JP3819590B2

JP3819590B2 - 液晶表示素子ならびに該素子を用いた液晶表示装置、および反射型液晶表示装置

Info

Publication number: JP3819590B2
Application number: JP12460198A
Authority: JP
Inventors: 健中嶋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-05-07
Filing date: 1998-05-07
Publication date: 2006-09-13
Anticipated expiration: 2018-05-07
Also published as: TW546533B; KR100300653B1; KR19990087854A; JPH11326942A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置はＣＲＴに代わるディスプレイとして注目され、より高画質化や大画面化に向けて改良が進められている。このため新たな材料が利用され、これにあった製造プロセスや構造が検討されている。
【０００３】
以下、添付図面を参照しながら、前述した従来の液晶表示装置の一例について説明する。
【０００４】
図１０は従来の液晶表示装置に用いられる液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の主要部の断面説明図である。図において２０１はＴＦＴ部であり、２０２はゲートソース交差部であり、２０３は補助容量部であり、１７は変換部であり、２７は画素電極であり、６０は第１の導電体であり、６１は第２の導電体であり、５４は第３の導電体である。
【０００５】
従来の液晶表示素子は、ＴＦＴアレイ基板と、このＴＦＴアレイ基板に対向して配される対向基板と、この両基板に挟持される液晶とからなり、両基板の周囲はシール材で接合されている。このＴＦＴアレイ基板上に、複数の互いに平行なゲート配線と、ゲート配線上に設けられるゲート絶縁膜を介してゲート配線の各々に交差する、複数の互いに平行なソース配線とが設けられ、ゲート配線とソース配線とによって画される領域が画素である。各画素には画素電極と薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴ）とがアレイ状に設けられる。これらのゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴ（本従来例ではチャネルエッチ型）を覆って配向膜が設けられる。一方、対向基板上にはカラーフィルタやブラックマトリックスと配向膜とが前記画素に対応して設けられている。前記液晶は、公知の液晶材料が用いられている。
【０００６】
このような液晶を駆動するために駆動回路が液晶表示素子の周囲に設けられる。また、液晶表示素子の背後などにバックライトが設けられることがある。
【０００７】
ＴＦＴアレイ基板上に設けられた画素電極やＴＦＴと駆動回路とを接続するため、ゲート配線やソース配線と接続するように種々の導電体やコンタクトホールがＴＦＴアレイ基板上に設けられる。
【０００８】
図１１は、ＴＦＴアレイ基板上における配線および端子などの配置を示す平面説明図である。図において、１２はゲート配線、１３はソース配線、７２はゲート端子、７３はソース端子、６０は第１の導電体、６１は第２の導電体、５３は第３の導電体、１７は変換部をそれぞれ示している。一点鎖線Ｌの右および下側が表示領域である。
【０００９】
図１１に示したようにゲート配線とゲート端子は第１の導電体６０で接続され、一方、ソース配線とソース端子とは第３の導電体５４を介して第１の導電体６０および第２の導電体６１によって接続される。このような接続の仕方は、端子との接続用材料を耐腐食性が優れた材料にしたり、あるいは配線抵抗の低い材料にしたりするためである。図に示した例は、ゲート配線は第１の導電体の材料で構成されており、ソース配線は第２の導電体の材料で構成されており、ゲート配線の材料の方が耐腐食性が優れているばあいである。このばあい、ソース配線側に、第３の導電体を介して第１の導電体および第２の導電体が接続される変換部１７が設けられることになる。
【００１０】
図１２は、このような導電体とコンタクトホールとの接続を示す断面説明図であり、図１３は、当該接続が液晶に接して設けられた例を示す断面説明図である。
【００１１】
図１２、図１３において２１はガラスなどの絶縁性物質を用いた絶縁性基板（以下、単に基板という）、６０はＣｒなどの導電体を用い基板２１上に形成された第１の導電体、６１はＣｒなどの導電体を用い基板２１上に形成された第２の導電体、２３は窒化シリコンなどで形成された第１の絶縁膜、１０２は窒化シリコンなどで形成された第２の絶縁膜、１０３ｃは第１の導電体６０上に形成されたコンタクトホール、１０３ｄは第２の導電体６１上に形成されたコンタクトホール、５４はコンタクトホール１０３ｃとコンタクトホール１０３ｄを介し第１の導電体６０と第２の導電体６１を接続するＣｒなどの導電体を用いた第３の導電体、１７は第１の導電体６０と第２の導電体６１を第３の導電体５４によって材料を変換して接続する変換部、５０は液晶、５１はシール材、５３は対向基板をそれぞれ示している。
【００１２】
図１２に示す変換部１７では、第３の導電体５４上に窒化シリコンなどのパッシベーション膜がない。このため前記変換部１７を有する液晶表示装置において、以下に述べるような問題が生じる。
【００１３】
図１３を用いて説明する。第１の導電体６０は、ソース配線材料で形成されかつ外部端子へつながる配線であり、第２の導電体６１は、ゲート配線材料で形成されかつ外部端子へつながる配線であり、第３の導電体５４は第１の導電体と第２の導電体を接続するという機能を有する。このような構造の理由は、（１）ソース配線材料がゲート配線材料より腐食しやすいばあい、前述したように、外部端子へつながる配線はゲート配線材料で形成する必要があり、（２）ソース配線とゲート配線材料で形成された外部端子を直接接続するコンタクトホールを形成する工程を省略するためである。また、第３の導電体５４は表示領域において液晶に電圧を印加するための画素電極と同一材料で形成されており、かつ液晶に印加する電圧の損失を少なくするため画素電極上には絶縁膜を設けていない。したがって、第３の導電体を絶縁膜で覆うためには、新たな工程が発生しコストの増加が生じるため第３の導電体は最上層として配設され、かつ露出している。図１３のように前記変換部１７を液晶５０に直接接するよう配置した液晶表示装置では、前記変換部１７の第３の導電体５４が液晶５０と接しており第１の導電体６０あるいは第２の導電体６１に印加された信号が第３の導電体５４を電極として液晶５０に印加される。このため第３の導電体５４付近の液晶が劣化し表示不良や信頼性の低下をもたらす。
