JPH02154232A

JPH02154232A - 液晶表示基板とその製造方法

Info

Publication number: JPH02154232A
Application number: JP63309304A
Authority: JP
Inventors: Ken Sumiyoshi; 研住吉
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-12-06
Filing date: 1988-12-06
Publication date: 1990-06-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】し産業上の利用分野〕本発明は液晶表示装置に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、簿膜トランジスタにより画素の駆動を行う液晶表
示装置が開発されている。この液晶表示装置は、液晶表
示基板間に液晶を挾持している。

液晶表示基板は、基板上に水平配線と垂直配線を設け、
その交点に画素駆動用薄）臭トランンスタを設けている
。画素駆動用薄膜トランジスタのゲート電極は水平配線
に、ドレイン電極は垂直配線に、ソース電極は液晶相と
電気容量をなす表示電極に結線される。このような液晶
表示装置は例えばジャパンデイスプレィ（１９８６年）
、１９６ページに兄ることかできる。

〔発明か解決しようとする課題〕

上記の例から分かるように、画素駆動用薄膜トランジス
タを設けた液晶表示基板は最も簡単なもので水平配線と
垂直配線の２つの配線が必要であシ、さらに２つの配線
を電気的に絶縁するための絶縁膜が必要である。しかし
なから、良好な表示特性を実現するためには、さらにい
くつかの絶縁膜と導電薄膜が必要である、１第１に、薄
膜トランジスタ材料は通常ある程度の光感度を有するた
めに光から覆うことが必要である。このため、水平配線
・垂直配線に加えもうｘＮの絶縁膜と遮光膜が必要であ
る。さらに、液晶の電気容ｉ−＜液晶容量）が十分な大
きさでなかったり液、ｔ？１容量と部列につながる実効
的抵抗値が俳い場合には、液晶容量と並列に蓄積容ｔを
設けなければならない、１このため、さらに１層の絶縁
膜と導電薄膜を設けなければならない。

以上述べたように高画質の液晶表示装置を得るためには
結果として、画素駆動用のトランジスタを基板上に形成
し、さらに該トランジスタ上部に多層の絶縁膜と多層の
導電薄膜を形成しなけれはならない。しかしながら、通
常用いる絶縁膜は画素駆動用薄膜トランジスタ保諌のた
め低い温度で作成される。このため、該絶縁膜は絶縁耐
圧が低くピンホールを有しており、多層の多数の配線の
なかには電気的絶縁が完全ではないものが生じ表示上の
欠陥となる。

また、液晶分子を基板上に配向させるためには通常ラビ
ング処理が行われている。これは基板表面を機械的に擦
ることにより行わ扛る。しかし、大きな段差の配線を有
する基板に対してはこのラビング処理を均一に行うこと
は困難である。このため、均一に液晶分子を配向させる
ことができず、表示上不良となる。

本発明の目的は上記問題点を解決し、画質のよい液晶表
示装置が得らｎる液晶表示基板を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の第１の液晶表示基板は、少くとも絶縁膜の一方
の面上に画素駆動用薄膜トランジスタを有し、前記絶縁
膜のもう一方の面の罰記画素駆動用薄膜トランジスタに
対向する位置に遮光膜を有する構成になっている。

本発明の第２の液晶表示基板は、少くとも絶縁膜の一方
の面上に画素、駆動用薄膜トランジスタ及び表示電極を
有し、８ｉ＋記絶縁膜のもう一方の面の８１１記表示電
極に対向する位置に液晶層を挾んで対抗する電極と同電
位に保たれた蓄積容量電極を有する構成である。

本発明の第３の液晶表示基板は、少くとも絶縁膜の一方
の面上に画素駆動用薄膜トランジスタを有し、前記絶鍼
挨本う一方の面に前記画素駆動用薄膜トランジスタのソ
ース領域とつながる表示電極を設けた構成である。

本発明の第４の液晶表示基板は、少くとも絶縁膜の一方
の面上に画素駆動用薄膜トランジスタと該画素駆動用薄
膜トランジスタのドレイン電極となる垂直配線を有し、
前記絶縁膜もう一方の面に前記画素駆動用薄膜トランジ
スタのゲート電極となる水平配線を有する構成である。

本発明の第５の液晶表示基板は、少くとも絶縁膜の一方
の面上に画素駆動用薄膜トランジスタと該画素駆動用薄
膜トランジスタのケート電極となる垂直配線を有し、前
記絶縁膜もう一方の面に前記画素駆動用薄膜トランジス
タのドレイン電極となる垂直配線を有する構成である。

本発明の、ｇ６の液晶表示基板は、少くとも絶縁膜の一
方の面上に画素駆動用薄膜トランジスタと該画素駆動用
薄膜トランジスタのソース電極となる表示電極を有し、
前記絶縁膜のもう一方の面に前記画素駆動用薄膜トラン
ジスタのドレイン電極となる垂直配線とゲート電極とな
る水平配）労を有する構成である。

本発明の液晶表示基板の製造方法は、シリコン基板上に
絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に画素駆動用薄膜トランジ
スタを形成する工程と、前記工程の後肢シリコン基板裏
面を該絶縁膜まで研磨し、該絶縁膜層面に遮光膜、蓄積
容！に電極２表示電極。

