JP2012516055A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 金属含有層を第１基板の上に形成する工程と、
   第２基板を設ける工程と、
   前記第２基板に支持され、シリコンを含有する第１層を形成する工程と、
   ゲルマニウム／シリコンを含有する第２層を前記第１層上に形成する工程と、
   ゲルマニウムを含有する第３層を前記第２層上に形成する工程と、
   前記第３層を、前記金属含有層に接触させる工程と、
   前記第３層を、前記金属含有層に接触させた後に、機械的接合材料を前記第１基板と前記第２基板との間に形成する工程とを備え、機械的接合材料を形成する前記工程は、熱を前記第３層及び前記金属含有層に加える工程を含み、前記接合材料は、前記金属含有層の金属と、前記第３層の材料と、を含む、方法。
2. 前記第１基板または第２基板のうちの１つの上方には半導体素子が形成されており、前記接触させる工程の後で前記接合材料は前記半導体素子を取り囲む、請求項１に記載の方法。
3. 第１層を形成する前記工程、第２層を形成する前記工程、及び第３層を形成する前記工程では更に、前記第１層、前記第２層、及び前記第３層が多結晶であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
4. 更に、金属含有層を形成する前記工程の前に、ポリシリコン層を前記第１基板の上に形成する工程を含み、金属含有層を形成する前記工程では更に、前記金属含有層が前記ポリシリコン層上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
5. 前記第１基板を前記第２基板に接合積層体を介して接触させる工程を備える、第１基板と第２基板との間で密封を行なうための方法において、
   前記接合積層体は、
   第１シリコン含有層と、
   前記第１層と接触する第２ゲルマニウム／シリコン含有層と、
   前記第２層と接触する第３ゲルマニウム含有層と、
   前記第３層と接触する金属含有層と、を含み、前記方法はさらに、
   熱及び圧力を前記接合積層体に加えて、前記接合積層体が前記第１基板と前記第２基板との接合部になるようにする工程を備える、方法。
6. 半導体素子を前記第１基板上に形成する工程をさらに備え、前記接合積層体は前記半導体素子を取り囲み、接触させる前記工程では、前記金属含有層が前記第１基板の上に形成され、かつ前記第１層が前記第２基板の上に形成される、請求項５に記載の方法。