JP5975528B2 - ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents

ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5975528B2
JP5975528B2 JP2013155492A JP2013155492A JP5975528B2 JP 5975528 B2 JP5975528 B2 JP 5975528B2 JP 2013155492 A JP2013155492 A JP 2013155492A JP 2013155492 A JP2013155492 A JP 2013155492A JP 5975528 B2 JP5975528 B2 JP 5975528B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
temporary adhesive
layer
adhesive layer
polymer layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013155492A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014096563A (ja
Inventor
和紀 近藤
和紀 近藤
加藤　英人
英人 加藤
菅生　道博
道博 菅生
昭平 田上
昭平 田上
浩之 安田
浩之 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2013155492A priority Critical patent/JP5975528B2/ja
Priority to US14/043,327 priority patent/US9472438B2/en
Priority to TW102136341A priority patent/TWI570211B/zh
Priority to KR1020130120593A priority patent/KR101908630B1/ko
Publication of JP2014096563A publication Critical patent/JP2014096563A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5975528B2 publication Critical patent/JP5975528B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Description

本発明は、薄型ウエハを効果的に得ることを可能にするウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法に関する。
３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層（または仮接着材層）と呼ぶことにする。
これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。
また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている（特許文献３）。これは基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。
特開２００４−６４０４０号公報 特開２００６−３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号公報
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、支持体上に仮接着材層が形成され、かつ該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層との３層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体を提供する。
また、本発明では、支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが仮接着されるウエハ加工用部材であって、前記仮接着材層が、前記支持体に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層と、該第三仮接着層の上に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層上に積層され、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層とを備えたものであることを特徴とするウエハ加工用部材を提供する。
また、本発明では、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着可能な熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層とを有するものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。
このような、ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材を用いれば、ウエハと支持体との仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができる。
またこれらの場合、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）および前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることが好ましい。
このような熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）および（Ａ’）であれば、接着性、耐熱性に優れるため好ましい。
またこれらの場合、前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる放射線硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、または、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有する化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部、２４０ｎｍから５００ｎｍの範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤を０．０５〜２０質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。
Figure 0005975528
 ［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
Figure 0005975528
 （式中、Ｚは
Figure 0005975528
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
Figure 0005975528
 （式中、Ｖは
Figure 0005975528
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
このような放射線硬化性重合体層（Ｂ）であれば、耐熱性により一層優れるものとなり、また、膜厚均一性のよい仮接着層となるため好ましい。また、放射線により硬化させることが可能であり、一般的な熱硬化により得られる硬化層と比較した場合、硬化収縮が非常に低いため、加工が施されるウエハに与えるストレスが非常に小さく、ウエハ反りを小さくすることができるため好ましい。
また、本発明では、
（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、放射線硬化性重合体層（Ｂ）と、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる仮接着材層を介して、支持体に接合した後、前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）を放射線により硬化する工程と、
（ｂ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｃ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｄ）加工を施した前記ウエハを前記支持体から剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
このような薄型ウエハの製造方法であれば、本発明における３層系からなる仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、この仮接着材層を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、容易に製造することができる。
またこの場合、前記（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程は、
（ｅ）加工を施した前記ウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程と、
（ｆ）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