垂直配線、水平配線のすくなくとも１つを形成する工程
とを少くとも有する構成である。

〔作用〕

本発明のｇｔの液晶表示基板とその製造方法について＠
１図を用いて説明する。本発明の液晶表示基板は、第１
図（ａ）に示すように、シリコン基板１００上の絶縁膜
１０１上に画素駆動用薄膜トランジスタ１０２を設ける
。この後、第１図（ｂ）に示すようにシリコン基板１０
０上部に接着層１０３を介してシリコン基板１０４を接
着させ７’ｃ後、シリコン基板１００裏面を研磨し絶縁
膜１０１を露出させる。この工程の後、第１図（ｃ）に
示すように絶縁膜１０１に遮光膜１０５を設ける。この
後、接着層１０６を介して透明絶縁物基板１０７を接着
し、シリコン基板１０４を研磨により除去し２、第１図
（ｄｉに示すように透明基板上にｋｌｉ’ａ　トランジ
スタを有する液晶表示基板ｆ、得ることができる１、遮
光膜を介して形成される寄生容量の大きさははじめに形
成する絶縁Ａ１１０１の厚さにより制御することができ
る。このため、低い誘電率の厚い絶縁膜１０１ｔ−設け
ることにより、画素駆動用薄膜トランジスタ２００上部
に第２図（ａ）のように遮光膜２０１を設ける従来構造
よりも小さな寄生容量で済ますことかでさる。さらに第
２図（ｂ）に示すように液晶層２０３を介した対向基板
２０４にａ光膜２０５を設ける従来の構造に比較して、
画素駆動用薄膜トランジスタ位置と遮光膜の間の位置合
わせが容易である。また、絶縁膜１０１は画素駆動用薄
膜トランジスタ１０２の形成前に作製するため、高い温
度で作製することができる。このため、本発明Ｖこよる
絶縁１［１０１Ｗ′ｉピンホールが少なく信頼性が高く
、遮光膜と配線間の短絡が少ない。

次に本発明の第２の液晶表示基板とその製造方法につい
て第３図を用いて説明する。本発明の液晶表示基板は、
ｆ！、３図＜ａ）に示すように、シリコン基板３００上
の絶縁膜３０１上に画素駆動用薄膜トランジスタ３０２
を設ける。さらに配線３０３を設け、表示電極３０４を
設ける。この後、第３図（ｂ）に示すようにシリコン基
板３００上部に接着ｔ＠３０５を介してシリコン逼板３
０６を接着させ、シリコン基板３００裏面を研磨し絶縁
膜３０１を絽出させる。この工程の後、第３図（Ｃ）に
示すように表示電極に対向（、て絶Ｎ；膜上に蓄積容量
電極３０７を設ける。この後、接着層３０８ｔ−介して
透明絶縁基板３０７を絶縁膜に接着し、シリコン基＆３
０６、接着層３０５を研磨により除去し、第３図（ｄ）
に示すように透明絶縁基板上に画素駆動用薄膜トランジ
スタを有する液晶表示基板を得ることができる。蓄積容
量電極３０７は絶縁膜、３０１を誘電体として表示電極
３０４と電気的容′Ｍを形成する。蓄積容量電極３０７
を液晶層を介した対向電極と同電位におくことにより、
液晶容量と並列に接続された蓄積′８量を得ることがで
きる。蓄積容量の大きさは、絶縁膜３０１の厚さと誘電
率により決定することができる。、第＝Ｓ図に示す従来
のように、基板４００上部に蓄積容量を設ける際、蓄積
容量電極４０１と表示電極４０２とで松んだ蓄積各音の
誘電体となる絶縁膜４０３のピンホールが問題となる。

しかしながら１本発明においては高温で作製する絶Ｒ腺
３０１を誘電体として用いるため、ピンホールによる表
示上の欠陥は生じない。

矢に本発明の８ｔ４３の成品表示基板とその製造方法Ｖ
Ｃついて第５図を用いて説明する。本発明の液晶表示基
板は、第５図（ａ）に示すように、シリコン基板５００
上の絶縁膜５０１上に画素駆動用薄膜トランジスタ５０
２を設ける。この後、第５図（ｂ）に示すようにシリコ
ン基板５００上部に接着層５０３を介して透明絶縁基板
５０４を接着させ、シリコン基板５００裏面を研磨し絶
縁膜、）Ｏｌを露出させる。この工程の後、第５図（Ｃ
）に示すようにコンタクトホールを画素駆動用薄膜トラ
ンジスタ５０２のソース領域に対して開口し、表示電極
５０４を設ける。従来、第６図に示すように配線ｏ００
と表示電極００１は基板と同一面上に存在したため、配
線段差のため液晶表示基板に凹凸が多く、ラビング処理
が困難であった。しかし、本発明によれば第５図（Ｃ）
のように液晶表示基板表面は平坦になっているので配、
腺の厚さに関係なくラビングによる配向処理を行うこと
ができる。

