JP2005340655A - 半導体装置の製造方法および半導体基板の支持構造体 - Google Patents

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Koji Yamano
孝治 山野
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

【課題】 薄型化された半導体基板を用いた半導体装置の製造の不具合の発生を抑制し、薄型化された半導体装置の製造を可能とする。
【解決手段】 第１の主面の側１０１Ａにデバイスが形成された半導体基板１０１の、当該第１の主面１０１Ａの反対側の第２の主面１０１Ｂを研削する第１の工程と、前記第１の工程の後の前記第２の主面１０１Ｂに、前記半導体基板を支持する支持構造体２００を貼り付ける第２の工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記支持構造体２００から前記半導体基板１０１を離脱させる第３の工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【選択図】 図５

Description

本発明は、半導体装置の製造方法および当該製造方法に用いる半導体基板の支持構造体に関する。
近年、半導体装置の小型化・高性能化の要求が高まり、そのため、半導体装置のパッケージングについても小型化・高密度化が必要とされている。
例えば、半導体装置は薄型化の要求があり、半導体基板の裏面、すなわちデバイスが形成された面と反対側の面を研削して半導体基板を薄くする、いわゆるＢＧ工程（バックグラインド工程）において研削される研削量を増大させてパッケージングされる半導体基板を薄くする必要が生じている。
図１は、半導体装置の小型化を実現するための構造の一例である、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造を有する半導体装置を模式的に示した断面図である。
図１を参照するに、本図に示す半導体装置１０は、半導体デバイスが形成されたデバイス面１１Ａと、その反対側にある裏面１１Ｂを有する、例えばＳｉウェハなどからなる半導体基板１１を用いて形成されている。前記デバイス面１１Ａ上には、例えばＡｌからなる電極パッド１２が複数形成されており、当該電極パッド１２が形成された部分以外のデバイス面を覆うように、例えばＳｉＮなどからなる保護層１２Ａが形成され、さらに当該保護層１２Ａ上には、ポリイミドなどの樹脂からなる保護層１３が、さらに当該保護層１３を覆うように封止樹脂層１５が形成されている。
また、前記保護層１２Ａおよび保護層１３に形成された開口部には、前記電極パッド１２に接続された、Ｃｕからなる配線１４が形成されており、さらに当該配線１４は前記保護層１３上の一部に延伸するようにパターニングされている。
また、前記保護層１３上に形成された前記配線１４上には、当該配線１４に接続される、Ｃｕからなる配線ポスト１６が起立するように形成され、その周囲は前記封止樹脂層１５に覆われている。さらに、前記封止樹脂層１５から露出する、前記配線ポスト１６の上端にはバリアメタル層１７が形成され、当該バリアメタル層１７上には、例えばハンダからなる金属バンプ１８が形成される構造になっている。
このように、ＣＳＰ構造を有する半導体装置では、半導体デバイスから金属バンプまで接続される配線構造が高密度に半導体基板上に形成されており、半導体装置を小型化することが可能である。
さらに半導体装置を小型化、例えば薄型化するためには前記半導体基板１１の厚さＤを薄くする必要がある。このため、半導体装置のパッケージングにおいて、前記裏面１１Ｂを研削し、半導体装置を薄型化する試みが行われている。
一方、半導体基板を薄くすると、半導体基板の破損やそりなど薄型化に起因する不具合の発生が増大し、半導体装置の製造の歩留りが低下する問題があった。そのため、半導体基板の裏面に保護膜を形成し、半導体基板の薄型化による不具合の発生を防止する試みが行われていた（例えば特許文献１、特許文献２参照）。
特開２００２−２３１８５４号公報 特開２００２−２７０７２０号公報
