JP2017191933A5 - 半導体装置の作製方法、及び表示装置 - Google Patents
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Claims (11)
- 基板上に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂層を形成する第１の工程と、
前記樹脂層上に、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する第４の工程と、を有し、
前記絶縁層は、窒化シリコンを有する層と、酸化シリコンを有する層とを有する積層体を有し、
前記窒化シリコンを有する層の膜厚は、前記酸化シリコンを有する層の膜厚より大きい、半導体装置の作製方法。 - 基板上に、熱硬化性を有する樹脂層を形成する第１の工程と、
前記樹脂層上に、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する第４の工程と、を有し、
前記絶縁層は、窒化シリコンを有する層と、酸化シリコンを有する層とを有する積層体を有し、
前記窒化シリコンを有する層の膜厚は、前記酸化シリコンを有する層の膜厚より大きい、半導体装置の作製方法。 - 基板上に、感光性を有する樹脂層を形成する第１の工程と、
前記樹脂層上に、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する第４の工程と、を有し、
前記絶縁層は、窒化シリコンを有する層と、酸化シリコンを有する層とを有する積層体を有し、
前記窒化シリコンを有する層の膜厚は、前記酸化シリコンを有する層の膜厚より大きい、半導体装置の作製方法。 - 基板上に、感光性を有する樹脂層を形成する第１の工程と、
前記樹脂層上に、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する第４の工程と、
前記第４の工程より前に、前記樹脂層に膜厚の小さい第１の領域を形成し、前記第１の領域と重なる領域を有する導電層を形成する第５の工程と、を有し、
前記絶縁層は、窒化シリコンを有する層と、酸化シリコンを有する層とを有する積層体を有し、
前記窒化シリコンを有する層の膜厚は、前記酸化シリコンを有する層の膜厚より大きい、半導体装置の作製方法。 - 基板上に、感光性を有する樹脂層を形成する第１の工程と、
前記樹脂層上に、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する第４の工程と、
前記第４の工程より前に、前記樹脂層に膜厚の小さい第１の領域を形成し、前記第１の領域と重なる領域を有する導電層を形成する第５の工程と、を有する、半導体装置の作製方法。 - 基板上に、樹脂層を形成する第１の工程と、
前記樹脂層上に、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する第４の工程と、
前記第４の工程より前に、前記樹脂層に膜厚の小さい第１の領域を形成し、前記第１の領域と重なる領域を有する導電層を形成する第５の工程と、を有する、半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記樹脂層は、粘度が１０ｃＰ以上５０ｃＰ未満の溶液を用いて形成される、半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
感光性及び熱硬化性を有する材料を第１の温度で加熱して、前記樹脂層を形成し、
前記第１の温度以下の温度で、前記トランジスタを形成する、半導体装置の作製方法。 - 樹脂層と、
前記樹脂層上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
前記絶縁層は、窒化シリコンを有する層と、酸化シリコンを有する層とを有する積層体を有し、
前記窒化シリコンを有する層の膜厚は、前記酸化シリコンを有する層の膜厚より大きい、表示装置。 - 樹脂層と、
前記樹脂層上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
前記樹脂層は、第１の領域と、前記第１の領域より膜厚の小さい第２の領域と、を有し、
前記第２の領域と重なる領域を有する導電層を有する、表示装置。 - 請求項９又は請求項１０において、
前記樹脂層の５％重量減少温度は、４００℃未満である、表示装置。
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