次に本発明の第４の液晶表示基板とその製造方法につい
て第７図を用いて説明する。本発明の液晶表示基板は、
第７図（ａ）に示すように、シリコン基板７００上の絶
縁膜７０１上に画素駆動用薄狭トランジスタ７０２を設
ける。さらに画素駆動用薄膜トランジスタ７０２のドレ
イン電極となる垂直配線７０３を設ける。この後、第７
図（ｂ）に示すようにシリコン基板７００上部に接着層
７０４に一介してシリコン基板７０５を接着きせた後、
シリコン基板７００裏面を研磨し絶縁膜７０１を露出さ
せる。この工程の後、第７図（Ｃ）に示すように画素駆
動用薄膜トランジスタ７０２のゲート電極として水平配
線７０６を絶縁膜７０１上に設ける。

この後、接着ｍ７０７を介して透明絶縁基板７０８を絶
縁膜７０１に接着し、シリコン基板７０５と接着層７０
４を研磨により除去して第７図（ｄ）に示す液晶表示基
板ができる。従来、第６図に示すように配＃６００と表
示電極６０１は基板と同一面上に存在したため、配線段
差のため液晶表示基板に凹凸が多く、ラビング処理が困
難であっ九。しかし、本発明によｎに配線の厚さに関係
なく水平配憚方向にラビングによる配向処理を行うこと
かできる３、さらに本発明を用いることにより、水平配
線と垂直配線を信頼性の高い高温で作製した絶縁膜７０
１を介して分離することができるためピンホールが少な
く、容易に多層の配線を行うことかでさる。

次に本発明の第５の液晶表示基板とその製造方法Ｖこつ
いて第８図を用いて説明する。本発明の液晶表示基板は
、第８図（ａ）に示すように、シリコン基板８００上の
絶縁膜８０１上に画素駆動用薄膜トランジスタ８０２を
設ける。さらに水平配線８０３を設ける。この後、第８
図（ｂ）に示すようにシリコン基板８００上部ｒＣ接看
層８０４を介してシリコン基板８０５を接着させ、シリ
コン基板８００裏面を研磨し絶縁膜８０１を露出させる
。

この工程の後、第８図（Ｃ）に示すように画素駆動用薄
膜トランジスタ８０２のドレイン領域に対して開口し、
垂直配線８０６を設ける。この後、シリコン基板８０５
を研磨により除去すし次いで接着層８０４も除去する（
第８図（ｄ））。本発明によれば配硼の厚さに関係なく
垂直配線方向にラビングによる配向処理ト１ｆうことが
できる。さらに本発明を用いることにより、垂直配線と
水平配線を信頼性の高い高温で作成した絶縁膜を介して
分離することができるため、ピンホール少なく多層の配
線を行うことができる。１次に本発明の第６の液晶表示基板とその製造方法につい
て第９図を用いて説明する。本発明の液晶表示基板は、
第９図（ａ）に示すように、シリコン基板９００上の絶
縁膜９０１上に画素駆動用薄膜トランジスタ９０２を設
ける。さらに表示電極９０３を設ける。この後、第９図
（ｂ）に示すようにシリコン基板９００上部に接着層９
０４を介してシリコン基板９０５を接着させ、シリコン
基板９００裏面を研磨し絶縁膜９０１を露出させる。

この工程の後、第９図（Ｃ）に示すように画素駆動用薄
膜トランジスタ９０２のゲート電極となる水平配線９０
６を設ける。この後、絶縁１１Ｕ　９０７を設け、画素
駆動用薄膜トランジスタ９０２のドレイン領域に対して
開口し、画素駆動用薄膜トランジスタ９０２のドレイン
電極となる垂直配線９０８を設ける。この後、接着層９
０９を介して透明絶線基板９１０を接着させる。さらに
、シリコン基板９０５を研磨により除去し、次いで接着
Ｊ＠９０４を取り去り、第９図（ｄ）に示す液晶表示基
板となる。

