CN100424576C - 有源矩阵显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

有源矩阵显示装置包括穿过密封材料的连接配线。连接配线夹在无机层间绝缘膜和有机平坦化膜之间。选择性地移除密封区域处的有机膜，从而形成暴露无机膜的开口部分，并用密封材料填充。密封材料在开口部分的底部接触下层的无机层间绝缘膜，以增加粘结强度。

Description

有源矩阵显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵显示装置及其制造方法。更具体地说，本发明涉及一种组成有源矩阵显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
背景技术
近年来，有源矩阵液晶显示装置广泛用作高分辨率的显示器，薄膜晶体管(TFT)用作有源矩阵液晶显示装置中像素的开关元件。例如日本待审专利No.Hei06-258661中公开了这种有源矩阵液晶显示器的一个例子。将参照图1和2描述该使用TFT的常规有源矩阵液晶显示装置。图1是显示常规有源矩阵液晶显示装置大致构造的示意性透视图。图2是显示沿图1中的II-II线的结构的横截面图。
如图1中所示，有源矩阵液晶显示装置200包括其中以矩阵设置的每个像素设置有TFT的薄膜晶体管阵列基板151(之后称作“TFT基板”)，和面对TFT基板151设置的对向基板152。在基板之间夹持有液晶层(没有示出)。在TFT基板151上设置有矩阵地设置像素的显示区域142和包围显示区域142的密封区域130A。在密封区域130A的外部设置水平驱动器143和垂直驱动器144，其通过连接配线108A均连接到显示区域142上的TFT。在TFT基板151的一端上设置有用于将有源矩阵液晶显示装置200连接到外部电路或器件的连接端子145。TFT基板151和对向基板152用设置在密封区域130A上的密封材料130粘结在一起。
在该类的液晶显示装置中，为了消除液晶分子的较差取向并为了提高对比度，将TFT基板151的表面变平坦是很重要的。因而，在TFT基板151上形成有由有机材料，如丙烯酸树脂或环氧树脂制成的平坦化膜。使用该平坦化膜，由TFT基板151表面上存在的TFT组件(如，多晶硅膜，栅极电极和配线)产生的水平差被平化。关于该点，密封区域130A也设置有平坦化膜110，如图2中所示。连接配线108A也覆盖有平坦化膜110，所述连接配线108A形成在其中形成有显示区域的互连线的层中。密封材料130接触具有平滑表面的平坦化膜110。
在便携式电话和便携式终端中使用的液晶显示装置中，近年来非常希望减小框架宽度(即，从显示区域142的边缘到基板边缘的区域)，以实现装置的小型化。为了减小框架宽度，减小显示区域142周围涂敷有密封材料130的密封区域130A是很重要的。
同时，如果TFT基板151和对向基板152微弱地粘结在一起，两个基板会被振动分离。湿气或其它的杂质会通过通路进入液晶层，液晶显示装置的可靠性就下降了。为此，在TFT基板151和对向基板152之间需要很高的粘结强度。
在常规的液晶显示装置中，如上所述在TFT基板151上形成有平坦化膜110。然后在平滑表面的平坦化膜110上设置密封材料130。平坦化膜110与密封材料130之间的粘结强度，或平坦化膜110与其下面的绝缘膜之间的粘结强度小于密封材料130与无机绝缘膜之间的粘结强度，或无机绝缘膜之间的粘结强度。因而，存在一个问题，即不能获得密封区域130A宽度的减小，因为使用有机平坦化膜110的结构在粘结强度方面是很弱的。
为了增加有机平坦化膜110与TFT基板中其它组件的粘结强度，可移除密封区域中连接配线108A上的平坦化膜110，以使连接配线108A与密封材料130接触。然而在该结构中，暴露了连接配线108A，因而容易被腐蚀。