【００１４】
なお、ゲート配線材料がソース配線材料より腐食しやすい材料を使用しているばあいは、ゲート配線をソース配線材料で形成された配線に変換し外部端子と接続する必要がある。このばあい、ゲート配線はソース配線材料で形成された外部端子へつながる配線に第３の導電体を用いて変換する必要が生じる。このため図１３に示した構造と同様に第３の導電体が液晶と直接接触するため、第３の導電体５４付近の液晶が劣化し表示不良や信頼性の低下をもたらす。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の液晶表示装置では前述のように変換部１７の第３の導電体５４が液晶に接するため、信頼性の低下をもたらしていた。本発明は前述した問題点を解決し、信頼性の高い液晶表示素子および液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１にかかわる液晶表示素子は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されている。
【００１８】
本発明の請求項２にかかわる液晶表示素子は、前記シール材が熱硬化型樹脂および光硬化型樹脂のうちのいずれかである。
【００２０】
本発明の請求項３にかかわる液晶表示素子は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されている。
【００２１】
本発明の請求項４にかかわる液晶表示素子は、請求項１記載の液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有する。
【００２３】
本発明の請求項５にかかわる液晶表示素子は、請求項３記載の液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有する。
【００２８】
本発明の請求項６にかかわる反射型液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された
反射型液晶表示装置であって、前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されている。
【００３０】
本発明の請求項７にかかわる反射型液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された
反射型液晶表示装置であって、前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されている。
【００３１】
本発明の請求項８にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されている。
【００３３】
本発明の請求項９にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されている。
【００３４】
本発明の請求項１０にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極および正スタガ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極および正スタガ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されている。
【００３６】
本発明の請求項１１にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極および正スタガ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極および正スタガ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されている。
本発明の請求項１２にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
いずれか一方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記いずれか一方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されている。
本発明の請求項１３にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
いずれか一方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記いずれか一方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されている。
本発明の請求項１４にかかわる液晶表示装置は、請求項１２から請求項１３のいずれかに記載の液晶表示素子と、前記液晶表示素子を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有する。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明する。
【００３８】
実施の形態１
本実施の形態においては、前述した変換部を、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを接合するシール材を利用して、シール材が形成される領域に、シール材に覆われて配設された構成とした液晶表示素子の例を説明する。
【００３９】
図１は、本実施の形態にかかわる液晶表示素子の部分断面説明図である。
【００４０】
図１において、２１はガラスなどの絶縁性物質を用いた絶縁性基板、６０はＣｒなどの導電体を用い基板２１上に形成された第１の導電体、６１はＣｒなどの導電体を用い基板２１上に形成された第２の導電体、２３は窒化シリコンなどで形成された第１の絶縁膜、１０２は窒化シリコンなどで形成された第２の絶縁膜、１０３ｃは第１の導電体６０上に形成されたコンタクトホール、１０３ｄは第２の導電体６１上に形成されたコンタクトホール、５４はコンタクトホール１０３ｃとコンタクトホール１０３ｄを介し第１の導電体６０と第２の導電体６１を接続するＣｒなどの導電体を用いた第３の導電体、１７は第１の導電体６０と第２の導電体６１を第３の導電体５４によって材料を変換して接続する変換部、５０は液晶、５１はシール材、５３は対向基板である。
【００４１】
