KR19990087854A - 액정표시소자,평행전계형액정표시장치및반사형액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제 3 도전체에 의한 액정의 열화가 없고, 표시불량이나 신뢰성의 저하가 없는 액정표시소자 및 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명의 일 실시예인 액정표시소자에 있어서는, 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트단자와 상기 게이트 배선이 접속되고 또한 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재로 덮혀 있는 것을 구성 상의 특징으로 하고 있다.

Description

액정표시소자, 평행전계형 액정표시장치 및 반사형 액정표시장치{Liquid Crystal Display Device, Liquid Crystal Display Apparatus of Parallel Electric Field Type and Liquid Crystal Display Apparatus of Reflective Type}
본 발명은, 액티브 매트릭스(active matrix)형의 액정표시장치에 관한 것이다.
최근에, 액정표시장치는 CRT에 대신하는 디스플레이로서 주목되어, 보다 고화질화나 대화면화를 향해 개량이 진행되고 있다. 이 때문에, 새로운 재료가 이용되고, 이것에 맞는 제조 프로세스나 구조가 검토되고 있다.
이하, 첨부도면을 참조하면서, 전술한 종래의 액정표시장치의 일례에 관해 설명한다.
도 10은 종래의 액정표시장치에 사용되는 액정표시소자의 TFT 어레이 기판의 주요부의 단면 설명도이다. 도면에 있어서, 201은 TFT부이고, 202는 게이트 소스 교차부이며, 203은 보조용량부이고, 17은 변환부이며, 27는 화소전극이고, 60은 제 1 도전체이며, 61은 제 2 도전체이고, 54는 제 3 도전체이다.
종래의 액정표시소자는, TFT 어레이 기판과, 이 TFT 어레이 기판에 대향하여 배치된 대향기판과, 이 양 기판 사이에 끼워진 액정으로 이루어지고, 양 기판의 주위는 밀봉(seal)재로 접합되어 있다. 이 TFT 어레이 기판 상에, 복수의 서로 평행한 게이트 배선과, 게이트 배선 상에 설치된 게이트 절연막을 통해 게이트 배선의 각각에 교차하는 복수의 서로 평행한 소스 배선이 설치되고, 게이트 배선과 소스 배선에 의해 구획된 영역이 화소이다. 각 화소에는 화소전극과 박막 트랜지스터(thin film transistor, 이하, TFT)가 어레이 형태로 설치된다. 이들 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 TFT(본 종래예에서는 채널에칭(channel etch)형)을 덮어 배향막이 설치된다. 한편, 대향기판 상에는 칼라필터나 블랙 매트릭스(black matrix)와 배향막이 상기 화소에 대응하여 설치되어 있다. 상기 액정은 공지의 액정재료가 사용되고 있다.
이러한 액정을 구동하기 위해 구동회로가 액정표시소자의 주위에 설치된다. 또한, 액정표시소자의 배후 등에 백라이트가 설치되는 일이 있다.
TFT 어레이 기판 상에 설치된 화소전극이나 TFT와 구동회로를 접속하기 위해, 게이트 배선이나 소스 배선과 접속하도록 여러가지의 도전체나 콘택홀이 TFT 어레이 기판 상에 설치된다.
도 11은, TFT 어레이 기판 상에 있어서 배선 및 단자 등의 배치를 나타낸 평면 설명도이다. 도면에 있어서, 12는 게이트 배선, 13은 소스 배선, 72는 게이트단자, 73은 소스단자, 60은 제 1 도전체, 61은 제 2 도전체, 53은 제 3 도전체, 17은 변환부를 각각 나타내고 있다. 일점쇄선 L의 우측 및 하측이 표시영역이다.
도 11에 나타낸 바와 같이 게이트 배선(12)과 게이트 단자(72)는 제 1 도전체(60)에 접속되고, 한편, 소스 배선(13)과 소스단자(73)는 제 3 도전체(54)를 통해 제 1 도전체(60) 및 제 2 도전체(61)에 의해 접속된다. 이러한 접속의 방식은, 단자와의 접속용 재료를 내부식성이 우수한 재료로 하거나, 또는 배선저항이 낮은 재료로 하거나 하기 때문이다. 도면에 나타낸 예는, 게이트 배선은 제 1 도전체의 재료로 구성되어 있고, 소스 배선은 제 2 도전체의 재료로 구성되어 있으며, 게이트 배선의 재료 쪽이 내부식성이 우수한 경우이다. 이 경우에, 소스 배선측에 제 3 도전체를 통해 제 1 도전체 및 제 2 도전체가 접속되는 변환부(17)가 설치되게 된다.
도 12는, 이러한 도전체와 콘택홀의 접속을 나타낸 단면 설명도이고, 도 13은 해당 접속이 액정에 접촉하여 설치된 예를 나타낸 단면 설명도이다.
도 12, 도 13에 있어서 21은 유리 등의 절연성 물질을 사용한 절연성 기판(이하, 간단히 기판이라 한다), 60은 Cr 등의 도전체를 사용하여 기판(21) 상에 형성된 제 1 도전체, 61은 Cr 등의 도전체를 사용하여 기판(21) 상에 형성된 제 2 도전체, 23은 질화실리콘 등으로 형성된 제 1 절연막, 102는 질화실리콘 등으로 형성된 제 2 절연막, 103c는 제 1 도전체(60) 상에 형성된 콘택홀, 103d는 제 2 도전체(61) 상에 형성된 콘택홀, 54는 콘택홀 103c과 콘택홀 103d를 개재하여 제 1 도전체(60)와 제 2 도전체(61)를 접속하는 Cr 등의 도전체를 사용한 제 3 도전체, 17은 제 1 도전체(60)와 제 2 도전체(61)를 제 3 도전체(54)에 의해 재료를 변환하여 접속하는 변환부, 50은 액정, 51은 밀봉재, 53은 대향기판을 각각 나타내고 있다.