本発明によれは配線の厚さに関係なく任意の方向にラビ
ングによる配向処理を行うことができる。

第７の本発明の液晶表示基板の製造方法は、上記の液晶
表示基板の製造方法によってすでに述べた。

〔実施例〕

本発明の第１の実施例について第１０図を用いて説明す
る。シリコンウェハーｔｏｏｏ′ｆｔ１ｉｏｏ℃。

水素・酸素雰囲気中において、シリコン基板ノ・−１０
００上に酸化シリコン薄膜１００１を厚さ１０００ｎ　
ｒｎ　ｔｅ影形成た３、この後、気相化学反応法によジ
、多結晶シリコン薄膜を１５Ｑｎｍ形成し、フォトリン
グラフイー工程の後、第１Ｏ図（ｕ）に示すようにトラ
ンジスタ領域１００２’ｉ作Ｋした。この工程の後、酸
素雰囲気中９５０℃の環境に置き、トランジスタ領域１
００２の表面にｌＱＱｎｍの酸化シリコン薄膜を形成し
た。この後、気相化学反応法により多結晶シリコン薄膜
を厚さ４００　ｎｍ形成し、フォトリングラフィーエｈ
ｉ経て、第１０図（ｂ）に示すように成形し、ケート電
極でもある水平配線１００３を形成した。トランジスタ
領域にはリンイオンをイオン注入しドレイン領域１００
４とソース領域１００５を形成した後、酸化シリコン薄
膜を５　Ｑ　Ｑ　ｎｍ形成し、第１０図（Ｃ）に示すよ
うに、フォトリングラフイー工程を経て、コンタクトホ
ールをドレイン領域１００４とソース領域１００５の各
上部に形成した。この後、スバ、り法によりアルミニウ
ム薄膜を１１０００ｎ成換し、フォトリングラフイー工
程を経て、ドレイン成極である垂直配線１００６とソー
ス電極１００７を第１０図（ｄ）のように形成した。さ
らに、透明導電薄膜を５　Ｑ　ｎｍ形成し、フォトリン
グラフイー工程を経て、第１０図（ｅ）に示すように形
成し、表示電極１００８を作製した。この後、接着層１
００９を介してシリコン基板１０１０を前記シリコン基
板１０００上部に接着し、Ｉ’ｌｌ　Ｈｅシリコン基板
１０００裏面を研磨し、酸化シリコン薄１良ｔｏｏｌを
絽出した。この後、酸化シリコン４膜１００１上にクロ
ム薄膜を３　Ｑ　Ｑ　ｎｍ形成し、フォトリングラフイ
ー工程の後、遮光膜１０１１を第１０図（ｆ）のように
作製した。１前記工程の後、第１、０図［有］）に示す
ように、接着＃１０１２を介してガラス基板１０１３を
前記酸化シリコン薄膜ｔｏｏｌ拠面に接着させ、シリコ
ン基板１０１０を研磨により除去し、接着層１００９も
除去した。以上のようにして、１１００℃の高温におい
て作成した厚さ１１０００ｎの酸化シリコンの叡化シリ
コン薄膜１００１裏面に遮光膜１０１１を作成すること
ができた。また。

遮光膜１０１１の位置精度として、ｌｏ００ｎｍ以内の
値を得ることができ、高精度表示装置に十分対応できる
ことが示された。

本発明の第２の実施例について第１１図を用いて説明す
る。シリコンウエノＳ−１１００上に気相化学反応法に
より、窒化シリコン薄膜ｔｔｏｔを厚さ１０１００ｎを
形成した。この場合、十分大きな蓄積容量を得るために
、絶縁層として酸化シリコン薄膜より高い誘電５４．全
示す窒化シリコン薄膜を選択し、さらに１１００ｎの厚
さに選んだ。この工程の後、気相化学反応法により、多
結晶シリコン薄膜を１５０ｎｍ作製し、フォトリングラ
フ４−１程の後、第１１図（ａ）に示すようにトランジ
スタ領域１１０２を形成した。この後、酸素雰囲気中９
５０℃の環境に置き、トランジスタ領域１１０２の表面
にｌ　００　ｎｍの酸化シリコン薄膜を形成した後、気
相化学反応法により多結晶シリコン薄膜を厚さ４００　
ｎｍ形成し、フォトリングラフイー工程を経て、第１１
図（ｂ）に示すようにノ（ターン化し、ゲート電極でも
ある水平配線ｉ　ｉ　０３を形成した。トランジスタ領
域にはリンイオンをイオン注入しドレイン領域１１０４
とソース領域１１０５を形成した後、酸化シリコン薄膜
を５　Ｑ　Ｑ　ｎｍ形成し、第１１図（Ｃ）に示すよう
に、フすトリングラフィー工程を経て、コンタクトホー
ルをドレイン領域１１０４とソース領域１１０５の各上
部に形成した。

この後、スパッタ法によりアルミニウム薄膜を１１００
０ｎ成膜し、フォトリングラフイー工程を経て、ドレイ
ン電極である垂直配線１１０６とソース電極１１０７を
第１１図（ｄ）のように形成した。さらに、透明導電薄
膜を５３　ｎｍ形成し、フォトリングラフイー工程を経
て、第１１図（ｅ）に示すようにパターン化し、表示電
極１１０８を作製した。この後、接着層１１０９を介し
てシリコン基８１１１０を前記シリコン基板１１００上
部に接着し、前記シリコン基板１１００４６Ｈ１ｉｉを
研磨し、窒化シリコン薄膜１１０１を露出した。この後
、窒化シリコン薄膜１１０１上に透明導電薄膜を５Ｑｎ
ｍ作製し、フォトリングラフイー工程の後、蓄積容量電
極１１１１を第１１図（ｆ）のように形成した。前記工
程の後、第１１図（ｇ）に示すように、接着層１１１２
を介してカラス基板１１１３を前記窒化シリコン１１０
１裏面に接着させ、シリコン基板１１１０を研磨により
除去し、接着層１１０９を除去した。以上のようにして
、１１０（１℃の高温において作製した厚さｌＯ１００
ｎ屋化シリコン薄膜１１０１裏面に蓄積容量電極ｔｉｌ
ｌを形成することができた。１この結果、リーク電流の
少ない￥！ｉｆｋ容詔を持った液晶表示装置を得ること
が出来る。

本発明の第３の実施例について第１２図を用いて説明す
る。シリコン基板ノ・−１２００を１１００℃水素・酸
素雰囲気中において、酸化シリコン聞膜１２０１を厚さ
ｌＱＱｎｍを形成した。前記工程の後、気相化学反応法
によシ前記酸化シリコン薄膜１２０１上に多結晶シリコ
ン薄膜を１５０ｎｍ作製し、フォトリングラフイー工程
の後、第１２図（ａ）に示すようにトランジスタ領域１
２０２を形成した。

