JP6225894B2 - ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 100
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 91
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 70
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 70
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 66
- -1 phenol compound Chemical class 0.000 claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical group O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 19
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 18
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 156
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N isononane Chemical compound CCCCCCC(C)C ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 11
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 2-methylundecane Chemical compound CCCCCCCCCC(C)C GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 2-propanol Substances CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N Isobutylhexyl Natural products CCCCCCCC(C)C SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N isododecane Natural products CC(C)(C)CC(C)CC(C)(C)C VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 6
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 3
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 3
- UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N (4-dimethylsilylidenecyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)C1=CC=C([Si](C)C)C=C1 UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJDMMCYMVUTZSN-UHFFFAOYSA-N (1-ethynylcyclohexyl)oxy-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)OC1(C#C)CCCCC1 KJDMMCYMVUTZSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2,4-dichlorophenyl)pentyl]1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=C(Cl)C=C(Cl)C=1C(CCC)CN1C=NC=N1 WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKDGWNHUETZZCS-UHFFFAOYSA-N 2,3-ditert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1C(C)(C)C SKDGWNHUETZZCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CO)=C1 KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonyl-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)C SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCTILCZSUSTVHT-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-yloxy(trimethyl)silane Chemical compound CC(C)CC(C)(C#C)O[Si](C)(C)C ZCTILCZSUSTVHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMPRWOVDLKORBV-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)-(trimethoxymethyl)amino]methanol Chemical compound COC(OC)(OC)N(CO)C1=NC(N)=NC(N)=N1 ZMPRWOVDLKORBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- NFCHUEIPYPEHNE-UHFFFAOYSA-N bis(2,2-dimethylbut-3-ynoxy)-dimethylsilane Chemical compound C#CC(C)(C)CO[Si](C)(C)OCC(C)(C)C#C NFCHUEIPYPEHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical group NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXLPXWSKPNOQLE-UHFFFAOYSA-N methylpentynol Chemical compound CCC(C)(O)C#C QXLPXWSKPNOQLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940116315 oxalic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012321 sodium triacetoxyborohydride Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- JNRUXZIXAXHXTN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)silane Chemical compound C#CC(C)(C)O[Si](C)(C)C JNRUXZIXAXHXTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWMVPLQDJXJDEW-UHFFFAOYSA-N trimethyl(3-methylpent-1-yn-3-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)(C#C)O[Si](C)(C)C NWMVPLQDJXJDEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Description
そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、TSVや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。
なお、このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層(又は仮接着材層)と呼ぶことにする。
前記ウエハ加工用仮接着材が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱硬化性シロキサン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層の三層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであって、
前記ウエハの表面に前記樹脂層(A)を形成した後、その上に前記熱硬化性シロキサン重合体層(B)を形成するための熱硬化性シリコーン組成物層(B’)を形成したウエハ積層体を得ると共に、前記支持体上に熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)を得るためのシロキサン含有組成物層(C’)を形成した支持体積層体を得、次いで前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)とシロキサン含有組成物層(C’)とを真空下で加熱して貼り合せを行い、上記両層をそれぞれ熱硬化すると共に、両層を接着させることを特徴とするウエハと支持体との仮接着方法を提供する。この場合、上記真空下での貼り合せに際し、40〜200℃の加熱下で貼り合せを行うことが好ましい。
(B−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B−2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:前記(B−1)成分中のアルケニル基に対する(B−2)成分中のSi−H基のモル比が0.3〜10となる量、
(B−3)白金系触媒
を含有する組成物の層であることが好ましい。
この場合、前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)が、更に、(B−4)成分として反応制御剤:前記(B−1)及び前記(B−2)成分の合計100質量部に対して0.1〜10質量部を含有するものであることが好ましい。
また、これらの場合、前記熱硬化性シロキサン重合体層(B)における25mm幅のポリイミド試験片の180°ピール剥離力が2gf以上50gf以下であることが好ましい。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。但し、A+B=1である。Xは下記一般式(2)で示される2価の有機基である。
(式中、Zは
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R5、R6はそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。但し、A+B=1である。更に、Yは下記一般式(4)で示される2価の有機基である。
(a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記表面の回路形成面に非シリコーン熱可塑性樹脂(A)からなる第一仮接着層を形成した後、その上に熱硬化性シリコーン組成物層(B’)を形成すると共に、支持体の一面にシロキサン含有組成物層(C’)を形成し、前記ウエハの熱硬化性シリコーン組成物層(B’)と前記支持体のシロキサン含有組成物層(C’)とを真空下で貼り合せる工程と、
(b)前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)とシロキサン含有組成物層(C’)をそれぞれ熱硬化させて、熱硬化性シリコーン組成物層(B’)の硬化物からなる熱硬化性シロキサン重合体層(B)の第二仮接着層とシロキサン含有組成物層(C’)の硬化物からなる熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の第三仮接着層とを接着させる工程と、
(c)前第一、第二及び第三仮接着層の三層構造を有する複合仮接着材層を介して支持体に接合された前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハを前記複合仮接着材層及び支持体から剥離する工程と、
(f)前記加工を施したウエハの剥離面に対し洗浄を行う工程
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
なお、上記薄型ウエハの製造方法において、貼り合せを行うときの温度、熱硬化性シリコーン組成物層(B’)及びシロキサン含有組成物層(C’)の組成は、仮接着方法の場合と同様である。
上記のように、仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、TSV形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、CVDといったウエハ熱プロセス耐性に優れ、剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工用仮接着材が求められているが、本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、
(A)の非シリコーン熱可塑性樹脂層からなる熱可塑性仮接着層と
(B)の熱硬化性シロキサン重合体層からなる熱硬化性仮接着層と、更には、
(C)の熱硬化性シロキサン変性重合体層からなる熱硬化性仮接着層
との3層系からなる複合仮接着材層を、ウエハと支持体の接合にウエハ側から(A)、(B)、(C)の順で形成した構造として使用したものであり、この場合、前記ウエハの表面に前記樹脂層(A)を形成した後、その上に前記熱硬化性シロキサン重合体層(B)を形成するための熱硬化性シリコーン組成物層(B’)を形成したウエハ積層体を得ると共に、前記支持体上に熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)を得るためのシロキサン含有組成物層(C’)を形成した支持体積層体を得、次いで前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)とシロキサン含有組成物層(C’)とを真空下で加熱して貼り合せを行い、上記両層をそれぞれ熱硬化すると共に、両層を接着させることにより、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
[複合仮接着材層]
−第一仮接着層(A)/非シリコーン熱可塑性樹脂層(熱可塑性オルガノポリシロキサン非含有重合体層)−
第一仮接着層(A)は、オルガノポリシロキサンを有しない熱可塑性樹脂から構成される。段差を有するシリコンウエハなどへの適用性から、良好なスピンコート性を有する熱可塑性樹脂が第一仮接着層(A)を形成する材料として好適に使用され、特にガラス転移温度−80〜120℃程度の熱可塑性樹脂が好ましく、例えばオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、スチレン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ブタジエン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ポリオレフィン系熱可塑性エラストマーなどが挙げられ、特に耐熱性に優れた水素添加ポリスチレン系エラストマーが好適である。具体的にはタフテック(旭化成ケミカルズ)、エスポレックスSBシリーズ(住友化学)、ラバロン(三菱化学)、セプトン(クラレ)、DYNARON(JSR)などが挙げられる。またゼオネックス(日本ゼオン)に代表されるシクロオレフィンポリマー及びTOPAS(日本ポリプラスチック)に代表される環状オレフィンコポリマーが挙げられる。