도 12에 나타낸 변환부(17)에는, 제 3 도전체(54) 상에 질화실리콘 등의 패시베이션(passivation)막이 없다. 이 때문에 상기 변환부(17)를 갖는 액정표시장치에 있어서, 이하에 설명하는 것과 같은 문제가 생긴다.
도 13을 사용하여 설명한다. 제 1 도전체(60)는 소스 배선재료로 형성되고 또한 외부단자에 연결되는 배선이고, 제 2 도전체(61)는 게이트 배선재료로 형성되고 또한 외부단자에 연결되는 배선이며, 제 3 도전체(54)는 제 1 도전체와 제 2 도전체를 접속하는 기능을 갖는다. 이러한 구조를 채용하는 이유는, (1) 소스 배선재료가 게이트 배선재료보다 부식되기 쉬운 경우, 전술한 바와 같이 외부단자에 연결되는 배선은 게이트 배선재료로 형성할 필요가 있고, (2) 소스 배선과 게이트 배선재료로 형성된 외부단자를 직접 접속하는 콘택홀을 형성하는 공정을 생략하기 위한 것이다. 또한, 제 3 도전체(54)는 표시영역에 있어서 액정에 전압을 인가하기 위한 화소전극과 동일재료로 형성되어 있고, 또한 액정에 인가하는 전압의 손실을 줄이기 위해 화소전극 상에는 절연막을 설치하고 있지 않다. 따라서, 제 3 도전체를 절연막으로 덮기 위해서는, 새로운 공정이 발생하여 비용의 증가가 생기기 때문에 제 3 도전체는 최상층으로서 설치되고 또한 노출되어 있다. 도 13과 같이 상기 변환부(17)를 액정(50)에 직접 접촉하도록 배치한 액정표시장치에서는, 상기 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 액정(50)과 접촉하고 있고, 제 1 도전체(60) 또는 제 2 도전체(61)에 인가된 신호가 제 3 도전체(54)를 전극으로 해서 액정(50)에 인가된다. 이 때문에, 제 3 도전체(54) 부근의 액정이 열화하여 표시불량이나 신뢰성의 저하를 가져온다.
또한, 게이트 배선재료가 소스 배선재료보다 부식되기 쉬운 재료를 사용하고 있는 경우에는, 게이트 배선을 소스 배선재료으로 형성된 배선으로 변환하여 외부단자와 접속할 필요가 있다. 이 경우에, 게이트 배선은 소스 배선재료로 형성된 외부단자에 이어지는 배선에 제 3 도전체를 사용하여 변환할 필요가 생긴다. 이 때문에, 도 13에 나타낸 구조와 마찬가지로, 제 3 도전체가 액정과 직접 접촉하기 때문에, 제 3 도전체(54) 부근의 액정이 열화하여 표시불량이나 신뢰성의 저하를 초래한다.
종래의 액정표시장치에서는 전술한 바와 같이 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 액정에 접촉하기 때문에, 신뢰성의 저하를 가져오고 있었다. 본 발명은 전술한 문제점을 해결하여, 신뢰성이 높은 액정표시소자 및 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 액정표시소자의 부분단면 설명도,
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 액정표시소자의 부분단면 설명도,
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 액정표시소자의 부분단면 설명도,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 액정표시소자를 제조공정순으로 나타낸 부분단면 설명도,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 액정표시소자를 제조공정순서로 나타낸 부분단면 설명도,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 박막 트랜지스터의 단면 설명도,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 박막 트랜지스터의 단면 설명도,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 박막 트랜지스터의 단면 설명도,
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 박막 트랜지스터의 단면 설명도,
도 10은 종래의 액정표시소자의 단면 설명도,
도 11은 종래의 액정표시소자의 평면 설명도,
도 12는 종래의 액정표시소자의 단면 설명도,
도 13은 종래의 액정표시소자의 단면 설명도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
17 : 변환부21 : 절연성 기판
23 : 제 1 절연막50 : 액정
51 : 밀봉재53 : 대향기판
54 : 제 3 도전체60 : 제 1 도전체
61 : 제 2 도전체103a,103b,103c,103d : 콘택홀
본 발명의 제 1 실시예에 관한 액정표시소자는, TFT 어레이 기판과, 이 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판과 상기 TFT 어레이 기판과 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, (a) 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 있고, (b) 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해 구획된 각 화소에 화소전극 및 채널에치형 TFT가 배설되어 있으며, (c) 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 채널에치형 TFT가 매트릭스 형태로 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있고, (d) 상기 표시영역의 주변에 게이트 단자 및 소스단자가 설치되어 있으며, (e) 상기 게이트 배선의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트 단자에의 연장선이 형성되어 상기 게이트 단자와 상기 게이트 배선이 접속되고 또한 상기 소스단자에의 연장선이 형성되어 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재에 덮혀 설치되어 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 관한 평행전계형 액정표시장치는, 전극기판, 이 전극기판에 대향하는 대향기판과 상기 전극기판과 이 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 전극기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로와, 백라이트를 적어도 갖고, (a) 상기 전극기판 상에 적어도 제 1 전극 및 제 2 전극으로 이루어진 한쌍의 전극이 일정거리를 두고 배치되어 있고, (b) 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 형성된 전계에 의해 상기 액정이 구동되며, (c) 상기 제 1 전극 및 제 2 전극이 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있고, (d) 상기 표시영역의 주변에 제 1 단자 및 제 2 단자가 설치되어 있으며, (e) 상기 제 1 전극의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 제 2 전극의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 제 1 단자에의 연장선이 형성되어 상기 제 1 단자와 상기 제 1 전극이 접속되고 또한 상기 제 2 단자에의 연장선이 형성되어 상기 제 2 단자와 상기 제 2 전극이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 평행전계형 액정표시장치에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재에 덮혀 설치되어 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 관한 반사형 액정표시장치는, TFT 어레이 기판, 이 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판과 상기 TFT 어레이 기판과 이 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로를 적어도 갖고, (a) 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해 구획된 각 화소에 금속막으로 이루어진 화소전극 및 TFT가 배치되어 있고, (b) 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 TFT가 매트릭스 형태로 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있으며, (c) 상기 표시영역의 주변에 게이트 단자 및 소스단자가 설치되어 있고, (d) 상기 게이트 배선의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트 단자에의 연장선이 형성되어 상기 게이트 단자와 상기 게이트 배선이 접속되고, 또한 상기 소스단자에의 연장선이 형성되며 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 반사형 액정표시장치에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재에 덮혀 설치되어 있다.