しかし、半導体基板の裏面に保護膜を形成すると、半導体装置が厚くなってしまうという問題が生じていた。そのため、半導体装置を薄型化することが困難となっていた。
また、半導体基板の裏面に保護膜を形成した場合、例えば半導体装置を形成する工程において、当該保護膜の部分的な剥離が生じるという不具合が発生する場合があった。例えば、半導体基板を切断して個片化する、いわゆるダイシング工程において、当該半導体基板と硬さなどの性質の異なる保護膜は剥離しやすく、部分的に保護膜が剥離した場合には半導体装置の製造の歩留りの低下の原因となる場合があった。
そこで、本発明では上記の課題を解決した、新規で有用な半導体装置の製造方法、および半導体基板の支持構造体を提供することを目的としている。
本発明の具体的な課題は、薄型化された半導体基板を用いた半導体装置の製造の不具合の発生を抑制し、薄型化された半導体装置の製造を可能とする、半導体装置の製造方法、および半導体基板の支持構造体を提供することである。
本発明の第１の観点では、上記の課題を、第１の主面の側にデバイスが形成された半導体基板の、当該第１の主面の反対側の第２の主面を研削する第１の工程と、前記第１の工程の後の前記第２の主面に、前記半導体基板を支持する支持構造体を貼り付ける第２の工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記支持構造体から前記半導体基板を離脱させる第３の工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法により、解決する。
当該半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の破損を防止し、薄型化された半導体装置を安定に製造することが可能となる。
また、前記第２の工程と前記第３の工程の間に、前記半導体基板をダイシングするダイシング工程を有すると、当該ダイシング工程で半導体基板が破損することを防止して薄型化された半導体装置を製造することが可能となる。
また、前記第２の工程と前記第３の工程の間に、前記第１の主面の側を樹脂層で覆う封止工程を有すると、当該封止工程において半導体基板の破損を防止することが可能となり、好適である。
また、前記第３の工程の前に、前記第１の主面の側に、前記デバイスに接続される配線を形成する配線形成工程を有すると、当該配線を高密度化することが可能となり、好適である。
また、前記支持構造体は、前記半導体基板と接触する側に形成された粘着層と、当該粘着層を支持する支持層とを有し、前記粘着層は、前記半導体基板と粘着する第１の粘着層と、当該第１の粘着層よりも粘着力の強い、前記支持層と粘着する第２の粘着層と当該第１の粘着層と当該第２の粘着層の間に設けられた基材層とを有すると、前記基板を前記粘着層より離脱させることを可能とすると共に、前記粘着層を前記支持層より離脱させることが可能となり、好適である。
また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、半導体基板を粘着させて用いる半導体基板の支持構造体であって、前記半導体基板と粘着する側に形成された粘着層と、当該粘着層を支持する支持層と、を有し、前記粘着層は、前記半導体基板と粘着する第１の粘着層と、当該第１の粘着層よりも粘着力の強い、前記支持層と粘着する第２の粘着層と当該第１の粘着層と当該第２の粘着層の間に設けられた基材層とを有することを特徴とする半導体基板の支持構造体を用いて解決する。
当該支持構造体は、半導体基板を支持して薄型化された半導体基板の割れや反りを防止することが可能であって、前記半導体基板を前記粘着層より離脱させることを可能とすると共に、前記粘着層を前記支持層より離脱させることが可能であり、好適である。
また、前記支持層は、Ｓｉウェハからなると、前記支持層を容易に形成することが可能であり、好適である。
本発明によれば、薄型化された半導体基板を用いた半導体装置の製造の不具合の発生を抑制し、薄型化された半導体装置の製造を可能とする。
次に、本発明の実施の形態に関して、図面に基づき以下に説明する。