在另一个方法中，部分地移除密封区域130A上的平坦化膜110，以使无机绝缘膜与密封材料130接触。然而实现该结构需要额外的工序，在该工序中仅仅选择性地移除平坦化膜110，由此增加了制造成本。
发明内容
鉴于前面的问题完成了本发明，并提供了一种有源矩阵显示装置及其制造方法，其能增加TFT基板与对向基板之间的粘结强度并能在不使制造工序增加和降低可靠性的情况下减小框架宽度。
本发明的有源矩阵型显示器通过用密封材料将第一基板粘结到与第一基板相对的第二基板来构成。第一基板包括其中矩阵地设置有像素的显示区域和围绕显示区域周围设置密封材料的密封区域。第一基板包括形成在密封区域外部并用穿过密封区域的连接互连线与显示区域连接的电路单元。在第一基板的密封区域中至少包括连接配线下面的无机绝缘膜和连接配线上面的有机绝缘膜。
除形成有连接配线的区域之外，部分地从密封区域移除有机绝缘膜，从而形成开口部分。所述开口部分被密封材料填充。密封材料与暴露在开口底部的无机绝缘膜接触。
在上述本发明的有源矩阵显示装置中，开口部分至少形成在相邻连接配线之间的区域中。
在上述本发明的有源矩阵显示装置中，所述有机绝缘膜是用于将第一基板表面平坦化的平坦化膜。
在上述本发明的有源矩阵显示装置中，从开口部分的底部暴露出虚图案，所述虚图案形成在形成有连接配线的层中，从而与密封材料接触。所述虚图案由从金属材料和无机材料选择的材料形成。所述虚图案至少形成在相邻连接配线之间的区域中。
依照本发明，虚图案从设置在密封区域中的开口部分暴露出来并与密封材料接触，所述虚图案形成在连接配线和可比有机绝缘膜更强地粘附到密封材料的无机绝缘膜的层中。此外，密封区域上存在粗糙性增加了密封材料接触的面积。因而，增加了TFT基板与对向基板之间的粘结强度。因此在本发明中，可通过减小密封材料的宽度获得最小化的液晶显示装置的框架。此外，因为在本发明中除了形成连接配线的区域之外移除了平坦化膜，所以可阻止由连接配线的腐蚀造成的可靠性的降低。而且，因为与显示区域中接触孔的形成同时执行平坦化膜的移除，所以也阻止了制造成本的增加。
附图说明
当结合附图时，本发明上面的和其它的目的，特征和优点将从下面的详细描述变得更加清楚，其中：
图1是显示常规液晶显示装置构造的示意性透视图；
图2是显示沿图1中II-II线的密封区域结构的横截面图；
图3是显示依照本发明第一个实施方案的有源矩阵液晶显示装置结构的示意性平面图；
图4是显示依照本发明第一个实施方案的有源矩阵液晶显示装置TFT基板结构的横截面图，示出了显示区域中TFT附近的情形。
图5是显示沿图3中I-I线的TFT基板结构的横截面图，显示了密封区域中连接配线附近的情形；
图6A和6B是每个都显示依照本发明第一个实施方案的开口部分结构变化的横截面图；
图6C和6D是每个都显示依照本发明第一个实施方案的开口部分结构变化的平面图；
图7A和7B是每个都显示依照本发明第一个实施方案的开口都分结构变化的平面图；
图8A到8D是显示依照本发明第一个实施方案的有源矩阵液晶显示装置的TFT基板结构和制造工序的横截面图；
图9是显示依照本发明第一个实施方案的有源矩阵液晶显示装置的对向基板结构的横截面图；和
图10是显示依照本发明第二个实施方案的有源矩阵液晶显示装置的TFT基板结构的横截面图，显示了密封区域中连接配线附近的情形。
具体实施方式
将根据实施方案描述本发明的有源矩阵液晶显示装置的优选实施方案。
(第一个实施方案)
将首先参照图3到9描述依照本发明第一个实施方案的有源矩阵液晶显示装置及其制造方法。
