JP2010134466A5 - 液晶表示装置の作製方法 - Google Patents

液晶表示装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010134466A5
JP2010134466A5 JP2009281615A JP2009281615A JP2010134466A5 JP 2010134466 A5 JP2010134466 A5 JP 2010134466A5 JP 2009281615 A JP2009281615 A JP 2009281615A JP 2009281615 A JP2009281615 A JP 2009281615A JP 2010134466 A5 JP2010134466 A5 JP 2010134466A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
liquid crystal
display device
crystal display
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009281615A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010134466A (ja
JP5072946B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009281615A priority Critical patent/JP5072946B2/ja
Priority claimed from JP2009281615A external-priority patent/JP5072946B2/ja
Publication of JP2010134466A publication Critical patent/JP2010134466A/ja
Publication of JP2010134466A5 publication Critical patent/JP2010134466A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5072946B2 publication Critical patent/JP5072946B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (5)

  1. 基板上に金属層を形成する工程と、
    前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、
    前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層上に素子を含む層を形成する工程と、
    人間の手又は前記素子を引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記素子を前記基板から剥離する工程と、
    シール材を用いて前記素子を含む層上に支持体を貼り合わせ、前記素子を含む層と前記支持体との間に液晶を充填する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
  2. 請求項1において、前記支持体は、可撓性を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
  3. 請求項1または請求項2において、前記金属層として、タングステンを用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、前記金属層に代えて窒化物層または窒化金属層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一において、前記酸化物層として、酸化シリコン材料もしくは酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
JP2009281615A 2001-07-16 2009-12-11 液晶表示装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5072946B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009281615A JP5072946B2 (ja) 2001-07-16 2009-12-11 液晶表示装置の作製方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001216018 2001-07-16
JP2001216018 2001-07-16
JP2001299620 2001-09-28
JP2001299620 2001-09-28
JP2009281615A JP5072946B2 (ja) 2001-07-16 2009-12-11 液晶表示装置の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002279547A Division JP4567282B2 (ja) 2001-07-16 2002-09-25 発光装置の作製方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012005866A Division JP5577360B2 (ja) 2001-07-16 2012-01-16 発光装置の作製方法
JP2012106583A Division JP5577376B2 (ja) 2001-07-16 2012-05-08 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010134466A JP2010134466A (ja) 2010-06-17
JP2010134466A5 true JP2010134466A5 (ja) 2012-03-15
JP5072946B2 JP5072946B2 (ja) 2012-11-14

Family

ID=26618828

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009281615A Expired - Fee Related JP5072946B2 (ja) 2001-07-16 2009-12-11 液晶表示装置の作製方法
JP2012005866A Expired - Fee Related JP5577360B2 (ja) 2001-07-16 2012-01-16 発光装置の作製方法
JP2012106583A Expired - Fee Related JP5577376B2 (ja) 2001-07-16 2012-05-08 半導体装置
JP2013254023A Expired - Lifetime JP5789653B2 (ja) 2001-07-16 2013-12-09 半導体装置
JP2014239572A Expired - Fee Related JP5902796B2 (ja) 2001-07-16 2014-11-27 半導体装置
JP2015154847A Withdrawn JP2016006897A (ja) 2001-07-16 2015-08-05 半導体装置の作製方法
JP2016080789A Withdrawn JP2016157966A (ja) 2001-07-16 2016-04-14 剥離方法
JP2016211324A Expired - Fee Related JP6430456B2 (ja) 2001-07-16 2016-10-28 半導体装置の作製方法
JP2018054206A Expired - Fee Related JP6549272B2 (ja) 2001-07-16 2018-03-22 半導体装置の作製方法
JP2018229552A Withdrawn JP2019057507A (ja) 2001-07-16 2018-12-07 発光装置の作製方法
JP2020132953A Withdrawn JP2020194788A (ja) 2001-07-16 2020-08-05 表示装置の作製方法

Family Applications After (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012005866A Expired - Fee Related JP5577360B2 (ja) 2001-07-16 2012-01-16 発光装置の作製方法
JP2012106583A Expired - Fee Related JP5577376B2 (ja) 2001-07-16 2012-05-08 半導体装置
JP2013254023A Expired - Lifetime JP5789653B2 (ja) 2001-07-16 2013-12-09 半導体装置
JP2014239572A Expired - Fee Related JP5902796B2 (ja) 2001-07-16 2014-11-27 半導体装置
JP2015154847A Withdrawn JP2016006897A (ja) 2001-07-16 2015-08-05 半導体装置の作製方法
JP2016080789A Withdrawn JP2016157966A (ja) 2001-07-16 2016-04-14 剥離方法
JP2016211324A Expired - Fee Related JP6430456B2 (ja) 2001-07-16 2016-10-28 半導体装置の作製方法
JP2018054206A Expired - Fee Related JP6549272B2 (ja) 2001-07-16 2018-03-22 半導体装置の作製方法
JP2018229552A Withdrawn JP2019057507A (ja) 2001-07-16 2018-12-07 発光装置の作製方法
JP2020132953A Withdrawn JP2020194788A (ja) 2001-07-16 2020-08-05 表示装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (5) US8415208B2 (ja)
JP (11) JP5072946B2 (ja)
KR (1) KR100939929B1 (ja)
CN (1) CN1294618C (ja)
TW (1) TW564471B (ja)

Families Citing this family (330)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7245018B1 (en) * 1999-06-22 2007-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof
US6661096B1 (en) * 1999-06-29 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring material semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof
KR100586241B1 (ko) * 2000-10-28 2006-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
KR100437474B1 (ko) * 2001-04-04 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 듀얼채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
US7288444B2 (en) 2001-04-04 2007-10-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
DE60325669D1 (de) 2002-05-17 2009-02-26 Semiconductor Energy Lab Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
TWI272641B (en) * 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