（ｇ）前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。
このような剥離工程によれば、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
またこの場合、前記（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
（ｈ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことが好ましい。
工程（ｄ）により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が一部残存している場合がある。この熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）の除去は、例えば、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤でウエハを洗浄することにより行うことができる。
本発明における仮接着材層は、耐熱性が高いために、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い接着材層を形成でき、この膜厚均一性のため容易に５０μｍ以下の均一な薄型ウエハを得ることが可能となり、更には、薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体より室温で、容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に製造することができる。
本発明のウエハ加工体の一例を示す断面図である。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、（Ａ）高重合度オルガノポリシロキサンからなる熱可塑性仮接着層と、（Ｂ）変性シロキサン重合体を主成分とする層からなる放射線硬化性仮接着層と、更には、（Ａ’）高重合度オルガノポリシロキサンからなる熱可塑性仮接着層との３層系からなる仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
本発明のウエハ加工体１０は、図１に示したように、加工すべきウエハ１と、ウエハ１の加工時にウエハ１を支持する支持体２と、これらウエハ１と支持体２との間に介在する仮接着材層３を備え、この仮接着材層３が、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）（第一仮接着層）と、放射線硬化性重合体層（Ｂ）（第二仮接着層）と、更には熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体（Ａ’）（第三仮接着層）の３層構造からなり、第一仮接着層が表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハ１の表面に剥離可能に接着され、第三仮接着層が支持体２に剥離可能に接着されているものである。
また、本発明のウエハ加工用部材は、前記支持体２と、その上に積層された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）と、その上に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）と、その上に積層された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）とを有するものであり、本発明のウエハ加工用仮接着材は、上記重合体層（（Ａ）、（Ｂ）および（Ａ’））の積層体からなるものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
＜仮接着材層＞
−第一仮接着層（Ａ）および第三仮接着層（Ａ’）／熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層−
第一仮接着層（Ａ）および第三仮接着層（Ａ’）は、同一でも異なっていても良く、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、好ましくは９９．５００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、好ましくは０．５００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％、好ましくは０．０００〜０．１００モル％含有し、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００であり、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサンの層が挙げられる。
上記において、有機置換基Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、好ましくはメチル基及びフェニル基である。
上記オルガノポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）にて、ポリスチレン標準物質によって作製した検量線にそって得られる重量平均分子量（本明細書では、「重量平均分子量」とはこれを意味する。）の値で、重量平均分子量が２００，０００以上、より好ましくは３５０，０００以上であり、かつ、１，０００，０００以下、より好ましく８００，０００以下であり、更には分子量７４０以下の低分子量成分含有量が０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である。
上記オルガノポリシロキサンにおいて、重量平均分子量が２００，０００以上であれば、ウエハを薄型化するための研削工程に十分耐えられるため好ましい。一方、重量平均分子量が１，０００，０００以下の場合は、工程終了後の洗浄工程で洗浄できるため好ましい。
一方、分子量が７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下であれば、貫通電極形成中の熱処理やウエハ裏面に形成されるバンプ電極の熱処理に対して、十分な耐熱性が得られるため好ましい。
更に、Ｄ単位は樹脂中の９９．０００〜９９．９９９モル％を構成することが好ましく、９９．０００モル％以上であれば、ウエハ薄型化のための研削工程に耐えることができるため好ましく、９９．９９９モル％以下であれば、工程終了後の仮接着層（Ｂ）との剥離が行えない恐れがないため好ましい。
Ｍ単位は、Ｄ単位を主成分とする樹脂の末端の活性基の封止のために加えられ、その分子量を調整するために使用される。
この熱可塑性オルガノポリシロキサン層は、予めフィルムとし、該フィルムを、ロールラミネータ等を使用してウエハに貼り合わせ使用しても、その溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によってウエハ上に形成して使用してもよい。スピンコートなどの方法によってウエハ上にこの層（Ａ）および（Ａ’）を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートしその後乾燥することが好ましいが、この場合には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤が好適に使用される。また、この熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体溶液には、公知の酸化防止材を耐熱性向上のために添加することができる。また、この層（Ａ）および（Ａ’）は、膜厚０．１〜１０μｍの間で形成されて使用されることが好ましい。０．１μｍ以上であれば、デバイスウエハの段差をカバーすることができ、１０μｍ以下であれば、薄型ウエハを形成する場合の研削工程に十分耐えることができるため好ましい。なお、この熱可塑性シロキサンには、耐熱性を更に高めるため、熱可塑性オルガノポリシロキサン１００質量部に対しシリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。
−第二仮接着層（Ｂ）／放射線硬化性変性シロキサン重合体層−
一般式（１）で示される放射線硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする放射線硬化性組成物の硬化物の層が第二仮接着層（Ｂ）として挙げられる。この組成物は、放射線により硬化させることが可能であり、一般的な熱硬化により得られる硬化層と比較した場合、硬化収縮が非常に低いため、加工が施されるウエハに与えるストレスが非常に小さく、従ってウエハ反りを小さくすることができる。
一般式（１）の重合体：
下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物である。
Figure 0005975528
 ［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
Figure 0005975528
 （式中、Ｚは
Figure 0005975528
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
Figure 0005975528
 （式中、Ｖは
Figure 0005975528
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