この工程の後、酸素雰囲気中９５０℃の環境に置き、ト
ランジスタ領域１２０２の表面にｌ　Ｑ　Ｑ　ｎｍの酸
化シリコン薄膜を形成した。この後、気相化学反応法に
より多結晶シリコン薄膜を厚さ４００ｎｍ形成し、フォ
トリングラフイー工程を経て、１１２（ｂ）に示すよう
にパターン化し、ゲート電極でもある水平配線１２０３
を形成した。トランジスタ領域にリンイオンをイオン注
入しドレイン領域１２０４とソース領域１２０５を形成
し念後、酸化シリコン薄膜を５　Ｑ　Ｑ　ｎｍ形成し、
第１２図（Ｃ）に示すように、フォトリングラフイー工
程を経て、コンタクトホールをドレイン領域１２０４の
上部に形成した。この後、スパッタ法によりアルミニウ
ム薄膜を１１０００ｎ成良し、フォトリングラフイー工
程を経て、ドレイン電極である垂直配線１２０６を第１
１図（ｄ）のようにコンタクトホールの部分に形成した
。この後、接着１１１２０７を介して透明絶縁基＆１２
０８を＾り記シリコン基板１２００上部に接着し、前記
シリコン基板１２００８面を研磨し、酸化シリコン薄膜
１２０１を第１２図（ｅ）に示すように露出した。前記
工程の後、フォトリングラフイー工程を経てソース領域
１２０５に対して、コンタクトホールを開口した後、透
明導ＩＩＣ薄膜を厚さ５Ｑｎｍを形成し、フォトリソグ
ラフィー工程を経て、表示電極１２０９を第１２図（ｆ
）に示すように形成した。以上のようにして、表示電極
１２０９が垂直配線１２０６と水平配備１２０３の同一
平面上になく、液晶配向処理の容易な液晶表示基板を得
ることができた。

本発明の第４の実施側圧ついて第１３図を用いて説明す
る。シリコンウェハー１３００上に熱酸化シリコン薄膜
１３０１を厚さｌＱＱｎｍを作製した。

前記工程の後、気相化学反応法により、多結晶シリコン
薄膜を１５Ｑｎｍ作製し、フォトリソグラフィー工程の
後、第１３図（ａ）に示すようにトランジスタ領域１３
０２を形成した。前記工程の後、酸素雰囲気中９５０℃
の環境に置き、トランジスタ領域１３０２の表面にｌ　
Ｑ　Ｑ　ｎｍの酸化シリコン薄膜を形成した後、気相化
学反応法により多結晶シリコン薄膜を厚さ４　Ｑ　Ｑ　
ｎｍ形成し、フォトリングラフイー工程を経て、第１３
図（ｂ）に示すようにパターン化し、ケート電極１３０
３を形成した。トランジスタ領域にリンイオンをイオン
注入しドレイン領域１３０４とソース領域１３０５を形
成した後、酸化シリコン薄膜を５００ｎｍ形成し、第１
３図（Ｃ１に示すように、）ｔトリングラフィー工程を
経て、コンタクトホールをドレイン領域１３０４とノー
ス領域１３０５の各上部に形成した。この後、スパッタ
法によりアルミニウム薄膜を１０００　ｎｍ　成膜し、
フォトリングラフイー工程を経て、ドレイン電極である
垂直配線１３０６とノース電極１３０７金第１３図（ｄ
）のようにコンタクトホールの部分に形成した。さらに
、透明導電薄膜を５Ｑｎｍ形成し、フォトリングラフイ
ー工程を経て、２４１３図（ｅ）に示すようにパターン
化し、表示１に極１３０８を形成した。この後、接着層
１３０９を介してシリコン基板１３１０を前記シリコン
基板１３００上部に接着し、前記シリコン基板１３００
裏面を研磨し、酸化シリコン薄膜１３０１を露出した。

前記工程の後、＃Ｊ１３図（ｆ）に示すように、フォト
リングラフイー工程を経て、ゲート電極１３０３に対向
した開口部を酸化シリコン薄膜工３０１に形成した。さ
らに、アルミニウム薄膜を厚さ１０００１ｍ作製し、フ
ォトリングラフイー工程の後、水平配線１３１１を第１
３図（ｆ）のように形成した。、前記工程後、第１３図
（−に示すように接着層１３１２を介して透明絶縁基板
１３１３を接着し、研磨工程によりシリコン基板１３１
０′ｆ：、除去し、接着層１３０９を除去した。以上の
ようにして、表示電極１３０８が水平配線１３１１と同
一基板上にない液晶表示基板を得ることが出来た。この
ため、垂直配線方向に液晶配向処理が容易となった。さ
らに、水平配線１３１１と垂直配線１３０６が１１００
℃で作製された酸化シリコン薄膜で分離されているため
、配線間の知絡が少々い。