このようなものであれば、薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体から、容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハをより容易に扱うことができる。
本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材の構成要素である熱硬化性シロキサン重合体層(B)は、熱硬化性のシロキサン重合体からなるものであれば、特に限定されない。例えば、下記(B−1)〜(B−3)成分、必要に応じて(B−4)成分を含有する熱硬化性シリコーン組成物の硬化物層であることが好ましい。
(B−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B−2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:(B−1)成分中のアルケニル基に対する(B−2)成分中のSi−H基のモル比が0.3〜10となる量、
(B−3)白金系触媒。
[(B−1)成分]
(B−1)成分は、1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。(B−1)成分は、好ましくは、1分子中に2個以上のアルケニル基を含有する直鎖状又は分岐状のジオルガノポリシロキサンである。特に好ましくは、1分子中に0.3〜10mol%、特に0.6〜9mol%(アルケニル基モル数/Siモル数)〜9mol%のアルケニル基を含有するジオルガノポリシロキサンである。
R9 (3-a)XaSiO−(R9XSiO)m−(R9 2SiO)n−SiR9 (3-a)Xa
(5)
R9 2(HO)SiO−(R9XSiO)m+2−(R9 2SiO)n−SiR9 2(OH)
(6)
(式中、R9は夫々独立して脂肪族不飽和結合を有さない1価炭化水素基、Xは夫々独立してアルケニル基含有1価有機基、aは0〜3の整数である。また、式(5)において、2a+mは1分子中にアルケニル基含有量が0.3〜10mol%となる数である。式(6)において、m+2は1分子中にアルケニル基含有量が0.3〜10mol%となる数である。mは0又は10以下の正数であり、nは1〜1,000の正数である。)
(B−2)成分は架橋剤であり、1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。(B−2)成分は、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を少なくとも2個、好ましくは3個以上20個以下有するものであり、直鎖状、分岐状、又は環状のものを使用できる。
(B−2)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの25℃における回転粘度計による粘度は、1〜5,000mPa・sであることが好ましく、5〜500mPa・sであるのが更に好ましい。このオルガノハイドロジェンポリシロキサンは2種以上の混合物でもよい。
(B−3)成分は白金系触媒(即ち、白金族金属触媒)であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物などが挙げられる。
(B−3)成分の添加量は有効量であり、通常(B−1)、(B−2)の合計(下記に示す(B−4)成分を含有する場合には、(B−1)、(B−2)及び(B−4)の合計)に対し、白金分(質量換算)として1〜5,000ppmであり、5〜2,000ppmであることが好ましい。1ppm以上であれば組成物の硬化性が低下することもなく、架橋密度が低くなることも、保持力が低下することもない。0.5%以下であれば、処理浴の使用可能時間を長くすることができる。
(B−4)成分は反応制御剤であり、組成物を調合ないし基材に塗工する際に、加熱硬化前に処理液が増粘やゲル化を起こさないようにするために必要に応じて任意に添加するものである。
具体例としては、3−メチル−1−ブチン−3−オール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、1−エチニルシクロヘキサノール、3−メチル−3−トリメチルシロキシ−1−ブチン、3−メチル−3−トリメチルシロキシ−1−ペンチン、3,5−ジメチル−3−トリメチルシロキシ−1−ヘキシン、1−エチニル−1−トリメチルシロキシシクロヘキサン、ビス(2,2−ジメチル−3−ブチノキシ)ジメチルシラン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ジビニルジシロキサンなどが挙げられ、好ましいのは1−エチニルシクロヘキサノール、及び3−メチル−1−ブチン−3−オールである。
なお詳細は後述するが、貼り合せウエハを溶剤に浸漬させてから支持体を剥離する処理を行った場合、上記ピール剥離力が70gf以下であれば支持体を容易に剥離できる。
本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材の構成要素である熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)は、熱硬化性シロキサン変性重合体層であれば特に限定されないが、下記一般式(1)或いは(3)で示される熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とするシロキサン含有組成物の硬化物の層が好ましい。
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000、好ましくは10,000〜100,000のシロキサン結合含有重合体。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。Xは下記一般式(2)で示される2価の有機基である。この場合、A+B=1である。また、好ましくはAは0〜0.9、Bは0.1〜1であり、またAを添加する場合には、好ましくはAは0.1〜0.7、Bは0.3〜0.9である。
(式中、Zは、
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R5、R6はそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。更に、Yは下記一般式(4)で示される2価の有機基である。この場合、A+B=1である。また、好ましくはAは0〜0.9、Bは0.1〜1であり、またAを添加する場合には、好ましくはAは0.1〜0.7、Bは0.3〜0.9である。
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)と熱硬化性シロキサン重合体層(B)と熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の3層を含む複合仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には5〜300μm、より典型的には10〜100μmである。
なお、上記真空条件としては、減圧下であればよいが、0.01〜500Pa、好ましくは0.01〜100Paがよい。また、圧力条件は0.1〜50kNで行うことが好ましい。
ウエハ貼り合せ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばEVG社のEVG520IS、850TB等が挙げられる。
前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)とシロキサン含有組成物層(C’)をそれぞれ熱硬化させて、熱硬化性シリコーン組成物層(B’)の硬化物からなる熱硬化性シロキサン重合体層(B)の第二仮接着層とシロキサン含有組成物層(C’)の硬化物からなる熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の第三仮接着層とを接着させる工程であり、上記ウエハ加工体(積層体基板)が形成された後、120〜220℃、好ましくは150〜200℃で10分〜4時間、好ましくは30分〜2時間加熱することによって、重合体層(B’)及び(C’)の硬化を行う。