上記一般式（１）の放射線硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする放射線硬化性組成物は、その放射線硬化のために、１分子中に平均して２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、または、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有する化合物から選ばれるいずれか１種以上の架橋剤を含有する。
特に、２官能、３官能、４官能以上の多官能架橋剤、とりわけエポキシ樹脂、例えば、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＸＤ−１０００、ＮＣ−２０００−Ｌ、ＥＰＰＮ−２０１、ＧＡＮ、ＮＣ６０００や下記式のような架橋剤を含有することができる。
Figure 0005975528
架橋剤の配合量は、上記放射線硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して０．１〜５０質量部、好ましくは０．１〜３０質量部、更に好ましくは１〜２０質量部であり、２種類又は３種類以上を混合して配合してもよい。
上記一般式（１）の放射線硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする放射線硬化性組成物は、その放射線硬化のために、光酸発生剤を含有できる。光酸発生剤としては、例えば２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長の光照射により酸を発生し、これが硬化触媒となるものが挙げられる。本発明の放射線硬化性変性シロキサン重合体は酸発生剤との相溶性が優れるため、幅広い酸発生剤を使用することができる。そのような酸発生剤としては、例えばオニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
上記オニウム塩としては、例えば下記一般式（４）で表わされる化合物が挙げられる。
（Ｒ４’）ｈ’Ｍ＋Ｋ− （４）
（式中、Ｒ４’は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表わし、Ｍ＋はヨードニウム又はスルホニウムを表わし、Ｋ−は非求核性対向イオンを表わし、ｈ’は２又は３を表わす。）
上記Ｒ４’において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、２−オキソシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。また、アリール基としては、例えば、ｏ−、ｍ−又はｐ−メトキシフェニル、エトキシフェニル、ｍ−又はｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル等のアルコキシフェニル基：２−、３−又は４−メチルフェニル、エチルフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、４−ブチルフェニル、ジメチルフェニル等のアルキルフェニル基等が挙げられる。また、アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネチル等の各基が挙げられる。
Ｋ−の非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン；トリフレート、１，１，１−トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート；トシレート、ベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、１，２，３，４，５−ペンタフルオ口ベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート；メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート；ヘキサフルオロリン酸イオン、フッ素化アルキルフルオロリン酸イオン等が挙げられる。
ジアゾメタン誘導体としては、下記一般式（５）で表わされる化合物が挙げられる。
Figure 0005975528
 （式中、Ｒ５’は同一でも異なってもよく、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基若しくはハロゲン化アリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表わす。）
上記Ｒ５’において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プ口ピル基、ブチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
また、ハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル、１，１，１−トリフルオロエチル、１，１，１−トリクロロエチル、ノナフルオロブチル等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル；ｏ−、ｍ−又はｐ−メトキシフェニル、エトキシフェニル、ｍ−又はｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル等のアルコキシフェニル基；２−、３−又は４−メチルフェニル、エチルフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、４−ブチルフェニル、ジメチルフェニル等のアルキルフェニル基等が挙げられる。ハロゲン化アリール基としては、例えば、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼン等が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
グリオキシム誘導体としては、下記一般式（６）で表わされる化合物が挙げられる。
Figure 0005975528
 （式中、Ｒ６’、Ｒ７’は同一でも異なってもよく、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基若しくはハロゲン化アリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表わす。また、Ｒ７’同士は互いに結合して環状構造を形成していてもよく、環状構造を形成する場合は、Ｒ７’は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状アルキレン基を表わす。）
上記Ｒ６’、Ｒ７’のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基及びアラルキル基としては、上記Ｒ５’で例示したもの等が挙げられる。上記Ｒ７’のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
光酸発生剤として具体的には、例えばトリフルオ口メタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル（４−チオフェノキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のオニウム塩；
ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロへキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロへキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体；
ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロへキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロへキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ―ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体；
α−（ベンゼンスルホニウムオキシイミノ）−４−メチルフェニルアセトニトリル等のオキシムスルホネート誘導体；２−シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体；
ジフェニルジスルホン、ジシクロへキシルジスルホン等のジスルホン誘導体；ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体；
１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体；
フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン２，３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボルネン２，３−ジカルボキシイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン２，３−ジカルボキシイミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート、ｎ−トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等のイミド−イル−スルホネート誘導体等が挙げられる。
