CN100378560C - 有源矩阵基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
引出布线分别与开关元件的信号线及其扫描线相连，并引出到透明绝缘基板的一侧部分上。分别与引出布线结合的导电终端形成在其前端部分中，并且在导电终端上形成与导电终端连接的多个接触孔，从而通过使用导电树脂将驱动器IC贴装于其上。每条引出布线在接触孔附近都设置有半导体膜图案，用于阻挡导电树脂中的湿气通过层间绝缘膜到达引出布线。
Description
技术领域
本发明涉及一种有源基板及其制造方法，特别涉及一种用于如液晶显示(LCD)面板这样的平面显示板及其制造方法。
背景技术
用于如液晶显示(LCD)面板这样的平面显示板的有源矩阵基板具有与像素电极一起设置以形成矩阵的多个开关元件，诸如薄膜晶体管。使用薄膜晶体管的这种有源矩阵基板在下文中称作TFT基板。在便携式电话市场中，广泛使用小尺寸LCD面板，例如具有TFT基板的两英寸尺寸面板。尽管已经实现了具有TFT基板的这种超扭曲向列(STN)型LCD面板的尺寸和重量的减小，但仍势不可挡地需要进一步减小成本和尺寸。在日本专利申请未决公开No.2003-066474中，如图4中所示，在TFT基板11上以直角彼此交叉的方式形成有扫描线(栅极布线)17和信号线(漏极布线)(没有示出)。为了减小面板尺寸，用于栅极布线和漏极布线的终端电极设置在TFT基板11的相同侧上。
从而信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B设置成使终端电极分别与位于LCD面板的显示区域上的信号线和扫描线电连接。用于驱动扫描线的扫描驱动器IC13和用于驱动信号线的信号驱动器IC14分别通过接触孔10贴装在终端电极上。在TFT基板11上，放置彩色滤光器(在下文中称作CF)基板9使得与TFT基板11相对。液晶层(没有示出)插入在这些基板之间，从而组成了液晶显示(LCD)面板200。
传统的LCD面板具有如图3中所示的终端结构，其中在引出布线2上形成有第一层间绝缘膜3和第二层间绝缘膜4。参照图1，其是图4在引出布线2的端部附近的横截面图，空洞16易于产生在第一层间绝缘膜3中，尽管产生的量是很小的。这些空洞可以到达第二层间绝缘膜4的表面。因为在第一层间绝缘膜3的引出布线部分的边缘中的台阶覆盖(step coverage)是很差的，所以易于产生空洞。当在第一层间绝缘膜3中产生空洞时，空洞生长到第二层间绝缘膜4中，并到达第二层间绝缘膜4的表面。
在如图4中所示的传统LCD面板中，独立地使用扫描驱动器IC13和信号驱动器IC14。为了驱动LCD面板，如图2中所示，通过扫描驱动器IC13给所选择的扫描线施加大约10到20V的栅极电压18大约20μsec，作为TFT的导通电压或写电压，并施加大约-20到-10V的存储电压或保持电压15000到20000μsec。驱动器IC13的基础电压总是保持在保持电压。此外，通过信号驱动器IC14给信号线施加大约-3到+3V的交流电压作为漏极电压，以防止LCD中的图像余辉(persistence)。
可将两个驱动器IC13和14集成为单一的驱动器IC，以减小贴装驱动器IC而占用的面积，并达到减小成本。然而，在将信号线驱动器IC和扫描线驱动器IC集成为单一驱动器IC中，由一个驱动器IC给信号线和扫描线施加电压，从而驱动器IC的基础电压保持为信号线的电压。此外，如图3中所示，为了在TFT基板上贴装驱动器IC7，使用导电树脂6，例如各项异性导电膜(ACF)。不是直接加热导电树脂6，而仅加热驱动器IC7。导电树脂6由于其材料特性而吸入湿气。当导电树脂6没有被完全加热时，湿气就保留在其中。由于叠加上驱动器IC7，并且驱动器IC7结合到TFT基板以通过具有ITO膜5的接触孔10与终端电极电连接，所以导电树脂6具有如下位置关系(positional relation)，即其中导电树脂6从驱动器IC7突出，在导电树脂6中保留的湿气量随着导电树脂6进一步远离排列而变得更大。