JP2004119015A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004119016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
AU2003275614A1 (en) 2002-10-30 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
US20040099926A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
US6881975B2 (en) * 2002-12-17 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4554152B2 (ja) * 2002-12-19 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体チップの作製方法
JP4101643B2 (ja) * 2002-12-26 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI330269B (en) * 2002-12-27 2010-09-11 Semiconductor Energy Lab Separating method
JP4373085B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
US7230316B2 (en) * 2002-12-27 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having transferred integrated circuit
EP1583148A4 (en) 2003-01-08 2007-06-27 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
TWI351566B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
WO2004064018A1 (ja) 2003-01-15 2004-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 剥離方法及びその剥離方法を用いた表示装置の作製方法
US7436050B2 (en) 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP2004247373A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US7973313B2 (en) 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
TWI328837B (en) 2003-02-28 2010-08-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4526771B2 (ja) 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7253391B2 (en) 2003-09-19 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical sensor device and electronic apparatus
CN100477240C (zh) * 2003-10-06 2009-04-08 株式会社半导体能源研究所 半导体器件以及制造该器件的方法
CN100489569C (zh) 2003-10-28 2009-05-20 株式会社半导体能源研究所 制作光学膜的方法
EP2259300B1 (en) * 2003-10-28 2020-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacture of semiconductor device
US7229900B2 (en) 2003-10-28 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
KR101095293B1 (ko) 2003-11-28 2011-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 제조 방법
KR101111471B1 (ko) * 2003-11-28 2012-02-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 제조 방법
US7130234B2 (en) * 2003-12-12 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7768405B2 (en) * 2003-12-12 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7566640B2 (en) 2003-12-15 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device
US7271076B2 (en) * 2003-12-19 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device
KR101205191B1 (ko) 2003-12-19 2012-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US7405665B2 (en) * 2003-12-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RFID tag and label-like object
US7508305B2 (en) * 2003-12-26 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Packing material, tag, certificate, paper money, and securities
US7566010B2 (en) 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
WO2005076358A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
TWI406688B (zh) * 2004-02-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 運動器具,娛樂工具,和訓練工具
CN1934707B (zh) * 2004-03-22 2014-09-10 株式会社半导体能源研究所 制造集成电路的方法
US7282380B2 (en) * 2004-03-25 2007-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7288480B2 (en) 2004-04-23 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit and method for manufacturing the same, CPU, memory, electronic card and electronic device
JP2005340655A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体基板の支持構造体
WO2005122280A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and communication system
US7452786B2 (en) * 2004-06-29 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
JP2006082260A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Oki Data Corp 半導体複合装置、半導体複合装置の製造方法、半導体複合装置を使用したledヘッド及びこのledヘッドを用いた画像形成装置
TWI372413B (en) * 2004-09-24 2012-09-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same, and electric appliance
KR101150996B1 (ko) 2004-09-24 2012-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
JP4817636B2 (ja) * 2004-10-04 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US7482248B2 (en) * 2004-12-03 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7566633B2 (en) * 2005-02-25 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7307006B2 (en) * 2005-02-28 2007-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI413152B (zh) * 2005-03-01 2013-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置製造方法
US8822272B2 (en) * 2005-03-28 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and measuring method thereof
US8030132B2 (en) * 2005-05-31 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including peeling step
US7465674B2 (en) * 2005-05-31 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7588969B2 (en) * 2005-05-31 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US7972910B2 (en) * 2005-06-03 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of integrated circuit device including thin film transistor
JP4916680B2 (ja) * 2005-06-30 2012-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法
US7820495B2 (en) * 2005-06-30 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN101233531B (zh) * 2005-07-29 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
TWI276191B (en) * 2005-08-30 2007-03-11 Ind Tech Res Inst Alignment precision enhancement of electronic component process on flexible substrate device and method thereof the same
EP1760776B1 (en) * 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
EP1760798B1 (en) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7767543B2 (en) * 2005-09-06 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a micro-electro-mechanical device with a folded substrate