さらには、（５−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシイミノー５Ｈ−チオフェンー２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−（４−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フェニルスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェンー２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル等のイミノスルホネートが挙げられる。これらの中でも、イミドーイルスルホネート類やイミノスルホネート類、オキシムスルホネート類等が好適に用いられる。
上記酸発生剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。酸発生剤の配合量は、上記放射線硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して０．０５〜２０質量部、特に０．２〜５質量部が好ましい。配合量が０．０５質量部以上であれば、充分な感放射線硬化性を得ることができ、２０質量部以下であれば酸発生剤自身の光吸収により厚膜での硬化性が悪化する恐れがないので好ましい。
一方、この組成物は、フィルムで、ウエハに形成された（Ａ）層あるいは、支持体に形成された（Ａ’）層のいずれかの上に形成してもよい。また、この組成物を溶液に溶解し、塗布、具体的にはスピンコート、ロールコータ、ダイコータなどの方法によって（Ａ）層上、あるいは、（Ａ’）層上に形成してもよい。その場合には溶解する溶液としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
なお、組成物には、耐熱性を更に高めるため、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。
第二仮接着層（Ｂ）は、硬化時の膜厚が１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１２０μｍで成膜することがさらに好ましい。膜厚が１０μｍ以上の場合には、ウエハ薄型化の研削工程に十分耐えることができ、２００μｍ以下の場合には、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。
＜薄型ウエハの製造方法＞
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、前述の（Ａ）と、（Ｂ）及び（Ａ’）の３層からなる仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には５〜３００μｍ、より典型的には１０〜１００μｍである。
本発明の薄型ウエハの製造方法は（ａ）〜（ｄ）の工程を有する。
（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、放射線硬化性重合体層（Ｂ）と、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる仮接着材層を介して、支持体に接合した後、前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）を放射線により硬化する工程と、
（ｂ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｃ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｄ）加工を施した前記ウエハを前記支持体から剥離する工程。
前記（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程は、
（ｅ）加工を施した前記ウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程と、
（ｆ）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
（ｇ）前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離することにより行うことが好ましい。
前記（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
（ｈ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことが好ましい。
［工程（ａ）］
工程（ａ）は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの回路形成面を、上述した仮接着層（Ａ）、（Ｂ）と（Ａ’）の３層からなる仮接着材層を介して支持体と接合する工程である。回路形成面及び回路非形成面を有するウエハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面であるウエハである。本発明が適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、５００〜１０００μｍ、典型的には６００〜８００μｍ、より典型的には６２５〜７７５μｍである。
支持体としては、ガラス、石英ウエハ等の基板が使用可能であり、支持体の光線透過性が必要である。
上記仮接着層（Ａ）、（Ｂ）および（Ａ’）は、それぞれフィルムでウエハや支持体に形成することもでき、あるいは、それぞれの溶液をスピンコートなどの方法によりウエハや支持体に形成することができる。この場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、８０〜２００℃の温度で予めプリベークを行ったのち、使用に供される。更に、仮接着層（Ａ）、（Ｂ）及び（Ａ’）は、予めそのフィルム同士を貼り合わせた後、（Ａ）をウエハ側に、（Ａ’）を支持体側にして接合に供することも可能である。
上記仮接着層（Ａ）、（Ｂ）及び（Ａ’）が形成されたウエハ及び支持体は、仮接着層（Ａ）、（Ｂ）および（Ａ’）を介して、接合された基板として形成される。このとき、好ましくは４０〜２３０℃、より好ましくは４０〜２００℃の温度領域で、この温度にて減圧下、この基板を均一に圧着することで、ウエハが支持体と接合したウエハ加工体（積層体基板）が形成される。
ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００等が挙げられる。
ウエハ加工体（積層体基板）が形成された後、放射線硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）は、光透過性を有する支持体側より、波長２４０ｎｍ〜５００ｎｍの光で露光、さらに必要であれば、露光後の加熱により硬化することができる。
上記波長２４０〜５００ｎｍの光としては、例えば放射線発生装置により発生された種々の波長の光、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線光、遠紫外線光（２４８ｎｍ）等が挙げられる。露光量は、例えば１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。ここで、必要に応じ更に硬化度を高めるために、露光後に加熱処理してもよい。上記露光後加熱処理は、例えば４０〜１５０℃で０．５〜１２０分間とすることができる。
［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削する工程、即ち、工程（ａ）にて貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ−８１０（商品名）等が挙げられる。
［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、回路非形成面を研削したウエハ加工体、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハ加工体の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、工程（ｃ）で加工を施したウエハをウエハ加工体から剥離する工程である。
即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハ加工体から剥離する工程であり、接着剤層（Ａ）とウエハの界面で剥離させる。剥離方法としては、主にウエハと支持体を加熱（好ましくは２００〜２５０℃）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法等が挙げられる。
本発明には、これらの剥離方法すべてに適用可能であるが、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。
また、（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程は、
（ｅ）加工を施した前記ウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程と、
（ｆ）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