液晶表示素子をこのように構成した点以外は従来の液晶表示素子と同じであり、その説明を省略する。また、図中に示した各要素についても従来と同一のものについては、その説明を省略する。
【００４２】
プロセスフローを説明する。まず、絶縁性基板２１上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｕもしくはＡｇなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金またはＩＴＯなどの透明導電膜用材料を用いた導電膜またはそれらの導電性材料を用いた多層膜をスパッタ法や蒸着法などで成膜し、ついで写真製版・エッチング加工により所望の形状の第１の導電体６０を形成する。ついで窒化シリコンまたは酸化シリコンを用いた絶縁膜またはそれらを用いた多層膜からなる第１の絶縁膜２３をたとえばプラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、または減圧ＣＶＤ法で成膜する。ついで、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｕもしくはＡｇなどのいずれか１つの金属またはそれらのうち少なくとも１つを主成分とする合金またはＩＴＯなどの透明導電膜用材料を用いた導電膜またはそれらの導電性材料を用いた多層膜をスパッタ法や蒸着法などで成膜し、ついで写真製版・加工により所望の形状の第２の導電体６１を形成する。ついで窒化シリコン、酸化シリコン、無機絶縁膜もしくは有機樹脂を用いた絶縁膜またはそれらを用いた多層膜からなる第２の絶縁膜１０２をたとえばプラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜し、写真製版・エッチング加工によりコンタクトホール１０３ｃ、１０３ｄを形成する。つぎにＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｕもしくはＡｇなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金またはＩＴＯなどの透明導電膜用材料を用いた導電膜またはそれらの導電性材料を用いた多層膜をスパッタ法や蒸着法などで成膜し、ついで写真製版・エッチング加工により所望の形状の第３の導電体５４を形成する。変換部１７では第１の導電体６０および第２の導電体６１はコンタクトホール１０３ｃおよびコンタクトホール１０３ｄを介し第３の導電体５４にて接続される。さらに当該基板２１と、対向基板５３とで液晶５１を挟持しシール材５１にて接合し液晶表示装置を作製する。この際、前記変換部１７の第３の導電体５４がシール材によって覆われるようにする。
【００４３】
シール材は、熱硬化型樹脂または光硬化型樹脂を用いることができ、たとえば熱硬化型シール材の例として、三井東圧化学（株）製ＸＮ３１、または光硬化型シール材の例として協立化学産業（株）製Ｘ−７６５Ａ１もしくは長瀬チバ（株）製ＸＮＲ５６１２をあげることができる。このシール材に所望の基板間隔がえられるようにガラスロッドなどのスペーサをまぜ、スクリーン印刷などで変換部上に形成する。
【００４４】
本実施の形態にかかわる液晶表示素子では、前記変換部１７の第３の導電体５４がシール材によって覆われるため液晶５０が存在する部分と第３の導電体５４が存在する部分が分離されている。このため第１の導電体６０あるいは第２の導電体６１に印加された信号が第３の導電体５４を電極として液晶５０に印加されることがなく第３の導電体５４付近の液晶が劣化することがない。
【００４５】
また、第３の導電体５４がシール部で覆われているので変換部１７の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じない。
【００４６】
よって信頼性の高い液晶表示素子をうることができる。
【００４７】
なお、第３の導体を、第１の導体および第２の導体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成することができるが、第１の絶縁膜２３は省いても同一の効果をうることができる。また、図１の（ｂ）に示すようにパネル内側の配線である第１の導電体６０をパネル外側の配線である第２の導電体６１に変換する構造においても同一の効果がえられる。
【００４８】
以下の実施の形態の説明においては、実施の形態１と異なる点のみ説明し、同一または共通の事項についてはその説明を省略する。
【００４９】
実施の形態２
図２は、本実施の形態にかかわる液晶表示素子の部分断面説明図である。図１に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して示したほか、５２は配向膜である。
【００５０】
本実施の形態では、図２に示すように変換部１７の第２の導電体５４が、実施の形態１におけるシール材５１のかわりに１０⁹Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有するポリイミドあるいはポリビニルアルコールなどの配向膜５２によって覆われるようにする。
【００５１】
配向膜は公知の膜形成方法によって変換部上に形成することができる。これらの点以外の構成および製造方法は実施の形態１と同じであるためその説明を省略する。
【００５２】
本実施の形態では、前記変換部１７の第３の導電体５４が配向膜５２によって覆われるため液晶５０が存在する部分と第３の導電体５４が存在する部分が分離されている。このため第１の導電体６０あるいは第２の導電体６１に印加された信号が第３の導電体５４を電極として液晶５０に印加されることがなく第３の導電体５４付近の液晶が劣化することがない。
【００５３】
また、第３の導電体５４が配向膜５２によって覆われるので、変換部１７の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じない。
【００５４】
よって信頼性の高い液晶表示素子をうることができる。
【００５５】
なお第１の絶縁膜２３は省いても同一の効果をうることができる。また、パネル内側の配線である第１の導電体６０をパネル外側の配線である第２の導電体６１に変換する構造においても同一の効果がえられる。
【００５６】
実施の形態３
図３は本発明の実施の形態３〜５にかかわる液晶表示素子の部分断面説明図であり、図１および２に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して示した。
【００５７】
本実施の形態では、図３の（ａ）に示すように変換部１７の第３の導電体５４がシール材より外部になるようにする。この点以外の構成および製造方法は実施の形態１と同じであるためその説明を省略する。