如图3中所示，有源矩阵液晶显示装置100包括其中形成有开关元件(如TFT)的TFT基板51和面对TFT基板51设置的对向基板52。这些基板用密封材料30粘结在一起。液晶材料(没有示出)放置在密封材料30包围的区域中。TFT基板51包括其中矩阵地形成有像素的显示区域，和电路单元，如水平驱动器43和垂直驱动器44，其用于驱动像素。此外，在TFT基板51上设置有用于将有源矩阵液晶显示装置100连接到外部电路或装置的连接基板45。如此设置密封材料30，即其在连接配线8A之上经过，所述连接配线8A将显示区域42连接到水平驱动器43和垂直驱动器44。
图4是显示TFT基板51结构的横截面图，示出了显示区域42中TFT附近的情形。在透明绝缘基板(例如玻璃基板)上形成有底部绝缘膜2，以阻止重金属的浸入。在底部绝缘膜2上形成有多晶硅膜3。多晶硅膜3包括几乎没有杂质掺杂的沟道区域、用低浓度杂质掺杂的LDD区域和用高浓度杂质掺杂的源极及漏极区域。然后用栅极绝缘膜4覆盖多晶硅膜3。在栅极绝缘膜4上形成栅极电极5，其由用杂质掺杂的多晶硅膜和硅化物等形成。在栅极电极5上形成有第一层间绝缘膜6，其由无机材料，如氧化硅膜，氮化硅膜或氮氧化硅膜形成。
部分地移除设置在多晶硅膜3的源极和漏极区域上的第一层间绝缘膜6和栅极绝缘膜4，从而形成接触孔7。然后在接触孔7的内部和外部形成配线8。因而，将多晶硅膜3和配线8连接在一起。对于配线8的材料，可使用低电阻金属(如铝)。在配线8上形成第二层间绝缘膜9，在第二层间绝缘膜9上形成由有机材料形成的平坦化膜10，以减小TFT基板51表面上的高度差。对于该有机材料，可使用丙烯酸树脂，环氧树脂等。
部分地移除形成在配线8上的平坦化膜10和第二层间绝缘膜9，从而形成接触孔11。在接触孔11内部和外部形成例如由氧化铟锡(ITO)形成的像素电极12。因而配线8和像素电极12连接在一起。此外，在平坦化膜10和像素电极12上形成取向膜(alignment film)13。对于取向膜13的材料，可使用聚酰亚胺膜或类似物。
图5是显示TFT基板51的横截面图，示出了密封区域中连接配线8A附近的情形。连续在玻璃基板1上形成底部绝缘膜2、栅极绝缘膜4和第一层间绝缘膜6。在第一层间绝缘膜6上如此形成将显示区域42连接到水平驱动器43和垂直驱动器44的连接配线8A，即该连接配线8A在形成有显示区域52中配线8的层中。然后在连接配线8A上连续形成第二层间绝缘膜9和平坦化膜10。在形成接触孔11时，部分地移除第二层间绝缘膜9和平坦化膜10，完好地留下形成有连接配线8A的区域。这样形成了开口部分14。
在密封区域上设置密封材料30。密封材料30在接近TFT基板51中连接配线8A顶部的位置处与平坦化膜10接触，并在开口部分14的底部与暴露的第一层间绝缘膜6接触。密封材料30与对向电极22接触并将TFT基板51连接到对向基板52。此外，液晶材料31保持在TFT基板51与对向基板52之间，由此组成了该实施方案的有源矩阵液晶显示装置。
应当注意到，只要求以下述方式在密封区域中形成开口部分14，即当从基板法线方向看时它们从不与连接配线8A交迭。开口部分14的宽度(即图5中水平的宽度)不限于图5中所示的结构。尽管在图5中开口部分14的壁是垂直的，但它们在深度方向(即图5中的垂直方向)上的形状也不限于图5中所示的结构。例如，开口部分14具有锥形的形状，如图6A中所示。表面的开口面积大于底部面积。可选择地，它们具有如图6B中所示的形状。表面的开口面积和中心面积都小于底部面积。开口部分14的长度(即连接配线8A延伸方向上的长度)也没有特别限定。例如，开口部分14可设置为穿过密封区域30A，如图6C中所示，或设置在密封区域30A中，如图6D中所示。开口部分14的形状也不限于图5中所示的结构。它们可以是圆形，椭圆形，多边形或类似形状。
此外，开口部分14只需要形成在没有形成连接配线8A的位置中。它们形成的位置、数量和它们之间的间隔没有特别限定。例如，它们只形成在相邻连接配线8A之间，如图5，6A和6B中所示，或它们不仅形成在相邻配线8A之间，而且也形成在没有形成连接配线8A的区域中，如图7A中所示。当形成多个开口部分14时，它们不必具有相同的宽度或长度。例如，可组合设置宽的和窄的开口部分14。开口部分14不必以均匀的间隔设置；它们可以是不同的距离间隔，如图7B中所示。