（ｇ）前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
上記（ｅ）工程において用いるダイシングテープは、基材フィルムに粘着層を形成したものである公知のダイシングテープを使用することができる。基材フィルムとしては、具体的に、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、エチレン‐プロピレン共重合体、ポリプロピレン（無延伸）、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン‐酢酸ビニル共重合体、エチレン‐（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン‐（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン‐（メタ）アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、エチレン・塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリアミド、アイオノマー、あるいはスチレン‐ブタジエンゴム、及びその水添加物、又は変性物等からなる可撓性のフィルム等が上げられる。
また、粘着層は、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系の感圧性粘着層やエネルギー線硬化型や加熱発泡型の粘着層を形成するとよい。
さらに、ダイシングテープの基材フィルム側を吸着版等の固定盤例えばチャックテーブル等に真空吸着させて、必要により該吸着面を１０〜１００℃の加熱をさせながら支持体側からウエハ面を剥離する。
［工程（ｈ）］
工程（ｈ）は、剥離したウエハの回路形成面に第一仮接着層（Ａ）が一部残存した場合に、これを除去する工程である。工程（ｄ）により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着層（Ａ）が一部残存している場合があり、この第一仮接着層（Ａ）の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
工程（ｈ）には、仮接着材層中の（Ａ）層である熱可塑性オルガノポリシロキサンを溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、必要があれば、これらの溶解液で（Ａ）層を溶解したのち、最終的に水洗又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［樹脂合成例１］
４つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン１，０００ｇ（３．３８モル）及びヘキサメチルジシロキサン０．２４ｇ（０．００１５モル）を仕込み、温度を１１０℃に保った。次いで、これに１０質量％テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート４ｇを加え、４時間かけて重合した後、１６０℃で２時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを２９Ｓｉ−ＮＭＲ法でＤ単位とＭ単位の割合を調べたところ、Ｄ単位９９．９７８％、Ｍ単位０．０２２％で、おおよそ重合度９，０００の下記構造のジメチルポリシロキサンと同定された。
Figure 0005975528
このジメチルポリシロキサン５００ｇをヘキサン５００ｇに溶解したのち、これを２Ｌのアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量が７００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−１）を得た。
［樹脂合成例２］
４つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン１，０００ｇ（３．３８モル）及びトリス（トリメチルシロキシ）メチルシラン０．９３ｇ（０．００３モル）を仕込み、温度を１１０℃に保った。次いで、これに１０質量％テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート４ｇを加え、４時間かけて重合した後、１６０℃で２時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを２９Ｓｉ−ＮＭＲ法でＤ単位、Ｍ単位、Ｔ単位のそれぞれの割合を調べたところ、Ｄ単位９９．９１１％、Ｍ単位０．０６７％、Ｔ単位０．０２２％であり、下記構造の分岐状ジメチルポリシロキサンと同定された。
Figure 0005975528
この分岐状ジメチルポリシロキサン５００ｇをヘキサン５００ｇに溶解したのち、これを２Ｌのアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０７質量％である、重量平均分子量が４００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−２）を得た。
［樹脂合成例３］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に化合物（Ｍ−１）２２０．５ｇ、化合物（Ｍ−２）２２５．０ｇをトルエン１，８７５ｇに溶解後、化合物（Ｍ−３）９４９．６ｇ、化合物（Ｍ−４）６．１ｇを加え６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、内部反応温度が６５℃〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、３時間９０℃まで加温後再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、化合物（Ｍ−５）１０７．３ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、８０℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間熟成した後、室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１，７００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水７６０ｇを加えて攪拌、静置分液を行い下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返し、樹脂溶液中の微量酸成分を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを９５０ｇ添加して、固形分濃度６０質量％のシクロペンタノンを主溶剤とする樹脂溶液を得た。この高分子化合物溶液中の高分子化合物の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量７５，０００であり、式（１）におけるａ＝０．３０，ｂ＝０．２０，ｃ＝０．３０，ｄ＝０．２０である。更にこの樹脂溶液１００ｇにクレゾールノボラックのエポキシ体（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ１０２０−５５）を１０ｇ、光酸発生剤（チバ・ジャパン製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ１２１、２−［２−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−２，３−ジヒドロチオフェン−３−イリデン］−２−（２−メチルフェニル）アセトニトリル）を０．３ｇ添加して、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−１）を得た。
［樹脂合成例４］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内に化合物（Ｍ−１）３９６．９ｇ、化合物（Ｍ−２）４５．０ｇをトルエン１，８７５ｇに溶解後、化合物（Ｍ−３）９４９．６ｇ、化合物（Ｍ−４）６．１ｇを加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、内部反応温度が６５〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、３時間９０℃まで加温後、再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、化合物（Ｍ−５）１０７．３ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、７８℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間熟成し、次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１，７００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水７６０ｇを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを９５０ｇ添加して、固形分濃度６０質量％のシクロペンタノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量６２，０００であり、式（１）におけるａ＝０．５４，ｂ＝０．３６，ｃ＝０．０６，ｄ＝０．０４である。更にこの樹脂溶液１００ｇにクレゾールノボラックのエポキシ体（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ１０２０−５５）を１５ｇ、光酸発生剤（チバ・ジャパン製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ１２１、２−［２−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−２，３−ジヒドロチオフェン−３−イリデン］−２−（２−メチルフェニル）アセトニトリル）を０．５ｇ添加して、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−２）を得た。