因为前述的情形，用作扫描线的栅极布线侧具有作为基础电位的负电位，如图3中所示。因为湿气存在于导电树脂6中，所以湿气通过第一和第二层间绝缘膜3和4中的空洞达到引出布线2的表面。然后，这里具有一个问题，即引出布线2被通过湿气的分解而产生的氢氧离子(OH-)水合，导致电断开。
发明内容
因此，本发明特征在于，采用能消除如下问题的有源矩阵基板且提供了其制造方法，该问题是其中集成了前述传统的信号线驱动器IC和前述传统的扫描线驱动器IC，由于其水合作用使LCD面板的引出布线消失。
本发明的有源矩阵基板包括透明绝缘基板上用于LCD面板的开关元件，与开关元件的信号线及其扫描线相连的引出布线被引出到透明绝缘基板上的一侧部分上。有源矩阵基板包括在引出布线的前端部分与引出布线集成的导电终端，和在导电终端上的多个接触孔，其与导电终端连接。接触孔通过导电树脂与驱动信号线和扫描线的驱动器件相连。在接触孔附近的每条引出线上，通过第一绝缘膜形成半导体图案。
作为根据本发明的有源矩阵基板的透明基板，可以使用从玻璃基板、塑料基板和由粘接玻璃基板和塑料基板获得的基板中选出的一个。此外，可采用覆盖每条引出布线的单独图案或与全部引出布线相交的线性图案。
根据本发明的有源矩阵基板的半导体图案可以使用与开关元件的半导体层相同的材料，并在形成开关元件的半导体层的同时将其构图。作为半导体图案的材料，可以使用无定形硅。
在根据本发明的有源矩阵基板中，可以通过沟道蚀刻型工艺形成前述的开关元件。
制造有源矩阵基板的方法包括：在透明绝缘基板上形成第一导电膜；将第一导电膜构图，从而使第一导电膜延伸到开关元件的栅极布线和透明绝缘基板的一侧部分上，并同时形成开关元件的扫描线引出布线及其信号线引出布线，每条扫描线引出布线和信号线引出布线在其前端都具有终端部分；在透明绝缘基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜上形成半导体膜；将半导体膜构图，以同时形成开关元件的半导体膜和覆盖终端部分附近的扫描线引出布线和信号线引出布线的半导体膜图案；在透明绝缘基板的整个表面上形成第二导电膜；以及将第二导电膜构图，以同时形成开关元件的漏极布线、其源极电极和其漏极电极。
在制造根据本发明的有源矩阵基板的方法中，在同时形成漏极布线、源极电极和漏极电极后，该方法进一步包括：在透明绝缘膜的整个表面上形成第二层间绝缘膜之后，形成从终端部分上的第二层间绝缘膜的表面到终端部分的开口；以及用透明导电氧化膜覆盖该开口，并形成接触孔。
在制造根据本发明的有源矩阵基板的方法中，在第一层间绝缘膜上形成半导体膜包括连续形成无定形硅膜和n型无定形硅膜，并且在同时形成漏极布线、源极电极和漏极电极后，通过蚀刻去除开关元件的n型无定形硅膜。
在根据本发明的有源矩阵基板中，形成开关元件的半导体层的同时形成半导体图案，该半导体图案覆盖被引出到有源矩阵基板的一侧部分上的信号线引出布线和扫描线引出布线，开关元件的半导体层由与半导体图案相同的材料制成。通过该半导体图案，可提高LCD面板对于湿气的可靠性，通过使用各项异性导电树脂在引出布线的终端部分上贴装信号线和扫描线二者的驱动器件。这是因为通过终端部分附近的引出布线上的半导体图案，抑制了引出布线正上方的层间绝缘膜(第一层间绝缘膜)的空洞的影响。具体的说，通过半导体膜图案阻止了保留在各项异性树脂中的湿气进入第一层间绝缘膜，并且抑制了引出布线的水合反应。
附图说明
当结合附图时，从下面的详细描述将更加清楚本发明上述的和其它的目的、特征和优点，其中：
