、アントラセン系化合物、オキサジアゾール系化合物、トリアゾール系化合物、フェナントロリン系化合物、シロール系化合物等が採用できる。
発光層を構成する発光材料には、蛍光材料と、これよりも一般に発光効率が高い燐光材料とがある。
アクセプター性材料としては、遷移金属酸化物、ヘキサアザトリフェニレン化合物、テトラシアノベンゾキノンジメタンのフッ素化誘導体、ラジアレン類、テトラシアノキノジメタン系化合物等が採用できる。特に好ましくは、アクセプター性材料は、遷移金属酸化物、ヘキサアザトリフェニレン化合物、テトラシアノベンゾキノンジメタンのフッ素化誘導体、及びラジアレン類からなる群より選ばれる1種以上である。
ドナー性材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、これらの金属の化合物(これらの金属を中心金属とするフタロシアニン錯体を含む。)、ジヒドロイミダゾール化合物等が採用できる。
本発明に係る有機ELパネル、照明器具、又はディスプレイ装置素子は、本発明に係る有機EL素子を備える。本発明に係る有機EL素子は、上述の通り、高い性能を有し、有機ELパネル、照明器具、又はディスプレイ装置素子に好適に用いることができる。
実施例1として、図1(a)に示す緑色発光有機EL素子を作製した。
具体的には、厚み120nmのITO層が形成された、その外形が30mm×30mm、その厚みが0.7mmであるガラス基板上に、以下の手順で、2mm×2mmの発光領域を有する、本発明に係る有機EL素子を形成し、UV硬化性エポキシ樹脂を塗布したガラスキャップを貼り合わせて、本発明に係る有機ELパネルを作製した。
実施例1において、非晶質金属酸化物薄膜層を形成しないこと以外は同様にして、比較例1の素子を作製し評価をした。
実施例1において、非晶質金属酸化物薄膜層の成膜後に、正孔注入層を成膜するためにEL301の蒸着速度が0.9nm/sec、MoO3の蒸着速度が0.3nm/secになるように共蒸着を行い、10nm積層し、次いでEL301を30nm積層した以外は同様にして、実施例2の素子を作製し評価をした。なお、図1(b)は、実施例2の有機EL素子の断面構成図である(但し、図中の「EL301:MoO3」が、正孔注入層を表す)。
実施例1において、非晶質金属酸化物薄膜層の成膜後に、正孔注入層を成膜するため、HAT(CN)6を蒸着速度約0.8nm/secで10nmを積層し、次いでEL301を30nm積層した以外は同様にして、実施例3の素子を作製し評価をした。なお、図1(b)は、実施例3の有機EL素子の断面構成図である(但し、図中の「HAT(CN)6」が、正孔注入層を表す)。
実施例1において、表面研磨なしの市販のITO上に非晶質金属酸化物薄膜層を積層したこと以外は同様にして、実施例4の素子を作製し評価をした。
実施例4において、非晶質金属酸化物薄膜層を形成しないこと以外は同様にして、比較例2の素子を作製し評価をした。
Claims (7)
- ITO層を含む陽極層と、陰極層と、該陽極層と該陰極層との間に挟持された有機機能層とを備える有機EL素子であって、
該有機EL素子は、該ITO層と接して、非晶質金属酸化物薄膜層を備え、該非晶質金属酸化物薄膜層と接して、かつ、該有機機能層の一部として、正孔注入層を備え、
該非晶質金属酸化物薄膜層は、亜鉛(Zn)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を含み、Zn/(Zn+Si)の原子数比が0.30〜0.95である、有機EL素子。 - 前記正孔注入層が、HAT(CN)6、MoO3、及びp型ドープト正孔輸送性材料からなる群より選ばれる1種以上を含む層である、請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記p型ドープト正孔輸送性材料が、アクセプター性材料をドープした正孔輸送性材料である、請求項2に記載の有機EL素子。
- 前記アクセプター性材料が、遷移金属酸化物、ヘキサアザトリフェニレン化合物、テトラシアノベンゾキノンジメタンのフッ素化誘導体、及びラジアレン類からなる群より選ばれる1種以上である、請求項3に記載の有機EL素子。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子を備える有機ELパネル。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子を備える照明器具。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子を備えるディスプレイ装置。
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