Figure 0005975528
［樹脂フィルム作製例１］
樹脂合成例１で作製した樹脂溶液（Ａ−１）を厚さ３８μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上にブレードナイフを使用してコーティングし、その後、１００℃の乾燥機で３０分加熱して、ＰＥＴフィルム上に５μｍの熱可塑性ポリオルガノシロキサン層を有するフィルムを形成した。さらに、このポリオルガノシロキサン層の上に、樹脂合成例４で作製した樹脂溶液（Ｂ−２）を、ブレードナイフを用いてコーティングして、その後、９０℃の乾燥機で３０分間加熱し、ＰＥＴフィルム上に、厚さ７５μｍの樹脂層が形成されたフィルム（Ｂ−３）を得た。このフィルム（Ｂ−３）は、樹脂溶液（Ａ−１）より得られる熱可塑性ポリオルガノシロキサン層の厚みが５μｍ、樹脂溶液（Ｂ−２）より得られる放射線硬化性変性シロキサン層の厚みが７０μｍより成る、２層構造を有するフィルムである。
［実施例１〜４及び比較例１，２］
上記で合成したものを用い、表１に示した条件にて支持体とウエハの接合を行った。表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）にスピンコートにて（Ａ−１）及び（Ａ−２）を表１に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。一方、直径２００ｍｍ（厚さ：５００μｍ）のガラス板を支持体とし、この支持体にまず（Ａ−１）層をスピンコートにてコートし、さらに、その（Ａ−１）層の上に、（Ｂ−１）、（Ｂ−２）をスピンコートにて形成する方法で、ポリオルガノシロキサン層（Ａ’）と放射線硬化性変性シロキサン層（Ｂ）の２層を形成した。このとき、いずれの場合にも、樹脂をコート後、１２０℃で２分間ホットプレート上で加熱処理した。一方、フィルム（Ｂ−３）は、真空ラミネータ（タカトリ製、ＴＥＡＭ−１００）を用いて、ウエハステージ温度１００℃で１００Ｐａの真空下でポリオルガノシロキサン層がガラス支持体に接するようラミネートし、その後１０秒間放置したのち、大気開放して表１の膜厚のフィルムを成型した。以上のようにしてこの樹脂層を有するシリコンウエハ及びガラス板をそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で表１に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した（圧着条件）。
その後、ガラス板より波長２５４ｎｍの光を露光量１０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、その後、９０℃で６０分の加熱を行って、（Ｂ）層の硬化を行った。
その後、下記試験を行った。結果を表１に示す。
−接着性試験−
２００ｍｍのウエハ接合は、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて行った。接合温度は表１に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は１０−３ｍｂａｒ以下、荷重は５ｋＮで実施した。接合後、一旦、１８０℃で１時間オーブンを用いて基板を加熱し、（Ｂ）層の硬化度を高めたのち、室温まで冷却した後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−裏面研削耐性試験−
グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−耐熱性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の２５０℃オーブンに２時間入れた後、２７０℃のホットプレート上で１０分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−剥離性試験−
基板の剥離性は、５０μｍまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着版にセットした。その後、室温にて、ガラス（支持体）の１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−洗浄除去性試験−
上記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された２００ｍｍウエハ（耐熱性試験条件に晒されたもの）を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソドデカンを３分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
Figure 0005975528
比較例１のように第二仮接着層（Ｂ）が存在しない場合、裏面研削耐性が不良であり、比較例２のように第一仮接着層（Ａ）が存在しない場合、第二仮接着層（Ｂ）と第三仮接着層（Ａ’）間で剥離は出来たものの、第二仮接着層（Ｂ）がウエハ側に残ってしまい、これを除去することが出来なかった。一方、実施例１〜４では、第一仮接着層（Ａ）と第二仮接着層（Ｂ）の界面または第三仮接着層（Ａ’）と第二仮接着層（Ｂ）の界面から綺麗に剥離することができた。
１…ウエハ、 ２…支持体、 ３…仮接着材層、
（Ａ）…熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（第一仮接着層）、
（Ｂ）…放射線硬化性変性シロキサン重合体層（第二仮接着層）、
（Ａ’）…熱可塑性オルガノシロキサン重合体層（第三仮接着層）、
１０…ウエハ加工体。

Claims (12)

  1. 支持体上に仮接着材層が形成され、かつ該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
    前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層との３層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体。
  2. 請求項１に記載のウエハ加工体であって、
    前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）および前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とするウエハ加工体。
  3. 請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工体であって、
    前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる放射線硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、または、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有する化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部、２４０ｎｍから５００ｎｍの範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤を０．０５〜２０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工体。
    Figure 0005975528
     ［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
    Figure 0005975528
     （式中、Ｚは
    Figure 0005975528
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
    Figure 0005975528
     （式中、Ｖは
    Figure 0005975528
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
  4. （ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、放射線硬化性重合体層（Ｂ）と、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる仮接着材層を介して、支持体に接合した後、前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）を放射線により硬化する工程と、