【００５８】
本実施の形態では、前記変換部１７の第３の導電体５４が配向膜５５のシール材が形成される領域よりも外側になるため液晶５０が存在する部分と第３の導電体５４が存在する部分が分離されている。このため第１の導電体６０あるいは第２の導電体６１に印加された信号が第３の導電体５４を電極として液晶５０に印加されることがなく液晶が劣化することがない。
【００５９】
よって信頼性の高い液晶表示素子をうることができる。また、パネル内側の配線である第１の導電体６０をパネル外側の配線である第２の導電体６１に変換する構造においても同一の効果がえられる。
【００６０】
実施の形態４
本実施の形態では、実施の形態３に加え、図３の（ｂ）に示すように対向基板５３により第３の導電体５４が覆われるようにする。この点以外の構成および製造方法は実施の形態１と同じであるためその説明を省略する。
【００６１】
本実施の形態では、対向基板５３により第３の導電体５４が覆われるようにすることで、接触による物理的損傷や表示装置外部との漏電を防ぐことができる。
【００６２】
よって信頼性の高い液晶表示素子をうることができる。また、パネル内側の配線である第１の導電体６０をパネル外側の配線である第２の導電体６１に変換する構造においても同一の効果がえられる。
【００６３】
実施の形態５
本実施の形態では、実施の形態４に加え、図３の（ｃ）に示すように１０⁹Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する絶縁材料５５、たとえばポリイミドまたはポリビニルアルコールなどのいずれかからなる配向膜と同一の材料または、シリコン系樹脂、もしくはアクリル系樹脂などにより第３の導電体５４が覆われるようにする。
【００６４】
これらの絶縁材料を用いた膜は公知の形成方法により変換部上に形成することができる。これらの点以外の構成および製造方法は実施の形態１と同じであるためその説明を省略する。
【００６５】
本実施の形態では、絶縁材料５５により第３の導電体５４が覆われるようにすることで、変換部１７の腐食や物理的損傷や液晶表示装置外部との漏電を防ぐことができる。
【００６６】
よって信頼性の高い液晶表示素子をうることができる。また、パネル内側の配線である第１の導電体６０をパネル外側の配線である第２の導電体６１に変換する構造においても同一の効果がえられる。
【００６７】
実施の形態６
本実施の形態では、実施の形態４および５を組み合わせる。すなわち対向基板５３および１０⁹Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する絶縁材料５５、たとえばポリイミドまたはポリビニルアルコールなどのいずれかからなる配向膜と同一の材料または、シリコン系樹脂、もしくはアクリル系樹脂などにより第３の導電体５４が覆われるようにする。この点以外の構成および製造方法は実施の形態１と同じであるためその説明を省略する。
【００６８】
本実施の形態では、絶縁材料５５により第３の導電体５４が覆われるようにすることで、変換部１７の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を防ぐことができる。
【００６９】
よって信頼性の高い液晶表示素子をうることができる。
【００７０】
実施の形態７
本実施の形態においては、実施の形態１〜６のいずれかにかかわる液晶表示素子を用いた液晶表示装置について説明する。
【００７１】
図４および図５は、実施の形態１〜６にかかわる液晶表示素子の製造方法を工程順に示した断面説明図である。
【００７２】
図において、２０１はＴＦＴ部（チャネルエッチ型ＴＦＴ）であり、２０２はゲートソース交差部であり、１７は変換部であり、２０３は補助容量部であり、その他、図１〜３に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して示した。
【００７３】
図４および図５において、２１はガラスなどの絶縁性物質を用いた基板、２２はＣｒなどの金属を用い基板２１上に形成されたゲート配線１２に接続されたゲート電極、１６はＣｒなどの金属を用い基板２１上に形成された保持容量共通配線、２３はゲート配線１２、ゲート電極２２および保持容量共通配線１６を覆うように形成された窒化シリコンなどからなるゲート絶縁膜、２４はゲート絶縁膜２３の上部に接するように形成されたノンドープ非晶質シリコンなどの半導体を用いた半導体膜、２５は半導体膜２４に接続して形成されかつその膜の一部である能動態領域の上部をエッチングなどで取り除いた領域２６を有するリン（Ｐ）などの不純物をシリコン（Si）などの半導体膜にドープしたコンタクト膜、２７はＩＴＯ(indium tin oxide)などの透明導電膜などで形成され液晶にそれが駆動する電圧を印加するために用いる画素電極、２８はコンタクト膜２５に接するように形成されソース配線１３に接続されたソース電極、２９はコンタクト膜２５に接するように形成されたドレイン電極、１０２はデバイス全体を覆うように窒化シリコン膜などで形成された層間絶縁膜、１０３ａはドレイン電極２９と画素電極２７を接続するために層間絶縁膜１０２に形成されたコンタクトホール、１０３ｂは画素電極２７と保持容量電極１０１を接続するために層間絶縁膜１０２に形成されたコンタクトホール、１０３ｃはソース配線１３とゲート配線１２を接続するためにゲート配線１２上の層間絶縁膜１０２に形成されたコンタクトホール、１０３ｄはソース配線１３とゲート配線１２を接続するためにソース配線１２上の層間絶縁膜１０２に形成されたコンタクトホールである。
【００７４】
また６０はゲート配線と同一の材料を用い基板２１上に形成された第１の導電体、６１はソース配線と同一の材料を用い基板２１上に形成された第２の導電体、１０３ｃは第１の導電体６０上に形成されたコンタクトホール、１０３ｄは第２の導電体６１上に形成されたコンタクトホール、５４はコンタクトホール１０３ｃとコンタクトホール１０３ｄを介し第１の導電体６０と第２の導電体６１を接続する画素電極と同一の材料を用い形成された第３の導電体、なお、ゲート絶縁膜２３および層間絶縁膜１０２は実施の形態１〜３で示した第１の絶縁膜、および第２の絶縁膜に相当する。
【００７５】