本発明の第５の実施例について第１４図を用いて説明す
る。シリコンウェハー１４００上に熱酸化シリコン薄膜
１４０１を浮さｌ　Ｑ　Ｑ　ｎｍを形成した。

前記工程の後、気相化学反応法により、多結晶シリコン
薄膜を１５０ｎｒｎ作製し、フォトリングラフイー工程
の後、第１４図（ａＪ　Ｋ示すように酸化シリコン薄膜
上にトランジスタ領域１４０２を形成した。この後、酸
素雰囲気中９５０℃の燦境に置き、トランジスタ領域１
４０２の表面にｌＱＱｎｍの酸化シリコン薄膜を形成し
た。前記工程の後、気相化学反応法により多結晶シリコ
ン薄膜を厚さ４００ｎｍ形成し、フォトリングラフイー
工程を経て、第１４図（ｂ）に示すようにパターン化し
、ゲート電極でもある水平配＠１４０３を形成した。前
記工程の後、トランジスタ領域１４０２にリンイオンを
イオン注入しドレイン領域１４０４とノース領域１４０
５を形成した後、酸化シリコン薄膜を５００　ｎｍ形成
し、第１４図（Ｃ）に示すように、フォトリンクラフイ
ー工程を経て、コンタクトホールをノース領域１４０５
の各上部に形成した。この後、透明４電ｋｍを５０ｎｍ
形成し、フォトリングラフイー工程を経て、第１４図（
ｄ）に示すようにパターン化し、表示電極１４０６を形
成した。この後、接着層１４０７を介してシリコン基板
１４０ｇを前記シリコンμ板１４００上部に接着し、前
記シリコン基板１４０（１面を研磨し、酸化シリコン薄
膜１４０１を第１４図（ｅ）に示すように露出した。前
記工程の後、フォトリングラフイー工程を経て、ドレイ
ン領域１４０４に対向した開口部を酸化シリコン薄膜１
４０１に形成した。さらに、アルばニウム薄膜をｈさｉ
ｏｏ。

ｎｍ酸化シリコン薄膜１４０１に作製し、フォトリング
ラフイー工程の後、垂直配線１４０９を第１４図（ｆ）
のように開口部を介してドレイン領域１４０４に形成し
た。この後、第１４図（２）に示すように酸化シリコン
薄膜１４０１に接着層１４１０を介して透明絶縁基板１
４１１を接着し、研磨工程によりシリコン基板１４１０
を除去し、接着Ｍ１４０９を除去した。以上のようにし
て、垂直配線１４０９が表示電極１４０６と同一基板上
にない液晶表示基数を得ることが出来、垂直配ａ１４ｏ
９方向への液晶配向処理が容易となった。さらに、水平
配線１４０３と垂直配線１４０９が、１１００℃で作賀
さｎた酸化シリコン薄膜１４０１で分離されているため
、配線間の短絡が少ない。