图1是示出传统LCD面板的引出布线部分的结构例的截面图；
图2是示出在使用传统TFT基板的LCD面板中，信号驱动器IC和扫描驱动器IC的电压施加条件的图；
图3是用于解释其中引出布线在传统的TFT基板中被水合的机制的示意图。
图4是示出传统LCD面板的例子的平面图；
图5是示出LCD面板的例子的平面图，其中CF基板被结合到本发明典型实施例的TFT基板；
图6是沿图5的线I-I的截面图；
图7A和7B是沿图5的线II-II的截面图；
图8是示出本发明典型实施例的TFT基板的引出布线和驱动器IC之间的位置关系的例子的平面图；
图9A是贴装驱动器IC的接触孔形成区域的截面图，用于解释本发明实施例的TFT基板的制造步骤；
图9B是示出从TFT引出的漏极布线和栅极布线、以及引出布线的形成状态的平面图，用于解释本发明实施例的TFT基板的制造步骤；
图10A是贴装驱动器IC的接触孔形成区域的截面图，用于解释继图9A的步骤后的步骤；
图10B是示出从TFT引出的漏极布线和栅极布线、以及引出布线的形成状态的平面图，用于解释继图9B的步骤后的步骤；
图11A是贴装驱动器IC的接触孔形成区域的截面图，用于解释继图10A的步骤后的步骤；
图11B是示出从TFT引出的漏极布线和栅极布线、以及引出布线的形成状态的平面图，用于解释继图10B的步骤后的步骤；
图12A是贴装驱动器IC的接触孔形成区域的截面图，用于解释继图10A的步骤后的步骤；
图12B是示出从TFT引出的漏极布线和栅极布线、以及引出布线的形成状态的平面图，用于解释继图10B的步骤后的步骤；
图13A是贴装驱动器IC的接触孔形成区域的截面图，用于解释继图12A的步骤后的步骤；
图13B是示出从TFT引出的漏极布线和栅极布线、以及引出布线的形成状态的平面图，用于解释继图12B的步骤后的步骤；
图14是示出使用本发明TFT基板的LCD面板的例子的截面图；
以及
图15是用于解释本发明TFT基板的效果的截面图。
具体实施方式
参照图5，信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B被引出到TFT基板11的一侧部分。这些引出布线通过接触孔10C和10D分别与终端电极电连接。在本发明典型实施例的TFT基板11中，扫描线和信号线由单个驱动元件驱动，例如单片(monolithic)驱动器IC7。用于驱动扫描线和信号线二者的驱动器IC7用导电树脂6贴装在各引出布线的接触孔10C和10D的ITO膜上，导电树脂6插在其间。CF基板9位于在TFT基板11上使得它们彼此相对。液晶层(没有示出)插在这些基板之间以组成LCD面板100。注意图5中示出的信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B的位置可以彼此交换。
在图6和7中，分别示出了沿图5的线I-I和II-II的截面图。参照图6，扫描线引出布线2B和信号线引出布线2A形成在透明绝缘基板1上，并且第一层层间绝缘膜3和第二层层间绝缘膜4形成在引出布线2B和2A上。铟锡氧化物(ITO)膜5形成在这些层间绝缘膜中形成的开口上，以提供分别与扫描线引出布线2B和2A电连接的接触孔10D和10C。通过导电树脂6贴装用于驱动信号线和扫描线的驱动器IC7。在接触孔10D和10C周围中的引出布线2B和2A上，形成半导体膜(a-Si 12A)的图案。在TFT形成区域上也形成半导体膜的图案。作为透明绝缘基板1的一个例子，可以使用玻璃基板、诸如丙烯酸树脂的透明塑料基板、结合玻璃基板和塑料基板的层叠基板，等等。