プロセスフローを説明する。まず、図４の（ａ）に示すように絶縁性基板２１上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｕもしくはＡｇなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金またはＩＴＯなどの透明導電膜用材料を用いた導電膜またはそれらの導電性材料を用いた多層膜をスパッタ法や蒸着法などで成膜し、ついで写真製版・加工によりゲート配線１２、ゲート電極２２、保持容量共通配線１６を形成する。ついで図４の（ｂ）に示すように窒化シリコンなどのゲート絶縁膜２３と非晶質シリコンまたは多結晶ポリシリコン（poly-Si）などの半導体膜２４、ｎ型のＴＦＴのばあいはＰなどの不純物を高濃度にドーピングしたｎ⁺非晶質シリコンまたはｎ⁺多結晶ポリシリコンなどのコンタクト膜２５を連続的にたとえばプラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤまたは減圧ＣＶＤ法で成膜する。ついで、コンタクト膜２５と半導体膜２４を島状に加工する。Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｕもしくはＡｇなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金またはＩＴＯなどの透明導電膜用材料を用いた導電膜またはそれらの導電性材料を用いた多層膜をスパッタ法や蒸着法で成膜後写真製版と微細加工技術によりソース電極２８、ドレイン電極２９、保持容量電極１０１を形成する（図４の（ｃ））。このソース電極およびドレイン電極と同じ材料で形成されるソース配線およびドレイン配線もこのとき同時に形成される。このソース電極２８およびドレイン電極２９あるいはそれらを形成したホトレジストをマスクとしてコンタクト層２５をエッチングしてチャネル領域から取り除く（２６）。ついで窒化シリコンや酸化シリコン、無機絶縁膜または有機樹脂からなる層間絶縁膜１０２を成膜し、写真製版とそれに続くエッチングによりコンタクトホール１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄを形成する（図５の（ａ））。最後にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｕもしくはＡｇなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金またはＩＴＯなどの透明導電膜用材料を用いた導電膜またはそれらの多層膜導電性材料を成膜後加工することで画素電極２７を形成する（図５の（ｂ））。画素電極はコンタクトホール１０３ａを介してドレイン電極２９と接続される。また、画素電極はコンタクトホール１０３ｂを介して保持容量電極１０１と接続される。画素電極２７に用いた透明導電膜でコンタクトホール１０３ｃとコンタクトホール１０３ｄを介して、ゲート電極に用いる材料（以下、ゲート材料）で形成された第１の導電体６０とソース電極に用いる材料（以下、ソース材料）で形成された第２の導電体６１を短絡している。以上により、薄膜トランジスタ集積装置を作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ集積装置を形成したＴＦＴアレイ基板と対向基板とで液晶をはさむようにシール材にて接合する。対向基板は、基板上に公知のカラーフィルタやブラックマトリックスと配向膜などを形成して作製したものを用いる。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共通配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、保持容量共通配線用電源を接続し、さらにバックライトなどを設けることにより液晶表示装置を作製する。
【００７６】
前述した構成を有する液晶表示装置は、前記実施の形態１〜６における第１の導電体をゲート材料で形成された配線あるいは電極、第２の導電体をソース材料で形成された配線あるいは電極、第３の導電体を画素電極材料で形成された配線および電極としたものである。
【００７７】
あるいは、前述した構成を有する液晶表示装置は、前記実施の形態１〜６における第１の導電体をソース材料で形成された配線あるいは電極、第２の導電体をゲート材料で形成された配線あるいは電極、第２の導電体を画素電極材料で形成された配線および電極としたものである。
【００７８】
本発明の液晶表示装置では、前記実施の形態１〜６に示した効果に加え、以下の効果がある。
【００７９】
たとえばゲート材料がソース材料に対し、耐腐食性あるいは機械的強度あるいは接触抵抗が劣っているばあい（例：ゲート材料＝ＡｌもしくはＣｕなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金を用いた導電膜またはそれらの多層膜、ソース材料＝ＣｒもしくはＴｉなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金を用いた導電膜またはそれらの多層膜または前記導電膜とＩＴＯとの多層膜）、本実施の形態を用い、ゲート配線をソース材料で形成した配線に変換することで信頼性向上をはかることができ、低コストおよび高信頼性の液晶表示装置の提供が可能となる。
【００８０】
逆にソース材料がゲート材料に対し、耐腐食性あるいは機械的強度あるいは接触抵抗が劣っているばあい、ソース配線をゲート材料で形成した配線に変換することで同様の効果をうることができる。
【００８１】
実施の形態８
前記実施の形態１〜７の少なくとも１つを含む構成で、かつ液晶に印加する電界の方向を基板に対して平行な方向とする方式の平行電界型液晶表示装置の例である。図６は本実施の形態にかかわる平行電界型液晶表示装置の構成を示す断面説明図である。図６において、８１はクシ型電極であり、８３は液晶分子であり、８４ａはクシ型電極が形成される電極基板であり、８４ｂは電極基板８４ａに対向する対向基板であり、８６は交流電圧電源である。
【００８２】
本実施の形態にかかわる平行電界型液晶表示装置は、電極基板、この電極基板に対向する対向基板ならびに前記電極基板と該対向基板とに挟持され前記電極基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶からなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有して構成されている。電極基板上には、少なくとも第１の電極および第２の電極からなる一対の電極が一定距離を隔てて配設され、また、前記第１の電極および第２の電極を覆って配向膜が設けられているものである。また、さらに、第１の電極および第２の電極が配設されてなる表示領域の周辺には外部との接続のため、第１の端子および第２の端子が設けられている。第１の端子と第１の電極とを接続し、または第２の端子と第２の電極とを接続するために、実施の形態１〜７と同様に前記第１の電極に接続された第１の導電体と、第２の電極に接続された第２の導電体を接続する第３の導電体からなる変換部が設けられている。ここで、実施の形態１〜７と同様に前記変換部が前記シール材もしくは配向膜に覆われて配設されるか、または前記シール材が形成される領域の外側に配設されているものである。