本発明の第６の実施例について第１５図を用いて説明す
る。シリコンウェハー１５ｏＯ上に熱酸化シリコン薄膜
１５０１を厚さｌＱＱｎｍを形成した。

この工程の後、気相化学反応法により、酸化シリコン薄
膜１５０１上に多結晶シリコン薄膜を１５０ｎｍ作裂し
、フォトリンクラフイー工程の後、第１５図（ａ）に示
すようにトランジスタ領域１５０２を形成した。この後
、酸素雰囲気中９５０℃の環境に置き、トランジスタ領
域１５０２の表面ＩＱＱｎｍの酸化シリコン薄Ｍを形成
した後、気相化学反応法により多結晶シリコン薄膜を厚
さ４　Ｑ　Ｑ　ｎｍ形成し、フォトリングラフイー工程
を経て、第１５図（ｂ）に示すようにパターン化し、ゲ
ート電極１５０３を形成した。前記工程の後、トランジ
スタ領域にリンイオンをイオン注入しドレイン鎖酸１５
０４とソース領域１５０５を形成した後、酸化シリコン
薄膜をｓ　ｏ　ｏ　ｎｍ形成し、第１５図（Ｃ）に示す
ように、フォトリングラフイー工程を経て、コンタクト
ホールをソース領域１５０５の上部に形成した。この後
、透明導電薄膜を５Ｑｎｍ形成し、フォトリングラフイ
ー工程を経て、第１５図（ｄ）に示すようにパターン化
し、表示電極１５０６を形成した。この後、接着層１５
０７を介してシリコン基板１５０８を前記シリコン基板
１５００上部に接着し、前記シリコン基＆１５００裏面
を研磨し、酸化シリコン薄膜１５０１を第１５図（ｅ）
に示すように露出した１、前記工程の後、フォトリング
ラフイー工程を経て、ケート電極１５０３に対向した開
口部を酸化シリコン薄膜１５０１に形成した。さらに、
アルハニウム薄膜をｌさ３　Ｑ　Ｑ　ｎｍ作賀し、フォ
トリングラフイー工程の後水平配線１５０９を第１５図
Ｃｆ））のように形成した。この後、有機絶縁膜を酸化
シリコン薄１１Ｑ　１５０１％面に形成し、ドレイン領
域１５０４に対向した開口部を有機絶縁膜及び酸化シリ
コン薄膜１５０１に形成した。前記工程の後、クロム薄
膜を厚さ１１０００ｎスパツタ法により作製した後、フ
ォトリングラフイー工程を経て、第１５図（ｆ）に示す
ように、前記クロム薄膜を垂直配線１５１０としてパタ
ーン化した。前記工程後、肩機絶鍼膜に接着Ｎｌ１１１
５１１を介して透明絶縁基板１５１２を接着させ、第１
５図（ｇ）に示すように、シリコン基＆１５０８と接着
層１５０７を除去した。以上の工程により、表示電極１
５０６が、垂直配線１５１０と水平配線１５０９の同一
平面上ない液晶表示基板が得らｎた３゜以上の工程によ
り作成した９晶表示基板は、任意の方向に配向処理する
ことが容易であった。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明により、配線間の短絡が少な
くなおかつ液晶配向処理の容易な液晶表示基板が得るこ
とが出来る。この結果画質の良い液晶表示装置が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の液晶表示基板とその製造方法を
説明するための図、第２図は従来の遮光膜を有する液晶
表示基板の構造図、第３図は本発明の第２の液晶表示基
板とその製造方法を説明するための図、第４図は従来の
蓄積容量を有する液晶表示基板の構造図、第５図は本発
明の第３の液晶表示基板とその製造方法１を説明するた
めの図、第６図は従来の液晶表示基板の配線と表示電極
の構造を説明するための図、第７図は本発明の第４の液
晶表示基板とその製造方法を説明するための図、第８図
は本発明の第５の液晶表示基板とその製造方法を説明す
るための図、第９図は本発明の第６の液晶表示基板とそ
の製造方法を説明するための図、第１０図は≠中中本発
明の第１の液晶表示基板とその製造方法の実施例を説明
するための図、第１１図は本発明の第２の液晶表示基板
とその製造方法の実施例を説明するための図、第１２図
は本発明の第３の液晶表示基板とその製造方法の実施例
を説明するための図、第１３図は本発明の第４の液晶表
示用基板とその製造方法の実施例を説明するための図、
第１４図は本発明の第５の液晶表示基板とその製造方法
の実施例を説明するための図、第１５図は本発明の第６
の液晶表示基板とその製造方法の実施例を説明するため
の図。１００・・°・・・シリコン基板、１０１・・・・・−
絶縁膜、１０２・・・・画素駆動用ｉ専膜トランジスタ
、１．０３・・・・・・接着層、１０４・・・・・シリ
コン基板、ｌｏ５・・パ°°遮光膜、１０６°゛・・・
接着層、１０７・・・・・透明絶縁基板、２００・・・
・・・画素駆動用Ｎ換トランジスタ、２０１・・・・・
・遮光族、２ｏ２・・・・・・画素駆動用トランジスタ
、２０３・・・・・・液晶層、２０４・・・・・・対向
基板、２０５・・・・・・遮光族、３００・・・・・・
シリコン基板、３０１・・・・・・絶縁膜、３ｏ２・・
・・−・画素駆動用薄膜トランジスタ、３ｏ３・・・・
・・配線、３０４・・・・・・表示電極、３０５・・・
パ°接着層、３０６・山°°シリコン基叛、３０７・・
・・・・蓄積容量電極、３０８・・・・・・接着層、３
０９・・・・・・透明絶縁基板、４００・・°・・°基
板、４０１・・・・・・蓄積容量電極、４０２・・・・
・・表示電極、４０３・・・・・・絶縁体、５００・・
・・・・シリコン基板、５０１・・・・・・絶縁膜、５
０２・・・・・・画素駆動用薄膜トランジスタ、５０３
・・・・・・接着ｌ−１５０４・・・・・・透明絶縁基
板、５０５・・・・・表示電極、６ｏＯ・・・・・・配
線、６０１・・・・・・表示電極、７００・・・・・・
シリコン基板、７０１・・・・・・絶縁膜、７０２・・
・・・・画素駆動用薄膜トラン／メタ、７０３・・・・
・・垂直配線％７０４・・・・・・接着層、７０５・°
゛・・・シリコン基板、７０６・・・・・・水平配、顧
、７０７・・・・・・接着層、７０８・・・・・・透明
絶縁基板、８００・・・・・・シリコン基板、８０１・
・・・パ絶縁膜、８０２・・・・・・画素駆動用薄膜ト
