JP2014158035A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 暫定接合方法であって、
   第１の基板のデバイス面にリフトオフ層を設ける工程、
   前記リフトオフ層上に接合層を形成する工程、
   第２の基板を前記接合層に接合して接合スタックを形成する工程
   を含む方法。
2. 前記リフトオフ層をスピンコートにより適用する、請求項１に記載の方法。
3. 前記リフトオフ層が、約３μｍ未満の厚みＴ_１を有する、請求項１に記載の方法。
4. 前記リフトオフ層が、共形層である、請求項１に記載の方法。
5. 前記リフトオフ層を形成するために使用される組成物は、前記リフトオフ層が、１％の塩化水素酸水溶液、５０％の酢酸水溶液、イソプロパノール、１−ドデセン、Ｒ−リモネン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）およびテトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）から成る群から選択される溶液中で前記リフトオフ層が可溶性であるように選択される、請求項１に記載の方法。
6. 前記デバイス面は、半田バンプ構造体、金属ポスト構造体、金属ピラー構造体、及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、（オキシ）窒化ケイ素、金属、低ｋ誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体から成る群から選択される少なくとも１つの構造体を含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記第２の基板は、シリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、又はセラミックスを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記厚みＴ_１は、約０．５μｍ〜約３μｍである、請求項３に記載の方法。
9. 前記厚みＴ_１は約１．０μｍ〜約１．５μｍである、請求項８に記載の方法。