JPH117044A - 表示装置用アレイ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 隣接する信号線または走査線との間で短絡が
発生しない遮光層を有する半導体層ショートリングを有
した表示装置用アレイ基板を提供する。 【解決手段】 走査線２及び信号線を電気的に導通する
半導体層１２を半導体層ショートリングとして設け、こ
の半導体層１２の下方に、遮光層を兼ねた走査線２を設
けたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴという）を用いたアクティブマトリクス
型の液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の製造工程において、静電
気に起因する不良が発生する場合がある。例えば、製造
装置との摩擦等により生じた静電気によって、信号線と
走査線の交差部において、絶縁層の絶縁破壊が生じて短
絡状態となると、該当の信号線と走査線が輝線となる線
欠陥状態の画質不良が起こる。

【０００３】また、溜った電荷が流れ出す配線がない
と、一部の信号線もしくは走査線に静電気が生じた場合
に、これらの静電気により前記信号線もしくは走査線に
沿ったＴＦＴの特性が劣化して、画質不良を起こすこと
がある。

【０００４】これらの画質不良を防ぐための１つの手段
として、ガラス基板における半導体層による配線（半導
体層ショートリング）によりそれぞれの信号線もしくは
それぞれの走査線を電気的に導通させるような構造と
し、表示領域外部において、それぞれの信号線とそれぞ
れの走査線を全て、もしくは幾つかのまとまり毎に半導
体層ショートリングを配設している。

【０００５】この半導体層は、抵抗はかなり高いため、
液晶表示装置として使用する場合には、これら信号線や
走査線間の短絡は問題とならないはずである。ところ
が、バックライトからの光により、アモルファスシリコ
ンによって形成された半導体層の抵抗が下がり、これら
信号線や走査線の間で短絡を起こす可能性がある。

【０００６】そのため、本出願人は従来より、次のよう
な構造の液晶表示装置を提案している（特開平６−２５
８６６８号）。

【０００７】この液晶表示装置１００は、図５及び図６
に示すように、ガラス基板１１０において、半導体層１
１２による半導体層ショートリングの形成個所の下部
に、ゲート絶縁層１１４を配設する。このとき、半導体
層１１２にバックライトからの光が当たらないようにす
るために、遮光層１１６を、走査線１１８と重ならない
ように、隣接する走査線１１８の間に設けたものであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のような液晶表示
装置１００においては、隣接する走査線１１８の間に遮
光層１１６を設ける構造であるが、この遮光層１１６
も、走査線１１８と同一材料からなるアルミニウム合金
等で形成する。そのため、この遮光層１１６と、走査線
１１８との間で短絡の危険があり、これらが短絡した場
合には液晶表示装置が不良品となる問題があった。特
に、隣接する信号線の間の間隔は短く、この短絡の可能
性が大きかった。

【０００９】そこで本発明は上記問題点に鑑み、隣接す
る信号線または走査線との間で短絡が発生しない遮光層
を有する半導体層ショートリングを有した表示装置用ア
レイ基板を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の表示
装置用アレイ基板は、基板上に配置される走査線と、第
１絶縁膜を介して走査線に配置される半導体膜、前記半
導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電
極とを含む薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極から
導出されて前記走査線と略直交する信号線と、前記ソー
ス電極と電気的に接続される画素電極とを備えた表示装
置用アレイ基板において、前記走査線同志と前記信号線
同志、または、前記走査線と前記信号線とを互いに電気
的に導通する導通半導体層を前記基板の周縁部に沿って
設け、前記導通半導体層の下方に、前記走査線または前
記信号線に沿って遮光層を設けたものである。

【００１１】この表示装置用アレイ基板であると、導通
半導体層の下方に、信号線または走査線に沿って遮光層
を設ける構造であるため、隣接する走査線または信号線
間で短絡する可能性がない。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
図４に基づいて説明する。

【００１３】まず、図６の液晶表示装置のアクティブマ
トリクス型の液晶パネルの回路構成図に基づいて説明す
る。

【００１４】液晶表示装置１は、カラー表示が可能な光
透過型であって、アレイ基板と対向基板との間にポリイ
ミド樹脂からなり、互いに直交する方向に配向処理が成
された配向膜を介して、ツイスト・ネマチック（ＴＮ）
液晶が保持されている。また、アレイ基板と対向基板と
の外表面には、それぞれ偏光板が貼り付けて構成されて
いる。

【００１５】アレイ基板には、４８０本のＡｌ−Ｙ合金
からなる走査線２と、１，９２０本のＭｏ−Ｗ合金から
なる信号線３が交差するように形成され、その交差部に
それぞれアモルファスシリコンにより構成されるＴＦＴ
４を備えている。

【００１６】ＴＦＴ４のドレイン電極は信号線３に接続
され、ゲート電極は走査線２に接続され、ソース電極は
表示画素を構成する透明な画素電極５ａに接続されてい
る。走査線２および信号線３の端部には、それぞれアド
レス信号の入力端子２ａ……及び画像信号の入力端子３
ａ……が形成されている。

【００１７】アドレス信号の入力端子２ａには、不図示
の走査線駆動回路が接続され、画像信号の入力端子ａに
は、不図示の信号線駆動回路が接続されている。

【００１８】これにより、画素表示を行う場合には、走
査線２が走査線駆動回路からのアドレス信号に対応して
順次操作駆動され、ＴＦＴ４が順次導通可能となる。一
方、この走査線２の操作と同期して信号線３には、画素
データの画像信号が信号線駆動回路から供給される。こ
の結果、画像表示がなされる。