【００８３】
実施の形態９
本実施の形態は、前記実施の形態１〜７の少なくとも１つを含む構成で、かつ画素電極をＡｌ、ＣｒもしくはＴａなどのいずれか１つの金属またはそれらのうちの少なくとも１つを主成分とする合金を用いた導電膜またはこれらを用いた多層膜で構成した反射型方式の液晶表示装置の例である。図７は本実施の形態にかかわる反射型液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板の断面説明図である。図において、３２はエッチングストッパであり、その他、図１〜５に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して示した。このＴＦＴアレイ基板においては、画素電極がＴＦＴ上にも設けられている。
【００８４】
本実施の形態にかかわる反射型液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板、このＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板とこの対向基板とに挟持され前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶からなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有して構成されている。前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴを覆って配向膜が設けられているものである。実施の形態１〜７と同様に、前記ゲート配線に接続された第１の導電体とソース配線に接続された第２の導電体を接続する第３の導電体からなる変換部が設けられている。ここで、実施の形態１〜７と同様に前記変換部が前記シール材もしくは配向膜に覆われて配設されるか、または前記シール材が形成される領域の外側に配設されているものである。したがって、実施の形態１と同一の効果をうることができ、信頼性の高い液晶表示装置をうることができる。
【００８５】
実施の形態１０
前記実施の形態１〜７の少なくとも１つを含む構成であり、かつエッチングストッパ方式のＴＦＴを有する液晶表示装置の例である。本実施の形態にかかわる液晶表示装置は、実施の形態１〜７において用いられているＴＦＴをエッチングストッパ方式のＴＦＴにかえたものであり、この点以外は実施の形態１〜７と同じである。図８は、本実施の形態にかかわるエッチングストッパ方式のＴＦＴの断面説明図であり、図において、３２は保護膜であり、その他図１〜５に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して示した。このＴＦＴの構成上の特徴は、半導体膜２４上に保護膜３２を設けてエッチングストッパとしたものである。したがって、実施の形態１と同一の効果をうることができ、信頼性の高い液晶表示装置をうることができる。
【００８６】
実施の形態１１
前記実施の形態１〜７の少なくとも１つを含む構成であり、かつ正スタガ方式の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の例である。本実施の形態にかかわる液晶表示装置は、実施の形態１〜７において用いられているＴＦＴを正スタガ方式のＴＦＴにかえたものであり、この点以外は実施の形態１〜７と同じである。図９は、本実施の形態にかかわる正スタガ方式のＴＦＴの断面説明図であり、３３は遮光膜であり、３４は絶縁膜でありその他図１〜５に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して示した。正スタガ方式のＴＦＴの構成上の特徴は、ソース電極およびドレイン電極とゲート電極との上下関係を実施の形態１〜７で用いたＴＦＴとはほぼ逆にしたものである。したがって、実施の形態１と同一の効果をうることができ、信頼性の高い液晶表示装置をうることができる。
【００８７】
実施の形態１２
前記実施の形態８を含む構成で、かつ液晶に電圧を印加する電極が同層の導体で形成された液晶表示装置の例である。液晶に電圧を印加する電極が同層の導体で形成されている点以外は実施の形態８と同じであり、実施の形態８と同一の効果をうることができ、信頼性の高い液晶表示装置をうることができる。
【００８８】
【発明の効果】
本発明の請求項１にかかわる液晶表示素子によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されているので、変換部の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じない信頼性の高い液晶表示素子をうるという効果を奏する。
【００９０】
本発明の請求項２にかかわる液晶表示素子によれば、前記シール材が熱硬化型樹脂および光硬化型樹脂のうちのいずれかであるので、通常の材料で本発明の構成の変換部をうるという効果を奏する。
【００９２】
本発明の請求項３にかかわる液晶表示素子によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されているので、第１の導電体または第２の導電体に印加された信号が液晶に印加されることがなく液晶の劣化がないので、信頼性の高い液晶表示素子をうるという効果を奏する。
【００９３】
本発明の請求項４にかかわる液晶表示装置によれば、請求項１記載の液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有するので、変換部の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じないので信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【００９５】
本発明の請求項５にかかわる液晶表示装置によれば、請求項３記載の液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有するので、第１の導電体または第２の導電体に印加された信号が液晶に印加されることがなく液晶の劣化がないので、信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【０１００】
