KR101374359B1 - 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지 - Google Patents

태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지 Download PDF

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Abstract

인쇄성 및 변환효율이 우수한 태양전지 전극 형성용 페이스트가 개시되어 있다. 본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트는 (a) 전도성 분말, (b) 유리 프릿 (c) 유기 비히클 및 (d) 서로 다른 사이즈의 금속산화물 입자를 2종 이상 포함함을 특징으로 한다.

Description

태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지{Paste for forming electrode of solar cell and solar cell using the same}
본 발명은 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 서로 다른 사이즈의 금속산화물 입자를 2종 이상 포함하며, 인쇄성 및 변환효율이 우수한 태양전지용 전극 페이스트를 제공하는 것이다.
석유나 석탄과 같은 화석 연료의 에너지 자원의 고갈에 따라, 새로운 대체 에너지원으로 태양광을 활용하는 태양전지가 주목받고 있다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 p-n 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시키도록 구성되고 있다. 태양 전지는 p-n 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼(wafer) 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극을 형성하여, 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 p-n 접합의 광전 효과가 유도되고, p-n 접합의 광전 효과에 의해 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트(paste)의 도포, 패터닝(patterning) 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성된다.
태양 전지의 품질을 평가하는 척도 중의 하나는 변환효율이다. 태양 전지의 변환 효율은 입사된 광 에너지 가운데서 얼마 만큼 전기 에너지로 변환되었는가를 나타내는 수치이며, 최대 출력과 입사된 에너지의 비로 표시된다. 이러한 태양전지의 변환효율을 높이기 위해서는 전극의 특성이 중요한데, 태양광이 입사되는 방향에 대면하는 전면 전극용 페이스트는 보통 도전 입자와, 유리 프릿(frit) 분말 및 액상 운송체인 비히클(vehicle)를 포함하여 구성된다.
최근 상기 구성요소를 변형하거나 조절하여 태양전지의 변환효율을 높이려는 방안이 연구되고 있다.
예를 들면, 한국특허공개 제2008-0099406호에는 Ag powder 의 Tap density 범위를 선정하는 기술이 개시되어 있고, 한국특허공개 제2007-0084100호에서는 Glass frit의 조성을 변경하여 변환효율을 향상시키는 방법이 제안되어 있으며, 한국특허공개 제2007-0067636호에서는 Ag powder의 결정자 직경을 변경하는 방법을 제안하고 있다. 또한, 한국특허공개 제2007-0066938호에서는 소결억제제를 사용하여 변환효율을 개선하는 방법이, 한국공개특허 제2006-0034001호에서는 첨가제로서 7~100 nm의 산화아연 파우더를 사용하여 전기적 성능 등을 개선하는 방안이 제시되어 있다.
그러나 이들 종래 기술은 태양전지 페이스트를 전/후면 인쇄하고 건조 후 소성 등의 공정시 Ag 이온이 실리콘 웨이퍼 내부로 침투하여 전극상 Ag 이온의 분포가 떨어져 결과적으로 직렬 저항 및 병렬 저항이 커져, 태양전지의 변환효율을 크게 향상시킬 수 없었다.
또한, 7~100 nm의 산화아연 파우더를 사용할 경우, 페이스트의 점도가 높아지고, 인쇄성이 불량하게 되어 패턴 탈락이 많아지고, 변환효율이 감소하는 결과를 나타내었다.
본 발명의 목적은 페이스트의 인쇄성 개선 및 변환효율이 우수한 태양전지용 전극 페이스트 조성물을 제공하는 것이다. 
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 일 측면에 따르면,
(a) 전도성 분말, (b) 유리 프릿, (c) 유기 비히클, 및 (d) 금속산화물 입자를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트에 있어서, 상기 금속산화물 입자는 평균입경(D50)이 15~50 nm의 제1 입자와 평균입경(D50)이 0.1~2㎛의 제2 입자를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트를 제시할 수 있다.
상기 전도성 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Nickel) 및 ITO(인듐틴옥사이드)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전도성 분말을 포함할 수 있다.
유리 프릿은 유연 유리 프릿, 무연 유리 프릿 또는 이들의 혼합물 중 어느 것이어도 좋으며, 또한 결정화 및 비결정화 유리 프릿의 어느 것이어도 좋으며, 이들을 혼합 사용할 수도 있다.
유기 비히클은 유기 바인더와 용매를 포함할 수 있다.
금속산화물 입자는 산화아연(ZnO), 산화납(PbO), 산화구리(CuO), 산화규소(SiO2), 산화티탄(TiO2) 등의 금속산화물 입자 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체적인 일 예에서 본 발명의 태양 전지 전극용 페이스트는 (a) 전도성 분말 60 내지 90 중량%, (b) 유리 프릿 1 내지 10 중량%, (c) 유기 비히클 5 내지 20 중량% 및 (d) 금속산화물 입자 1 내지 10 중량%를 포함할 수 있다.
본원발명의 태양전지 전극용 페이스트는 가소제, 분산제, 요변제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 상기 태양전지 전극용 페이스트로부터 형성된 전극을 제시할 수 있다.
아울러, 본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 상기 태양전지 전극용 페이스트로부터 형성된 전극을 포함하는 태양전지를 제시할 수 있다.
본 발명에 따르면, 나노 사이즈 및 마이크로 사이즈의 금속산화물 입자를 혼합하여 사용함으로써, 인쇄성이 및 변환효율이 우수한 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트를 이용하여 제조되는 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
본 발명의 태양전지 전극용 페이스트는
(a) 전도성 분말, (b) 유리 프릿, (c) 유기 비히클, 및 (d) 금속 산화물 로서 평균입경(D50)이 15~50 nm의 제1 입자와 평균입경(D50)이 0.1~2㎛의 제2 입자를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이하에서 각 구성성분에 대해 좀더 상세하게 설명한다.
(a) 전도성 분말
본 발명에서 사용되는 전도성 분말은 도전성을 가지는 유기물 또는 무기물이 모두 사용될 수 있다. 구체적으로는 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Nickel) 또는 ITO(인듐틴옥사이드) 등의 금속 분말을 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
바람직하게는 상기 전도성 분말은 은(Ag) 입자를 포함하며, 은 입자 외에 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 아연(Zn) 또는 구리(Cu) 입자들이 더 첨가될 수 있다.
상기 전도성 분말은 입자 형상이 구형, 판상, 무정형 또는 이들의 조합일 수 있다. 구체예에서는 상기 전도성 입자를 구형으로 하여 충진율, 소결밀도 및 자외선 투과도를 보다 향상시킬 수 있다.
상기 전도성 분말은 평균입경(D50)이 0.1~10㎛인 것을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경(D50)이 0.2~7㎛, 더욱 바람직하게는 0.5~5㎛의 것을 사용할 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 전도성분말을 초음파로 상온에서 3분 분산 후 CILAS 社 에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다.
상기 전도성 분말은 본 발명의 태양전지 전극용 페이스트의 전체 조성물 중 60~90 중량%, 바람직하게는 70~88 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있고, 유기 비히클의 양의 상대적인 감소로 페이스트화가 어려워지는 것을 막을 수 있다.
(b) 유리 프릿
유리 프릿(glass frit)은 전극 페이스트의 소성 공정 중 반사 방지막을 etching 하고, 은 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키고 전도성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도할 수 있다.
상기 유리 프릿은 결정화 유리 프릿 또는 비결정화 유리 프릿이며, 유연 유리 프릿, 무연 유리 프릿 또는 이들의 혼합물 중 어느 것도 사용가능 하다.