図２は、本発明の実施例１による、半導体基板の支持構造体の断面図を模式的に示した図である。
図２を参照するに、本実施例による支持構造体２００は、半導体基板を粘着させて用いる半導体基板の支持構造体であって、半導体基板と粘着する側に形成された粘着層２０２と、当該粘着層２０２を支持する支持層２０１と、を有し、前記粘着層２０２は、前記半導体基板と粘着する第１の粘着層２０２Ａと、当該第１の粘着層２０２よりも粘着力の強い、前記支持層２０１と粘着する第２の粘着層２０２Ｂとを有している。
また、前記第１の粘着層２０２Ａと第２の粘着層２０２Ｂの間には、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などからなる基材層２０２Ｃが設けられている。
本実施例による支持構造体２００は、例えば半導体基板の裏面に貼り付けて使用するが、その場合、半導体基板の裏面と、前記第１の粘着層２０２Ａが粘着するようにする。
半導体基板は、半導体装置を製造する工程において、バックグラインド（ＢＧ）工程と呼ばれる裏面研削の工程を経て薄くされるが、薄いために反りが発生したり破損したりする問題があった。そこで、ＢＧ工程後の薄型化された半導体基板の裏面に、本実施例による支持構造体２００を貼り付けることで、半導体基板の反りや破損を防止することが可能となる。
また、前記支持構造体２００の、前記第１の粘着層２０２Ａに貼り付けられた半導体基板は、当該第１の粘着層２０２Ａより離脱させることが可能であり、このように半導体基板を離脱させることが可能である程度に第１の粘着層２０２Ａの粘着力が調整されている。
このため、従来のように、最終形態である半導体装置の裏面に、半導体基板の保護層（または支持層）が残留することが無い。このため、半導体装置を薄型化することを妨げる事無く、例えばパッケージングなどの半導体装置の製造工程において半導体基板の反りまたは破損などを防止することが可能となる。
また、半導体基板を前記支持構造体２００より離脱させる場合には、前記第２の粘着層２０２Ｂの粘着力が前記第１の粘着層２０２Ａの粘着力より強いため、前記粘着層２０２が前記支持層２０１より離脱（剥離）することはない。
しかし、半導体基板を離脱させる場合よりも大きな力により、前記第１の粘着層２０２Ａと第２の粘着層２０２Ｂを含む前記粘着層２０２を、前記支持層２０１より離脱（剥離）することが可能である。この場合、前記第２の粘着層２０２Ｂと前記支持層２０１の界面で剥離される。
このため、剥離された前記粘着層２０２と、前記支持層２０１は、独立に再利用が可能である。例えば、支持構造体に衝撃が加わって前記支持層２０１が破損した場合、粘着層２０２と支持層２０１を分離して、破損した支持層２０１を交換し、前記粘着層２０２を再利用することが可能である。また、前記粘着層２０２が損傷を受けたり、また粘着力が低下して使用が困難となった場合には、粘着層２０２と支持層２０１を分離して、使用の継続が困難となった粘着層２０２を交換し、前記支持層２０１を再利用することが可能である。
また、前記粘着層２０２は、例えばＰＥＴまたはＰＥＮからなる基材層２０２Ｃの両面に、それぞれ第１の粘着層２０２Ａおよび第２の粘着層２０２Ｂを貼り付けるようにして形成することが好ましい。この場合、上面側と下面側の２つの面で異なる粘着力を有し、半導体基板と支持層の２つに粘着させることが可能である粘着層を、容易に形成することが可能となる。
また、前記支持層２０１は、半導体基板を支持し、当該半導体基板の破損や反りを防止するため、所定の硬度を有していることが好ましい。
また、半導体装置の製造工程（パッケージング工程）において実施される様々な処理において、破損や腐食、エッチングなどから耐えうることが好ましく、耐熱性、耐薬品性などを有することが好ましい。また、半導体基板と熱膨張係数等の物性値が近似することが好ましい。
このため、上記の条件を満たす材料として、前記支持層２０１には、例えばＳｉウェハを用いると好適である。また、特に前記支持構造体が支持する半導体基板がＳｉウェハよりなる場合には、支持構造体と支持される基板が、大きさ、材質が略同じとなるため、支持構造体の加工の必要が無く、また入手が容易である。また、デバイスや薄膜が一旦形成された面を、エッチングまたは研磨することで形成される、いわゆる再生Ｓｉウェハを前記支持層２０１として用いると、入手コストが低く、好適である。