本発明の請求項６にかかわる液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された
反射型液晶表示装置であって、前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されているので、変換部の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じないので信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【０１０２】
本発明の請求項７にかかわる液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された
反射型液晶表示装置であって、前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されているので、第１の導電体または第２の導電体に印加された信号が液晶に印加されることがなく液晶の劣化がないので、信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【０１０３】
本発明の請求項８にかかわる液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されているので、変換部の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じないので信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【０１０５】
本発明の請求項９にかかわる液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されているので、第１の導電体または第２の導電体に印加された信号が液晶に印加されることがなく液晶の劣化がないので、信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【０１０６】
本発明の請求項１０にかかわる液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極および正スタガ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極および正スタガ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されているので、変換部の腐食や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じないので信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【０１０８】
本発明の請求項１１にかかわる液晶表示装置によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極および正スタガ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極および正スタガ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されているので、第１の導電体または第２の導電体に印加された信号が液晶に印加されることがなく液晶の劣化がないので、信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
本発明の請求項１２にかかわる液晶表示素子によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
いずれか一方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記いずれか一方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されているので、変換部の腐蝕や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じない信頼性の高い液晶表示素子をうるという効果を奏する。
本発明の請求項１３にかかわる液晶表示素子によれば、ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
いずれか一方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記いずれか一方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されているので、変換部の腐蝕や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じない信頼性の高い液晶表示素子をうるという効果を奏する。
本発明の請求項１４にかかわる液晶表示装置によれば、請求項１２または１３記載の液晶表示素子と、前記液晶表示素子を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有するので、変換部の腐蝕や物理的損傷や表示装置外部との漏電を生じない信頼性の高い液晶表示装置をうるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示素子の部分断面説明図である。
【図２】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示素子の部分断面説明図である。
【図３】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示素子の部分断面説明図である。
【図４】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示素子を製造工程順に示した部分断面説明図である。
【図５】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示素子を製造工程順に示した部分断面説明図である。
【図６】本発明の他の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの断面説明図である。
【図７】本発明の他の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの断面説明図である。
【図８】本発明の他の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの断面説明図である。