예를 들어, 산화아연-산화규소계(ZnO-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화규소계(Bi2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2) 및 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 유리 프릿을 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1 내지 5㎛, 바람직하게는 0.5 내지 3 ㎛ 인 것이 사용될 수 있다. 상기 범위 내에서 UV 파장의 심부 경화를 방해하지 않으며, 전극형성시 현상공정에서 핀홀 불량을 유발하지 않는다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 유리 프릿을 초음파로 상온에서 3분 분산 후 CILAS 社 에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다.
한 구체예에서는 상기 유리프릿은 300 내지 600 ℃, 바람직하게는 400 내지 550 ℃의 연화점을 가질 수 있다.
본 발명에서 상기 유리 프릿은 전체 페이스트 조성물 중 1~10 중량%, 바람직하게는 1~7 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 전도성 분말의 소결성 및 부착력 및 저항이 높아져 변환효율이 저하되는 것을 막을 수 있고, 소성 후 남아 있는 유리 프릿의 양이 과다하게 분포되어 저항 상승 및 납땜성을 저하시킬 수 있는 가능성을 막을 수 있다.
(c) 유기 비히클(vehicle)
유기 비히클은 페이스트에 액상 특성을 부여하는 유기 바인더(binder)를 포함할 수 있다.
상기 유기 바인더로는 카르복실기(Carboxyl Group) 등의 친수성을 가지는 아크릴 모노머로 공중합시킨 아크릴계 고분자, 에틸 셀룰로오즈(Ethyl Cellulose), 히드록시에틸 셀룰로오즈(Hydroxyethyl Cellulose), 히드록시프로필 셀룰로오즈(Hydroxypropyl Cellulose) 또는 히드록시에틸히드록시프로필 셀룰로오즈(Hydroxyethylhydroxypropyl) 등의 셀룰로오즈계 고분자들을 각각 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
유기 비히클은 용매를 더 포함할 수 있다. 이 경우 유기 비히클은 유기 바인더 5 내지 40 중량% 및 용매 60 내지 95 중량%를 포함하여 이루어질 수 있다. 바람직하게는 유기 바인더 7 내지 30 중량% 및 용매 70 내지 93 중량%이다.
상기 용매는 120℃ 이상의 비점을 갖는 유기 용매가 사용될 수 있다. 구체적인 예로, 메틸 셀로솔브(Methyl Cellosolve), 에틸 셀로솔브(Ethyl Cellosolve), 부틸 셀로솔브(Butyl Cellosolve), 지방족 알코올(Alcohol), α-터피네올(Terpineol), β-터피네올, 다이하이드로 터피네올(Dihydro-terpineol), 에틸렌 글리콜(Ethylene Grycol), 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르(Ethylene glycol mono butyl ether), 부틸셀로솔브 아세테이트(Butyl Cellosolve acetate), 텍사놀(Texanol) 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 유기 비히클은 전체 페이스트 조성물의 5~20 중량%, 바람직하게는 10 ~15 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 분산이 원활히 되지 않거나 페이스트 제조 후 점도가 너무 높아져 인쇄가 불가능하게 되는 것을 막을 수 있고, 저항이 높아지고 소성 공정시 발생할 수 있는 문제점을 차단할 수 있다.
(d) 금속산화물 입자
본 발명에서 금속산화물 입자는 전극의 접촉저항을 개선하고 결정화를 촉진시키는 역할을 한다.
금속산화물 입자는 산화아연(ZnO), 산화납(PbO), 산화구리(CuO), 산화규소(SiO2), 산화티탄(TiO2) 등의 금속산화물을 1종 이상 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 산화아연(ZnO)을 사용한다.
본 발명에서 상기 금속산화물 입자는 평균입경(D50)이 15~50 nm인 제1 입자와 평균입경(D50)이 0.1~2㎛인 제2 입자를 혼용하는 것을 특징으로 한다.
바람직한 구체예에서 상기 금속산화물 입자는 평균 입경 20~40 nm의 평균 입경을 가지는 제1 입자와 평균입경(D50)이 0.1~2㎛인 제2 입자를 혼용한다.
상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 금속산화물 입자를 초음파로 상온에서 3분 분산 후 CILAS 社 에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위에서 우수한 fill factor와 변환효율을 가질 수 있다.
상기 금속산화물 입자는 전체 페이스트의 1~10 중량% 첨가될 수 있으며, 바람직하게는 1~8 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 소성 공정 중 소결성이 저하되어 저항 및 변화효율이 불량해지는 것을 막을 수 있고, 저항이 높아지고 페이스트의 점도가 상승하여 인쇄가 불량해지는 가능성을 막을 수 있다.
또한, 상기 평균입경(D50)이 15~50 nm인 제1 입자는 전체 금속산화물 입자 중 5 내지 50 중량%, 바람직하게는 25 내지 50중량%, 더욱 바람직하게는 25 내지 40 중량% 로 포함된다. 상기 범위 내에서, 금속산화물 입자의 비표면적 및 부피가 커져 유리 프릿과 반응할 수 있는 공간이 늘어나 기대하는 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명의 태양전지 전극용 페이스트는 상기한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 가소제, 분산제, 요변제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 전체 조성물 중 0.1~5중량% 첨가되지만 필요에 따라 변경할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극용 페이스트로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 한 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, p층(101) 및 에미터(emitter)로서의 n층(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 상기 페이스트들을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 페이스트를 웨이퍼(100)의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극(210)을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(100)의 전면에 페이스트를 인쇄한 후 건조하여 전면 전극(230)을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400 내지 900 ℃에서 30초에서 50초 정도 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극(230) 및 후면 전극(210)을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
하기 실시예 및 비교실시예에서 사용된 각 성분의 사양은 다음과 같다:
(a) 전도성 입자: Dowa Hightech 사의 평균입경(D50)이 2.0 ㎛인 구형의 AG-4-8 (Ag 분말)을 사용하였다.
(b) 유리 프릿
(b1) 평균 입경(D50)이 1.0 ㎛이고 전이점이 451℃인 저융점 유연 유리 프릿(유연 Glass, (주)파티클로지, PSL1004C)을 사용하였다.
(b2) 평균 입경(D50)이 1.7 ㎛이고 전이점이 371℃인 저융점 무연 유리 프릿 (휘닉스 PDE, CSF-6) 을 사용하였다.
(c) 유기 비히클(vehicle): 에틸셀룰로오즈 (Dow chemical company, STD4) 를 터피네올 (Nippon Terpine) 에 60℃에서 용해시킨 것을 사용하였다.
(d) 금속산화물 입자
(d1)제1입자: 평균 입경(D50)이 30㎚인 ZnO powder(SB chemical Co., Inc.)를 사용하였다.
(d2)제2입자: 평균 입경(D50)이 1.2㎛ ZnO powder(Kanto chemical co. inc.)를 사용하였다.
실시예 1~4
상기 각 성분을 하기 표 1에 기재된 함량으로 투입하고, 분산제 BYK111(BYK-chemie)을 0.3 중량부, 요변제 BYK430(BYK-chemie)을 0.3 중량부, 소포제 BYK053(BYK-chemie)을 0.1 중량부 투입하여 믹싱 후 3롤 혼련기(roll milling)로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였다.
비교예 1
제1입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
비교예 2
제2입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2
(a) Ag 입자 80 80 80 80 80 80
(b)
(b1) 3 3 3 - 3 3
(b2) - - - 3 - -
(c)
에틸셀롤로오스 1 1 1 1 1 1
터피네올 11.3 11.3 13.3 11.3 11.3 11.3
(d)
(d1) 1 2 0.5 1 - 4
(d2) 3 2 1.5 3 4 -
첨가제