工程(c)は、前記第一、第二及び第三仮接着層の三層構造を有する複合仮接着材層支持体に接合されたウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、工程(a)にて貼り合せて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG−810(商品名)等が挙げられる。また、ウエハ裏面側をCMP研磨してもよい。
工程(d)は、回路非形成面を研削したウエハ加工体、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハ加工体の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
工程(e)は、工程(d)で加工を施したウエハを複合仮接着材層及び支持体から剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハを支持体から剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から60℃程度の比較的低温の条件で実施され、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法等が挙げられる。
(g)加工を施したウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程と、
(h)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
(i)吸着面の温度が10℃〜100℃の温度範囲で、支持体を、加工を施したウエハからピールオフにて剥離する工程と
を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
この工程を行うことでウエハ上の外周部分の仮接着剤が膨潤、溶解するため、ウエハから支持体を剥離するのが容易となる。
この工程では、複合仮接着材層中の(A)層である非シリコーン熱可塑性樹脂層を膨潤、溶解させるような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、p−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、1種単独でも2種以上組み合わせて用いてもよい。
(f)剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着剤層を洗浄により除去する工程
を行うことが好ましい。工程(e)により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着層(A)が一部残存している場合があり、該仮接着層(A)の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
温度は10〜80℃、好ましくは15〜65℃が好適であり、必要があれば、これらの溶解液で層(A)を溶解したのち、最終的に水洗又はアルコール(好ましくは炭素数1〜5)によるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に9,9’−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(M−1)43.1g、平均構造式(M−3)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン29.5g、トルエン135g、塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、1,4−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(M−5)17.5gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを80g添加して、樹脂固形分濃度50質量%のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液の樹脂分の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量45,000であった。更に、この樹脂溶液50gに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN−1020(日本化薬(株)製)を7.5g、硬化触媒として、和光純薬工業(株)製、BSDM(ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン)を0.2g、更に、酸化防止剤として、テトラキス[メチレン−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブ AO−60)を0.1g添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、シロキサン含有組成物溶液(C−1)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内にエポキシ化合物(M−2)84.1gをトルエン600gに溶解後、化合物(M−3)294.6g、化合物(M−4)25.5gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、90℃まで加温し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン(MIBK)600gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)270gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量28,000であった。更にこの樹脂溶液100gに4官能フェノール化合物であるTEP−TPA(旭有機材工業製)を9g、テトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、リカシッドHH−A)0.2gを添加して、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、シロキサン含有組成物溶液(C−2)を得た。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033(クラレ製)16gをイソノナン184gに溶解し、8質量%のセプトン4033のイソノナン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、非シリコーン熱可塑性樹脂のイソノナン溶液(A−1)を得た。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033(クラレ製)24gをイソノナン176gに溶解し、12質量%のセプトン4033のイソノナン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、非シリコーン熱可塑性樹脂のイソノナン溶液(A−2)を得た。
0.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン80部及びイソドデカン400部からなる溶液に下記式(M−6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを3.0部、エチニルシクロヘキサノール0.7部を添加し混合した。更に白金触媒CAT−PL−5(信越化学工業株式会社製)を0.5部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン組成物溶液(B−1)を得た。
0.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン80部、イソドデカン400部からなる溶液に(M−6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを5.0部、エチニルシクロヘキサノール0.7部を添加し混合した。更に白金触媒CAT−PL−5(信越化学工業株式会社製)を0.5部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン組成物溶液(B−2)を得た。