接下来，将参照图8A到8D描述TFT基板51的制造方法。图8A到8D是显示在制造阶段中TFT基板51结构的横截面图。每个附图的左侧都显示了对应于图4的显示区域42中靠近TFT的TFT基板51的结构。每个附图的右侧都显示了对应于图5的密封区域30A中靠近连接配线8A的TFT基板51的结构。
首先，如图8A中所示，通过化学气相沉积(CVD)在透明绝缘基板(如玻璃基板1)的表面上沉积底部绝缘膜2。对于底部绝缘膜2，可使用氧化硅膜或氮化硅膜。
然后通过例如低压CVD(LPCVD)或等离子体CVD(PCVD)在底部绝缘膜2上沉积无定形硅膜(没有示出)。通过例如激光退火将沉积的无定形硅膜结晶。无定形硅膜转变为多晶硅膜。随后，通过光刻和蚀刻将多晶硅膜构图。这样形成了多晶硅膜3，其用作薄膜晶体管的有源层。
接下来，如图8B中所示，通过CVD在底部绝缘膜2和多晶硅膜3上形成例如由氧化硅膜形成的栅极绝缘膜4。然后在栅极绝缘膜膜4上形成由掺杂杂质的多晶硅膜和硅化物膜(两者都未示出)形成的层叠膜。通过光刻和蚀刻将该层叠膜构图，从而形成栅极电极5。
接下来，在使用栅极电极5作为掩模的同时选择性地用低浓度杂质掺杂多晶硅膜3。然后在使用构图的光致抗蚀剂膜作为掩模的同时选择性地用高浓度的杂质掺杂多晶硅膜3。这样，在多晶硅膜3上分别形成了源极和漏极区域3A和3E、轻掺杂的漏极(LDD)区域3B和3D、以及沟道区域3C。然后将基板在大约600℃时退火，以激活掺杂的杂质。
接下来，如图8C中所示，通过CVD在栅极绝缘膜4和栅极电极5上形成第一层间绝缘膜6。对于第一层间绝缘膜6的材料，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜或类似物。然后通过光刻和蚀刻选择性地移除设置在多晶硅膜3的源极和漏极区域上的第一层间绝缘膜6和栅极绝缘膜4，从而形成接触孔7。然后通过溅射在第一层间绝缘膜6上沉积铝膜(没有示出)。通过光刻和蚀刻将沉积的铝膜构图，从而形成配线8。配线8还形成在接触孔7内部，并与多晶硅膜3的源极和漏极区域电连接。形成配线8时，形成连接配线8A，以将显示区域42连接到水平驱动器43和垂直驱动器44。
接下来，如图8D中所示，通过CVD形成例如由氧化硅膜形成的第二层间绝缘膜9，以覆盖第一层间绝缘膜6、配线8和连接配线8A。随后，在第二层间绝缘膜9上涂敷平坦化膜10。对于平坦化膜10的材料，可以使用有机材料，如丙烯酸树脂和环氧树脂。此时，还在密封区域的整个表面上形成第二层间绝缘膜9和平坦化膜10。
接下来，通过光刻和蚀刻选择性地移除设置在源极和漏极区域上的平坦化膜10和第二层间绝缘膜9，从而形成接触孔11，通过该接触孔11暴露了互连线。此时，选择性地移除密封区域30A中的部分第二绝缘膜9和平坦化膜10，完好地留下形成连接配线8A的区域。这样就形成了开口部分14，通过该开口部分14暴露了第一层间绝缘膜6。随后，在设置于显示区域中的每个像素中的平坦化膜10上形成ITO膜。然后通过光刻和蚀刻将ITO膜构图，从而形成像素电极12。像素电极12还形成在接触孔11内部，并与配线8电连接。然后将聚酰亚胺膜涂敷到显示区域中的平坦化膜10上和像素电极12上(通过转印方法将聚酰亚胺膜设置在上面)，从而形成取向膜13。这样就形成了该实施方案的TFT基板51。
此外，将参照图9描述对向基板52的制造方法。通过溅射在玻璃基板21上沉积ITO膜(没有示出)。然后通过光刻和蚀刻将ITO膜构图，从而形成对向电极22。将聚酰亚胺膜涂敷到对向电极22上(通过转印方法将聚酰亚胺膜设置在上面)，从而形成取向膜23。这样就形成了对向基板52。