TWI265606B (en) * 2005-09-19 2006-11-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating flexible thin film transistor array substrate
KR20070034280A (ko) * 2005-09-23 2007-03-28 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치용 표시판의 제조 방법
KR100721702B1 (ko) * 2005-11-22 2007-05-25 한국전자통신연구원 접착 필름 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이 제조 방법
KR100649763B1 (ko) * 2005-12-09 2006-11-27 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 발광소자의 제조방법
US8900970B2 (en) * 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
TWI379409B (en) * 2006-09-29 2012-12-11 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
KR101416876B1 (ko) * 2006-11-17 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
WO2008066091A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device, and method for manufacturing the same
KR100890250B1 (ko) 2007-01-08 2009-03-24 포항공과대학교 산학협력단 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법
US7968382B2 (en) 2007-02-02 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
EP2372756A1 (en) * 2007-03-13 2011-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1970951A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1976000A3 (en) * 2007-03-26 2009-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1976001A3 (en) * 2007-03-26 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1986238A3 (en) * 2007-04-27 2010-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resin molded optical semiconductor device and corresponding fabrication method
JP4340982B2 (ja) * 2007-05-18 2009-10-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2001047A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
JP5322408B2 (ja) * 2007-07-17 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
EP2019425A1 (en) 2007-07-27 2009-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5388500B2 (ja) * 2007-08-30 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5248240B2 (ja) * 2007-08-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2009087928A (ja) * 2007-09-13 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2009205669A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI370940B (en) * 2008-03-14 2012-08-21 E Ink Holdings Inc Carrier and method for manufacturing a flexible display panel
KR101596698B1 (ko) 2008-04-25 2016-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2009139282A1 (en) 2008-05-12 2009-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2009142310A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2297778A1 (en) * 2008-05-23 2011-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
US8053253B2 (en) * 2008-06-06 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5248412B2 (ja) * 2008-06-06 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8044499B2 (en) * 2008-06-10 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring substrate, manufacturing method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8563397B2 (en) * 2008-07-09 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI475282B (zh) * 2008-07-10 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置和其製造方法
KR102267235B1 (ko) * 2008-07-10 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR101753574B1 (ko) 2008-07-10 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
WO2010032602A1 (en) 2008-09-18 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102160179B (zh) * 2008-09-19 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2010038599A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP5586920B2 (ja) * 2008-11-20 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル半導体装置の作製方法
TWI616707B (zh) 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
TWI419091B (zh) * 2009-02-10 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法
JP2010245031A (ja) 2009-03-20 2010-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蓄電デバイス及びその作製方法
WO2010131827A1 (ko) * 2009-05-13 2010-11-18 포인트엔지니어링 다공성 기판을 이용한 유기발광소자 및 그 제조 방법
KR101157659B1 (ko) * 2009-05-13 2012-06-18 (주)포인트엔지니어링 다공성 기판을 이용한 유기발광소자의 제조 방법
CN102460722B (zh) * 2009-06-05 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 光电转换装置及其制造方法
WO2010140522A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2010140495A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
US9101005B2 (en) * 2009-09-15 2015-08-04 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
KR101882887B1 (ko) 2009-09-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
US8021960B2 (en) * 2009-10-06 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE102009056386B4 (de) 2009-11-30 2024-06-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR100969131B1 (ko) 2010-03-05 2010-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 제조방법
US8507322B2 (en) 2010-06-24 2013-08-13 Akihiro Chida Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
KR101845480B1 (ko) 2010-06-25 2018-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5902406B2 (ja) 2010-06-25 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 分離方法および半導体装置の作製方法
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8558960B2 (en) * 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5888990B2 (ja) * 2011-01-12 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9722212B2 (en) 2011-02-14 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
WO2012115016A1 (en) 2011-02-25 2012-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using light-emitting device
JP5355618B2 (ja) * 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
JP5790095B2 (ja) * 2011-04-01 2015-10-07 ソニー株式会社 薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法