なお、上記条件を満たせば、ガラス板やセラミック板を支持層２０１として用いてもよい。
次に、本実施例による支持構造体を用いた、半導体装置の製造方法を説明する。
図３（Ａ）〜（Ｄ），図４（Ｅ）〜（Ｇ），図５（Ｈ）〜（Ｉ），図６（Ｊ）〜（Ｌ），図７（Ｍ）〜（Ｎ）、および図８（Ｏ）〜（Ｐ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を、手順を追って示した図である。
まず、図３（Ａ）に示す工程では、まず以下に示す、デバイスが形成された基板１０１を作成する。例えばＳｉウェハなどの半導体基板からなる基板１０１は、デバイス面１０１Ａ上にデバイスが形成され、また当該デバイス面１０１Ａ上には、デバイスの一部に電気的に接続される、例えばＡｌからなる電極パッド１０２が形成されている。また、前記基板１０１の、前記デバイス面１０１Ａから、当該デバイス面１０１Ａの反対側の面である裏面１０１Ｂまでの距離、すなわち基板１０１の厚さｄＡは、略７００μｍ程度であるが、この厚さに限定されるものではない。
前記デバイス面１０１Ａは、前記電極パッド１０２が露出するように開口部が形成された、例えばＳｉＮなどからなる保護層１０３と、当該保護層１０３上に形成された、同様に電極パッド１０２が露出するように開口部が形成された、例えばポリイミドなどからなる保護層１０４に覆われている。
次に、図３（Ｂ）に示す工程において、前記電極パッド１０２および前記保護層１０４上に、例えばスパッタリングにより、例えばＣｒまたはＴｉなどの金属からなる密着層１０５形成し、当該密着層１０５上に、Ｃｕよりなるシード層１０６をスパッタリングにより、形成する。
次に、図３（Ｃ）に示す工程において、フォトレジスト層１０７を形成した後、当該フォトレジスト層１０７上に、図示を省略するマスクを形成し、露光および現像を行って、フォトレジストのパターニングを行う。
次に、形成されたパターニングにおいて、フォトレジストが除去された部分に、前記シード層１０６を給電層として、Ｃｕの電解メッキにより、前記電極パッド１０２に電気的に接続される配線１０８を形成する。
次に、図３（Ｄ）に示す工程において、例えば有機溶剤などにより、フォトレジストを剥離することにより、除去する。
次に、図４（Ｅ）に示す工程において、前記配線１０８および前記シード層１０６を覆うように、例えば感光性のドライフィルムからなるフォトレジスト層１０９を貼り付け、さらにマスクを用いて露光・現像を行ってフォトレジスト層１０９のパターニングを行い、フォトレジストが除去された部分に、前記シード層１０６を給電層として、Ｃｕの電解メッキにより、前記配線１０８上に起立するように、当該配線１０８に電気的に接続された配線ポスト１１０を形成する。
さらに、前記配線ポスト１１０上に、電解めっきにより、例えばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ構造からなるメッキ層１１１を設ける。当該メッキ層１１１は、密着性向上、またバリア（拡散防止）の機能を有する。前記メッキ層１１１の上端面と、前記フォトレジスト層１０９の上端面とは、略同一平面上に形成されることが好ましい。
また、前記フォトレジスト層１０９の厚さｄ１は、例えば、１００μｍであるが、この数字に限定されるものではない。
次に、図４（Ｆ）に示す工程において、前記フォトレジスト層１０９と、前記メッキ層１１１上に、例えば樹脂からなるＢＧ（バックグラインド）テープ１１２を貼り付ける。当該ＢＧテープ１１２は、例えば厚さｄ２が１５０μｍであり、次の工程で前記基板１０１の裏面１０１Ｂを研削する場合の、前記基板１０１のデバイス面１０１Ａや配線ポスト１１０、メッキ層１１１、配線１０８などの保護層として機能する他、研削装置において、前記基板を保持する（チャッキングする）ことを容易とする。