各项异性导电树脂(ACF)用于导电树脂6。作为引出布线材料的一个例子，可以使用Cr、Al、Mo、Ti以及由这些材料的合金制成的膜。作为第一和第二层间绝缘膜3和4的材料，可以使用SiNx膜。半导体膜12由层叠膜制成，该层叠膜由无定形硅(在下文中称作a-Si)膜和n型无定形硅(在下文中称作n型a-Si)膜形成。半导体膜12与TFT的半导体膜图案的形成以如下方式同时形成，即在形成TFT的半导体膜图案时不蚀刻该半导体膜，而在引出布线上留下该半导体膜。
可以将半导体膜(a-Si膜12A)设置为独立的图案以覆盖引出布线2A和2B，如图7A中所示，或可选择地，可以将半导体膜设置为线性图案使得半导体膜(a-Si膜12A)跨过所有的引出布线2A和2B，如图7B所示。当半导体膜设置为线性图案时，可以分离地设置半导体膜使得半导体膜分别跨过扫描线引出布线2B和信号线引出布线2A，或可以设置为其整体跨过扫描线引出布线2B和信号线引出布线2A的线性图案。在图7A的情形中，半导体膜(a-Si膜12A)的图案从扫描线引出布线2B的侧边突出的长度L1要求为2μm或更大。这是因为尽管将上层膜叠加在引出布线上的精度依赖于对准器的精度，但该精度一般为1.5μm。虽然从引出膜延伸的层间绝缘膜中的空洞的长度依赖于内层绝缘膜的厚度，但该空洞的长度估计为(第一层间绝缘膜3的膜厚度)×1/(cos45°)。一般地，所有的层间绝缘膜的厚度需为2μm或更大。在该厚度值中，包括第一层间绝缘膜的厚度，其从0.3到0.5μm变化。
图7B是其中引出布线留在整个表面上作为中间膜的情形。而且在该情形中，在位于最外面的引出布线中，半导体膜需要在其一端上突出2.0μm或更大。
CF基板9通过密封部件8固定到TFT基板11。液晶层40插在这些基板之间，从而组成了LCD面板。
图8是示出根据本发明典型实施例的TFT基板的引出布线和驱动器IC间的位置关系的一个例子的平面图。参照图8，TFT 30的栅极布线17(扫描线)延伸到TFT基板的外围，并用作在由密封部件8包围的显示区域的外部的扫描线引出布线2B。在扫描线引出布线2B的前端中形成有终端电极20B。终端20B与接触孔10D的导电膜5相连，诸如ITO膜5，驱动器IC7连接到接触孔10D。TFT 30的漏极布线15(信号线)通过诸如接触孔10A的ITO膜5这样的导电膜5与信号线引出布线2A电连接。在信号线引出布线2A的前端中形成有终端20A，并且终端20A与接触孔10C的ITO膜5相连，驱动器IC7连接到接触孔10C。
在接触孔10D和10C附近，半导体膜(a-Si膜12A)的图案重叠或覆盖了信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B，其间插有第一层间绝缘膜3(图8中没有示出)。半导体膜(a-Si膜12A)的图案覆盖信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B的宽度设为这样一个值，即半导体膜从信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B中的每个的侧边突出2μm或更大，其等于上述的宽度L1。对于导电树脂12在布线的纵向方向上覆盖布线的长度，建立不等式L2≥30μm且L3≥1500μm，其中L2是驱动器IC7的外围和半导体膜的内端之间的距离，L3是导电树脂6的外围和半导体膜的外端之间的距离。通过控制长度L1，L2和L3到前述的范围，发现阻止了由于导电树脂6的湿气和施加电压导致的引出布线的消失。注意到在图8中，考虑到对准精度，形成导电树脂6使得其比驱动器IC 7宽大约2到2.5mm。
接下来，将参照示出制造步骤的图9B到13B描述根据本发明典型实施例的TFT基板的制造方法。图9A、10A、11A、12A、13A和14A是在贴装驱动器IC的接触孔形成区域中的TFT基板的截面图，并且图9B、10B、11B、12B和13B是示出从TFT引出的漏极布线，栅极布线和引出布线形成状态的平面图。