KR101917752B1 (ko) * 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
KR102040242B1 (ko) 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
TWI433625B (zh) 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
WO2013005254A1 (ja) 2011-07-06 2013-01-10 パナソニック株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス
JP5661006B2 (ja) * 2011-09-02 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 ニッケル膜の成膜方法
JP2013159743A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Nitto Denko Corp 粘着剤積層物の剥離方法およびそれに用いる粘着剤層
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR102082793B1 (ko) 2012-05-10 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101989940B1 (ko) 2012-05-11 2019-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
US8658444B2 (en) * 2012-05-16 2014-02-25 International Business Machines Corporation Semiconductor active matrix on buried insulator
WO2013191180A1 (ja) 2012-06-19 2013-12-27 新日鉄住金化学株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに、表示装置支持基材用ポリイミドフィルム及びその製造方法
TWI669835B (zh) 2012-07-05 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
TWI566005B (zh) * 2012-09-26 2017-01-11 友達光電股份有限公司 製作顯示面板之方法
JP5685567B2 (ja) * 2012-09-28 2015-03-18 株式会社東芝 表示装置の製造方法
CN102861993B (zh) * 2012-10-09 2015-02-04 苏州德诚物联科技有限公司 一种射频识别天线激光生产工艺
KR102028505B1 (ko) * 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
US9666763B2 (en) 2012-11-30 2017-05-30 Corning Incorporated Glass sealing with transparent materials having transient absorption properties
KR101417575B1 (ko) * 2013-01-03 2014-08-06 한국과학기술원 배터리 분리 방법 및 이를 이용한 배터리 제조방법
KR102309244B1 (ko) 2013-02-20 2021-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI692108B (zh) * 2013-04-10 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014171336A1 (en) 2013-04-15 2014-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
WO2014171337A1 (en) 2013-04-19 2014-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery and a method for fabricating the same
KR102405992B1 (ko) 2013-04-24 2022-06-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102187752B1 (ko) 2013-05-07 2020-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 박리 장치
CN105377783B (zh) 2013-05-10 2019-03-08 康宁股份有限公司 采用低熔融玻璃或薄吸收膜对透明玻璃片进行激光焊接
JP5454727B1 (ja) * 2013-07-10 2014-03-26 日新電機株式会社 薄膜トランジスタの作製方法
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN105379420B (zh) 2013-07-12 2018-05-22 株式会社半导体能源研究所 发光装置
KR102670296B1 (ko) 2013-07-16 2024-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
TWI667644B (zh) 2013-07-19 2019-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 資料處理裝置
KR20220025259A (ko) 2013-07-19 2022-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9356049B2 (en) 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
US9269914B2 (en) 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2015019971A1 (en) 2013-08-06 2015-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method
JP2015035543A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 ソニー株式会社 発光素子の製造方法
CN103456900B (zh) * 2013-08-20 2016-07-06 Tcl集团股份有限公司 柔性显示装置的制造方法
WO2015029806A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
KR102288238B1 (ko) 2013-09-03 2021-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9925749B2 (en) 2013-09-06 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Bonding apparatus and stack body manufacturing apparatus
TWI663722B (zh) 2013-09-06 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 發光裝置以及發光裝置的製造方法
TWI671657B (zh) 2013-09-18 2019-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示裝置的驅動方法、程式以及儲存介質
US9981457B2 (en) 2013-09-18 2018-05-29 Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of stack
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9818325B2 (en) 2013-11-01 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processor and method for displaying data thereby
US9937698B2 (en) 2013-11-06 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and light-emitting device
US9430180B2 (en) 2013-11-15 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Display panel and electronic device
KR20210109668A (ko) 2013-11-15 2021-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 데이터 처리 장치
KR102239367B1 (ko) 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
TWI696103B (zh) 2013-11-29 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 資料處理裝置及資料處理裝置的驅動方法
CN105814523B (zh) 2013-12-02 2019-05-14 株式会社半导体能源研究所 触摸面板和制造触摸面板的方法
JP2015129917A (ja) 2013-12-02 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
DE112014005485T5 (de) 2013-12-02 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US9905589B2 (en) 2013-12-03 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9427949B2 (en) 2013-12-03 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102215812B1 (ko) 2014-01-09 2021-02-17 삼성디스플레이 주식회사 소자 기판 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여 제조한 표시 장치
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
TWI779298B (zh) 2014-02-11 2022-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102358935B1 (ko) 2014-02-12 2022-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
TWI654736B (zh) 2014-02-14 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102334815B1 (ko) 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
CN106030451B (zh) 2014-02-28 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 电子设备
TWI748456B (zh) 2014-02-28 2021-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法
US9588549B2 (en) 2014-02-28 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