이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 관해 더욱 상세히 설명한다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 전술한 변환부를, TFT 어레이 기판과 대향기판을 접합하는 밀봉재를 이용하여, 밀봉재가 형성되는 영역에 밀봉재에 덮혀 설치된 구성으로 한 액정표시소자의 예를 설명한다.
도 1은 본 실시예에 관한 액정표시소자의 부분단면 설명도이다.
도 1에 있어서, 21은 유리 등의 절연성 물질을 사용한 절연성 기판, 60은 Cr 등의 도전체를 사용하여 기판(21) 상에 형성된 제 1 도전체, 61은 Cr 등의 도전체를 사용하여 기판(21) 상에 형성된 제 2 도전체, 23은 질화실리콘 등으로 형성된 제 1 절연막, 102는 질화실리콘 등으로 형성된 제 2 절연막, 103c는 제 1 도전체(60) 상에 형성된 콘택홀, 103d는 제 2 도전체(61) 상에 형성된 콘택홀, 54는 콘택홀 103c과 콘택홀 103d를 개재하여 제 1 도전체(60)와 제 2 도전체(61)를 접속하는 Cr 등의 도전체를 사용한 제 3 도전체, 17은 제 1 도전체(60)와 제 2 도전체(61)를 제 3 도전체(54)에 의해 재료를 변환하여 접속하는 변환부, 50은 액정, 51은 밀봉재, 53은 대향기판이다.
액정표시소자를 이와 같이 구성한 점 이외에는 종래의 액정표시소자와 동일하여 그 설명을 생략한다. 또한, 도면 중에 나타낸 각 요소에 관해서도 종래와 같은 것에 대해서는 그 설명을 생략한다.
프로세스 플로우를 설명한다. 우선, 절연성 기판(21) 상에 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au 또는 Ag 등의 어느 1개의 금속, 또는 그들 중에서 적어도 1개를 주성분으로 하는 합금 또는 ITO 등의 투명 도전막용 재료를 사용한 도전막 또는 이들 도전성 재료를 사용한 다층막을 스퍼터링법이나 증착법 등으로 막형성하고, 이어서 사진제판·에칭가공에 의해 원하는 형상의 제 1 도전체(60)를 형성한다. 이어서, 질화실리콘 또는 산화실리콘을 사용한 절연막 또는 그것들을 사용한 다층막으로 이루어진 제 1 절연막(23)을 예를 들면 플라즈마 CVD, 상압 CVD, 감압 CVD 법으로 막형성한다. 이어서, Cr, A1, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au 또는 Ag 등의 어느 1개의 금속 또는 이들 중에서 적어도 1개를 주성분으로 하는 합금 또는 ITO 등의 투명 도전막용 재료를 사용한 도전막 또는 이들 도전성 재료를 사용한 다층막을 스퍼터링법이나 증착법 등으로 막형성하고, 이어서 사진제판·가공에 의해 원하는 형상의 제 2 도전체(61)를 형성한다. 이어서 질화 실리콘, 산화 실리콘, 무기 절연막 또는 유기수지를 사용한 절연막 또는 이것들을 사용한 다층막으로 이루어진 제 2 절연막(102)을 예를 들면 플라즈마 CVD, 상압 CVD, 감압 CVD 법으로 막형성하고, 사진제판·에칭가공에 의해 콘택홀(103c, 103d)을 형성한다. 다음에, Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au 또는 Ag 등의 어느 1개의 금속 또는 이것들 중에서 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금 또는 ITO 등의 투명 도전막용 재료를 사용한 도전막 또는 이들 도전성 재료를 사용한 다층막을 스퍼터링법이나 증착법 등으로 막형성하고, 이어서 사진제판·에칭가공에 의해 원하는 형상의 제 3 도전체(54)를 형성한다. 변환부(17)에서는 제 1 도전체(60) 및 제 2 도전체(61)는 콘택홀(103c) 및 콘택홀(103d)를 개재하여 제 3 도전체(54)에서 접속된다. 더구나, 해당 기판(21)과, 대향기판(53)으로 액정(51)을 사이에 끼워 밀봉재(51)로 접합하여 액정표시장치를 제작한다. 이때, 상기 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 밀봉재에 의해서 덮히게 된다.
밀봉재는, 열경화형 수지 또는 광경화형 수지를 사용할 수 있고, 예를 들면 열경화형 밀봉재의 예로서, 미쓰이도아쯔카가꾸(三井東壓化學)(주)제 XN31, 또는 광경화형 밀봉재의 예로서 교리쯔카가꾸산교(協立化學産業)(주)제 X-765A1 또는 나가세치바(長瀨チバ)(주)제 XNR 5612를 들 수 있다. 이 밀봉재에 원하는 기판 간격이 얻어지도록 유리봉(glass rod) 등의 스페이서를 섞어, 스크린 인쇄 등으로 변환부 상에 형성한다.