【図９】本発明の他の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの断面説明図である。
【図１０】従来の液晶表示素子の断面説明図である。
【図１１】従来の液晶表示素子の平面説明図である。
【図１２】従来の液晶表示素子の断面説明図である。
【図１３】従来の液晶表示素子の断面説明図である。
【符号の説明】
１７変換部、２１絶縁性基板、２３第１の絶縁膜、５０液晶、５１シール材、５３対向基板、５４第３の導電体、６０第１の導電体、６１第２の導電体、１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０４ｄコンタクトホール。

Claims

ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されてなる液晶表示素子。
前記シール材が熱硬化型樹脂および光硬化型樹脂のうちのいずれかである請求項１記載の液晶表示素子。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびチャネルエッチ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されてなる液晶表示素子。
請求項１記載の液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有する液晶表示装置。
請求項３記載の液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有する液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された
反射型液晶表示装置であって、前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されてなる反射型液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に金属膜からなる画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された
反射型液晶表示装置であって、前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されてなる反射型液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されてなる液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびエッチングストッパ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されてなる液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極および正スタガ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極および正スタガ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されてなる液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されてなる液晶表示素子と、前記液晶を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有し、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極および正スタガ型ＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極および正スタガ型ＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域を覆って配向膜が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
より耐腐食性の優れた方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記より耐腐食性の優れた方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示装置であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されてなる液晶表示装置。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
いずれか一方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記いずれか一方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域に前記シール材に覆われて配設されてなる液晶表示素子。
ＴＦＴアレイ基板、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板ならびに前記ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに挟持されてなる液晶からなり、前記ＴＦＴアレイ基板および対向基板の周囲がシール材で接合されており、前記ＴＦＴアレイ基板上に配設され互いに交差するゲート配線およびソース配線によって画された各画素に画素電極およびＴＦＴが配設され、前記ゲート配線、ソース配線、画素電極およびＴＦＴがマトリックス状に配設されてなる表示領域が設けられ、前記表示領域の周辺にゲート端子およびソース端子が設けられ、
前記ゲート配線と前記ゲート端子、および前記ソース配線と前記ソース端子との接続は、
前記ゲート配線の材料で形成された第１の導電体、および前記ソース配線の材料で形成された第２の導電体のうち、
いずれか一方の導電体からなる配線とその端子とは、その導電体で直接に接続され、
他方の導電体からなる配線とその端子とは、該配線とその端子との間に変換部が設けられ、該端子と該変換部との間の配線材料が、前記いずれか一方の導電体に変換されて接続され、
前記変換部において、前記第１の導電体と前記第２の導電体とが第３の導電体を介して接続され、
前記第３の導電体が、前記第１の導電体および前記第２の導電体と絶縁膜を介して別層にかつ最上層に形成された液晶表示素子であって、
前記変換部が前記シール材が形成される領域の外側の前記ＴＦＴアレイ基板上に配設されてなる液晶表示素子。
請求項１２または１３記載の液晶表示素子と、前記液晶表示素子を駆動する駆動回路と、バックライトとを少なくとも有する液晶表示装置。