ランジスタ、８０３・・・・・・水平配線、８０４・・
・・・・接着Ｊ−１８０５・・・・・・シリコン基板、
８０６・・・・・・垂直配線、８０７・・・・・・接着
層、８０８・・・・・透明絶縁基板、９００・・・・・
・シリコン基板、９０１・・・・・・絶縁膜、９０２・
・・・・・画素駆動用薄膜トランジスタ、９０３・・・
・・・表示電極、ソ０４・・・・・・接着層、９０５・
・・・・・シリコン基板、９０６・・・・・・水平配線
、９０７・・・・・・絶縁膜、９０８・・・・・・垂直
配線、９０９・・・・・・接着層、９１０・・・・・・
透明絶縁基板、ｔｏｏｏ・・・・・・シリコンウェハー
、　１００１・・・・・・酸化シリコン薄膜、１００２
・・・・・・トランジスタ領域、１００３・・・・・・
水平配線、１００４・・・・・・ドレイン領域、１００
５“°°°°゛ソース領ソー１００６・・・・・・垂直
配線、１００７・・°・・°ソース電極、１００８・・
・・・・表示電極、１００９・・・・・・接着層、１０
１０・・・・・・シリコン基板、１０１１・・・・・・
遮光膜、１０１２・・・・・・接着層、１０１３・・・
・・・ガラス基＆、　　１１００・・・・・・シリコン
ウェハー１１０１−・°・・°窒化シリコン薄膜、１１
０２・・・・・・トランジスタ領域、１１０３・・・・
・・水平配線、１１０４・・・・・・ドレイン領域、１
１０５・−・・・・ソース領域、１１０６・・・・・・
水平配線、１１０７・・・・・・ソース電極、１１０８
・旧・・表示電極、１１０９・・・・・・接着層、１１
１０・・・・・・シリコン基＆％１１１１°゛・・°・
蓄積容量電極、１１１２・・・・・・蓄積容量電極、１
１１３・・・・・・ガラス基板、１２００・・・・・・
シリコンウェハー　１２０１・”　”’　酸化シリコン
薄膜、１２０２・・・・・・トランジスタ領域、１２０
３・・・・・・水平配線、１２０４・・・・・・ドレイ
ン領域、１２０５・・・・・・ソース領域、１２０６・
・・・・・垂直配線、１２０７・・・・・接着層、１２
０８・・・・・・透明絶縁基板％１２０９・０・・・表
示電極、１３００−’−７リコン９エバー　１３ｏｌ・
・・・・・酸化シリコン薄膜、１３０２・・・・・・ト
ランジスタ領域、１３０３・・・・・・ゲート電極、１
３０４・・・・・・ドレイン領域、１３０５・・・・・
・ソース領域、１３０６・旧・・垂直配線、１３０７・
・・°゛°°ソース電極３０８・・パ°゛表示電極、１
３０９・・・・・・接着層、１３１０・パ・・・シリコ
ン基数、１３１１・・・・・・水平配】腺、１３１２・
・・・・・接着層、１３１３・・・・・・透明絶縁基板
、１４００・・・・・・シリコンウェハー　１４０１・
・・・・・酸化シリコン薄膜、１４０２叫−１ランジス
タ領域、１４０３・・・・・・水平配線、１４ｏ４・・
・・・・ドレイン領域、１４０５°”　’−’　ｙ−ス
領域、ｌ　４０６−−−−−−表示電極、１４０７”°
°°°°接着層、１４０８・・・・・・シリコンＪ［，
１４０９・・・・・・垂直配線、　　１４１０・・・・
・・接着層、１４１１′“°°透明絶縁基板、１５００
・・す・・シリコンウェハー１５０１−°゛・・・酸化
シリコン薄膜、１５０２・・・・・・トランジスタ領域
、１５０３・・・・・・ケート電極、１５０４・・・・
・・ドレイン領域、１５０５・・・・・・ソース領域、
１５０６・・・°°゛表示電極、ｌ　５０７・・・・・
・接着層、１５０８・・・・・・シリコン基板、１５０
９・・・・・・水平配線、１５１０・・・・・・垂直配
線、１５１１・・・・・・接着層、１５１２・・・・・
・透明絶縁基板。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少くとも絶縁膜の一方の面上に画素駆動用薄膜ト
ランジスタを有し、前記絶縁膜のもう一方の面の前記画
素駆動用薄膜トランジスタに対向する位置に遮光膜を有
することを特徴とした液晶表示基板。
（２）少くとも絶縁膜の一方の面上に画素駆動用薄膜ト
ランジスタ及び表示電極を有し、前記絶縁膜のもう一方
の面の前記表示電極に対向する位置に液晶層を挾んで対
抗する電極と同電位に保たれた蓄積容量電極を有するこ
とを特徴とした液晶表示基板。
（３）少くとも絶縁膜の一方の面上に画素駆動用薄膜ト
ランジスタを有し、前記絶縁膜のもう一方の面に前記面
素駆動用薄膜トランジスタのソース領域とつながる表示
電極を設けたことを特徴とした液晶表示基板。
（４）少くとも絶縁膜の一方の面上に画素駆動用薄膜ト
ランジスタと該画素駆動用薄膜トランジスタのドレイン
電極となる垂直配線を有し、前記絶縁膜のもう一方の面
に前記画素駆動用薄膜トランジスタのゲート電極となる
水平配線を有することを特徴とした液晶表示基板。
（５）少くとも絶縁膜の一方の面上に画素駆動用薄膜ト
ランジスタと該画素駆動用薄膜トランジスタのゲート電
極となる垂直配線を有し、前記絶縁膜もう一方の面に前
記画素駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極となる垂
直配線を有することを特徴とした液晶表示基板。
（６）少くとも絶縁膜の一方の面上に画素駆動用薄膜ト
ランジスタと該画素駆動用薄膜トランジスタのソース電
極となる表示電極を有し、前記絶縁膜のもう一方の面に
前記画素駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極となる
垂直配線とゲート電極となる水平配線を有することを特
徴とした液晶表示基板。
（７）シリコン基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に
画素駆動用薄膜トランジスタを形成する工程と、前記工
程の後、前記シリコン基板裏面を該絶縁膜まで研磨し、
該絶縁膜裏面に遮光膜、蓄積容量電極、表示電極、垂直
配線、水平配線のすくなくとも１つを形成する工程とを
少くとも有することを特徴とした液晶表示基板の製造方
法。