본 실시예에 관한 액정표시소자에서는, 상기 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 밀봉재에 의해 덮히기 때문에, 액정(50)이 존재하는 부분과 제 3 도전체(54)가 존재하는 부분이 분리되어 있다. 이 때문에, 제 1 도전체(60) 또는 제 2 도전체(61)에 인가된 신호가 제 3 도전체(54)를 전극으로 하여 액정(50)에 인가되는 일이 없고 제 3 도전체(54) 부근의 액정이 열화하는 일이 없다.
또한, 제 3 도전체(54)가 밀봉부로 덮혀 있기 때문에 변환부(17)의 부식이나 물리적 손상 또는 표시장치 외부와의 누전이 생기지 않는다.
따라서, 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다.
또한, 제 3 도체를 제 1 도체 및 제 2 도체와 절연막을 통해 별도의 층으로 또한 최상층으로 형성할 수가 있지만, 제 1 절연막(23)은 생략하더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 도 1b에 나타낸 바와 같이 패널 내측의 배선인 제 1 도전체(60)를 패널 외측의 배선인 제 2 도전체(61)로 변환하는 구조에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
이하의 실시예의 설명에 있어서는, 실시예 1과 다른 점만 설명하고, 동일 또는 공통되는 사항에 대해서는 그것의 설명을 생략한다.
(실시예 2)
도 2는 본 실시예에 관한 액정표시소자의 부분단면 설명도이다. 도 1에 나타낸 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여 나타내었다. 또한, 52는 배향막이다.
본 실시예에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이 변환부(17)의 제 2 도전체(54)가, 실시예 1에 있어서 밀봉재(51) 대신에 109Ωcm 이상의 비저항을 갖는 폴리이미드 혹은 폴리비닐 알콜 등의 배향막(52)에 의해 덮히도록 한다.
배향막은 공지의 막형성 방법에 의해 변환부 상에 형성할 수 있다. 이들 점 이외의 구성 및 제조방법은 실시예 1과 동일하기 때문에 그것의 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 상기 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 배향막(52)에 의해 덮히기 때문에, 액정(50)이 존재하는 부분과 제 3 도전체(54)가 존재하는 부분이 분리되어 있다. 이 때문에, 제 1 도전체(60) 또는 제 2 도전체(61)에 인가된 신호가 제 3 도전체(54)를 전극으로 하여 액정(50)에 인가되는 일이 없고, 제 3 도전체(54) 부근의 액정이 열화하는 일이 없다.
또한, 제 3 도전체(54)가 배향막(52)에 의해서 덮히기 때문에, 변환부(17)의 부식이며 물리적 손상 또는 표시장치 외부와의 누전이 생기지 않는다.
따라서, 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다.
또한, 제 1 절연막(23)은 생략하더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 패널 내측의 배선인 제 1 도전체(60)를 패널 외측의 배선인 제 2 도전체(61)로 변환하는 구조에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
(실시예 3)
도 3은 본 발명의 실시예 3∼5에 관한 액정표시소자의 부분단면 설명도로서, 도 1 및 도 2에 나타낸 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여 나타내었다.
본 실시예에서는, 도 3a에 나타낸 바와 같이 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 밀봉재보다 외부가 되도록 한다. 이 점 이외의 구성 및 제조방법은 실시예 1과 동일하기 때문에 그 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 상기 변환부(17)의 제 3 도전체(54)가 배향막(55)의 밀봉재가 형성되는 영역보다도 외측이 되기 때문에 액정(50)이 존재하는 부분과 제 3 도전체(54)가 존재하는 부분이 분리되어 있다. 이 때문에, 제 1 도전체(60) 또는 제 2 도전체(61)에 인가된 신호가 제 3 도전체(54)를 전극으로 하여 액정(50)에 인가되는 일이 없고 액정이 열화하는 일이 없다.
따라서, 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다. 또한, 패널 내측의 배선인 제 1 도전체(60)를 패널 외측의 배선인 제 2 도전체(61)로 변환하는 구조에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
(실시예 4)
본 실시예에서는, 실시예 3에 덧붙여, 도 3b에 나타낸 바와 같이 대향기판(53)에 의해 제 3 도전체(54)가 덮히도록 한다. 이 점 이외의 구성 및 제조방법은 실시예 1과 동일하기 때문에 그 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 대향기판(53)에 의해 제 3 도전체(54)가 덮여지도록 함으로써, 접촉에 의한 물리적 손상이나 표시장치 외부와의 누전을 방지할 수 있다.
따라서, 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다. 또한, 패널 내측의 배선인 제 1 도전체(60)를 패널 외측의 배선인 제 2 도전체(61)로 변환하는 구조에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
(실시예 5)
본 실시예에서는, 실시예 4에 덧붙여, 도 3c에 나타낸 바와 같이 109Ωcm 이상의 비저항을 갖는 절연재료(55), 예를 들면 폴리이미드 또는 폴리비닐 알콜 등 중에서 어느 하나로 이루어진 배향막과 동일한 재료 또는 실리콘계 수지, 또는 아크릴계 수지 등에 의해 제 3 도전체(54)가 덮히도록 한다.
이들 절연재료를 사용한 막은 공지의 형성방법에 의해 변환부 상에 형성할 수 있다. 이러한 점 이외의 구성 및 제조방법은 실시예 1과 동일하기 때문에 그 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 절연재료(55)에 의해 제 3 도전체(54)가 덮히도록 함으로써, 변환부(17)의 부식이나 물리적 손상 또는 액정표시장치 외부와의 누전을 방지할 수 있다.