0.5モル%のビニル基を両末端及び側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン80部及びイソドデカン400部からなる溶液に(M−6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン7.5部、エチニルシクロヘキサノール0.7部を添加し混合した。更に白金触媒CAT−PL−5(信越化学工業株式会社製)を0.5部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン組成物溶液(B−3)を得た。
0.5モル%のビニル基を両末端及び側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン80部及びイソドデカン400部からなる溶液に(M−6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン10部、エチニルシクロヘキサノール0.7部を添加し混合した。更に白金触媒CAT−PL−5(信越化学工業株式会社製)を0.5部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン組成物溶液(B−4)を得た。
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)にA−1の溶液をスピンコート後、ホットプレートにて、150℃で5分間加熱することにより、層(A)に対応する材料を表1に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。その後、層(B’)に相当する熱硬化性シリコーン組成物溶液(B−1)を、ウエハ上に形成された層(A)上に、やはりスピンコートすることで、表1中の膜厚で形成した。更にその後、150℃で3分間、ホットプレート上で加熱した。一方、直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板を支持体とし、この支持体に層(C’)に対応するシロキサン含有組成物溶液(C−1)をスピンコートし、ホットプレートにより150℃で5分間加熱することで、表1中に記載された膜厚でガラス支持体上に形成した。このようにしてこの非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)と、その層(A)上に層(B’)を有するシリコンウエハ、及び熱硬化性シロキサン変性重合体層を含むシロキサン含有組成物層(C’)を有するガラス板とをそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合せ装置(EVG社のEVG520IS)内で10-3mbar以下の減圧条件のもと、表1に示す条件にて貼り合せ、ウエハ加工体を作製した。この場合の接合界面は「B’/C’」と表記する。また、実施例2以降についても上記方法と同様に処理した。
また比較として、支持体に熱硬化性シロキサン変性重合体をシロキサン含有組成物層(C’)を形成後、その上に熱硬化性シリコーン組成物層(B−1、B−2)を形成し、この層(C’)と(B’)の形成された支持体と、樹脂層(A)の形成されたウエハを同様に貼り合せたウエハ加工体を作製した。この場合の接合界面は「A/B’」と表記する。
その後、この接合された基板に対し、下記試験を行い、実施例及び比較例の結果を表1に示した。また、下記の順で評価を実施した。
200mmのウエハ接合は、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて行った。接合温度は表1に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は10-3mbar以下、荷重は5kNで実施した。
接合後、一旦、180℃で1時間オーブンを用いて基板を加熱し、層(B’)及び(C’)の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視及び光学顕微鏡それぞれで確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
グラインダー(DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハを裏面研削した後の加工体をCVD装置に導入し、2μmのSiO2膜の生成実験を行ない、その際の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。CVD耐性試験の条件は、以下の通りである。
装置名:プラズマCVD PD270STL(サムコ社製)
RF500W、内圧40Pa
TEOS(テトラエチルオルソシリケート):O2=20sccm:680sccm
基板の剥離性は、まず、CVD耐性試験を終えたウエハ加工体の50μmまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。この時、剥離前処理としてp−メンタンに室温で5分間浸漬させた基板の剥離性も検討した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
上記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された200mmウエハ(CVD耐性試験条件に晒されたもの)を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてp−メンタンを用い、洗浄方法として5分間噴霧、1分間噴霧、又は1分間二流体洗浄(窒素混合)それぞれを行い、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール(IPA)を噴霧にてリンスを行った。なお二流体洗浄はSuss製Delta12Lを使用した。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、部分的に樹脂の残存が認められたものを部分的不良として「△」で示し、ウエハ全面に樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)にスピンコート後、ホットプレートにて、150℃で5分間加熱することにより、層(A)に対応する材料を表1に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。その後、層(B’)に相当する熱硬化性シリコーン組成物溶液を、シリコンウエハ上に形成された層(A)上に、やはりスピンコートし、更にその後、150℃で3分間、ホットプレート上で加熱して2μm膜厚で形成した。更に層(B’)上に層(C’)に対応するシロキサン含有組成物溶液をスピンコート、及びホットプレートにより、やはり、150℃で5分間加熱することで、50μm膜厚で、シリコンウエハ上に形成した。その後オーブンで180℃で1時間かけて硬化させた。
その後、上記ウエハの層(C)上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の仮接着材層を除去した。島津製作所社のAUTOGRAPH(AG−1)を用いて300mm/分の速度でテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その仮接着層(B)の剥離力とした。
2 仮接着材層
(A) 非シリコーン熱可塑性樹脂層(第一仮接着層)
(B) 熱硬化性シロキサン重合体層(第二仮接着層)
(C) 熱硬化性シロキサン変性重合体層(第三仮接着層)
3 支持体
Claims (13)
- 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハをウエハ加工用仮接着材を介して支持体に仮接着させる方法であって、