분산제 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
요변제 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
소포제 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
total 100 100 100 100 100 100
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2에서 제조한 태양전지 전극 형성용 페이스트를 Wafer의 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅 하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 이후 Wafer의 후면에 알루미늄 페이스트를 전면 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 400 내지 900 ℃사이로 30초에서 50초간 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율측정장비(Pasan社, CT-801)를 사용하여 태양전지의 Fill Factor (FF, %), 변환효율(Eff., %)을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 비교예1 비교예2
FF(%) 74.1 71.5 72.2 73.15 60.8 51.3
Eff.(%) 17.1 16.675 16.625 17.005 13.3 11.21
상기 결과에 나타난 바와 같이 유연 또는 무연 Glass 프릿을 제1 입자 및 제2 입자와 혼합하여 페이스트 제조에 사용할 경우, Fill Factor 및 변환효율에서 우수한 결과를 나타내었다.
이는 태양전지에 본 발명의 전극 형성용 페이스트를 전/후면 인쇄하고 건조 후 소성할 때 냉각 공정에서 Glass가 산화 아연 분말과 함께 결정화를 촉진하여 실리콘 웨이퍼 층(또는 에미터 층)에서 결정질로 변화하면서 은(Ag) 이온의 실리콘 웨이퍼 내부로 추가 침투를 막고, 은 이온의 분포를 증가시켜 Fill Factor 및 변환효율의 개선을 나타내는 것으로 보인다.
본 발명은 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
100 : 웨이퍼 101: p 층
102: n층 210: 후면 전극
230: 전면 전극