따라서, 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다. 또한, 패널 내측의 배선인 제 1 도전체(60)를 패널 외측의 배선인 제 2 도전체(61)로 변환하는 구조에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
(실시예 6)
본 실시예에서는, 실시예 4 및 5를 조합한다. 즉, 대향기판(53) 및 109Ωcm 이상의 비저항을 갖는 절연재료(55), 예를 들면 폴리이미드 또는 폴리비닐 알콜 들 중에서 어느 하나로 이루어진 배향막과 동일한 재료 또는, 실리콘계 수지, 또는 아크릴계 수지 등에 의해 제 3 도전체(54)가 덮히도록 한다. 이 점 이외의 구성 및 제조방법은 실시예 1과 동일하기 때문에 그 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 절연재료(55)에 의해 제 3 도전체(54)가 덮히도록 함으로써, 변환부(17)의 부식이나 물리적 손상 또는 표시장치 외부의 누전을 방지할 수 있다.
따라서, 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻을 수 있다.
(실시예 7)
본 실시예에 있어서는, 실시예 1∼6 중에서 어느 하나에 관한 액정표시소자를 사용한 액정표시장치에 대해 설명한다.
도 4 및 도 5는, 실시예 1∼6에 관한 액정표시소자의 제조방법을 공정순으로 나타낸 단면 설명도이다.
도면에 있어서, 201은 TFT부(채널에치형 TFT)이고, 202는 게이트 소스 교차부이며, 17은 변환부이고, 203은 유지용량부이며, 기타 도 1∼3에 나타낸 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여 나타내었다.
도 4 및 도 5에 있어서, 21은 유리 등의 절연성 물질을 사용한 기판, 22는 Cr 등의 금속을 사용하여 기판(21) 상에 형성된 게이트 배선(12)에 접속된 게이트 전극, 16은 Cr 등의 금속을 사용하여 기판(21) 상에 형성된 유지용량 공통배선, 23은 게이트 배선(12), 게이트 전극(22) 및 유지용량 공통배선(16)을 덮도록 형성된 질화 실리콘 등으로 이루어진 게이트 절연막, 24는 게이트 절연막(23)의 상부에 접하도록 형성된 논 도프(non-doped) 비정질 실리콘 등의 반도체를 사용한 반도체막, 25는 반도체막(24)에 접속하여 형성되고 또한 그 막의 일부인 능동태(能動態) 영역의 상부를 에칭 등으로 제거한 영역(26)을 갖는 인(P) 등의 불순물을 실리콘(Si) 등의 반도체막에 도프한 콘택막, 27은 ITO(indium tin oxide) 등의 투명 도전막 등으로 형성되고 액정에 그것이 구동하는 전압을 인가하기 위해 사용하는 화소전극, 28은 콘택막(25)에 접하도록 형성되고 소스 배선(13)에 접속된 소스전극, 29는 콘택막(25)에 접하도록 형성된 드레인 전극, 102는 디바이스 전체를 덮도록 질화 실리콘막 등으로 형성된 층간절연막, 103a는 드레인 전극(29)과 화소전극(27)을 접속하기 위해 층간절연막(102)에 형성된 콘택홀, 103b는 화소전극(27)과 유지용량 전극(101)을 접속하기 위해 층간절연막(102)에 형성된 콘택홀, 103c는 게이트선과 동일한 재료로 형성된 제 1 도전체(60)와, 소스선과 동일한 재료로 형성된 제 2 도전체(61)를 화소전극(27)과 동일한 재료로 형성된 제 3 도전체로 연결하기 위해 게이트 배선(12) 상의 층간절연막(102)에 형성된 콘택홀, 103d는 소스 배선(13)과 게이트 배선(12)을 접속하기 위해 소스 배선(12) 상의 층간절연막(102)에 형성된 콘택홀이다.
또한, 60은 게이트 배선과 동일한 재료를 사용하여 기판(21) 상에 형성된 제 1 도전체, 61은 소스 배선과 동일한 재료를 사용하여 기판(21) 상에 형성된 제 2 도전체, 103c는 제 1 도전체(60) 상에 형성된 콘택홀, 103d는 제 2 도전체(61) 상에 형성된 콘택홀, 54는 콘택홀 103c와 콘택홀 103d를 통해 제 1 도전체(60)와 제 2 도전체(61)를 접속하는 화소전극과 동일한 재료를 사용하여 형성된 제 3 도전체, 또한, 게이트 절연막(23) 및 층간절연막(102)은 실시예 1∼3에서 나타낸 제 1 절연막 및 제 2 절연막에 해당한다.