用密封材料30将TFT基板51和对向基板52粘结在一起。然后在TFT基板51和对向基板52之间封入液晶材料31。这样就制成了有源矩阵液晶显示装置。
如上所述，依照该实施方案中的有源矩阵液晶显示装置及其制造方法，部分移除设置在密封区域中的第二层间绝缘膜9和平坦化膜10，从而形成开口部分14。从开口部分14的底部暴露由无机材料形成的第一层间绝缘膜6。密封材料30通过开口部分14坚固地粘附到第一层间绝缘膜6。在该实施方案中，获得了增加密封材料30粘结特性的相互作用，这由下面的事实所导致：密封材料30与第一层间绝缘膜6接触，且涂敷有密封材料30的表面很粗糙。此外，因为作为形成开口部分14的结果，从不暴露连接配线8A，所以第二层间绝缘膜9和平坦化膜10可保护连接配线8A。在该实施方案中，通过使用密封材料30可增加TFT基板51与对向基板52之间的粘结强度。结果，可减小密封区域的宽度，从而获得了最小化的液晶显示装置的框架。
应当注意到，用于将配线8电连接到像素电极12的平坦化膜10和第二层间绝缘膜9必须完全从显示区域的接触孔11移除。在密封区域的开口部分14中，移除有机绝缘膜，如平坦化膜10，从而暴露无机绝缘膜。如果第二层间绝缘膜9由无机材料，如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜形成时，可获得本发明的效果，即使当在开口部分14中保留部分第二层间绝缘膜9时。
(第二个实施方案)
接下来，将参照图10描述依照本发明第二个实施方案的有源矩阵液晶显示装置及其制造方法。图10是显示依照本发明第二个实施方案的有源矩阵液晶显示装置的TFT基板结构的横截面图，示出了密封区域中连接配线附近的情形。
在前面的第一个实施方案中，当移除平坦化膜10和第二层间绝缘膜9时第一层间绝缘膜6用作蚀刻阻挡层。然而，如果第一层间绝缘膜6与平坦化膜10或第二层间绝缘膜9之间蚀刻速率没有足够的差别时，该方法具有问题。例如，不希望地蚀刻了第一层间绝缘膜6。
因而，在该实施方案中，与连接配线8A一起，在将要形成开口部分14的密封区域中形成对电连接没有贡献的由低电阻金属，如铝形成的虚(dummy)图案8B，如图10中所示。在该结构中，当形成接触孔11时虚图案8B用作阻挡层。形成虚图案8B可阻止前述的第一层间绝缘膜6的蚀刻。
在图10中连接配线8A和虚图案8B具有相同的形状。但是，虚图案8B的宽度，长度，形状等没有特别限定。虚图案8B可具有宽的或窄的宽度。虚图案8B穿过密封区域来设置，或设置在密封区域中。此外，虚图案8B可以是圆形，椭圆形或多边形。尽管图10中在相邻连接配线8A之间和设置在TFT基板端部上的连接配线8A外部设置了虚图案8B，但根据形成开口部分14的位置可适当确定它们形成的位置。此外，当从基板法线方向上看时，只需要开口部分14位于虚图案8B内。开口部分14的宽度，长度，形状等没有特别限定。应当注意到省略了该实施方案TFT基板51制造方法的描述，因为除了形成虚图案8B之外，可以与第一个实施方案中描述的工序相似的工序制造TFT基板51。
依照该实施方案的有源矩阵液晶显示装置，在密封区域中形成连接配线8A时，在相邻连接配线8A和TFT基板两端处形成了虚图案8B，从而使虚图案位于形成连接配线8A的层中。使用这些虚图案8B作为蚀刻阻挡器来移除第二层间绝缘膜9和平坦化膜10，由此形成开口部分14。由增加对密封材料30粘结强度的金属材料形成的虚图案8B从开口部分14暴露出来。在该实施方案中，可获得增加密封材料粘附特性的相互作用，其由下面的事实所导致：在开口部分14中密封材料30与虚图案8B接触；涂敷有密封材料30的表面很粗糙。结果，可增加通过密封材料30而粘结在一起的TFT基板51与对向基板52之间的粘结强度，并减小了密封区域的宽度。因此可将液晶显示装置的框架最小化。
