JP2017212437A5 - 半導体装置の作製方法及び表示装置 - Google Patents

Claims (13)

1. 基板上に形成された樹脂層に、第１の領域と、前記第１の領域よりも膜厚の小さい第２の領域とを形成する第１の工程と、
   前記第１の領域と重なるように、トランジスタを形成する第２の工程と、
   前記第２の領域と重なるように、導電層を形成する第３の工程と、を有し、
   前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、
   少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
2. 基板上に形成された樹脂層に、凹領域を形成する第１の工程と、
   前記凹領域以外に、トランジスタを形成する第２の工程と、
   前記凹領域と重なるように、導電層を形成する第３の工程と、を有し、
   前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、
   少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
3. 基板上に形成された樹脂層に、凹領域を形成する第１の工程と、
   前記樹脂層に接して、絶縁層を形成する第２の工程と、
   前記凹領域以外に、トランジスタを形成する第３の工程と、
   前記凹領域と重なるように、導電層を形成する第４の工程と、を有し、
   前記第１の工程乃至前記第４の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、
   少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記導電層は、ＦＰＣと電気的に接続される、半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記樹脂層は、前記トランジスタが形成された側の第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
   前記第２の面に接着層を用いて、第２の基板を貼り合わせる工程を有する、半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記導電層は、酸化物導電層を有する、半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記導電層は、前記トランジスタが有するソース電極またはドレイン電極と同一の材料を有する、半導体装置の作製方法。
8. 樹脂層と重なる領域に配置された、トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された、表示素子と、
   前記樹脂層と重ならない領域に配置された、導電層と、を有し、
   前記樹脂層は、前記トランジスタが配置された側の第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
   前記樹脂層の前記第２の面に接着層を介して貼り合わされた基板を有する、表示装置。
9. 樹脂層と重なる領域に配置された、トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された、表示素子と、
   前記樹脂層と、前記トランジスタとの間に配置された、絶縁層と、
   前記樹脂層と重ならない領域に配置された、導電層と、を有し、
   前記樹脂層は、前記トランジスタが配置された側の第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
   前記樹脂層の前記第２の面に接着層を介して貼り合わされた基板を有する、表示装置。
10. 請求項８又は請求項９において、
    前記導電層は、ＦＰＣと電気的に接続される、表示装置。
11. 請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。
12. 請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記トランジスタと重なる領域の前記樹脂層の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下である、表示装置。
13. 請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
    前記樹脂層の５％重量減少温度は、４００℃未満である、表示装置。