次に、図４（Ｇ）に示す工程において、前記基板１０１の、前記裏面１０１Ｂを研削装置によって研削し、前記基板１０１の厚さを、厚さｄＢまで薄くする。例えば、厚さｄＢは、２００μｍ〜３００μｍ程度であるが、この厚さに限定されるものではない。
次に、図５（Ｈ）に示す工程において、前記基板１０１を、図１に示した前記支持構造体２００に貼り付ける。なお、図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
前記基板支持構造体２００は、図１に示したように、支持層２０１上に粘着層２０２が積層されてなる構造を有しており、前記粘着層２０２は、基材層２０２Ｃの上面と下面にそれぞれ、第１の粘着層２０２Ａと第２の粘着層２０２Ｂが貼り付けられる形で構成されている。
本工程においては、研削後の前記基板１０１の前記裏面１０１Ｂを、前記基板支持構造体２００の前記第１の粘着層２０２Ａに粘着させる。また、前記第１の粘着層２０２Ａの粘着力は、前記第２の粘着層２０２Ｂより小さく調整されている。そのため、後の工程で前記基板１０１を前記粘着層２０２より離脱させることが容易であり、その場合に当該粘着層２０２が前記支持層２０１より離脱することがない。
また、前記支持層２０１は、本工程以下の工程において前記基板１０１の反りを防止し、また前記基板１０１の破損を防止して半導体装置の製造の歩留りを向上させる効果を奏する。
また、例えば、前記支持層２０１に、Ｓｉウェハを用いた場合には、特に前記基板１０１がＳｉウェハからなる場合に、前記支持層２０１と前記基板１０１の熱膨張係数などをはじめとする物性値が同じとなるため、例えば熱工程を含む様々な工程において、前記支持層２０１は前記基板１０１の膨張や変形に追随し、基板１０１の割れを防止する効果が良好となり、好適である。
本工程に示すように支持構造体を半導体基板の裏面に貼り付けて半導体基板を保護または保持する方法は、裏面研削工程を有し、基板の薄型化を実施する半導体装置の製造工程において特に有効であり、近年の高性能と小型化が要求される半導体装置において、好適な製造方法である。
また、本実施例に示す支持構造体は、前記粘着層２０２Ａによって基板と粘着されているため、基板より離脱させることが可能である。そのため、例えば基板の裏面に形成され、容易に離脱させることが困難であった従来の保護膜と比べて、半導体装置の厚さに与える影響が無く、薄型半導体装置を実現することが可能である。
次に、図５（Ｉ）に示す工程においては、前記ＢＧテープ１１２を剥離し、さらに図６（Ｊ）に示す工程では、前記フォトレジスト層１０９を剥離する。
次に、図６（Ｋ）に示す工程において、まず露出している前記シード層１０６をウェットエッチングにより除去し、当該ウェットエッチングによって露出した密着層１０５をウェットエッチングにより、除去する。すなわち、前記配線１０８によって覆われていない部分の前記シード層１０６、密着層１０５をエッチングにより除去する。
次に、図６（Ｌ）に示す工程において、前記保護層１０４、配線１０８上に、また前記配線ポスト１１０の側壁を覆うようにしてモールド樹脂層１１３を形成してモールド封止を行い、さらにモールド樹脂を加熱してモールド樹脂のキュアを行う。また、この場合、前記メッキ層１１１の上端は、電気的な接続のためにモールド樹脂より露出させるようにする。
なお、樹脂フィルムのラミネートにより、樹脂層１１３を形成し、封止を行ってもよい。
次に、図７（Ｍ）に示す工程で、前記メッキ層１１１上に、当該メッキ層１１１を介して前記配線ポスト１１０に電気的に接続される、ソルダーバンプ１１４を形成する。
さらに図７（Ｎ）に示す工程で、前記基板１０１が貼り付けられた前記支持構造体２００を、ダイシングフレームが形成されたダイシングテープ１１５に貼り付け、次の工程で行われるダイシングの準備を行う。本工程においてはダイシング工程、すなわち基板の個片化工程を除いては半導体装置（半導体チップ）の構造は完成しており、前記基板１０１、デバイス面１０１Ａ、電極パッド１０２、保護層１０３、保護層１０４、密着層１０５、シード層１０６、配線１０８、配線ポスト１１０、メッキ層１１１、モールド樹脂層１１３、およびソルダーバンプ１１４を有する半導体装置（半導体チップ）１００が形成されている。本図では、複数形成される半導体装置１００のうち、１個を例にとり、示しているが、基板１０１が延伸する方向の面に沿って、半導体チップ１００が、例えばアレイ状に複数形成されている。