应当注意到，前面的每个实施方案都采用了具有设置在由无机材料形成的第一层间绝缘膜6与由有机材料形成的平坦化膜10之间的第二层间绝缘膜的结构。在本发明中，在无机绝缘膜上面至少设置有机绝缘膜就足够了。使用不具有第二层间绝缘膜的结构或具有其它附加绝缘膜的结构也可获得相似的效果。此外，尽管在前面的第二个实施方案中低电阻金属，如铝用作虚图案8B，但也可设置由无机材料，如氧化硅形成的虚图案8B。
尽管在前面的实施方案中本发明的结构适用于TFT用作开关元件的TFT基板，但本发明并不限于前面的实施方案。本发明可类似地适用于使用除TFT之外的其它开关元件的有源矩阵基板。
不必说，本发明可类似地适用于通过用密封材料将有源矩阵基板粘结到对向基板而形成的显示装置，如使用有机EL元件的显示装置。
尽管已经结合特定优选的实施方案描述了本发明，但应当理解到本发明所包含的主题并不限于这些具体的实施方案。相反，本发明的主旨意在包括落在下面权利要求的精神和范围内的所有替换，修改和等价物。

Claims (13)

1. 一种有源矩阵显示装置，包括：
第一基板，其具有形成显示区域的矩阵地设置的像素；
第二基板，其通过使用密封材料粘结到第一基板，从而围绕显示区域设置密封区域；
形成在第一基板上的一组连接配线，其穿过密封材料，以致连接配线的一端与像素连接，其另一端连接位于密封材料的外部的各驱动电路；
设置在连接配线下面的无机绝缘膜；和
设置在连接配线上的有机绝缘膜，在密封区域处选择性地移除该有机绝缘膜，从而除了连接配线上面的区域之外，形成填充有密封材料的开口部分。
2. 根据权利要求1所述的有源矩阵显示装置，其中开口部分至少形成在相邻连接配线之间的区域中。
3. 根据权利要求1所述的有源矩阵显示装置，其中所述无机绝缘膜从开口部分底部暴露出来，从而与密封材料接触。
4. 根据权利要求1所述的有源矩阵显示装置，其中所述有机绝缘膜是用于将第一基板表面平坦化的平坦化膜。
5. 根据权利要求1所述的有源矩阵显示装置，其中从开口部分的底部暴露出形成在形成有连接配线的层中的虚图案，从而与密封材料接触。
6. 根据权利要求5所述的有源矩阵显示装置，其中所述虚图案由金属材料或无机材料形成。
7. 根据权利要求5所述的有源矩阵显示装置，其中所述虚图案至少形成在相邻连接配线之间的区域中。
8. 一种有源矩阵显示装置的制造方法，包括：
在第一基板的显示区域上形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管上形成无机绝缘膜；
移除薄膜晶体管的电极上的无机绝缘膜，从而形成第一通孔；
形成第一连接配线和第二连接配线，使得第二连接配线通过第一通孔连接到薄膜晶体管的电极；
在第一连接配线和第二连接配线上至少形成有机绝缘膜；
移除显示区域的第二连接配线上的部分有机绝缘膜，从而形成第二通孔，并除了形成第一连接配线的区域之外，移除密封区域中的部分有机绝缘膜，从而形成开口部分；以及
在显示区域上形成通过第二通孔与第二连接配线相连的像素电极；和
通过在密封区域处使用密封材料将第二基板粘结到第一基板，从而第一连接配线和第二连接配线穿过密封材料，且所述开口部分被所述密封材料填充。
9. 根据权利要求8所述的制造方法，其中所述开口部分至少形成在相邻第一连接配线之间的区域中。
10. 根据权利要求8所述的制造方法，其中形成第一连接配线的步骤包括在形成有所述开口部分的无机绝缘膜的密封区域上形成虚图案的步骤。
11. 根据权利要求10所述的制造方法，其中将金属材料和无机材料用作虚图案的材料。
12. 根据权利要求10所述的制造方法，其中虚图案至少形成在相邻第二连接配线之间的区域中。
13. 根据权利要求10所述的制造方法，其中所述有机绝缘膜是用于将第一基板表面平坦化的平坦化膜。
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