프로세스 플로우를 설명한다. 우선, 도 4a에 나타낸 바와 같이 절연성 기판(21) 상에 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au 또는 Ag 등의 어느 1개의 금속 또는 이들 중에서 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금 또는 ITO 등의 투명 도전막용 재료를 사용한 도전막 또는 이들 도전성 재료를 사용한 다층막을 스퍼터링이나 증착법 등으로 성막하고, 이어서 사진제판·가공에 의해 게이트 배선(12), 게이트 전극(22), 유지용량 공통배선(16)을 형성한다. 이어서 도 4b에 나타낸 바와 같이, 질화실리콘 등의 게이트 절연막(23)과 비정질 실리콘 또는 다결정 폴리실리콘 등의 반도체막(24), n형의 TFT의 경우에는 P 등의 불순물을 고농도로 도핑한 n+비정질 실리콘 또는 n+다결정 폴리실리콘 등의 콘택막(25)을 연속적으로, 예를 들면 플라즈마 CVD, 상압 CVD 또는 감압 CVD 법으로 막형성한다. 이어서, 콘택막(25)과 반도체막(24)을 섬 형태로 가공한다. Cr, A1, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au 또는 Ag 등의 어느 하나의 금속 또는 이들 중에서 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금 또는 ITO 등의 투명 도전막용 재료를 사용한 도전막 또는 이들 도전성 재료를 사용한 다층막을 스퍼터링법이나 증착법으로 막형성한 후, 사진제판과 미세가공 기술에 의해 소스전극(28), 드레인 전극(29), 유지용량 전극(101)을 형성한다(도 4c). 이 소스전극 및 드레인 전극과 동일한 재료로 형성되는 소스 배선 및 드레인 배선도 이때 동시에 형성된다. 이 소스전극(28) 및 드레인 전극(29) 또는 이것들을 형성한 포토레지스트를 마스크로 하여 콘택층(25)을 에칭하여 채널영역에서 제거하여 영역(26)으로 하였다. 이어서, 질화 실리콘이나 산화 실리콘, 무기 절연막 또는 유기수지로 이루어진 층간 절연막(102)을 막형성하여, 사진제판과 그것에 이어지는 에칭에 의해 콘택홀(103a, 103b, 103c, 103d)를 형성한다(도 5a). 마지막으로, Cr, A1, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au 또는 Ag 등 중에서 어느 하나의 금속 또는 이들 중에서 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금 또는 ITO 등의 투명 도전막용 재료를 사용한 도전막, 또는 이들 다층막 도전성 재료를 막형성한 후 가공함으로써 화소전극(27)을 형성한다(도 5b). 화소전극은 콘택홀(103a)을 통해 드레인 전극(29)과 접속된다. 또한, 화소전극은 콘택홀(103b)을 통해 유지용량 전극(101)과 접속된다. 화소전극(27)에 사용된 투명 도전막으로 콘택홀 103c와 콘택홀 103d를 통해, 게이트 전극에 사용하는 재료(이하, 게이트 재료)로 형성된 배선(12)과 소스전극에 사용하는 재료(이하, 소스 재료)로 형성된 배선(13)을 단락하고 있다. 이상에 의해 박막 트랜지스터 집적장치를 제작할 수 있다. 또한, 이 박막 트랜지스터 집적장치를 형성한 TFT 어레이 기판과 대향기판에 액정을 끼우도록 밀봉재로 접합한다. 대향기판은, 기판 상에 공지의 칼라필터나 블랙 매트릭스와 배향막 등을 형성하여 제작한 것을 사용한다. 더구나, 게이트 배선, 소스 배선, 유지용량 공통배선에, 각각 게이트선 구동회로, 소스선 구동회로, 유지용량 공통배선용 전원을 접속하고, 또한 백라이트 등을 설치함으로써 액정표시장치를 제작한다.
전술한 구성을 갖는 액정표시장치는, 상기 실시예 1∼6에서의 제 1 도전체를 게이트 재료로 형성된 배선 또는 전극, 제 2 도전체를 소스 재료로 형성된 배선 또는 전극, 제 3 도전체를 화소전극 재료로 형성된 배선 및 전극으로 한 것이다.
또는, 전술한 구성을 갖는 액정표시장치는, 상기 실시예 1∼6에서의 제 1 도전체를 소스 재료로 형성된 배선 또는 전극, 제 2 도전체를 게이트 재료로 형성된 배선 또는 전극, 제 2 도전체를 화소 전극재료로 형성된 배선 및 전극으로 한 것이다.
본 발명의 액정표시장치에서는, 상기 실시예 1∼6에 나타낸 효과에 덧붙여 이하의 효과가 있다.
예를 들면, 게이트 재료가 소스 재료에 대하여, 내부식성, 또는 기계적 강도, 또는 접촉저항이 열화되어 있는 경우(예 : 게이트 재료 = Al 또는 Cu 등의 어느 하나의 금속, 또는 그것들 중의 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금을 사용한 도전막 또는 그들 다층막, 소스 재료 = Cr 또는 Ti 등의 어느 하나의 금속, 또는 그들 중의 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금을 사용한 도전막, 또는 그들 다층막, 또는 상기 도전막과 ITO의 다층막), 본 실시예를 사용하여 게이트 배선을 소스 재료로 형성한 배선으로 변환함으로써 신뢰성 향상을 꾀할 수가 있고, 저비용 및 고신뢰성의 액정표시장치의 제공이 가능해진다.
역으로, 소스 재료가 게이트 재료에 대하여, 내부식성, 또는 기계적 강도, 또는 접촉저항이 뒤떨어지고 있는 경우, 소스 배선을 게이트 재료로 형성한 배선으로 변환함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 8)
상기 실시예 1∼7의 적어도 하나를 포함하는 구성이고, 또한 액정으로 인가하는 전계의 방향을 기판에 대하여 평행한 방향으로 하는 방식의 평행전계형 액정표시장치의 예이다. 도 6는 본 실시예에 관한 평행전계형 액정표시장치의 구성을 나타낸 단면 설명도이다. 도 6에 있어서, 81은 빗형 전극이고, 83은 액정분자이며, 84a는 빗형 전극이 형성되는 전극기판이고, 84b는 전극기판(84a)에 대향하는 대향기판이며, 86은 교류전압전원이다.