首先，在诸如玻璃基板的透明绝缘基板1上形成用于第一布线的薄膜，其由从Cr、Al、Mo、Ti和由至少一种这些金属制成的合金膜中选出的金属制成。接着，通过使用在半导体技术中使用的光刻技术，同时形成栅极布线17、信号线引出布线2A和扫描线引出布线2B，如图9B中所示。在每个引出布线的前端中，在引出布线构图的同时还构图终端20A和20B。
接下来，在透明绝缘膜1上形成诸如SiNx膜的第一层间绝缘膜3，用于覆盖所有布线。此外，在第一层间绝缘膜3上，连续形成a-Si膜和n型a-Si膜。
接下来，将由a-Si膜和n型a-Si膜组成的半导体膜构图，如图10A和10B所示。参考标记12表示由a-Si膜12A和n型a-Si膜12B组成的层叠膜形成的半导体膜。在第一层间绝缘膜3上形成半导体膜12的伸长的正方形图案，以选择性地覆盖终端20A和20B附近和由附图标记121表示的栅极电极171上的引出布线2A和2B。还在与漏极布线交叉的栅极布线17上形成半导体膜122的图案。在终端20A和20B附近的引出布线2A和2B上的半导体膜12的图案尺寸如此确定，即满足参照图7和图8的解释中描述的L1到L3的值。
随后，在得到的结构的整个表面上形成由金属制成的薄膜，该金属从Cr、Al、Mo、Ti和用于由至少一种这些金属制成的第二布线的合金膜中选出。将该膜构图，如图11B中所示，以提供漏极布线15以及源极电极31和漏极电极151。
接下来，通过使用干蚀刻或等，除了被TFT 30中的源极电极31、漏极电极151和漏极布线15所覆盖的区域之外，去除n型a-Si膜12B。得到的TFT是沟道蚀刻型TFT，在五个光学处理(PR)之后形成TFT部分。不必说，剩余的n型a-Si膜12B用作欧姆接触层。
接着，在第一层间绝缘膜3上形成诸如SiNx膜的第二层间绝缘膜4，以覆盖透明绝缘膜基板1。如图12A和12B中所示，在第一和第二层间绝缘膜3和4中，形成用于将驱动器IC7与终端贴装的接触孔10C和10D。在第一和第二层间绝缘膜3和4中，同时形成接触孔10A和10B。设置接触孔10A，用于连接TFT基板的显示区域中的漏极电极15和显示区域外部的信号线引出布线2A。设置接触孔10B，用于诸如ITO膜的像素电极和TFT的源极电极31之间的连接。
接下来，如图13A和13B中所示，在玻璃基板1的整个表面上形成作为透明电极的ITO(铟锡氧化物)膜5。构图该膜使得其留在每个接触孔10A、10B、10C和10D中。在接触孔10A、10C和10D处的ITO膜5用作导电通孔，而孔10B处的ITO膜5用作透明像素电极。
上述内容是制造TFT基板的方法。
接下来，将聚酰亚胺树脂等制成的取向膜覆盖到TFT基板和CF基板9上，并执行摩擦处理。之后，用所谓密封部件8的热硬化的树脂将两基板结合。在两基板之间填充液晶材料40，并密封。之后，通过在TFT基板11和CF基板9上形成偏振板(没有示出)，获得了图6中所示的LCD面板。
粘贴诸如各项异性导电膜(ACF)的导电树脂6使得完全覆盖接触孔10C和10D。随后，将驱动器IC7加热到大约250℃，并且之后将驱动器IC7贴装在导电树脂6上以固定在那里。因此，完成了图6中所示的液晶模块。
在本发明的TFT基板中，在第一层间绝缘膜3中没有产生空洞，且不会伸展到第二层间绝缘膜4，如图15中所示。因此，空洞从不暴露到外部。结果，不会发生引出布线2A和2B的水合，且从不发生布线断开。因此，可获得具有高可靠性的TFT基板。在传统的TFT基板中，当进行其中在80％的湿度和60℃的温度下驱动传统TFT基板的测试时，在200个小时后发生布线断开。在本发明的TFT基板中，证实即使在1000个小时后也不会发生布线断开。