前記ウエハ加工用仮接着材が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱硬化性シロキサン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層の三層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであって、
前記ウエハの表面に前記樹脂層(A)を形成した後、その上に前記熱硬化性シロキサン重合体層(B)を形成するための熱硬化性シリコーン組成物層(B’)を形成したウエハ積層体を得ると共に、前記支持体上に熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)を得るためのシロキサン含有組成物層(C’)を形成した支持体積層体を得、次いで前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)とシロキサン含有組成物層(C’)とを真空下で加熱して貼り合せを行い、上記両層をそれぞれ熱硬化すると共に、両層を接着させることを特徴とするウエハと支持体との仮接着方法。 - 上記真空下での貼り合せに際し、40〜200℃の加熱下で貼り合せを行うことを特徴とする請求項1記載の仮接着方法。
- 前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)が、
(B−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B−2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:前記(B−1)成分中のアルケニル基に対する(B−2)成分中のSi−H基のモル比が0.3〜10となる量、
(B−3)白金系触媒、
を含有する組成物の層であることを特徴とする請求項1又は2記載の仮接着方法。 - 前記熱硬化性シロキサン重合体層(B)における25mm幅のポリイミド試験片の180°ピール剥離力が2gf以上50gf以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の仮接着方法。
- 前記シロキサン含有組成物層(C’)が、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の仮接着方法。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。但しA+B=1である。Xは下記一般式(2)で示される2価の有機基である。
(式中、Zは、
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R5、R6はそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)] - 前記シロキサン含有組成物層(C’)が、下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の仮接着方法。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。但し、A+B=1である。更に、Yは下記一般式(4)で示される2価の有機基である。
(式中、Vは、
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R7、R8はそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)] - (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記表面の回路形成面に非シリコーン熱可塑性樹脂(A)からなる第一仮接着層を形成した後、その上に熱硬化性シリコーン組成物層(B’)を形成すると共に、支持体の一面にシロキサン含有組成物層(C’)を形成し、前記ウエハの熱硬化性シリコーン組成物層(B’)と前記支持体のシロキサン含有組成物層(C’)とを真空下で貼り合せる工程と、
(b)前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)とシロキサン含有組成物層(C’)をそれぞれ熱硬化させて、熱硬化性シリコーン組成物層(B’)の硬化物からなる熱硬化性シロキサン重合体層(B)の第二仮接着層とシロキサン含有組成物層(C’)の硬化物からなる熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の第三仮接着層とを接着させる工程と、
(c)前第一、第二及び第三仮接着層の三層構造を有する複合仮接着材層を介して支持体に接合された前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハを前記複合仮接着材層及び支持体から剥離する工程と、
(f)前記加工を施したウエハの剥離面に対し洗浄を行う工程
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。 - 前記工程(e)においてウエハから支持体を剥離する前にウエハ全体を溶剤中に浸漬させてから支持体を剥離する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の薄型ウエハの製造方法。
- 前記工程(f)において二流体洗浄を用いて洗浄を行うことを特徴とする請求項7又は8記載の薄型ウエハの製造方法。
- 上記真空下での貼り合せに際し、40〜200℃の加熱下で貼り合せを行うことを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項記載の薄型ウエハの製造方法。
- 前記熱硬化性シリコーン組成物層(B’)が、
(B−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B−2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:前記(B−1)成分中のアルケニル基に対する(B−2)成分中のSi−H基のモル比が0.3〜10となる量、
(B−3)白金系触媒、
を含有する組成物の層であることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項記載の薄型ウエハの製造方法。 - 前記シロキサン含有組成物層(C’)が、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項記載の薄型ウエハの製造方法。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。但しA+B=1である。Xは下記一般式(2)で示される2価の有機基である。
(式中、Zは、
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R5、R6はそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)] - 前記シロキサン含有組成物層(C’)が、下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項記載の薄型ウエハの製造方法。
[式中、R1〜R4は同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。但し、A+B=1である。更に、Yは下記一般式(4)で示される2価の有機基である。
(式中、Vは、
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R7、R8はそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)]
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014259813A JP6225894B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 |
EP15201534.3A EP3038148B1 (en) | 2014-12-24 | 2015-12-21 | Wafer temporary bonding method and thin wafer manufacturing method |