본 실시예에 관한 평행전계형 액정표시장치는, 전극기판, 이 전극기판에 대향하는 대향기판 및, 상기 전극기판과 해당 대향기판 사이에 끼워져 상기 전극기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정으로 구성된 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로와, 백라이트를 적어도 구비하여 구성되어 있다. 전극기판 상에는 적어도 제 1 전극 및 제 2 전극으로 이루어진 한 쌍의 전극이 일정거리를 두고 배치되고, 또한, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 덮어 배향막이 설치되어 있는 것이다. 또한, 제 1 전극 및 제 2 전극이 배치되어 이루어진 표시영역의 주변에는 외부와의 접속을 위해 제 1 단자 및 제 2 단자가 설치된다. 제 1 단자와 제 1 전극을 접속하고, 또는 제 2 단자와 제 2 전극을 접속하기 위해, 실시예 1∼7과 같이 상기 제 1 전극에 접속된 제 1 도전체와, 제 2 전극에 접속된 제 2 도전체를 접속하는 제 3 도전체로 이루어진 변환부가 설치되어 있다. 여기서, 실시예 1∼7과 같이 상기 변환부가 상기 밀봉재 또는 배향막에 덮여서 배치되거나, 또는 상기 밀봉재가 형성되는 영역의 외측에 배치되어 있는 것이다.
(실시예 9)
본 실시예는, 상기 실시예 1∼7의 적어도 하나를 포함하는 구성이고, 또한 화소전극을 Al, Cr 또는 Ta 등의 어느 하나의 금속 또는 그들 중의 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금을 사용한 도전막 또는 이들을 사용한 다층막으로 구성된 반사형 방식의 액정표시장치의 예이다. 도 7은 본 실시예에 관한 반사형 액정표시장치에 사용되는 TFT 어레이 기판의 단면 설명도이다. 도면에 있어서, 32는 에칭스톱퍼이고, 그 이외는, 도 1∼5에 나타낸 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여서 나타내었다. 이 TFT 어레이 기판에 있어서는 화소전극이 TFT 위에도 설치되어 있다.
본 실시예에 관한 반사형 액정표시장치는, TFT 어레이 기판, 이 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판 및 상기 TFT 어레이 기판과 이 대향기판 사이에 끼워져 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정으로 구성된 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로를 적어도 구비하여 구성되어 있다. 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해서 구획된 각 화소에 금속막으로 이루어진 화소전극 및 TFT이 배치되어, 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 TFT을 덮어 배향막이 설치되어 있는 것이다. 실시예 1∼7와 마찬가지로, 상기 게이트 배선에 접속된 제 1 도전체와 소스 배선에 접속된 제 2 도전체를 접속하는 제 3 도전체로 이루어진 변환부가 설치되어 있다. 여기에서, 실시예 1∼7과 마찬가지로 상기 변환부가 상기 밀봉재 또는 배향막에 덮혀 배치되거나, 또는 상기 밀봉재가 형성되는 영역의 외측에 배치되어 있는 것이다. 따라서, 실시예 1과 동일한 효과를 얻을 수 있고, 신뢰성이 높은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
(실시예 10)
상기 실시예 1∼7의 적어도 하나를 포함하는 구성이고, 또한 에칭 스톱퍼 방식의 TFT를 갖는 액정표시장치의 예이다. 본 실시예에 관한 액정표시장치는, 실시예 1∼7에서 사용하고 있는 TFT를 에칭 스톱퍼 방식의 TFT로 바꾼 것이고, 이 점 이외에는 실시예 1∼7과 같다. 도 8은, 본 실시예에 관한 에칭 스톱퍼 방식의 TFT의 단면 설명도로서, 도면에 있어서, 32는 보호막이고 기타 도 1∼5에 나타낸 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여서 나타내었다. 이 TFT의 구성 상의 특징은 반도체막(24) 상에 보호막(32)을 설치하여 에칭 스톱퍼로 한 것이다. 따라서, 실시예 1과 동일한 효과를 얻을 수 있어, 신뢰성이 높은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
(실시예 11)
상기 실시예 1∼7의 적어도 하나를 포함하는 구성이며, 또한 정(正)스태거 방식의 박막 트랜지스터를 갖는 액정표시장치의 예이다. 본 실시예에 관한 액정표시장치는, 실시예 1∼7에 있어서 사용되고 있는 TFT를 정스태거 방식의 TFT로 바꾼 것이고, 이 점 이외에는 실시예 1∼7과 동일하다. 도 9는, 본 실시예에 관한 정스태거 방식의 TFT의 단면 설명도로서, 33은 차광막, 34는 절연막이고, 기타 도1∼5에 나타낸 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여 나타내었다. 정스태거 방식의 TFT의 구성 상의 특징은, 소스 전극 및 드레인 전극과 게이트 전극의 상하관계를 실시예 1∼7에서 사용한 TFT와는 거의 반대로 한 것이다. 따라서, 실시예 1과 동일한 효과를 얻을 수 있어, 신뢰성이 높은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
(실시예 12)
상기 실시예 8을 포함하는 구성이고, 또한 액정에 전압을 인가하는 전극이 동일한 층의 도체로 형성된 액정표시장치의 예이다. 액정에 전압을 인가하는 전극이 동일한 층의 도체로 형성되어 있는 점 이외에는 실시예 8과 같고, 실시예 8와 동일한 효과를 얻을 수가 있어, 신뢰성이 높은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 관한 액정표시소자에 따르면, TFT 어레이 기판과, 해당 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판과 상기 TFT 어레이 기판과 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, (a) 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 있으며, (b) 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해 구획된 각 화소에, 화소전극 및 채널에치형 TFT가 배치되어 있고, (c) 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 채널에치형 TFT가 매트릭스 형태로 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있으며, (d) 상기 표시영역의 주변에 게이트 단자 및 소스 단자가 설치되어 있고, (e) 상기 게이트 배선의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트 단자에의 연장선이 형성되어 상기 게이트 단자와 상기 게이트 배선이 접속되며, 또한 상기 소스단자에의 연장선이 형성되어 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 액정표시소자에 있어서 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재에 덮혀 배치되어 있기 때문에, 변환부의 부식이나 물리적 손상이나 표시장치 외부와의 누전을 발생시키지 않으므로 신뢰성이 높은 액정표시소자를 얻는다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 2 실시예에 관한 평행전계형 액정표시장치에 따르면, 전극기판, 해당 전극기판에 대향하는 대향기판 및, 상기 전극기판과 해당 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 전극기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로와 백라이트를 적어도 가지며, 상기 전극기판 상에 적어도 제 1 전극 및 제 2 전극으로 이루어진 한쌍의 전극이 일정거리를 두어 배치되고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 형성된 전계에 의해 상기 액정이 구동되며, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극이 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되고, 상기 표시영역의 주변에 제 1 단자 및 제 2 단자가 설치되며, 상기 제 1 전극의 재료로서 이용되는 제 1 도전체 및 제 2 전극의 재료로서 이용되는 제 2 도전체 중에서 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 제 1 단자에의 연장선이 형성되어 상기 제 1 단자와 상기 제 1 전극이 접속되고, 또한 상기 제 2 단자에의 연장선이 형성되어 상기 제 2 단자와 상기 제 2 전극이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 평행전계형 액정표시장치로서, 상기 변환부가 상기 밀봉재에 덮혀 배치되어 있기 때문에 변환부의 부식이나 물리적 손상이나, 표시장치 외부와의 누전을 발생시키지 않기 때문에 신뢰성이 높은 액정표시장치를 얻는다고 하는 효과를 갖는다.