WO2015132698A1 (en) 2014-03-06 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US10228729B2 (en) 2014-03-12 2019-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR102292148B1 (ko) 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
KR20230124770A (ko) 2014-03-13 2023-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 장치
JP2015187852A (ja) 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
TWI764064B (zh) 2014-03-13 2022-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 撓性裝置
KR102431018B1 (ko) 2014-04-11 2022-08-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
TWI831924B (zh) 2014-04-25 2024-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP6526947B2 (ja) 2014-04-30 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 拭き取り装置および積層体の作製装置
WO2015166376A1 (en) 2014-05-02 2015-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and input/output device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP2015228367A (ja) 2014-05-02 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、入出力装置、及び電子機器
JP6596224B2 (ja) 2014-05-02 2019-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び入出力装置
US10073571B2 (en) 2014-05-02 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor and touch panel including capacitor
JP6548871B2 (ja) 2014-05-03 2019-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の基板剥離装置
CN110625540B (zh) 2014-05-03 2021-10-29 株式会社半导体能源研究所 薄膜状部件支撑设备
JP6378530B2 (ja) 2014-05-03 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 フィルム吸着機構
KR20230175342A (ko) 2014-05-06 2023-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 장치
JP6722980B2 (ja) 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
KR20240034869A (ko) 2014-05-16 2024-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 이차 전지를 가지는 전자 기기
WO2015173686A1 (en) 2014-05-16 2015-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device with secondary battery
JP6699994B2 (ja) 2014-05-23 2020-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池
JP2016027464A (ja) 2014-05-30 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、情報処理装置
JP2016006640A (ja) 2014-05-30 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 検知器、入力装置、入出力装置
TWI765679B (zh) 2014-05-30 2022-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
US9455281B2 (en) 2014-06-19 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, touch panel module, and display device
CN106463082B (zh) 2014-06-23 2019-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
TWI699023B (zh) 2014-06-30 2020-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,模組,及電子裝置
JP6425114B2 (ja) * 2014-07-02 2018-11-21 Tianma Japan株式会社 折り畳み式表示装置及び電気機器
JP2016029464A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
WO2016012900A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9799829B2 (en) * 2014-07-25 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, light-emitting device, module, and electronic device
JP2016031889A (ja) 2014-07-30 2016-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
US9515099B2 (en) * 2014-07-31 2016-12-06 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
KR102533396B1 (ko) 2014-07-31 2023-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6506648B2 (ja) 2014-07-31 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2016020808A1 (ja) 2014-08-07 2016-02-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および運転支援システム
JP6602585B2 (ja) 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US9843017B2 (en) 2014-08-22 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and electronic device
JP2016057617A (ja) 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2016110075A (ja) 2014-10-03 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、モジュール、及び電子機器
WO2016055897A1 (en) 2014-10-08 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2016059514A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR102500994B1 (ko) 2014-10-17 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102603895B1 (ko) 2014-10-17 2023-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
JP2016085457A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
WO2016067141A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
TW201616467A (zh) * 2014-10-31 2016-05-01 中華映管股份有限公司 曲面裝飾板以及曲面顯示裝置的製作方法
JP2018501175A (ja) 2014-10-31 2018-01-18 コーニング インコーポレイテッド レーザ溶接ガラスパッケージ及びその作製方法
JP2016095502A (ja) 2014-11-11 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、表示装置
KR20170093832A (ko) 2014-11-28 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 화상 처리 장치, 표시 시스템, 및 전자 기기
US10185363B2 (en) 2014-11-28 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9933872B2 (en) 2014-12-01 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US9368750B1 (en) * 2014-12-04 2016-06-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for fabricating intermediate member of electronic element and method for fabricating electronic element
US11108105B2 (en) 2015-01-22 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery and electronic device
KR20180057573A (ko) 2015-04-13 2018-05-30 로욜 코포레이션 플렉서블 기판의 지지 및 분리
JP2016208020A (ja) 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
US10664020B2 (en) 2015-04-23 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
DE102016206922A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touchscreen
JP6815096B2 (ja) 2015-05-27 2021-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離装置
JP6761276B2 (ja) 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
US9941475B2 (en) 2015-07-29 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device and method for manufacturing electronic device
WO2017017553A1 (en) 2015-07-30 2017-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device