    （ｂ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
    （ｃ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
    （ｄ）加工を施した前記ウエハを前記支持体から剥離する工程と、
    を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
  5. 前記（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程は、
    （ｅ）加工を施した前記ウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程と、
    （ｆ）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
    （ｇ）前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄型ウエハの製造方法。
  6. 前記（ｄ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
    （ｈ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の薄型ウエハの製造方法。
  7. 支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが仮接着されるウエハ加工用部材であって、
    前記仮接着材層が、前記支持体に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層と、該第三仮接着層の上に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層上に積層され、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層とを備えたものであることを特徴とするウエハ加工用部材。
  8. 請求項７に記載のウエハ加工用部材であって、
    前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）および前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とするウエハ加工用部材。
  9. 請求項７又は請求項８に記載のウエハ加工用部材であって、
    前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる放射線硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、または、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有する化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部、２４０ｎｍから５００ｎｍの範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤を０．０５〜２０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工用部材。
    Figure 0005975528
     ［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
    Figure 0005975528
     （式中、Ｚは
    Figure 0005975528
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
    Figure 0005975528
     （式中、Ｖは
    Figure 0005975528
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
  10. 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
    前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された放射線硬化性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着可能な熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層とを有するものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
  11. 請求項１０に記載のウエハ加工用仮接着材であって、
    前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）および前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
  12. 請求項１０又は請求項１１に記載のウエハ加工用仮接着材であって、
    前記放射線硬化性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる放射線硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、または、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有する化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部、２４０ｎｍから５００ｎｍの範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤を０．０５〜２０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
    Figure 0005975528
     ［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
    Figure 0005975528
     （式中、Ｚは
    Figure 0005975528
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
    Figure 0005975528
     （式中、Ｖは
    Figure 0005975528
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
JP2013155492A 2012-10-11 2013-07-26 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Active JP5975528B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013155492A JP5975528B2 (ja) 2012-10-11 2013-07-26 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US14/043,327 US9472438B2 (en) 2012-10-11 2013-10-01 Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary adhering material for processing wafer, and manufacturing method of thin wafer
TW102136341A TWI570211B (zh) 2012-10-11 2013-10-08 Wafer processing body, wafer processing member, temporary adhesive material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer
KR1020130120593A KR101908630B1 (ko) 2012-10-11 2013-10-10 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012225664 2012-10-11
JP2012225664 2012-10-11
JP2013155492A JP5975528B2 (ja) 2012-10-11 2013-07-26 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014096563A JP2014096563A (ja) 2014-05-22
JP5975528B2 true JP5975528B2 (ja) 2016-08-23

Family

ID=50475572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013155492A Active JP5975528B2 (ja) 2012-10-11 2013-07-26 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9472438B2 (ja)
JP (1) JP5975528B2 (ja)
KR (1) KR101908630B1 (ja)