【００１９】また、ガラス基板１０上の上記画素電極５
ａからなる表示領域１ａの外部１ｂには、半導体層１２
がそれぞれの走査線２及び信号線３と電気的に導通する
ように、ガラス基板１０の上辺と左辺に沿って直交する
ようにＬ字型に配設されている。すなわち、この半導体
層１２により、半導体層ショートリングが形成されてい
る。

【００２０】図１は、この半導体層１２を含む走査線２
の入力端子２ａの付近を拡大して示した平面図であり、
図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図であり、図３は同
じくＢ−Ｂ線断面図である。

【００２１】以下、図１〜図３に基づいてこの付近の構
造について説明する。

【００２２】図２に示すように、ガラス基板１０の上に
は、所定間隔毎に走査線２が設けられている。この走査
線２の上には、二層のゲート絶縁膜１４，１６が積層さ
れている。

【００２３】このゲート絶縁膜１４，１６の上には、Ｔ
ＦＴ４の半導体層を成すと同様にアモルファスシリコン
よりなる半導体層１２が積層されている。この半導体層
１２は、図１及び図３に示すように、ガラス基板１０の
周縁部に沿って設けられた部分からほぼ直交するように
延設部１２ａが突出し、すなわち、走査線２に沿って延
設部１２ａがＴ字型に突出し、入力端子３ａまで延びて
いる。

【００２４】そして、この半導体層１２の上に保護膜１
８が積層されている。

【００２５】次に、図３に基づいて、入力端子３ａの付
近の構造について説明する。

【００２６】上記したように、入力端子３ａの位置ま
で、走査線２が延び、この上に二層のゲート絶縁膜１
４，１６が積層され、さらに、半導体層１２の延設部１
２ａが積層されている。

【００２７】入力端子３ａの位置には、コンタクトホー
ル２０が設けられ、このコンタクトホール２０を覆うよ
うに、信号線３の材料と同じ材料からなる接続層２２が
積層され、走査線２と、半導体層１２の延設部１２ａを
電気的に接続している。すなわち、この位置によって、
半導体層１２がショートリングの役割を果たせる。この
上部には保護膜１８が積層されている。

【００２８】なお、上記説明では走査線２の構造につい
て説明したが、信号線３においても同様であり、信号線
２が、接続層２２を兼ねたものとなっている。

【００２９】上記構成の液晶表示装置１においては、半
導体層１２と走査線２が重なる位置においては、走査線
２が遮光層の働きを成し、これによって、バックライト
からの光があたっても半導体層１２が低抵抗となること
がないので、隣接する走査線２，２の間が短絡すること
がない。

【００３０】一方、図２に示すように、隣接する走査線
２と走査線２との間には、従来のように両者を短絡する
導通材料が設けられていないため、走査線２，２及び信
号線３，３が短絡する恐れがない。

【００３１】この実施例では半導体層１２としてアモル
ファスシリコンを用いた場合を例示したが、マイクロク
リスタル、多結晶などのシリコン半導体を用いてもかま
わない。

【００３２】

【発明の効果】以上により本発明の表示装置用アレイ基
板であると、導通半導体層の下方に、走査線または信号
線に沿って遮光層を設けることにより、光源光が照射さ
れても、導通半導体層が低抵抗となることがない。した
がって、隣接する走査線または隣接する信号線の間にお
いて、両者が電気的に短絡することがない。

【００３３】また、隣接する信号線または隣接する走査
線との間に、この両者を短絡するような導通材料が設け
られていないため、両者が不所望に短絡することがな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す走査線の入力端子付近
の拡大平面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。

【図３】図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。

【図４】本実施例の液晶表示装置の回路構成を示す図面
である。

【図５】従来の液晶表示装置の走査線の入力端子付近の
平面拡大図である。

【図６】図５におけるＣ−Ｃ線断面図である。

【符号の説明】

１ 液晶表示装置 ２ 走査線 ２ａ 走査線の入力端子 ３ 信号線 ３ａ 信号線の入力端子 ４ ＴＦＴ １０ ガラス基板 １２ 半導体層 １４ ゲート絶縁膜 １６ ゲート絶縁膜 １８ 保護膜 ２０ コンタクトホール ２２ 接続層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に配置される走査線と、 第１絶縁膜を介して走査線に配置される半導体膜、前記
   半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン
   電極とを含む薄膜トランジスタと、 前記ドレイン電極から導出されて前記走査線と略直交す
   る信号線と、 前記ソース電極と電気的に接続される画素電極とを備え
   た表示装置用アレイ基板において、 前記走査線同志と前記信号線同志、または、前記走査線
   と前記信号線とを互いに電気的に導通する導通半導体層
   を前記基板の周縁部に沿って設け、 前記導通半導体層の下方に、前記走査線または前記信号
   線に沿って遮光層を設けたことを特徴とする表示装置用
   アレイ基板。
2. 【請求項２】前記遮光層を、前記走査線によって形成し
   たことを特徴とする請求項１記載の表示装置用アレイ基
   板。
3. 【請求項３】前記遮光層を、前記走査線または前記信号
   線に沿って、前記走査線または前記信号線の入力端子ま
   で突出させ、前記入力端子の位置で前記走査線または前
   記信号線と電気的に接続したことを特徴とする請求項１
   記載の表示装置用アレイ基板。