Claims (10)

  1. (a) 전도성 분말, (b) 유리 프릿, (c) 유기 비히클, 및 (d) 금속산화물 입자를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트에 있어서,
    상기 금속산화물 입자는 평균입경(D50)이 15~50 nm의 제1 입자와 평균입경(D50)이 0.1~2㎛의 제2 입자를 포함하며,
    상기 금속산화물 입자는 산화아연(ZnO), 산화납(PbO) 및 산화구리(CuO), 산화규소(SiO2) 및 산화티탄(TiO2)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 입자를 포함하는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 입자는 전체 금속산화물 입자중 5~50 중량%로 포함되는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전도성 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Nickel) 및 ITO(인듐틴옥사이드)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유리 프릿은 유연 유리 프릿, 무연 유리 프릿 또는 이들의 혼합물을 포함하는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 비히클은 유기 바인더와 용매를 포함하는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  7. 제1항에 있어서, 상기 페이스트는 (a) 전도성 분말 60~90 중량%, (b) 유리 프릿 1~10 중량%, (c) 유기 비히클 5~20 중량% 및 (d) 금속산화물 입자 1~10 중량%를 포함하는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  8. 제1항에 있어서, 상기 페이스트는 가소제, 분산제, 요변제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택된 첨가제를 1종 이상을 더 포함하는 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트.
  9. 제1항에 따른 실리콘계 태양전지 전극용 페이스트로부터 형성된 전극.
  10. 제9항의 전극을 포함하여 구성되는 실리콘계 태양전지.
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