본 발명의 제 3 실시예에 관한 반사형 액정표시장치에 따르면, TFT 어레이 기판과, 해당 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판 및, 상기 TFT 어레이 기판과 해당 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로를 적어도 가지며, 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해 구획된 각 화소에 금속막으로 이루어진 화소전극 및 TFT가 배치되고, 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 TFT가 매트릭스 형태로 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되며, 상기 표시영역의 주변에 게이트 단자 및 소스단자가 설치되고, 상기 게이트 배선의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트 단자에의 연장선이 형성되고, 상기 게이트 단자와 상기 게이트 배선이 접속되며, 또한 상기 소스단자에의 연장선이 형성되며, 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 반사형 액정표시장치로서, 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재에 덮혀 배치되어 있기 때문에, 변환부의 부식이나 물리적 손상이나 표시장치 외부와의 누전을 발생하지 않기 때문에 신뢰성이 높은 액정표시장치를 얻는다고 하는 효과를 갖는다.

Claims (3)

  1. TFT 어레이 기판과, 이 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판과 상기 TFT 어레이 기판과 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 있고, 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해 구획된 각 화소에 화소전극 및 채널에치형 TFT가 배설되어 있으며, 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 채널에치형 TFT가 매트릭스 형태로 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있고, 상기 표시영역의 주변에 게이트 단자 및 소스단자가 설치되어 있으며, 상기 게이트 배선의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트 단자에의 연장선이 형성되어 상기 게이트 단자와 상기 게이트 배선이 접속되고 또한 상기 소스단자에의 연장선이 형성되어 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재에 덮혀 설치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 전극기판, 이 전극기판에 대향하는 대향기판과 상기 전극기판과 이 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 전극기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로와, 백라이트를 적어도 갖고, 상기 전극기판 상에 적어도 제 1 전극 및 제 2 전극으로 이루어진 한쌍의 전극이 일정거리를 두고 배치되어 있고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 형성된 전계에 의해 상기 액정이 구동되며, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극이 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있고, 상기 표시영역의 주변에 제 1 단자 및 제 2 단자가 설치되어 있으며, 상기 제 1 전극의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 제 2 전극의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 제 1 단자에의 연장선이 형성되어 상기 제 1 단자와 상기 제 1 전극이 접속되고 또한 상기 제 2 단자에의 연장선이 형성되어 상기 제 2 단자와 상기 제 2 전극이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 평행전계형 액정표시장치에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재에 덮혀 설치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 평행전계형 액정표시장치.
  3. TFT 어레이 기판, 이 TFT 어레이 기판에 대향하는 대향기판과 상기 TFT 어레이 기판과 이 대향기판 사이에 끼워져 이루어진 액정으로 구성되고, 상기 TFT 어레이 기판 및 대향기판의 주위가 밀봉재로 접합되어 이루어진 액정표시소자와, 상기 액정을 구동하는 구동회로를 적어도 갖고, 상기 TFT 어레이 기판 상에 배치되어 서로 교차하는 게이트 배선 및 소스 배선에 의해 구획된 각 화소에 금속막으로 이루어진 화소전극 및 TFT가 배치되어 있고, 상기 게이트 배선, 소스 배선, 화소전극 및 TFT가 매트릭스 형태로 배치되어 이루어진 표시영역을 덮어 배향막이 설치되어 있으며, 상기 표시영역의 주변에 게이트 단자 및 소스단자가 설치되어 있고, 상기 게이트 배선의 재료로서 사용되는 제 1 도전체 및 상기 소스 배선의 재료로서 사용되는 제 2 도전체 중에서, 보다 내부식성이 우수한 쪽의 재료에 의해 상기 게이트 단자에의 연장선이 형성되어 상기 게이트 단자와 상기 게이트 배선이 접속되고, 또한 상기 소스단자에의 연장선이 형성되며 상기 소스단자와 상기 소스 배선이 접속될 때, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체의 접속부에 있어서, 상기 제 1 도전체와 상기 제 2 도전체가 제 3 도전체를 통해 접속되어 이루어진 변환부가 설치되어 구성된 반사형 액정표시장치에 있어서, 상기 변환부가 상기 밀봉재가 형성되는 영역에 상기 밀봉재에 덮혀 설치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.
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