KR20180048812A (ko) * 2015-09-02 2018-05-10 아큘러스 브이알, 엘엘씨 반도체 디바이스의 어셈블리
GB2549734B (en) 2016-04-26 2020-01-01 Facebook Tech Llc A display
DE112016004055B4 (de) 2015-09-08 2024-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtungen und elektronisches gerät
KR102427669B1 (ko) * 2015-11-17 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
US10424632B2 (en) 2015-11-30 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
JP6822858B2 (ja) 2016-01-26 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離の起点の形成方法及び剥離方法
JP6945965B2 (ja) * 2016-01-29 2021-10-06 日東電工株式会社 光学積層体
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
JP2017188508A (ja) * 2016-04-01 2017-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置、表示装置
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
US10003023B2 (en) 2016-04-15 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
US10804407B2 (en) 2016-05-12 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and stack processing apparatus
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
TWI722048B (zh) 2016-06-10 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI724063B (zh) 2016-06-24 2021-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、輸入輸出裝置、半導體裝置
KR20230106750A (ko) 2016-07-29 2023-07-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
US10141544B2 (en) 2016-08-10 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP2018063669A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20190038936A (ko) * 2016-10-31 2019-04-09 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 드라이버 회로 캐리어, 디스플레이 패널, 태블릿 디스플레이 및 제조 방법
CN109843772B (zh) * 2016-11-08 2020-10-23 株式会社日立制作所 电梯控制装置、控制方法和电梯
CN108122823B (zh) * 2016-11-30 2020-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆键合方法及晶圆键合结构
DE112017006074T5 (de) 2016-11-30 2019-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät
CN115101558A (zh) 2016-12-22 2022-09-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
US11296176B2 (en) 2017-07-27 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
KR102550390B1 (ko) * 2017-09-12 2023-07-03 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 일시적으로 접합된 기판 스택을 분리하는 방법 및 장치
WO2019053820A1 (ja) 2017-09-13 2019-03-21 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルディスプレイの製造装置
JP7208986B2 (ja) * 2017-10-11 2023-01-19 コーニング インコーポレイテッド 準静的および動的耐衝撃性を有する表示モジュール
CN107731885A (zh) * 2017-11-20 2018-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制作方法
KR102179165B1 (ko) * 2017-11-28 2020-11-16 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 상기 캐리어 기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
DE102017129524A1 (de) * 2017-12-12 2019-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display
FR3076292B1 (fr) * 2017-12-28 2020-01-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support
CN111656430B (zh) * 2018-02-01 2022-07-26 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
JP6984978B2 (ja) * 2018-02-09 2021-12-22 矢崎総業株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6991673B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 株式会社ディスコ 剥離方法
JP6588186B1 (ja) * 2018-02-27 2019-10-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルoledデバイスの製造方法及び支持基板
US11873149B2 (en) 2018-11-09 2024-01-16 Sofresh, Inc. Blown film materials and processes for manufacturing thereof and uses thereof
US11587474B2 (en) * 2019-07-24 2023-02-21 Au Optronics Corporation Flexible device array substrate and manufacturing method of flexible device array substrate
CN113383423A (zh) * 2019-09-06 2021-09-10 深圳市柔宇科技股份有限公司 电子组件及其制备方法、模具及其制备方法
KR102234554B1 (ko) * 2019-10-28 2021-03-31 한국광기술원 미세 led 패키지 및 그의 제조방법
CN111146359A (zh) * 2019-12-26 2020-05-12 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板、其制作方法及显示装置
JP7392882B1 (ja) 2023-03-08 2023-12-06 三菱電機ビルソリューションズ株式会社 端子台およびエレベータ装置

Family Cites Families (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133597A (en) * 1979-04-06 1980-10-17 Hitachi Ltd Multilayer circuit board
DE3322382A1 (de) 1983-06-22 1985-01-10 Preh, Elektrofeinmechanische Werke Jakob Preh Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen
US4550684A (en) 1983-08-11 1985-11-05 Genus, Inc. Cooled optical window for semiconductor wafer heating
JP2560376B2 (ja) 1988-01-20 1996-12-04 富士通株式会社 Mosトランジスタの製造方法
JP2742057B2 (ja) 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜elパネル
JPH02154232A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 Nec Corp 液晶表示基板とその製造方法
US5189405A (en) 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
US5156720A (en) 1989-02-02 1992-10-20 Alcan International Limited Process for producing released vapor deposited films and product produced thereby
JPH02257618A (ja) 1989-03-29 1990-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0329291A (ja) 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型elランプ用捕水フィルム
US5362667A (en) * 1992-07-28 1994-11-08 Harris Corporation Bonded wafer processing
JP2601932B2 (ja) * 1990-04-13 1997-04-23 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 液晶表示装置およびその製造方法
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5376561A (en) 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5258325A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US7075501B1 (en) 1990-12-31 2006-07-11 Kopin Corporation Head mounted display system
JPH04280094A (ja) * 1991-03-07 1992-10-06 Sony Corp 薄膜発光素子
JPH05243519A (ja) 1992-02-28 1993-09-21 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPH05347186A (ja) 1992-06-12 1993-12-27 Clarion Co Ltd エレクトロルミネセンス・ディスプレイ
JP3242452B2 (ja) 1992-06-19 2001-12-25 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