次に、図８（Ｏ）に示す工程において、前記基板１０１をダイシングにより切断し、複数の前記半導体チップ１００を切り離して個片化する。この場合、ダイシングによって切断されるのは、前記モールド樹脂層１１３から前記基板１０１までであって、前記支持構造体２００は切断されないようにダイシング装置を制御することが好ましい。
次に、図８（Ｐ）に示す工程において、ダイシングによって個片化された複数の半導体装置（半導体チップ）１００を、例えばダイスピッカーなどの装置によって、前記裏面１０１Ｂと前記第１の粘着層２０２Ａの粘着面を剥離させることによって前記支持構造体２００より離脱させ、半導体装置が完成する。
このように前記基板１０１は前記基板支持層２００より容易に離脱されるため、基板支持構造体２００を用いたことによって半導体装置が厚くなることが無く、半導体装置の薄型化が可能となる。また、ダイシング工程において、例えば従来は基板と基板の裏面の保護膜を一緒にダイシングしていてため、保護膜の剥離やチッピングなどの不具合が発生することがあった。例えば、従来は部分的に保護膜が剥離したり欠けたりすることで製造される半導体装置の厚さや形状がばらつくことがあったが、本実施例ではこれらの問題の発生を抑制し、安定した形状で、すなわち形状の再現性を良好に半導体装置を製造することが可能となる。
本実施例においては、前記支持構造体２００が前記基板１０１に貼り付けられた後の工程においては、前記支持構造体２００によって前記基板１０１が支持または保持されるため、当該基板１０１の割れや反りが防止される。
例えば、図５（Ｉ）に示した、前記ＢＧテープ１１２を剥離する工程や、図６（Ｊ）に示した前記フォトレジスト１０９を剥離する工程、図６（Ｋ）に示したシード層と密着層をエッチングする工程、また図７（Ｍ）に示した前記ソルダーバンプ１１４を形成する工程などにおいて、前記基板１０１の破損や反りを防止する効果を奏する。
特に、図６（Ｌ）に示すモールド樹脂を形成する工程では、モールド樹脂をキュアする熱工程が必要であるため、加熱によりモールド樹脂など基板上に形成された層に応力が発生した場合の基板の破損を防止することが可能である。
また、図８（Ｏ）に示したダイシング工程では、基板１０１の破損やチッピングなどのダイシングにおける不具合の発生を防止し、安定したダイシングを実施することを可能としている。
また、前記第１の粘着層２０２Ａの粘着力は、前記第２の粘着層２０２Ｂより小さいため、前記半導体チップ１００を前記支持構造体２００より離脱させる場合に、前記粘着層２０２が前記支持層２０１より剥離する事無く、前記半導体装置２００を前記粘着層２０２より剥離することが可能となっている。
また、前記基板１０１を離脱させる場合よりも大きな力により、前記第１の粘着層２０２Ａと第２の粘着層２０２Ｂを含む前記粘着層２０２を、前記支持層２０１より離脱（剥離）させることが可能である。この場合、前記第２の粘着層２０２Ｂと前記支持層２０１の界面で剥離される。このため、剥離された前記粘着層２０２と、前記支持層２０１は、独立に再利用が可能である。
また、本実施例による支持構造体２００は、再利用が可能であるために低コストで基板の保護を行う事が可能であり、また、支持層と粘着層が独立に再利用が可能であるためメンテナンスコストや維持のためのコストが抑制される効果を奏する。
また、本実施例においては、ＣＳＰ構造を有する半導体装置の製造方法を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。半導体基板の裏面を研削して当該半導体基板を薄くする、いわゆるバックグラインド工程を有するその他の半導体装置の製造方法に対して適用が可能であり、基板の割れや反りを防止して半導体装置の製造の歩留りを向上させる効果を有し、また支持構造体を基板より離脱することが可能であるため、半導体装置の薄型化が可能であることは、ＣＳＰ構造を有する半導体装置の製造の場合と同一である。