TW (1) TWI570211B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015179692A (ja) * 2014-03-18 2015-10-08 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5983519B2 (ja) * 2012-04-24 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR20150011072A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성전자주식회사 임시 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10103048B2 (en) * 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
JP6583639B2 (ja) * 2014-06-10 2019-10-02 日産化学株式会社 仮接着剤を用いた積層体
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6443241B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP6502824B2 (ja) * 2015-10-19 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6534948B2 (ja) 2016-02-26 2019-06-26 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法、フリップチップ型半導体装置の製造方法、半導体装置及びフリップチップ型半導体装置
KR20180069185A (ko) 2016-12-14 2018-06-25 삼성전자주식회사 기판 가공 방법 및 접착층 세정 조성물
WO2019049588A1 (en) 2017-09-07 2019-03-14 Mapper Lithography Ip B.V. METHODS AND SYSTEMS FOR COATING A SUBSTRATE
US10999682B2 (en) 2017-10-25 2021-05-04 Ps Audio Design Oy Transducer arrangement
US11294284B2 (en) 2018-07-17 2022-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and pattern forming process
JP7220135B2 (ja) * 2018-11-01 2023-02-09 信越化学工業株式会社 積層体の製造方法、及び基板の製造方法
WO2021015057A1 (ja) * 2019-07-25 2021-01-28 Ａｇｃ株式会社 積層部材
KR20220037436A (ko) * 2019-07-25 2022-03-24 에이지씨 가부시키가이샤 적층 부재
JP7361127B2 (ja) * 2019-09-30 2023-10-13 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3765444B2 (ja) * 1997-07-10 2006-04-12 東レ・ダウコーニング株式会社 電気・電子部品封止・充填用シリコーンゲル組成物およびシリコーンゲル
JP4316187B2 (ja) * 2002-05-20 2009-08-19 リンテック株式会社 脆質材料の剥離方法及び剥離装置
US7534498B2 (en) 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
WO2006093639A1 (en) 2005-03-01 2006-09-08 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
US20070004171A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Arana Leonel R Method of supporting microelectronic wafer during backside processing using carrier having radiation absorbing film thereon
TWI384046B (zh) * 2005-10-20 2013-02-01 Shinetsu Chemical Co An adhesive composition and a sheet having an adhesive layer made of an adhesive
JP4336999B2 (ja) * 2007-01-31 2009-09-30 信越化学工業株式会社 シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP5622454B2 (ja) * 2010-06-23 2014-11-12 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 ウェハの薄厚化加工方法および半導体デバイスの製造方法
JP2012023244A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Sharp Corp 半導体素子の製造方法、並びに、その製造方法によって作製された半導体素子を有する発光ダイオードおよびパワーデバイス
JP5691987B2 (ja) * 2010-10-13 2015-04-01 信越化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP5348147B2 (ja) * 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP5846060B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US8999817B2 (en) * 2012-02-28 2015-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015179692A (ja) * 2014-03-18 2015-10-08 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140106137A1 (en) 2014-04-17
JP2014096563A (ja) 2014-05-22
KR20140047003A (ko) 2014-04-21
US9472438B2 (en) 2016-10-18
KR101908630B1 (ko) 2018-10-17
TWI570211B (zh) 2017-02-11
TW201432010A (zh) 2014-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5975528B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
TWI534238B (zh) Wafer processing body, wafer processing member, temporary processing material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer
JP5846060B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
TWI608072B (zh) Wafer temporary bonding material, temporary bonding film using the same, wafer processing body, and manufacturing method using the same
JP5767161B2 (ja) ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法
TWI656188B (zh) Temporary bonding material for wafer processing, wafer processing body, and manufacturing method using the same
JP6998838B2 (ja) 薄型基板の製造方法
JP7221578B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
TW202336072A (zh) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性乾膜及圖型形成方法
WO2022215403A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150625

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160628

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5975528

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150