JPH0677447A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Seiko Instr Inc 半導体薄膜素子の製造方法
EP0659282B1 (en) 1992-09-11 1998-11-25 Kopin Corporation Color filter system for display panels
US5781164A (en) 1992-11-04 1998-07-14 Kopin Corporation Matrix display systems
JP3238223B2 (ja) 1993-01-20 2001-12-10 株式会社東芝 液晶表示装置および表示装置
US5397257A (en) * 1993-02-03 1995-03-14 Land & Sea, Inc. Drive extender for a stern drive unit and such a unit incorporating the extender
JPH06280026A (ja) 1993-03-24 1994-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
US5689136A (en) * 1993-08-04 1997-11-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and fabrication method
KR100333153B1 (ko) 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
JPH07109573A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
JPH07142570A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Ube Ind Ltd 複合半導体基板及びその製造方法
US5391257A (en) 1993-12-10 1995-02-21 Rockwell International Corporation Method of transferring a thin film to an alternate substrate
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE69529493T2 (de) 1994-06-20 2003-10-30 Canon Kk Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5880010A (en) * 1994-07-12 1999-03-09 Sun Microsystems, Inc. Ultrathin electronics
JP3698749B2 (ja) 1995-01-11 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3406727B2 (ja) * 1995-03-10 2003-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
JP3454965B2 (ja) * 1995-03-22 2003-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
JP4063896B2 (ja) 1995-06-20 2008-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 有色シースルー光起電力装置
JP3235717B2 (ja) * 1995-09-28 2001-12-04 キヤノン株式会社 光電変換装置及びx線撮像装置
JP3203166B2 (ja) 1995-10-13 2001-08-27 シャープ株式会社 液晶表示素子製造用治具及びそれを用いた液晶表示素子の製造方法
TW439003B (en) 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
TW309633B (ja) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
DE19547691C1 (de) 1995-12-20 1997-04-24 Lohmann Therapie Syst Lts Verfahren zur Herstellung transdermaler therapeutischer Pflaster (TTS)
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
TW360901B (en) 1996-08-27 1999-06-11 Seiko Epson Corp Method of peeling thin-film device, method of transferring thin-film device, thin-film device thereby, thin-film IC circuit device, and liquid crystal display device
JP4619462B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
KR100481994B1 (ko) 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
JP3809681B2 (ja) * 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
JP4619461B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
DE69728999T2 (de) 1996-11-11 2005-04-28 Catalysts & Chemicals Industries Co. Ltd., Kawasaki Substratglättungsverfahren
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US5895228A (en) * 1996-11-14 1999-04-20 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives
KR100304161B1 (ko) 1996-12-18 2001-11-30 미다라이 후지오 반도체부재의제조방법
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
CA2233096C (en) * 1997-03-26 2003-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof
JP3883641B2 (ja) * 1997-03-27 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置
TW379513B (en) 1997-04-17 2000-01-11 Kureha Chemical Ind Co Ltd Moisture-proof film and electro-luminescent element
US6031269A (en) * 1997-04-18 2000-02-29 Advanced Micro Devices, Inc. Quadruple gate field effect transistor structure for use in integrated circuit devices
US6251754B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-26 Denso Corporation Semiconductor substrate manufacturing method
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US5980349A (en) * 1997-05-14 1999-11-09 Micron Technology, Inc. Anodically-bonded elements for flat panel displays
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JP4042182B2 (ja) 1997-07-03 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 Icカードの製造方法及び薄膜集積回路装置の製造方法
US6198220B1 (en) 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JPH1187799A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗素子とその製造方法
JP3116085B2 (ja) 1997-09-16 2000-12-11 東京農工大学長 半導体素子形成法
JPH11135882A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Sharp Corp 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
JPH11160734A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
US5888712A (en) 1997-12-16 1999-03-30 Eastman Kodak Company Electrically-conductive overcoat for photographic elements
US6306729B1 (en) 1997-12-26 2001-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor article and method of manufacturing the same
JPH11233449A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Denso Corp 半導体基板の製造方法
JPH11243209A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 3次元デバイスの製造方法
CN100530758C (zh) * 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JP3619058B2 (ja) * 1998-06-18 2005-02-09 キヤノン株式会社 半導体薄膜の製造方法
US6423614B1 (en) 1998-06-30 2002-07-23 Intel Corporation Method of delaminating a thin film using non-thermal techniques
JP4298009B2 (ja) 1998-07-22 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
JP2000133809A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Seiko Epson Corp 剥離方法
US6080663A (en) * 1998-11-13 2000-06-27 United Microelectronics Corp. Dual damascene
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP4073107B2 (ja) * 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型el表示装置
US6664169B1 (en) 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
JP4245739B2 (ja) * 1999-07-16 2009-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