TW104143168A TWI668077B (zh) | 2014-12-24 | 2015-12-22 | 晶圓之暫時接著方法及薄型晶圓之製造方法 |
US14/979,102 US9646868B2 (en) | 2014-12-24 | 2015-12-22 | Wafer temporary bonding method and thin wafer manufacturing method |
CN201510982698.6A CN105742194B (zh) | 2014-12-24 | 2015-12-24 | 晶片临时接合方法和薄晶片制造方法 |
KR1020150186426A KR102427541B1 (ko) | 2014-12-24 | 2015-12-24 | 웨이퍼의 가접착 방법 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014259813A JP6225894B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016119438A JP2016119438A (ja) | 2016-06-30 |
JP6225894B2 true JP6225894B2 (ja) | 2017-11-08 |
Family
ID=55079953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014259813A Active JP6225894B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9646868B2 (ja) |
EP (1) | EP3038148B1 (ja) |
JP (1) | JP6225894B2 (ja) |
KR (1) | KR102427541B1 (ja) |
CN (1) | CN105742194B (ja) |
TW (1) | TWI668077B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6023737B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-11-09 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6443241B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-12-26 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6589766B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-10-16 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6463664B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-02-06 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体及びウエハ加工方法 |
KR20180000263A (ko) | 2016-06-22 | 2018-01-02 | 현대모비스 주식회사 | 센터 에어백 장치 |
KR102524962B1 (ko) | 2016-11-14 | 2023-04-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 구조체 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 기판 구조체 |
IT201700053902A1 (it) * | 2017-05-18 | 2018-11-18 | Lfoundry Srl | Metodo di bonding ibrido per wafer a semiconduttore e relativo dispositivo integrato tridimensionale |
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JP7454922B2 (ja) | 2019-07-11 | 2024-03-25 | 信越化学工業株式会社 | 基板加工用仮接着材料及び積層体の製造方法 |
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JP5962759B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-08-03 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5975528B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2016-08-23 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6059631B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-11 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
KR102268248B1 (ko) * | 2014-01-29 | 2021-06-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법 |
JP6023737B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-11-09 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
-
2014
- 2014-12-24 JP JP2014259813A patent/JP6225894B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-21 EP EP15201534.3A patent/EP3038148B1/en active Active
- 2015-12-22 US US14/979,102 patent/US9646868B2/en active Active
- 2015-12-22 TW TW104143168A patent/TWI668077B/zh active
- 2015-12-24 CN CN201510982698.6A patent/CN105742194B/zh active Active
- 2015-12-24 KR KR1020150186426A patent/KR102427541B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105742194B (zh) | 2019-08-27 |
KR20160078291A (ko) | 2016-07-04 |
KR102427541B1 (ko) | 2022-07-29 |
CN105742194A (zh) | 2016-07-06 |
EP3038148B1 (en) | 2017-08-02 |
TW201634183A (zh) | 2016-10-01 |
US20160189998A1 (en) | 2016-06-30 |
JP2016119438A (ja) | 2016-06-30 |
TWI668077B (zh) | 2019-08-11 |
US9646868B2 (en) | 2017-05-09 |
EP3038148A1 (en) | 2016-06-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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