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
本発明によれば、薄型化された半導体基板を用いた半導体装置の製造の不具合の発生を抑制し、薄型化された半導体装置の製造を可能とする。
ＣＳＰ構造を有する半導体装置を示した図である。 実施例１による支持構造体を模式的に示した断面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を示した図（その１）である。 （Ｅ）〜（Ｇ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を示した図（その２）である。 （Ｈ）〜（Ｉ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を示した図（その３）である。 （Ｊ）〜（Ｌ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を示した図（その４）である。 （Ｍ）〜（Ｎ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を示した図（その５）である。 （Ｏ）〜（Ｐ）は、実施例２による半導体装置の製造方法を示した図（その６）である。
符号の説明
１００，１０ 半導体装置
１０１，１１ 基板
１０２，１２ 電極パッド
１０３，１０４，１２Ａ，１３ 保護層
１０５ 密着層
１０６ シード層
１０７，１０９ フォトレジスト層
１０８，１４ 配線
１１０，１６ 配線ポスト
１１１，１７ メッキ層
１１２ ＢＧテープ
１１３，１５ モールド樹脂層
１１４，１８ バンプ
１１５ ダイシングテープ

Claims (7)

  1. 第１の主面の側にデバイスが形成された半導体基板の、当該第１の主面の反対側の第２の主面を研削する第１の工程と、
    前記第１の工程の後の前記第２の主面に、前記半導体基板を支持する支持構造体を貼り付ける第２の工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記支持構造体から前記半導体基板を離脱させる第３の工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
  2. 前記第２の工程と前記第３の工程の間に、前記半導体基板をダイシングするダイシング工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記第２の工程と前記第３の工程の間に、前記第１の主面の側を樹脂層で覆う封止工程を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記第３の工程の前に、前記第１の主面の側に、前記デバイスに接続される配線を形成する配線形成工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記支持構造体は、前記半導体基板と接触する側に形成された粘着層と、当該粘着層を支持する支持層とを有し、
    前記粘着層は、
    前記半導体基板と粘着する第１の粘着層と、
    当該第１の粘着層よりも粘着力の強い、前記支持層と粘着する第２の粘着層と
    当該第１の粘着層と当該第２の粘着層の間に設けられた基材層とを有することを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
  6. 半導体基板を粘着させて用いる半導体基板の支持構造体であって、
    前記半導体基板と粘着する側に形成された粘着層と、
    当該粘着層を支持する支持層と、を有し、
    前記粘着層は、
    前記半導体基板と粘着する第１の粘着層と、
    当該第１の粘着層よりも粘着力の強い、前記支持層と粘着する第２の粘着層と
    当該第１の粘着層と当該第２の粘着層の間に設けられた基材層とを有することを特徴とする半導体基板の支持構造体。
  7. 前記支持層は、Ｓｉウェハからなることを特徴とする請求項６記載の半導体基板の支持構造体。
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