JP3804349B2 (ja) 1999-08-06 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置
TW473783B (en) 1999-08-13 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus, laser annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
US6391220B1 (en) 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
JP2001085715A (ja) 1999-09-09 2001-03-30 Canon Inc 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法
JP2001085154A (ja) 1999-09-16 2001-03-30 Denso Corp 表示装置
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
JP4009923B2 (ja) * 1999-09-30 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 Elパネル
JP2001119003A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 多結晶半導体膜の製造方法
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
JP3911929B2 (ja) 1999-10-25 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3874054B2 (ja) 1999-11-30 2007-01-31 セイコーエプソン株式会社 半導体回路内蔵構造体
JP2001166301A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Seiko Epson Corp バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
JP2001177101A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4478268B2 (ja) * 1999-12-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの製造方法
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6882102B2 (en) * 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
GB0006958D0 (en) * 2000-03-23 2000-05-10 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a transistor
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
JP2002026182A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
SG148819A1 (en) 2000-09-14 2009-01-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6548751B2 (en) * 2000-12-12 2003-04-15 Solarflex Technologies, Inc. Thin film flexible solar cell
JP3974749B2 (ja) 2000-12-15 2007-09-12 シャープ株式会社 機能素子の転写方法
JP2002217391A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Seiko Epson Corp 積層体の製造方法及び半導体装置
US6774010B2 (en) 2001-01-25 2004-08-10 International Business Machines Corporation Transferable device-containing layer for silicon-on-insulator applications
KR100414902B1 (ko) 2001-02-09 2004-01-13 삼화페인트공업주식회사 하이솔리드 아크릴수지 조성물 및 그 조성물을 함유하는비오염성 도료
US6448152B1 (en) 2001-02-20 2002-09-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for generating a plurality of donor wafers and handle wafers prior to an order being placed by a customer
JP2002328624A (ja) 2001-04-26 2002-11-15 Sony Corp 車両用表示装置
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4567282B2 (ja) * 2001-07-16 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003142666A (ja) 2001-07-24 2003-05-16 Seiko Epson Corp 素子の転写方法、素子の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、icカード、及び電子機器
US6814832B2 (en) 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
JP2003109773A (ja) 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US6875671B2 (en) 2001-09-12 2005-04-05 Reveo, Inc. Method of fabricating vertical integrated circuits
KR100944886B1 (ko) 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
DE60325669D1 (de) 2002-05-17 2009-02-26 Semiconductor Energy Lab Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
TWI272641B (en) 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
AU2003275614A1 (en) 2002-10-30 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI330269B (en) 2002-12-27 2010-09-11 Semiconductor Energy Lab Separating method
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
JP2004349513A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 薄膜回路装置及びその製造方法、並びに電気光学装置、電子機器
US7052978B2 (en) 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
US7229900B2 (en) * 2003-10-28 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
KR100634528B1 (ko) 2004-12-03 2006-10-16 삼성전자주식회사 단결정 실리콘 필름의 제조방법
KR100696282B1 (ko) * 2005-02-17 2007-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 이엘 백라이트를 이용한 액정표시장치
US20070021853A1 (en) * 2005-07-21 2007-01-25 Ma Jeffrey K Fantasy single sport challenge
JP5368014B2 (ja) * 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機elディスプレイの製造方法
DE102009028909A1 (de) * 2009-08-26 2011-03-17 Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies Halbleiterlaser mit auf einem Laserspiegel angebrachtem Absorber

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010134466A5 (ja) 液晶表示装置の作製方法
JP2010262275A5 (ja) 表示装置及び表示装置の作製方法
GB2451151B8 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same.
EP2871685A3 (en) Flexible display and manufacturing method thereof
JP2012147013A5 (ja) 表示装置
JP2014232869A5 (ja)
JP2012083733A5 (ja) 発光表示装置の作製方法
JP2013110393A5 (ja)
JP2013243355A5 (ja) 半導体装置
JP2012516055A5 (ja)
EP2579315A4 (en) THIN-LAYER TRANSISTOR, CONTACT STRUCTURE, SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2015079976A5 (ja) 半導体装置
WO2010138811A3 (en) Method of providing a flexible semiconductor device at high temperatures and flexible semiconductor device thereof
JP2010521061A5 (ja)
EP2579348A3 (en) Piezoelectric device, method of manufacturing piezoelectric device, and liquid ejection head
JP2008508718A5 (ja)
EP2420599A4 (en) SUBSTRATE, SUBSTRATE HAVING THIN FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2011100982A5 (ja)
TWI456752B (zh) 半導體影像感測裝置及半導體影像感測元件與其形成方法
GB2439588B (en) Substrate for gate-in-panel (gip) type liquid crystal display device and method for manufacturing the same
EP2579347A3 (en) Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device
EP2418537A4 (en) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, COMPOSITION FOR FORMATION OF PHOTOPOLYMER FILM, AND COMPOSITION FOR FORMATION OF LIQUID CRYSTAL LAYER
JP2011100877A5 (ja)
EP2017375A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2015188054A5 (ja)