尽管结合特定优选的实施例描述了本发明，但应当理解，本发明所包含的主旨并不限于那些特定的实施例。相反，本发明的主旨意在包括在权利要求的精神和范围内所包含的所有替换，修改和等价物。
Claims (14)
1.一种有源矩阵基板，包括：
透明绝缘基板；
形成在透明绝缘基板上的开关元件；
该开关元件的扫描线引出布线和信号线引出布线，每条引出布线都延伸到透明绝缘基板的相同侧的部分上，并在其前端具有终端部分；
在该透明绝缘基板上形成的第一层间绝缘膜，以覆盖该扫描线引出布线和信号线引出布线；
穿过该第一层间绝缘膜并形成在该扫描线引出布线和信号线引出布线的每个终端部分上的接触孔，该接触孔用于连接用于驱动该开关元件的扫描线和信号线的驱动器元件；以及
形成在该第一层间绝缘膜上的半导体膜图案，该半导体膜图案覆盖所述终端部分附近的扫描线引出布线和信号线引出布线。
2.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中透明绝缘基板是从玻璃基板、塑料基板以及由粘接玻璃基板和塑料基板获得的基板中选出的一个。
3.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中半导体膜具有覆盖引出布线的单独的图案。
4.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中半导体膜具有跨过所有引出布线的线性图案。
5.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中在形成所述开关元件的半导体层的同时构图半导体膜。
6.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中半导体膜由无定形硅制成。
7.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中开关元件通过沟道蚀刻型工艺来形成。
8.根据权利要求1的有源矩阵基板，其中接触孔包括透明导电氧化膜。
9.根据权利要求1的有源矩阵基板，进一步包括覆盖半导体膜图案和所述第一层间绝缘膜的第二绝缘膜，其中接触孔穿过所述第一层间绝缘膜和第二绝缘膜。
10.一种制造有源矩阵基板的方法，包括：
在透明绝缘基板上形成第一导电膜；
构图第一导电膜，以同时形成开关元件的栅极布线、开关元件的扫描线引出布线及其信号线引出布线，使得扫描线引出布线和信号线引出布线延伸到透明绝缘基板的相同侧的部分，每条扫描线引出布线和信号线引出布线在其前端都具有终端部分；
在透明绝缘基板上形成第一层间绝缘膜；
在第一层间绝缘膜上形成半导体膜；
构图该半导体膜，以同时形成开关元件的半导体膜和覆盖终端部分附近的扫描线引出布线和信号线引出布线的半导体膜图案；
在透明绝缘基板的整个表面上形成第二导电膜；以及
构图该第二导电膜，以同时形成开关元件的漏极布线、其源极电极和其漏极电极。
11.根据权利要求10的方法，该方法进一步包括：
在同时形成漏极布线、源极电极和漏极电极后，在所述透明绝缘基板的整个表面上形成第二层间绝缘膜之后，形成从终端部分上的第二层间绝缘膜的表面到终端部分的开口；以及
用透明导电氧化膜覆盖该开口，并形成接触孔。
12.根据权利要求11的方法，其中在第一层间绝缘膜上形成半导体膜包括连续形成无定形硅膜和n型无定形硅膜。
13.根据权利要求12的方法，该方法包括：
在同时形成漏极布线、源极电极和漏极电极后，通过蚀刻去除所述开关元件的所述半导体膜的所述n型无定形硅膜。
14.根据权利要求11的方法，其中透明基板是从玻璃基板、塑料基板和由粘接玻璃基板和塑料基板获得的基板中选出的一个。
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